JP2006339444A - 半導体装置及びその半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- H01L27/0266—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices using field effect transistors as protective elements
Abstract
【解決手段】半導体装置は、第1トランジスタ3及び第1バラスト抵抗4を含む第1ESD保護回路1Aと、第2トランジスタ5及び第2バラスト抵抗6を含む第2ESD保護回路1Bとを備えている。第1バラスト抵抗4を構成する第2拡散領域の不純物濃度は、第2バラスト抵抗6を構成する第4拡散領域の不純物濃度よりも低濃度にされている。
【選択図】図2
Description
しかるに、このようにレイアウト形状を変更すると、レイアウト設計の工数が増大するとともにレイアウトサイズへの影響が生ずるため問題である。
本実施形態にかかる半導体装置は、図1に示す第1ESD保護回路1Aをフィンガ構成した第1領域100Aと、第2ESD保護回路1Bをフィンガ構成した第2領域100Bとを備えている。
なお、第2領域100Bについては、第1領域100Aと同様の構成を有している。従って、第2領域100Bの各部分に対応するカッコ書きを図1に付して、説明を省略する。
このうち第1トランジスタ3は、n型拡散領域21A及び第1LDD領域22Aからなるソース電極3Sと、n型拡散領域21B及び第1LDD領域22Bからなるドレイン電極3Dと、ポリシリコン54からなるゲート電極3Gとを備えている。また、ゲート電極3Gは、バックゲート電極をなすp型基板11と、18nm厚のゲート酸化膜41を挟んで対向している。さらに、ゲート電極3Gは、ゲート酸化膜41と一体のサイドウォールスペーサ43により、その側面が覆われている。また、ソース電極3S、ドレイン電極3D及びソース電極3Sは、表面がシリサイド層45で覆われて、伝達インピーダンスの低インピーダンス化が図られている。
まず、取出端子1ATの電圧が上昇すると、第1トランジスタ3に寄生するラテラルバイポーラトランジスタが導通する。すると、取出端子1ATの電圧が低下し始めると共に、電流が流れ始める。(図中、スイッチ電圧Von(本例では約9V)の部分)
このため、電流値が3.5Aに到達する前に、再度、スイッチ電圧Vonに到達することができ、フィンガ構成される第1ESD保護回路1Aのうち、既に導通しているものとは別のラテラルバイポーラトランジスタが導通することになる。すなわち、本実施形態にかかる第1ESD保護回路1Aでは、複数の第1トランジスタ3で電流を分散することができ、ひいては、一つの第1トランジスタ3に電流が集中して破壊することを防止することができる。
第2ESD保護回路1Bも、第1ESD保護回路1Aと同様に、スイッチ電圧Vonで電圧が降下し、ホールド電圧Vholdで電圧が上昇する特性を有している。
このため、第2ESD保護回路1Bでは、第2バラスト抵抗6の抵抗値が低くされている。従って、図3(B)に示されるように、電圧−電流特性は、第1ESD保護回路1Aに比して、急峻な傾きを有する。これにより、トランジスタ破壊電圧の限界値を超えることなく、取出端子1BTに3.5Aの電流を流すことができる。
図3(A)のうち点線部分は、第1ESD保護回路1Aについて、第1バラスト抵抗4の抵抗値を第2バラスト抵抗6の抵抗値と同一にした場合の特性を示している。この比較例1のESD保護回路では、電圧−電流特性の傾きについて、第1ESD保護回路1Aに比して、急峻であるため、取出端子1ATの電圧がスイッチ電圧Vonに到達することがない。そのため、全ESD保護素子がオンせずに、少数の第1トランジスタ3に寄生するラテラルバイポ−ラトランジスタで電流を流すことになり、その結果3.5Aを流す前に破壊に至る虞が生じる。
図3(B)のうち点線部分は、第2ESD保護回路1Bについて、第2バラスト抵抗6の抵抗値を第1バラスト抵抗4の抵抗値と同一にした場合の特性を示している。この比較例2のESD保護回路では、電圧−電流特性の傾きについて、第2ESD保護回路1Bに比して、緩やかであるため、電流値が3.5Aに到達する前に、電圧値がトランジスタ破壊電圧の限界値を上回ることになる。このため、内部コア回路等にて低耐圧のトランジスタが破壊される虞が生じる。
これに対して、本発明では、トランジスタの耐圧に応じて、第1バラスト抵抗4及び第2バラスト抵抗6を適切に設定することができるため、適切に動作するESD保護回路を構成することが出来る。
なお、本実施形態にかかる半導体装置は、第1ESD保護回路1A及び第2ESD保護回路1Bのほかに、通常の回路に用いられる第3トランジスタ2A及び第4トランジスタ2Bを備えている。第3トランジスタ2Aは第1ESD保護回路1Aに含まれる第1トランジスタ3と同様であり、第4トランジスタ2Bは、第2ESD保護回路1Bに含まれる第2トランジスタ5と同様である。
