JP2006302977A - パワー半導体デバイスの温度計測装置 - Google Patents
パワー半導体デバイスの温度計測装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006302977A JP2006302977A JP2005119042A JP2005119042A JP2006302977A JP 2006302977 A JP2006302977 A JP 2006302977A JP 2005119042 A JP2005119042 A JP 2005119042A JP 2005119042 A JP2005119042 A JP 2005119042A JP 2006302977 A JP2006302977 A JP 2006302977A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- power semiconductor
- semiconductor device
- diode
- anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 173
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 127
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 70
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
- G01K7/015—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions using microstructures, e.g. made of silicon
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/42—Circuits effecting compensation of thermal inertia; Circuits for predicting the stationary value of a temperature
- G01K7/425—Thermal management of integrated systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
- H01L29/0692—Surface layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12036—PN diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】IGBT等を有するチップ12に温度センサ11として一対のダイオード15,16を形成し、そのダイオード15,16に接続される検出回路13を、IGBT等の駆動回路が集積されたチップ14に形成する。検出回路13は、温度検出用のダイオード15,16に電流値の異なる電流を流し、それらのダイオード15,16の順方向電圧差に基づいて、IGBTチップ12の温度を検出する。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1にかかる温度計測装置の概略構成を示す等価回路図である。図1に示すように、温度センサ11は、パワー半導体デバイスのチップ12に設けられている。温度センサ11の制御と出力信号の処理を行う検出回路13は、集積回路のチップ14に設けられている。温度センサ11は、近接して配置された一対のダイオード15,16で構成されている。これらのダイオード15,16のアノードは、例えば1Ω以上のインピーダンスで検出回路13の第1の定電流源131に共通に接続されている。この第1の定電流源131は、ダイオード15,16のアノード側に電流I1を流す。
K=I2/I1 ・・・(3)
ΔV=kT/q・ln(K/m) ・・・(4)
図13は、本発明の実施の形態2にかかる温度計測装置の概略構成を示す等価回路図である。図13に示すように、実施の形態2では、温度センサ11が1個のダイオード15で構成されている。このダイオード15のアノードは、例えば1Ω以上のインピーダンスで検出回路18の定電圧手段181に接続されている。つまり、ダイオード15のアノードには定電圧が印加される。また、ダイオード15のカソードは、例えば1Ω以上で、かつアノード側よりも高いインピーダンスで検出回路18の第1の定電流源182および第2の定電流源183にスイッチ180を介して接続されている。
図16は、本発明の実施の形態3にかかる温度計測装置の概略構成を示す等価回路図である。図16に示すように、実施の形態3は、実施の形態1の検出回路13において、温度検出器134の代わりに、差動アンプ回路137とコンパレータ138を設けたものである。なお、図16では、遅延回路135を含む一部の図示が省略されている。差動アンプ回路137は、温度検出用の第1のダイオード15の順方向電圧V1と第2のダイオード16の順方向電圧V2の差分を増幅し、出力電圧Voとして出力する。
図17は、本発明の実施の形態4にかかる温度計測装置の概略構成を示す等価回路図である。図17に示すように、実施の形態4は、図16に示す実施の形態3の検出回路13において、第1のダイオード15のカソードと差動アンプ回路137の間に第1のバッファアンプ145を設けるとともに、第2のダイオード16のカソードと差動アンプ回路137の間に、第1のバッファアンプ145と同じ構成の第2のバッファアンプ146を設けたものである。
図18は、本発明の実施の形態5にかかる温度計測装置の概略構成を示す等価回路図である。図18に示すように、実施の形態5は、図17に示す実施の形態4の検出回路13において、第1の定電流源131の代わりに、温度検出用のダイオード15,16のアノードに定電圧源147を接続したものである。つまり、ダイオード15,16のアノードには定電圧VCが印加される。実施の形態1と同様に、第2のダイオード16および第1のダイオード15の各カソード側に流れる電流をそれぞれI2およびI3とし、寄生ダイオード10により流れる寄生電流をIPとする。
図19は、本発明の実施の形態6にかかる温度計測装置の概略構成を示す等価回路図である。図19に示すように、実施の形態6は、温度検出用のダイオード15,16のアノードに定電圧源を接続した構成の別の例であり、定電圧源としてオペアンプのフィードバック制御を利用している。検出回路19は、オペアンプ191と3個の抵抗192,193,194とコンパレータ195を有する。
V1=V2+R1×I1 ・・・(7)
I=Is{exp(qV/kT)−1}
≒Is・exp(qV/kT) ・・・(8)
I1=kT/q×ln(R2/R3)/R1 ・・・(9)
I2=kT/q×ln(R2/R3)×R2/(R1・R3) ・・・(10)
Vo=kT/q×ln(R2/R3)×R2/R1 ・・・(11)
13,18 検出回路
14 第2のチップ
15,16 温度検出用ダイオード
41 n型半導体領域
42 IGBT活性部
43 温度検出用ダイオード部
44,74 ダイバータ部
52,70,71 アノード領域
60,61,62 p型半導体領域
79 誘電体(領域)
131 定電流源
137 差動アンプ
145,146 バッファアンプ
147,181,191 定電圧源
Claims (24)
- パワー半導体デバイスを有する第1のチップに形成された複数の温度検出用ダイオードと、
前記パワー半導体デバイスを制御する集積回路を有する第2のチップに形成され、かつ前記温度検出用ダイオードに接続された検出回路と、を備え、
