JP2006511963A - 犠牲的な膜を成長させ除去することにより材料を平坦化するための方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
Description
[0001]本発明の実施形態は、一般に、基板を処理することに係る。より詳細には、本発明の実施形態は、層を酸化し除去することにより層を平坦化することに係る。
[0002]集積回路及び他の電子デバイスの製造においては、導体、半導体及び誘電体材料の複数の層が基板の表面に堆積され又はそこから除去される。導体、半導体及び誘電体材料のこの層は、多数の堆積技術により堆積することができる。近代的な処理における共通の堆積技術は、スパッタリングとしても知られている物理気相堆積(PVD)、化学気相堆積(CVD)、プラズマエンハンスト化学気相堆積(PECVD)、及び電気化学的メッキ(ECP)を含む。
SOIウェハ
[0040]SOIウェハは、相補的−金属−酸化物−シリコン(CMOS)デバイス製造に対するエンハンストウェハで、絶縁層(酸化シリコン)の利益とシリコン(Si)デバイス層の利益の両方を結び付けるものである。絶縁基板は、寄生的接合キャパシタンスを減少し、ラッチアップを防止し、且つ放射硬度を改善する上で有益である。SOIマイクロチップ処理速度は、今日のCMOSベースのチップより約30%高速であり、且つ電力消費は、80%に減少される。従って、将来の集積シリコンチップ、又はシステム・オン・チップは、CMOS、バイポーラヘテロ構造バイポーラトランジスタ(HBT)、量子デバイス、光学的導波器、光学的変調器、光学的エミッタ及び検出器が全て単一チップ上に一体化されたSOI基板を使用することになろう。
Epiウェハ
[0045]ここで使用する「Epiウェハ」とは、エピタキシャルシリコンの層が形成されたウェハを指す。エピタキシャルシリコンは、例えば、単結晶シリコン、シリコンゲルマニウム及びSOIウェハに形成することができる。特定の実施形態では、エピタキシャルシリコン層がシリコンゲルマニウム基板上に形成されて、歪入りシリコンを形成する。ある実施形態では、エピタキシャルシリコンは、例えば、ボロンでドープされる。しかしながら、非ドープのエピタキシャルシリコンも使用できることが意図される。本発明の態様に基づくエピタキシャル層の形成及び酸化物の形成は、クラスターツール環境で実行されるのが好ましい。例えば、エピタキシャル層の形成は、大気epi堆積チャンバー及び減圧epi堆積チャンバーにおいて実行することができ、これらは、両方とも、アプライド・マテリアルズ・インクから入手できる。
酸化物成長装置及びプロセス
[0047]図1は、一体化された製造及び平坦化プロセス100の一実施形態を示す。ステップ102において、ベース材料が形成される。ベース材料は、基板、又は基板上に形成された膜の形態でよい(例えば、SOIウェハのepi層又は最上部シリコン層)。ここで使用する「ベース材料」とは、平坦化されるべき材料を指す。説明上、本発明の実施形態は、シリコンのベース材料を参照して述べる。平坦化プロセスは、ステップ104において、ベースシリコンに酸化物を成長させることにより開始される。酸化物は、ベースシリコン材料の一部分を消費することにより形成される。その結果、酸化物は、例えば、二酸化シリコンでよい。次いで、ステップ106において、酸化物が除去される。基底材料がエッチングストッパーとして働くのを許容するエッチングプロセスを使用して、酸化物を除去するのが好ましい。
温度制御と組み合わされるISSGプロセスの実施例
[00115]全部で6個の300mmSOIウェハが処理された。SOIウェハを処理する前に、13個のPオンP Epi Siウェハが同調及び設定に使用された。その目的は、SOIウェハの非均一シリコン層厚みを補償するように非均一な犠牲的酸化物膜厚みプロフィールの成長を実証するためであった。SOIウェハ上のシリコン層は、ウェハの縁において厚いものであった。従って、その目標は、酸化物層もその縁において厚くし、酸化物を剥離した後にシリコン層をより均一なものにすることであった。ターゲット厚みは、ウェハの中央領域で160Åであり、ウェハの縁で190Åに増加するものであった。Epi同調ウェハを使用して、全ガス流量、圧力及び浸漬時間を変更することにより、希望の非均一な酸化物厚みプロフィールに対してISSGプロセスを同調した。以下のテーブルIに要約されたように、レシピステップ2から7(図4のステップ306から310に対応する)の間に、14Torrにおいて、1100℃で130秒間浸漬し、33%水素及び67%酸素が40slmの全ガス流量の状態で、名目上のISSGプロセスが実行された。従って、30slmの全ガス流量の場合には、水素が9.9slmで、酸素が20.1slmである。
Claims (55)
- 半導体ウェハの上面を形成する材料上に犠牲的平坦化層を成長させる方法において、
(a)上記材料の非均一厚みプロフィールを決定するステップと、
(b)上記材料を平坦化するために上記非均一厚みプロフィールに基づいて1つ以上のプロセスパラメータ値を選択するステップと、
(c)上記非均一プロフィールに従って上記ウェハの上記上面に上記犠牲的平坦化層を湿式酸化で成長させるステップであって、上記犠牲的平坦化層が上記材料の一部分を消費してその平坦化を行わせるようなステップと、
を備えた方法。 - 1つ以上のプロセスパラメータ値を選択する上記ステップは、ウェハ温度値、ガス流量、チャンバー圧力及び処理時間の少なくとも1つを選択する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 1つ以上のプロセスパラメータ値を選択する上記ステップは、約600℃から約1250℃のウェハ温度値を選択する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 1つ以上のプロセスパラメータ値を選択する上記ステップは、約2SLMから約50SLMの酸素ガス流量を選択する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 1つ以上のプロセスパラメータ値を選択する上記ステップは、約1000℃から約1150℃のウェハ温度値、約10SLMから約40SLMの酸化ガス流量、約6Torrから約14Torrのチャンバー圧力、約30秒から約90秒の処理時間、及び約10%から約33%H2を有する酸化混合物濃度を選択する段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 上記犠牲的平坦化層は酸化物である、請求項1に記載の方法。