さらに、NMOSトランジスタが形成される領域(図4(A)では全面)を露出する図示しないレジストマスクを形成し、B+イオンを加速エネルギ300KeV、ドーズ量3.0×1013cm−2でイオン注入してp型領域11Aを形成する。
さらに、B+イオンを加速エネルギ100KeV、ドーズ量2.0×1013cm−2でイオン注入してp型領域11Bを形成する。その後、レジストマスクを除去する。なお、以後の説明では、形成したp型領域11A,11Bの図示を省略する。
本実施形態では、ゲート酸化膜耐圧について、第2トランジスタ5が、第1トランジスタ3よりも低耐圧である場合を例示したが、例えば、基板電極及びドレイン電極の接合部分の耐圧について、一方のトランジスタが他方のトランジスタよりも低耐圧である場合にも本発明は適用することができる。
また、本実施形態では、STI構造を有する半導体装置を例示したが、例えば、従来のLOCOS構造を有する半導体装置にも本発明は適用することができる。
また、本実施形態では、一般的なシリサイドブロック構造を有する半導体装置を例示したが、例えば、特許文献1の図26に示される様々な形態のシリサイドブロック構造を有する半導体装置にも本発明は適用することができる。
さらに、本実施形態では、トランジスタ単体で構成されるESD保護回路について例示したが、例えば、特許文献1の図6に示されるカスケード構造を有するESD保護回路に対しても、同様に本発明は適用することができる。
1B 第2ESD保護回路
2A 第3トランジスタ
2B 第4トランジスタ
4 第1バラスト抵抗
5 第2トランジスタ
6 第2バラスト抵抗
11 p型基板(第1導電型を有する基板)
21、21A〜21F n型拡散領域
22、22A〜22F 第1LDD領域
23A,23B 第2LDD領域
100A 第1領域
100B 第2領域
Claims (7)
- 静電放電破壊に対して耐性を高めるESD保護回路を含む半導体装置であって、
第1導電型を有する基板と、
複数の第1ESD保護回路がフィンガ構成される第1領域と、
複数の第2ESD保護回路がフィンガ構成される第2領域と、
を備え、
前記第1ESD保護回路は、
第1ゲート電極、及び、第2導電型の第1拡散領域を含む第1ドレイン電極を有する第1トランジスタと、
前記第1拡散領域に対して前記第1ゲート電極から離れる方向に連接し、前記第2導電型であり、不純物濃度が前記第1拡散領域よりも低濃度の第2拡散領域を含む第1バラスト抵抗と、
を備え、
前記第2ESD保護回路は、
第2ゲート電極、及び、第2導電型の第3拡散領域を含む第2ドレイン電極を有し、前記第1トランジスタよりも耐圧が低電圧である第2トランジスタと、
前記第3拡散領域に対して前記第2ゲート電極から離れる方向に連接し、前記第2導電型であり、不純物濃度が前記第2拡散領域よりも高濃度である第4拡散領域を含む第2バラスト抵抗と、
を備える
半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記第2バラスト抵抗は、不純物濃度が、前記第2拡散領域と同濃度である第5拡散領域を含む
半導体装置。 - 請求項2に記載の半導体装置であって、
前記第4拡散領域は、前記第5拡散領域に対して、前記基板の表面から離れる方向に配置されてなる
半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置であって、
前記第2トランジスタの第2ドレイン電極は、LDD領域を有し、
前記第2拡散領域は、不純物濃度が前記LDD領域と同濃度または上回る濃度である
半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第2バラスト抵抗に対して、選択的に第2導電型の第1不純物元素を注入して前記第4拡散領域を形成する工程と、
前記第4拡散領域の形成後に、少なくとも前記第1バラスト抵抗に対して、第2導電型の第2不純物元素を注入して第2拡散領域を形成する工程と、
を備える
半導体装置の製造方法。 - 請求項5に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第2トランジスタの第2ドレイン電極は、LDD領域を有し、
前記第2拡散領域を形成する工程は、前記LDD領域に対して、第2導電型の第2不純物元素を注入する工程を兼ねる
半導体の製造方法。 - 請求項5に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第2拡散領域を形成する工程は、前記第2バラスト抵抗に対しても、第2導電型の第2不純物元素を注入する
半導体の製造方法。
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