前記検出回路は、前記温度検出用ダイオードのそれぞれに電流値の異なる電流を流したときの前記温度検出用ダイオードの相互の順方向電圧差に基づいて、前記パワー半導体デバイスの温度を検出することを特徴とするパワー半導体デバイスの温度計測装置。 - 前記各温度検出用ダイオードは、前記検出回路に、アノード側およびカソード側がともに1Ω以上で、かつアノード側よりもカソード側の方が高いインピーダンスで接続されていることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記各温度検出用ダイオードから出力される大きさの異なる順方向電圧を差動アンプに入力させ、該差動アンプで前記温度検出用ダイオードの相互の順方向電圧差を増幅することを特徴とする請求項1または2に記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記各温度検出用ダイオードから出力される大きさの異なる順方向電圧をそれぞれ同一構成の異なるバッファアンプを介して前記差動アンプに入力させることを特徴とする請求項3に記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記各温度検出用ダイオードのカソードは、互いに独立して前記検出回路に接続され、かつ前記各温度検出用ダイオードのアノードは、前記検出回路に共通に接続されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記各温度検出用ダイオードのアノードが電流制限手段に接続されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記電流制限手段は定電流源であることを特徴とする請求項6に記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記各温度検出用ダイオードのアノードが定電圧源に接続されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記温度検出用ダイオードは、平面的なレイアウトにおいて対称に配置されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一つに記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記各温度検出用ダイオードの外周は、前記パワー半導体デバイスの基準電位と同じ電位が印加されるp型半導体領域により囲まれており、前記各温度検出用ダイオードのアノード領域は、前記p型半導体領域の前記パワー半導体デバイス側端部から100μm以上離れていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記各温度検出用ダイオードの外周は、前記パワー半導体デバイスの基準電位と同じ電位が印加されるp型半導体領域により囲まれており、該p型半導体領域と前記各温度検出用ダイオードのアノード領域は、その間にn型半導体領域を挟み、アノード領域への印加電圧よりアノード領域とp型半導体領域間の耐圧が大きいことを特徴とする請求項1〜10のいずれか一つに記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記各温度検出用ダイオードの外周は、前記パワー半導体デバイスの基準電位と同じ電位が印加されるp型半導体領域により囲まれており、該p型半導体領域と前記各温度検出用ダイオードのアノード領域は、その間にn型半導体領域を挟んで1μm以上離れていることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一つに記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記各温度検出用ダイオードの外周が誘電体により囲まれていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- パワー半導体デバイスを有する第1のチップに形成された温度検出用ダイオードと、
前記パワー半導体デバイスを制御する集積回路を有する第2のチップに形成され、かつ前記温度検出用ダイオードに接続された検出回路と、を備え、
前記検出回路は、前記温度検出用ダイオードに電流値の異なる電流を時分割で流したときの前記温度検出用ダイオードの順方向電圧差に基づいて、前記パワー半導体デバイスの温度を検出することを特徴とするパワー半導体デバイスの温度計測装置。 - 前記温度検出用ダイオードは、前記検出回路に、アノード側およびカソード側がともに1Ω以上で、かつアノード側よりもカソード側の方が高いインピーダンスで接続されていることを特徴とする請求項14に記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記温度検出用ダイオードから時分割で出力される大きさの異なる順方向電圧を差動アンプに入力させ、該差動アンプで前記温度検出用ダイオードの順方向電圧差を増幅することを特徴とする請求項14または15に記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記温度検出用ダイオードの出力をバッファアンプを介して前記差動アンプに入力させることを特徴とする請求項16に記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記温度検出用ダイオードのアノードが電流制限手段に接続されていることを特徴とする請求項14〜17のいずれか一つに記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記電流制限手段は定電流源であることを特徴とする請求項18に記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記温度検出用ダイオードのアノードが定電圧源に接続されていることを特徴とする請求項14〜17のいずれか一つに記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記温度検出用ダイオードの外周は、前記パワー半導体デバイスの基準電位と同じ電位が印加されるp型半導体領域により囲まれており、前記温度検出用ダイオードのアノードは、前記p型半導体領域の前記パワー半導体デバイス側端部から100μm以上離れていることを特徴とする請求項14〜20のいずれか一つに記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記温度検出用ダイオードの外周は、前記パワー半導体デバイスの基準電位と同じ電位が印加されるp型半導体領域により囲まれており、該p型半導体領域と前記温度検出用ダイオードのアノード領域は、その間にn型半導体領域を挟み、アノード領域への印加電圧よりアノード領域とp型半導体領域間の耐圧が大きいことを特徴とする請求項14〜21のいずれか一つに記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記温度検出用ダイオードの外周は、前記パワー半導体デバイスの基準電位と同じ電位が印加されるp型半導体領域により囲まれており、該p型半導体領域と前記温度検出用ダイオードのアノード領域は、その間にn型半導体領域を挟んで1μm以上離れていることを特徴とする請求項14〜21のいずれか一つに記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
- 前記温度検出用ダイオードの外周が誘電体により囲まれていることを特徴とする請求項14〜20のいずれか一つに記載のパワー半導体デバイスの温度計測装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005119042A JP5028748B2 (ja) | 2005-04-15 | 2005-04-15 | パワー半導体デバイスの温度計測装置 |
US11/404,095 US7507023B2 (en) | 2005-04-15 | 2006-04-14 | Temperature measurement device of power semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005119042A JP5028748B2 (ja) | 2005-04-15 | 2005-04-15 | パワー半導体デバイスの温度計測装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006302977A true JP2006302977A (ja) | 2006-11-02 |