- 上記材料はシリコンであり、上記犠牲的平坦化層は二酸化シリコンである、請求項1に記載の方法。
- 上記ウェハはシリコン・オン・インスレータウェハである、請求項1に記載の方法。
- 湿式酸化で成長させる上記ステップは、上記材料を蒸気に露出させる段階を含む、請求項1に記載の方法。
- 上記蒸気は、上記ウェハからの熱エネルギーによりその場で発生される、請求項9に記載の方法。
- 上記蒸気は、外部で発生され、次いで、上記ウェハを含む反応エリアへ配送される、請求項9に記載の方法。
- (d)上記犠牲的平坦化層を除去するステップ、
を更に備えた請求項1に記載の方法。 - 上記ウェハ上に上記犠牲的平坦化層を繰り返し成長させ除去するステップを更に備えた、請求項12に記載の方法。
- 前記ステップ(a)−(d)を繰り返すステップを更に備えた、請求項12に記載の方法。
- 非均一なトポグラフィープロフィールを有するウェハ材料を平坦化する方法において、
チャンバーにウェハを入れるステップと、
上記非均一なトポグラフィープロフィールに基づいて上記ウェハ材料の平坦化消費を生じさせるために蒸気含有環境を確立するステップと、
上記ウェハを上記蒸気含有環境に露出させて、上記ウェハ材料に犠牲的平坦化層を成長させるステップと、
上記犠牲的平坦化層を除去するステップと、
を備えた方法。 - 上記犠牲的平坦化層は酸化物である、請求項15に記載の方法。
- 上記材料はシリコンであり、上記犠牲的平坦化層は二酸化シリコンである、請求項15に記載の方法。
- 上記ウェハはシリコン・オン・インスレータウェハである、請求項15に記載の方法。
- 蒸気含有環境を確立する上記ステップは、上記材料の平坦化消費を生じさせるように選択されたチャンバー圧力に上記チャンバーを加圧する段階を含む、請求項15に記載の方法。
- 蒸気含有環境を確立する上記ステップは、上記材料の平坦化消費を生じさせるように選択された流量で上記チャンバーに酸素含有流体を流し込む段階を含む、請求項15に記載の方法。
- 蒸気含有環境を確立する上記ステップは、上記材料の平坦化消費を生じさせるように選択された濃度をもつ酸化流体を上記チャンバーに流し込む段階を含む、請求項15に記載の方法。
- 上記ウェハにわたり温度勾配を作用させるステップを更に備え、上記温度勾配は、上記材料の平坦化消費を少なくとも一部分生じさせるように選択される、請求項15に記載の方法。
- 希望のトポグラフィープロフィールが得られるまで上記ウェハに上記犠牲的平坦化層を繰り返し成長させ除去するステップを更に備えた、請求項15に記載の方法。
- 上記ウェハを上記蒸気含有環境に露出させる前に上記材料の非均一なトポグラフィープロフィールを決定するステップを更に備えた、請求項15に記載の方法。
- 上記蒸気含有環境は、上記材料の平坦化消費を生じさせるために上記材料の上記決定された非均一なトポグラフィープロフィールに基づいて選択されたチャンバー圧力により少なくとも一部分定義される、請求項24に記載の方法。
- 上記蒸気含有環境は、上記材料の平坦化消費を生じさせるために上記材料の上記決定された非均一なトポグラフィープロフィールを使用して選択された流量で上記チャンバーに流し込まれる酸素含有流体により少なくとも一部分定義される、請求項24に記載の方法。
- 上記材料の非均一なトポグラフィープロフィールを決定する上記ステップは、上記チャンバーにおいて遂行される、請求項24に記載の方法。
- 非均一なトポグラフィーを有するウェハ材料を平坦化する方法において、
上記ウェハ材料を有するウェハをチャンバーに入れるステップと、
上記ウェハ材料の平坦化消費を生じさせるために上記非均一なトポグラフィーに基づいて上記ウェハ材料に犠牲的平坦化層を成長させるステップであって、
(a)上記ウェハ材料の平坦化消費を生じさせるために選択されたチャンバー圧力において第1の酸素含有環境に上記ウェハを露出させる一方、上記ウェハにわたって実質的に一定且つ均一の温度プロフィールを維持する段階、及び
(b)第2の酸素含有環境に上記ウェハを露出させる一方、上記ウェハにわたって非均一な温度プロフィールを維持して、上記ウェハ材料の平坦化消費を生じさせる段階、
を含む、犠牲的平坦化層を成長させるステップと、
上記犠牲的平坦化層を除去するステップと、
を備えた方法。 - 上記チャンバーに上記ウェハを入れる前に上記非均一なトポグラフィーを決定するステップを更に備えた、請求項28に記載の方法。
- 上記第1及び第2の酸素含有環境は同じものである、請求項28に記載の方法。
- 上記第1及び第2の酸素含有環境は異なるものである、請求項28に記載の方法。
- 上記第1の酸素含有環境は純粋な酸素を含み、上記第2の酸素含有環境は酸素基を含む、請求項28に記載の方法。
- 上記ウェハに犠牲的平坦化層を成長させ除去する上記ステップを繰り返し実行するステップを更に備えた、請求項28に記載の方法。
- 上記(a)及び(b)は繰り返し及び交互に実行される、請求項28に記載の方法。
- 上記(a)及び(b)は順次に実行される、請求項28に記載の方法。
- 上記(a)及び(b)は同時に実行される、請求項28に記載の方法。
- 非均一なトポグラフィープロフィールを有するウェハ材料で構成されるウェハを平坦化する方法において、
チャンバーに上記ウェハを入れるステップと、
酸素含有流体及び水素含有流体で構成された流体混合物を上記チャンバーに流し込むステップと、
上記チャンバー内の上記流体混合物に上記ウェハを露出させるステップと、
ウェハ温度と、チャンバー圧力及び流体混合物流量の少なくとも一方とを制御して、上記非均一なトポグラフィープロフィールに基づいて上記ウェハ材料の平坦化消費を生じさせると共に、上記ウェハ材料に犠牲的平坦化層の形成を生じさせるステップと、
上記犠牲的平坦化層を除去するステップと、
を備えた方法。 - チャンバー圧力を制御する上記ステップは、上記ウェハ材料の平坦化消費を生じさせるように上記チャンバー圧力を選択する段階を含む、請求項37に記載の方法。
- 流体混合物の流量を制御する上記ステップは、上記材料の平坦化消費を生じさせるように流量を選択する段階を含む、請求項37に記載の方法。
- 上記流体混合物に上記ウェハを露出させる前に上記ウェハ材料の非均一なトポグラフィープロフィールを決定するステップを更に備えた、請求項37に記載の方法。
- 上記ウェハに犠牲的平坦化層を繰り返し形成し除去するステップを更に備えた、請求項37に記載の方法。
- ウェハ温度を制御する上記ステップは、上記ウェハ材料の平坦化消費を生じさせるように上記ウェハにわたり非均一な温度プロフィールを作用させる段階を含む、請求項37に記載の方法。
- 上記非均一な温度プロフィールは、比較的高い温度のエリアでは比較的多くのウェハ材料の消費を生じさせると共に、比較的低い温度のエリアでは比較的少ないウェハ材料の消費を生じさせる、請求項42に記載の方法。
- ウェハの上部シリコン含有層を平坦化する方法において、
上記ウェハのターゲット酸化物プロフィールを決定するステップと、
上記ターゲット酸化物プロフィールに基づいて、1つ以上のプロセスパラメータ値を選択するステップであって、上記プロセスパラメータ値が、チャンバー圧力と、酸素含有流体及び水素含有流体で構成される酸化流体混合物の流体混合物流体流量との少なくとも一方から選択されるようなステップと、
酸化物成長チャンバーに上記ウェハを入れるステップと、
約6Torrから約14Torrのチャンバー圧力において上記チャンバーへ上記酸化流体混合物を流し込むステップと、
約10℃/秒から約100℃/秒でウェハ温度を上昇させるステップと、
約30秒から約90秒の時間周期中、上記チャンバー圧力及び上記ウェハ温度を酸化物成長状態に維持するステップと、
ウェハ温度と、チャンバー圧力、酸化流体混合物の流量及び酸化流体混合物の濃度の少なくとも1つとを制御して、上記ターゲット酸化物プロフィールに基づいて上記シリコン含有層の平坦化消費を生じさせると共に、上記シリコン含有層に犠牲的平坦化層の成長を生じさせるステップと、
上記犠牲的平坦化層を除去するステップと、
を備えた方法。 - 犠牲的平坦化層を除去する上記ステップは、上記ウェハをフッ化水素(HF)ディップに入れる段階を含む、請求項44に記載の方法。
- 上記酸化流体混合物は蒸気を含む、請求項44に記載の方法。
- 上記酸化流体混合物を熱的に活性化して蒸気を形成するステップを更に備えた、請求項44に記載の方法。
- 上記ウェハに犠牲的平坦化層を繰り返し形成し除去するステップを更に備えた、請求項44に記載の方法。
- 酸化物成長チャンバーと、
非均一なトポグラフィープロフィールの材料を有するウェハを支持するように適応されたウェハ支持部材と、
上記酸化物成長チャンバーに流体結合された流体配送システムと、
ターゲット酸化物プロフィールを入力として受け取ると共に、少なくとも、
上記酸化物成長チャンバーに酸素含有環境を形成するための流体配送システムからの1つ以上の流体の流量、及び
チャンバー圧力、
を制御するように構成されたコントローラシステムと、
を備え、上記流量及びチャンバー圧力の少なくとも1つは、上記ターゲット酸化物プロフィールに基づいて上記ウェハの材料を消費するように選択され、これにより、犠牲的平坦化層が上記材料に形成されるようにしたシステム。 - 上記犠牲的平坦化層の除去を実行するように適応された犠牲的平坦化層除去チャンバーを更に備えた、請求項49に記載のシステム。
- 上記コントローラシステムは、更に、上記チャンバーに配置されたウェハ加熱素子を制御するように構成された、請求項49に記載のシステム。
- 上記加熱素子に供給される電力は、上記ターゲット酸化物プロフィールに基づいて選択される、請求項51に記載のシステム。
- 上記加熱素子に供給される電力は、上記ターゲット酸化物プロフィールに対応して上記ウェハにわたり非対称的な温度プロフィールを発生するように選択される、請求項51に記載のシステム。
- 上記加熱素子に供給される電力は、上記ターゲット酸化物プロフィールに対応して上記ウェハにわたり非均一な温度プロフィールを発生するように選択される、請求項51に記載のシステム。
- 上記非均一な温度プロフィールは、比較的高い温度のエリアに比較的多くの材料の平坦化消費を生じさせるように選択される、請求項54に記載のシステム。
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004565330A Expired - Fee Related JP4558505B2 (ja) | 2002-12-19 | 2003-12-11 | 半導体ウェハの上面を形成する材料上に犠牲的平坦化層を成長させる方法、非均一なトポグラフィープロフィールを有するウェハ材料を平坦化する方法、及び、非均一なトポグラフィープロフィールを有するウェハ材料で構成されるウェハを平坦化する方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102396051A (zh) * | 2009-04-21 | 2012-03-28 | S.O.I.Tec绝缘体上硅技术公司 | 使绝缘体上硅衬底减薄的方法 |
US11107708B2 (en) | 2017-11-14 | 2021-08-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Heating platform, thermal treatment and manufacturing method |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6927169B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-08-09 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus to improve thickness uniformity of surfaces for integrated device manufacturing |