JP5028748B2 JP5028748B2 (ja) | 2012-09-19 |
Family
ID=37418310
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005119042A Active JP5028748B2 (ja) | 2005-04-15 | 2005-04-15 | パワー半導体デバイスの温度計測装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7507023B2 (ja) |
JP (1) | JP5028748B2 (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008177250A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-31 | Sharp Corp | 温度センサを組み込んだ電力制御装置及びその製造方法 |
JP2009053081A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | マルチチップ型半導体装置およびその製造方法 |
JP2009076761A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009188178A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
JP2009188335A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
US8089134B2 (en) | 2008-02-06 | 2012-01-03 | Fuji Electric Sytems Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2013219633A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Fuji Electric Co Ltd | パワートランジスタの駆動回路 |
US8633550B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-01-21 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
JP2014216465A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2015228771A (ja) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2016149502A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体モジュール |
JP2017147435A (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN107917718A (zh) * | 2016-10-06 | 2018-04-17 | 英飞凌科技股份有限公司 | 使用信号特性标识的超温条件 |
US9995636B2 (en) | 2014-09-22 | 2018-06-12 | Hyundai Motor Company | Temperature sensing system for switching device |
US10192795B2 (en) | 2015-06-11 | 2019-01-29 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
JP2022046239A (ja) * | 2020-09-10 | 2022-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US11296492B2 (en) | 2019-09-19 | 2022-04-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Protection circuit, semiconductor device, and method |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7118273B1 (en) * | 2003-04-10 | 2006-10-10 | Transmeta Corporation | System for on-chip temperature measurement in integrated circuits |
EP2035797A4 (en) * | 2006-06-03 | 2013-01-16 | Prec Linear Systems Inc | TEMPERATURE MEASUREMENT AND TRANSMISSION ARRANGEMENTS, PROGRAMMABLE TEMPERATURE SENSOR UNITS, AND METHOD FOR THEIR PRODUCTION AND USE |
DE102007001107B4 (de) * | 2007-01-04 | 2009-06-10 | Infineon Technologies Ag | Schaltungsanordnung mit einem Leistungstransistor und mit dessen Ansteuerschaltung |
US8016482B2 (en) * | 2007-07-20 | 2011-09-13 | International Business Machines Corporation | Method and systems of powering on integrated circuit |
US8057094B2 (en) * | 2007-11-16 | 2011-11-15 | Infineon Technologies Ag | Power semiconductor module with temperature measurement |
JP5034919B2 (ja) * | 2007-12-13 | 2012-09-26 | 富士電機株式会社 | 温度センサ回路 |
US8985850B1 (en) * | 2009-10-30 | 2015-03-24 | Cypress Semiconductor Corporation | Adaptive gate driver strength control |
US8573841B2 (en) * | 2011-04-08 | 2013-11-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | On-chip temperature sensor |
EP2541220B1 (de) * | 2011-06-28 | 2015-04-08 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung zur Messung einer Temperatur eines Leistungshalbleiters |
EP2568268A1 (en) * | 2011-09-07 | 2013-03-13 | kk-electronic a/s | Method for estimating the temperature of a semiconductor chip |
US9004756B2 (en) | 2012-04-10 | 2015-04-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Temperature sensor |
ITMI20121244A1 (it) | 2012-07-17 | 2014-01-18 | St Microelectronics Srl | Transistore con contatti di terminale auto-allineati |