US8536492B2 (en) * | 2003-10-27 | 2013-09-17 | Applied Materials, Inc. | Processing multilayer semiconductors with multiple heat sources |
US7713883B2 (en) * | 2005-03-08 | 2010-05-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Manufacturing method of a semiconductor device, and substrate processing apparatus |
US7700376B2 (en) * | 2005-04-06 | 2010-04-20 | Applied Materials, Inc. | Edge temperature compensation in thermal processing particularly useful for SOI wafers |
US20060240680A1 (en) * | 2005-04-25 | 2006-10-26 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing platform allowing processing in different ambients |
US7860379B2 (en) * | 2007-01-15 | 2010-12-28 | Applied Materials, Inc. | Temperature measurement and control of wafer support in thermal processing chamber |
US20080305609A1 (en) * | 2007-06-06 | 2008-12-11 | Hui-Shen Shih | Method for forming a seamless shallow trench isolation |
US7951728B2 (en) * | 2007-09-24 | 2011-05-31 | Applied Materials, Inc. | Method of improving oxide growth rate of selective oxidation processes |
WO2009135137A2 (en) | 2008-05-02 | 2009-11-05 | Applied Materials, Inc. | System for non radial temperature control for rotating substrates |
US8889565B2 (en) * | 2009-02-13 | 2014-11-18 | Asm International N.V. | Selective removal of oxygen from metal-containing materials |
US9127340B2 (en) | 2009-02-13 | 2015-09-08 | Asm International N.V. | Selective oxidation process |
FR2943458B1 (fr) * | 2009-03-18 | 2011-06-10 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de finition d'un substrat de type "silicium sur isolant" soi |
CN102412117A (zh) * | 2010-09-19 | 2012-04-11 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 薄膜形成方法 |
FR2987935B1 (fr) | 2012-03-12 | 2016-07-22 | Soitec Silicon On Insulator | Procede d'amincissement de la couche active de silicium d'un substrat du type "silicium sur isolant" (soi). |
US9802360B2 (en) * | 2013-06-04 | 2017-10-31 | Stratsys, Inc. | Platen planarizing process for additive manufacturing system |
US20150206741A1 (en) | 2014-01-17 | 2015-07-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus and method for in situ steam generation |
US20160254145A1 (en) * | 2015-02-27 | 2016-09-01 | Globalfoundries Inc. | Methods for fabricating semiconductor structure with condensed silicon germanium layer |
FR3034565B1 (fr) * | 2015-03-30 | 2017-03-31 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure presentant une couche dielectrique enterree d'epaisseur uniforme |
TWI647760B (zh) * | 2016-03-22 | 2019-01-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 電漿處理系統中之溫度控制用系統及方法 |
FR3051973B1 (fr) | 2016-05-24 | 2018-10-19 | X-Fab France | Procede de formation de transistors pdsoi et fdsoi sur un meme substrat |
CN109585274B (zh) * | 2018-11-30 | 2020-09-15 | 上海华力微电子有限公司 | 半导体结构的制备方法 |
CN112447497A (zh) * | 2019-08-28 | 2021-03-05 | 长鑫存储技术有限公司 | 氧化层形成方法、半导体器件的制作方法及半导体器件 |
US11978880B2 (en) | 2021-06-01 | 2024-05-07 | GM Global Technology Operations LLC | Electrochemical exchange for the fabrication of a layered anode material |
US20230060634A1 (en) * | 2021-09-02 | 2023-03-02 | GM Global Technology Operations LLC | Methods for fabricating two-dimensional anode materials |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0750234A (ja) * | 1993-08-04 | 1995-02-21 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体ウェーハ製造装置および製造方法 |
JPH07162002A (ja) * | 1993-12-06 | 1995-06-23 | Sharp Corp | 半導体膜の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH098258A (ja) * | 1995-06-15 | 1997-01-10 | Nec Corp | Soi基板の製造方法 |
JPH10106951A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Sharp Corp | 半導体薄膜、半導体装置および半導体薄膜の製造方法 |
JPH10223579A (ja) * | 1997-02-13 | 1998-08-21 | Toshiba Corp | 基板の平坦化方法及びその装置 |
JPH1167758A (ja) * | 1997-08-19 | 1999-03-09 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 半導体膜の成形方法及び半導体基板の製造方法 |
JPH11251599A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Toshiba Corp | 薄膜半導体装置の製造方法 |
JP2000269157A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2001060580A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体基板の製造方法 |
JP2001345271A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Shibaura Mechatronics Corp | ウェハの加熱制御方法 |
JP2001527279A (ja) * | 1997-07-11 | 2001-12-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | In−situ蒸気生成方法及び装置 |
JP2002522912A (ja) * | 1998-08-14 | 2002-07-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板温度測定システムのチューニング |
JP2002261286A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Ind Technol Res Inst | ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性を改善する製造方法 |
JP2003031516A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 加熱装置及び加熱方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4154192A (en) * | 1976-12-10 | 1979-05-15 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Manufacturing apparatus for semiconductor devices |
US4992306A (en) * | 1990-02-01 | 1991-02-12 | Air Products Abd Chemicals, Inc. | Deposition of silicon dioxide and silicon oxynitride films using azidosilane sources |
US5468670A (en) * | 1993-07-14 | 1995-11-21 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor memory device having a stacked capacitor cell |
JPH0710935U (ja) * | 1993-07-24 | 1995-02-14 | ヤマハ株式会社 | 縦型熱処理炉 |