US10132696B2 (en) * | 2014-07-11 | 2018-11-20 | Infineon Technologies Ag | Integrated temperature sensor for discrete semiconductor devices |
WO2016113841A1 (ja) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置、その製造方法および半導体モジュール |
JP6436791B2 (ja) * | 2015-01-16 | 2018-12-12 | エイブリック株式会社 | 半導体装置 |
CN107086217B (zh) * | 2016-02-16 | 2023-05-16 | 富士电机株式会社 | 半导体装置 |
KR102388147B1 (ko) * | 2017-05-08 | 2022-04-19 | 현대자동차주식회사 | Igbt 온도 센서 보정 장치 및 이를 이용한 온도센싱 보정 방법 |
EP3435543A1 (en) | 2017-07-27 | 2019-01-30 | ABB Schweiz AG | A semiconductor device and method of measurement of physical parameters of a semiconductor device |
WO2019239084A1 (en) | 2018-06-13 | 2019-12-19 | Dynex Semiconductor Limited | A power semiconductor device with a temperature sensor |
JP7268330B2 (ja) | 2018-11-05 | 2023-05-08 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および製造方法 |
CN113035949A (zh) * | 2019-12-25 | 2021-06-25 | 株洲中车时代半导体有限公司 | Igbt芯片 |
CN111933070A (zh) * | 2020-07-27 | 2020-11-13 | 重庆惠科金渝光电科技有限公司 | 驱动电路以及显示装置 |
US12088285B2 (en) | 2021-03-11 | 2024-09-10 | Microchip Technology Inc. | IC thermal protection |
DE112022000242T5 (de) * | 2021-03-11 | 2023-09-28 | Microchip Technology Inc. | Ic-thermoschutz |
CN113745318B (zh) * | 2021-09-03 | 2022-05-03 | 深圳市响河测控技术有限公司 | 一种电源过热保护电路及其校准方法 |
CN116504823B (zh) * | 2023-06-28 | 2023-11-07 | 湖南大学 | Igbt芯片及集成测温单元的igbt元胞、方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6179234U (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-27 | ||
JPH03188661A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-16 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH04205896A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | サンプル・ホールド回路 |
JPH04330773A (ja) * | 1990-12-05 | 1992-11-18 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH06151728A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-05-31 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH1041510A (ja) * | 1996-05-22 | 1998-02-13 | Fuji Electric Co Ltd | 温度検知部内蔵型バイポーラ半導体素子およびその製造方法 |
JP2004134472A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-30 | Nec Electronics Corp | 半導体装置および内部温度測定方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6463828A (en) | 1987-09-02 | 1989-03-09 | Nec Corp | Semiconductor temperature detecting circuit |
US5070322A (en) * | 1989-07-19 | 1991-12-03 | Fuji Electric Co., Ltd. | An overheating detection circuit including a reversely biased junction having a temperature dependent reverse leakage current for detecting overheating of a power integrated circuit |
US5349336A (en) * | 1990-07-17 | 1994-09-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Overheating detection circuit for detecting overheating of a power device |
US5355123A (en) * | 1990-07-17 | 1994-10-11 | Fuji Electric Co., Ltd. | Overheating detection circuit for detecting overheating of a power device |
US5546041A (en) * | 1993-08-05 | 1996-08-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Feedback sensor circuit |
US5557550A (en) * | 1994-03-11 | 1996-09-17 | Seagate Technology, Inc. | Junction temperature status sensing and reduction for integrated power devices, such as a head positioning system in a magnetic disc drive |
US5440520A (en) * | 1994-09-16 | 1995-08-08 | Intel Corporation | Integrated circuit device that selects its own supply voltage by controlling a power supply |
JP3168874B2 (ja) * | 1995-05-23 | 2001-05-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US6149299A (en) * | 1997-12-11 | 2000-11-21 | National Semiconductor Corporation | Direct temperature sensing of a semiconductor device semiconductor device |