WO1995004372A1 (en) * | 1993-07-30 | 1995-02-09 | Semitool, Inc. | Methods for processing semiconductors to reduce surface particles |
JPH0786271A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-03-31 | Fujitsu Ltd | シリコン酸化膜の作製方法 |
US5777300A (en) * | 1993-11-19 | 1998-07-07 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Processing furnace for oxidizing objects |
JPH0916925A (ja) * | 1995-06-28 | 1997-01-17 | Yamaha Corp | 誘導型・mr型複合磁気ヘッドおよびその製造方法 |
US5862057A (en) * | 1996-09-06 | 1999-01-19 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for tuning a process recipe to target dopant concentrations in a doped layer |
US5851892A (en) * | 1997-05-07 | 1998-12-22 | Cypress Semiconductor Corp. | Fabrication sequence employing an oxide formed with minimized inducted charge and/or maximized breakdown voltage |
CA2294306A1 (en) * | 1997-06-19 | 1998-12-23 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Soi substrate and process for preparing the same, and semiconductor device and process for preparing the same |
US6100132A (en) * | 1997-06-30 | 2000-08-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of deforming a trench by a thermal treatment |
US6037273A (en) * | 1997-07-11 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for insitu vapor generation |
US6306727B1 (en) * | 1997-08-18 | 2001-10-23 | Micron Technology, Inc. | Advanced isolation process for large memory arrays |
US6265286B1 (en) * | 1997-11-17 | 2001-07-24 | Texas Instruments Incorporated | Planarization of LOCOS through recessed reoxidation techniques |
US6475927B1 (en) * | 1998-02-02 | 2002-11-05 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a semiconductor device |
CN1319252A (zh) * | 1998-09-25 | 2001-10-24 | 旭化成株式会社 | 半导体衬底及其制造方法、和使用它的半导体器件及其制造方法 |
KR100335120B1 (ko) * | 1999-08-25 | 2002-05-04 | 박종섭 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
TW434793B (en) | 2000-01-11 | 2001-05-16 | Taiwan Semiconductor Mfg | Process for producing shallow trench isolation of integrated circuit |
US6492283B2 (en) * | 2000-02-22 | 2002-12-10 | Asm Microchemistry Oy | Method of forming ultrathin oxide layer |
JP2002033470A (ja) | 2000-07-17 | 2002-01-31 | Canon Inc | 光電変換装置及びその製造方法 |
US6890450B2 (en) * | 2001-02-02 | 2005-05-10 | Intel Corporation | Method of providing optical quality silicon surface |
JP4843854B2 (ja) | 2001-03-05 | 2011-12-21 | 住友電気工業株式会社 | Mosデバイス |
JP2003017408A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体膜、半導体膜の形成方法、半導体装置の製造方法 |
US6927169B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-08-09 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus to improve thickness uniformity of surfaces for integrated device manufacturing |
-
2002