US6567763B1 (en) * | 1999-12-30 | 2003-05-20 | Intel Corporation | Analog temperature measurement apparatus and method |
US6531911B1 (en) * | 2000-07-07 | 2003-03-11 | Ibm Corporation | Low-power band-gap reference and temperature sensor circuit |
US6808307B1 (en) * | 2001-09-27 | 2004-10-26 | National Semiconductor Corporation | Time-interleaved sampling of voltages for improving accuracy of temperature remote sensors |
US7082377B1 (en) * | 2004-03-03 | 2006-07-25 | National Semiconductor Corporation | Apparatus for error cancellation for dual diode remote temperature sensors |
US7648270B2 (en) * | 2004-04-02 | 2010-01-19 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Temperature measurement of an integrated circuit |
US7089146B1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-08-08 | National Semiconductor Corporation | Apparatus and method for sub-ranging conversion for temperature sensing |
US20060203883A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Intel Corporation | Temperature sensing |
US7341374B2 (en) * | 2005-10-25 | 2008-03-11 | Aimtron Technology Corp. | Temperature measurement circuit calibrated through shifting a conversion reference level |
US7891865B2 (en) * | 2006-05-03 | 2011-02-22 | International Business Machines Corporation | Structure for bolometric on-chip temperature sensor |
US7798707B2 (en) * | 2006-12-15 | 2010-09-21 | Schnaitter William N | Systems and methods for determining device temperature |
-
2005
- 2005-04-15 JP JP2005119042A patent/JP5028748B2/ja active Active
-
2006
- 2006-04-14 US US11/404,095 patent/US7507023B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6179234U (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-27 | ||
JPH03188661A (ja) * | 1989-12-18 | 1991-08-16 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH04205896A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-28 | Mitsubishi Electric Corp | サンプル・ホールド回路 |
JPH04330773A (ja) * | 1990-12-05 | 1992-11-18 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPH06151728A (ja) * | 1992-10-30 | 1994-05-31 | Nec Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH1041510A (ja) * | 1996-05-22 | 1998-02-13 | Fuji Electric Co Ltd | 温度検知部内蔵型バイポーラ半導体素子およびその製造方法 |
JP2004134472A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-30 | Nec Electronics Corp | 半導体装置および内部温度測定方法 |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008177250A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-07-31 | Sharp Corp | 温度センサを組み込んだ電力制御装置及びその製造方法 |
JP2009053081A (ja) * | 2007-08-28 | 2009-03-12 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | マルチチップ型半導体装置およびその製造方法 |
JP2009076761A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009188178A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
US8089134B2 (en) | 2008-02-06 | 2012-01-03 | Fuji Electric Sytems Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2009188335A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
US8633550B2 (en) | 2011-06-30 | 2014-01-21 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
TWI575704B (zh) * | 2011-06-30 | 2017-03-21 | 瑞薩電子股份有限公司 | 半導體裝置 |
JP2013219633A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Fuji Electric Co Ltd | パワートランジスタの駆動回路 |
JP2014216465A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
JP2015228771A (ja) * | 2014-06-02 | 2015-12-17 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
US9995636B2 (en) | 2014-09-22 | 2018-06-12 | Hyundai Motor Company | Temperature sensing system for switching device |
US11257812B2 (en) | 2015-02-13 | 2022-02-22 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor module |