- 2002-12-19 US US10/325,673 patent/US6916744B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-12-11 AU AU2003294681A patent/AU2003294681A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-11 EP EP03787296A patent/EP1579491A1/en not_active Withdrawn
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- 2003-12-11 JP JP2004565330A patent/JP4558505B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-11 CN CNB2003801069362A patent/CN100447963C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-11 KR KR1020057011606A patent/KR20050084446A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0750234A (ja) * | 1993-08-04 | 1995-02-21 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体ウェーハ製造装置および製造方法 |
JPH07162002A (ja) * | 1993-12-06 | 1995-06-23 | Sharp Corp | 半導体膜の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法 |
JPH098258A (ja) * | 1995-06-15 | 1997-01-10 | Nec Corp | Soi基板の製造方法 |
JPH10106951A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Sharp Corp | 半導体薄膜、半導体装置および半導体薄膜の製造方法 |
JPH10223579A (ja) * | 1997-02-13 | 1998-08-21 | Toshiba Corp | 基板の平坦化方法及びその装置 |
JP2001527279A (ja) * | 1997-07-11 | 2001-12-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | In−situ蒸気生成方法及び装置 |
JPH1167758A (ja) * | 1997-08-19 | 1999-03-09 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 半導体膜の成形方法及び半導体基板の製造方法 |
JPH11251599A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Toshiba Corp | 薄膜半導体装置の製造方法 |
JP2002522912A (ja) * | 1998-08-14 | 2002-07-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板温度測定システムのチューニング |
JP2000269157A (ja) * | 1999-03-19 | 2000-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2001060580A (ja) * | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体基板の製造方法 |
JP2001345271A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Shibaura Mechatronics Corp | ウェハの加熱制御方法 |
JP2002261286A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Ind Technol Res Inst | ポリシリコン薄膜トランジスタの信頼性を改善する製造方法 |
JP2003031516A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 加熱装置及び加熱方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102396051A (zh) * | 2009-04-21 | 2012-03-28 | S.O.I.Tec绝缘体上硅技术公司 | 使绝缘体上硅衬底减薄的方法 |
US11107708B2 (en) | 2017-11-14 | 2021-08-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Heating platform, thermal treatment and manufacturing method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6916744B2 (en) | 2005-07-12 |
WO2004061932A9 (en) | 2005-07-21 |
CN100447963C (zh) | 2008-12-31 |
CN1802733A (zh) | 2006-07-12 |
JP4558505B2 (ja) | 2010-10-06 |
KR20050084446A (ko) | 2005-08-26 |
EP1579491A1 (en) | 2005-09-28 |
US20040121598A1 (en) | 2004-06-24 |
AU2003294681A1 (en) | 2004-07-29 |
WO2004061932A1 (en) | 2004-07-22 |
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