US11670633B2 (en) | 2015-02-13 | 2023-06-06 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor module |
US11916069B2 (en) | 2015-02-13 | 2024-02-27 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor module |
US11495595B2 (en) | 2015-02-13 | 2022-11-08 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor module |
US10199371B2 (en) | 2015-02-13 | 2019-02-05 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor module |
JP2016149502A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体モジュール |
US10192795B2 (en) | 2015-06-11 | 2019-01-29 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device |
JP2017147435A (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN107917718B (zh) * | 2016-10-06 | 2020-06-05 | 英飞凌科技股份有限公司 | 使用信号特性标识的超温条件 |
CN107917718A (zh) * | 2016-10-06 | 2018-04-17 | 英飞凌科技股份有限公司 | 使用信号特性标识的超温条件 |
US11296492B2 (en) | 2019-09-19 | 2022-04-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Protection circuit, semiconductor device, and method |
JP2022046239A (ja) * | 2020-09-10 | 2022-03-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP7381424B2 (ja) | 2020-09-10 | 2023-11-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US11985897B2 (en) | 2020-09-10 | 2024-05-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060255361A1 (en) | 2006-11-16 |
US7507023B2 (en) | 2009-03-24 |
JP5028748B2 (ja) | 2012-09-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5028748B2 (ja) | パワー半導体デバイスの温度計測装置 | |
US9379181B2 (en) | Semiconductor device | |
US9018705B2 (en) | ESD transistor | |
US9735264B2 (en) | Semiconductor switch with integrated temperature sensor | |
JP2016530490A (ja) | 電荷検出のための集積センサデバイス | |
US9711592B2 (en) | Diode and signal output circuit including the same | |
US9450019B2 (en) | Power semiconductor device, manufacturing method therefor, and method for operating the power semiconductor device | |
JP2011003767A (ja) | 半導体装置及び温度検出回路 | |
CN105810678B (zh) | 半导体装置 | |
JP2005203446A (ja) | 温度検出機能付き半導体装置 | |
CN114975430A (zh) | 半导体管芯及用于感测电流和温度的方法和电子系统 | |
JP2013201357A (ja) | 炭化珪素半導体装置とその製造方法 | |
JP2009188335A (ja) | 半導体装置 | |
JP2017168597A (ja) | 半導体装置 | |
US8018018B2 (en) | Temperature sensing device | |
US7843006B2 (en) | Semiconductor component arrangement having a power transistor and a temperature measuring arrangement | |
TW201419536A (zh) | 半導體裝置及使用其之半導體積體電路裝置 | |
CN101599491B (zh) | Esd保护电路和半导体器件 | |
JP3237612B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2008218651A (ja) | 半導体装置 | |
JPH11214691A (ja) | 半導体装置 | |
US20130221342A1 (en) | Overvoltage testing apparatus | |
US11424358B2 (en) | Semiconductor device with sensor for crack detection | |
JPH08236709A (ja) | 半導体装置 | |
JP2006100690A (ja) | パワートランジスタ温度保護装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080215 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20091112 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20091112 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091112 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110422 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110825 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110906 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111107 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120220 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120510 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120529 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120611 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5028748 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150706 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |