JPH08236709A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 温度検出機能を損なう事なく寄生動作をなく
す。 【解決手段】 パワー素子の構成要素としての第１導電
型の半導体層内に第２導電型の半導体領域を形成し、そ
の半導体領域上に絶縁膜を介して感熱素子部を形成す
る。
す。 【解決手段】 パワー素子の構成要素としての第１導電
型の半導体層内に第２導電型の半導体領域を形成し、そ
の半導体領域上に絶縁膜を介して感熱素子部を形成す
る。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に係り、
特に温度検出機能を有する半導体装置に関するものであ
る。 【０００２】 【従来の技術】能動機能をもつ半導体素子の動作時の異
常な接合温度上昇による破壊をさける為に、従来では同
一半導体基板内に能動機能をもつ半導体素子と、例えば
感熱サイリスタ等の感熱素子を形成し、感熱素子により
半導体基板の温度を検出し、その検出信号により半導体
素子を制御して熱破壊しないように保護している。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の温度検出機能では、半導体基板内で感熱素子近辺の
部分と、感熱素子とが電気的に絶縁されていないので寄
生動作が生じる等の問題がある。そこで本発明は上記の
点に鑑みて創案されたもので、半導体基板と感熱素子部
との間に絶縁膜を形成する事により、両者を電気的に完
全に分離し、温度検出機能を損なう事なく寄生動作がな
い半導体装置を提供する事を目的とする。 【０００４】 【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する為
に本発明は、第１導電型の半導体層を有する半導体基板
と、前記半導体基板に形成され、前記半導体層をその構
成要素の一部として動作するものであって、導通状態の
際に電流が流れることで熱破壊に至るような高温に達す
るパワー素子と、前記半導体層内に形成され、該半導体
層との間でＰＮ接合を形成する第２導電型の半導体領域
と、前記半導体領域上に形成された絶縁膜と、前記半導
体基板の温度を検出するために、前記絶縁膜上に形成さ
れた半導体より成る感熱素子部とから構成される。 【０００５】 【作用及び発明の効果】そして本発明は前記の手段によ
り、半導体基板の温度が異常に上昇した時、すなわち半
導体素子の接合温度が異常に高くなった時には、この温
度上昇を感熱素子部で検出することができる。この際、
感熱素子部は絶縁膜上に形成されているので、半導体基
板内に形成されているパワー素子等から電気的な悪影響
を直接受けることがなくなる。 【０００６】ここで、感熱素子部はパワー素子の構成要
素である第１導電型の半導体層上に形成されているの
で、パワー素子の動作状態に応じて該半導体層の電位が
変化し、その電位により絶縁膜上の半導体に形成された
感熱素子部に悪影響を及ぼす可能性がある。即ち、半導
体層の電位に応じて絶縁膜が分極し、感熱素子部の半導
体の絶縁膜側表面に電荷が誘起され、実効的な半導体特
性が変わり、それにより温度検出精度が悪化する可能性
があるのである。 【０００７】しかしながら、本発明によると感熱素子部
は第２導電型の半導体領域上に絶縁膜を介して形成され
ているで、半導体層と半導体領域との間に形成されるＰ
Ｎ接合により半導体層の電位の影響をなくすことがで
き、寄生動作等の温度検出精度を悪化させる要因をなく
すことができるという効果がある。 【０００８】 【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例により詳述
する。図１及び図２は自己過熱保護機能を有する縦形パ
ワーＭＯＳトランジスタ（以下、パワーＭＯＳという）
に応用した例であって、図１にその模式的平面図を示
す。引続き図２に図１中のα−α断面図を示す。半導体
基板Ａの全体の大部分に能動素子であるパワーＭＯＳ１
３が複数個並列接続してマルチソース構造となりパワー
領域Ｍを形成している。半導体基板Ａの中央部、言い換
えれば最も放熱しにくい部分で、温度が高く成り易い部
分に感熱素子としての多結晶シリコンダイオード１５を
複数個直列接続して形成し、その周辺に制御部としての
横形ＭＯＳトランジスタ１４、多結晶シリコン抵抗１
６、定電圧ツェナダイオード１７を形成し、全体として
制御領域Ｃを形成する。また、半導体基板Ａ上には外部
から電圧（Ｖｉｎ）を印加する為のボンディングパッド
部Ｂを形成する。これらパワー領域Ｍ及び制御領域Ｃの
各素子及びボンディングバッド部Ｂは電気的に互いに接
続される。 【０００９】次に図２において、その構成を詳しく説明
する。１はＮ+ 形のシリコン基板、２はＮ- 形のシリコ
ンエピタキシャル層、３及び３ａは深く拡散したＰ形拡
散層、４はＰ形拡散層、５，５ａ，５ｂ及び５ｃはＮ+
形拡散層、１１はＰ+ 形拡散層であり、Ｐ形拡散層３と
３ａ、Ｎ+ 形拡散層５，５ａ，５ｂ及び５ｃはそれぞれ
同時に同じ拡散行程で形成される。尚、Ｎ- 形シリコン
エピタキシャル層２が本発明が言うところの半導体層に
相当し、Ｐ形拡散層３ａが半導体領域に相当する。パワ
ーＭＯＳ１３のＭＯＳ構造は、シリコンピタキシャル層
２とシリコン基板１とドレイン電極１２から成るドレイ
ンＤと、ゲート酸化膜６を介して形成される多結晶シリ
コン層７から成るゲートＧと、その表面に層間絶縁膜８
を介しパワーＭＯＳ１３表面全体を覆うアルミニウム電
極９から成るソースＳとから構成され、その動作はゲー
トＧに電圧を印加すると図中ｃｈの部分にＮ形のチャネ
ルが形成されソースＳとドレインＤ間に電流が流れる。
尚、拡散層４と拡散層３が一部重なって、しかも拡散層
３が深く拡散しているのは過電圧保護の為であり、所定
のブレークダウン電圧に設定する為である。次に横形Ｍ
ＯＳトランジスタ１４のＭＯＳ構造は拡散層５ａ及び５
ｂ上のアルミニウム電極９ａ及び９ｂから成るそれぞれ
ソースＳ１及びドレインＤ１と、ゲート酸化膜６ａを介
して形成される多結晶シリコン層７ａから成るゲートＧ
１とから構成され、その動作はゲートＧ１に電圧がかか
ると図中ｃｈ１の部分にＮ形のチャネルが形成されソー
スＳ１とドレインＤ１間に電流が流れる。定電圧ツェナ
ダイオード１７は拡散層５ｃと拡散層１１とから形成さ
れ、その表面にそれぞれアルミニウム電極９ｃ及び９ｄ
を形成する。次に拡散層３ａ表面上の一部を熱酸化して
絶縁膜（ＳｉＯ2 膜等）１０を形成する。そして絶縁膜
１０上に多結晶シリコン抵抗１６と、感熱素子としての
多結晶シリコンダイオード１５を形成する。多結晶シリ
コン抵抗１６は、多結晶シリコン層７ｃと層間絶縁膜８
とアルミニウム電極９ｇ及び９ｈから形成される。ま
た、多結晶シリコンダイオード１５は多結晶シリコン層
７ｂを選択的拡散しＰＮ接合をつくり、その上に層間絶
縁膜８を一部介しアルミニウム電極９ｅ及び９ｆを形成
する。以上述べた実施例の構成でゲート酸化膜６と６
ａ、多結晶シリコン層７，７ａ，７ｂ，７ｃ，アルミニ
ウム電極９，９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅ，９ｇ，９
ｈはそれぞれ同じ工程で造る事が出来る。また前記の各
素子は、図３に示す等価回路図にあるように互いに配線
される。 【００１０】尚、各々の素子は例えば第１１図の上面図
に示すように配置される。すなわち、制御領域Ｃには横
形ＭＯＳトランジスタ１４、多結晶シリコンダイオード
１５、抵抗１６Ｃ，定電圧ツェナーダイオード１７が配
置しており、パワー領域の表面を覆うアルミニウム電極
９とその各々は接続路Ｃ１を経由して電気接続される。
図中、２０は図３中における２０と同じ点であり、アル
ミニウム電極９の外部接続端子を表わす。ここで、定電
圧ツェナダイオード１７の陽極に電気接続する外部接続
端子２０は接地電位に固定されている。従って、図２に
示されるように、定電圧ツェナダイオード１７の拡散層
１１に電気接続するＰ形拡散層３ａも接地電位に固定さ
れている。又、ボンディングパッド部Ｂに印加される電
圧の一部はその横に配置する抵抗１６ｂを介してパワー
ＭＯＳ１３のゲート電極Ｇ１あるいは横型ＭＯＳトラン
ジスタ１４のドレインＤ１に加わり、他は同じく横に配
置する抵抗１６ａ等を介して横形ＭＯＳトランジスタ１
４のゲートＧ１に加わる。 【００１１】次に、図３の等価回路図を用いて全体の動
作を説明する。図において符号は図１及び図２と共通で
ある。但し、１６ａ，１６ｂ，１６ｃは多結晶シリコン
抵抗、ＲL は外部の負荷抵抗、ＶDDは外部電源である。
シリコン基板温度が通常温度の時、すなわちパワーＭＯ
Ｓ１３の接合温度が通常温度の時には印加された電圧Ｖ
inによりパワーＭＯＳ１３はオン状態となっているが、
シリコン基板温度が異常に高い時、すなわちパワーＭＯ
Ｓ１３の接合温度が異常に上昇した時には感熱素子であ
る多結晶シリコンダイオード１５の順方向電圧は一定の
負の温度係数を持つ為に低下し、抵抗１６ｃの端子間電
圧（すなわち、横形ＭＯＳトランジスタ１４のゲートＧ
１−ソースＳ１間電圧）が上昇する。一定の電圧以上に
なると横形ＭＯＳトランジスタ１４がオン状態となる。
抵抗１６ｂ抵抗値を横形ＭＯＳトランジスタ１４のオン
抵抗値より十分に大きくしておけば、図４の２２の電位
Ｖ 22及び２３の電位Ｖ23の接合温度による変化を表すグ
ラフに示すように接合温度１３０℃近辺（保護動作温
度）でＶ22はほぼ０Ｖまで急激に下がるのでパワーＭＯ
Ｓ１３は強制的にオフ状態となり、接合温度上昇による
素子の破壊をさける事が出来る。 【００１２】上記の実施例の構成によれば、絶縁膜１０
を形成する事により、個別素子のトリミングが可能な、
しかも寄生動物がない半導体装置を提供する事ができ、
またパワーＭＯＳ１３の接合温度の異常な上昇が、感熱
素子を温度の高く成り易い中央部の制御領域Ｃに配置す
るのでより正確に検出でき、また、製造工程が同時に同
じ工程で行えるので簡単となり、コストダウンにもつな
がり、さらに絶縁膜上の多結晶シリコン抵抗１６ｃの抵
抗値及び、多結晶シリコンダイオード１５の直列接続数
により保護動作温度を任意に設定出来る。多結晶シリコ
ン抵抗１６ｃの抵抗値を個別にトリミング出来る為、製
造後に保護動作温度を精密に制御出来る等という優れた
効果がある。 【００１３】又、シリコンエピタキシャル層２はパワー
ＭＯＳ１３のドレインの一部を構成しているのでパワー
ＭＯＳ１３の動作状態に応じてその電位が変化し、その
上に形成されている多結晶シリコンダイオード１５の温
度検出精度を悪化させるように作用する可能性がある
が、本実施例によると、シリコンエピタキシャル層２内
にＰ形拡散層３ａを形成し、その上に絶縁膜１０を介し
て多結晶シリコンダイオード１５を形成しているのでこ
のような不具合をなくすことができる。この点について
詳述すると、仮に、Ｐ形拡散層３ａがない構造を想定す
ると、シリコンエピタキシャル層２の電位に応じて絶縁
膜（ＳｉＯ2 膜等）１０が分極し、多結晶シリコンダイ
オード１５の絶縁膜１０側表面に電荷が誘起されてしま
う。本実施例の場合には、例えばシリコンエピタキシャ
ル層２が高電位になると、多結晶シリコンダイオード１
５のＰＮ接合部における不純物濃度が変化してしまい、
その順方向電圧における温度特性が変化してしまい温度
検出の精度が悪化してしまう。極端な場合、多結晶シリ
コンダイオード１５のＰ形領域下部に反転層が形成され
てしまいＭＯＳトランジスタのような寄生動作をしてし
まうので、もはや温度検出が不可能になる。 【００１４】本実施例によると、多結晶シリコンダイオ
ード１５下にＰ形拡散層３ａを形成しているので、Ｐ形
拡散層３ａとシリコンエピタキシャル層２との間にＰＮ
接合が形成され、パワーＭＯＳ１３のドレイン電位から
電気的に分離することができるので、多結晶シリコンダ
イオード１５はドレイン電位の影響を受けることがな
く、上述のような寄生動作をなくすことができ、より精
度が高い温度検出を行うことができるという効果があ
る。 【００１５】尚、本発明は上記の実施例に限定されず、
以下の如く種々変形可能である。 （１）制御領域Ｃの素子は全て絶縁膜１０上に形成して
もよく、図５の第２の実施例に示す様に横形ＭＯＳトラ
ンジスタ１４ａを絶縁膜１０上に形成し、定電圧ツェナ
ダイオード１７だけを拡散層３ａ内に形成してもよい。
また逆に、横形ＭＯＳトランジスタ１４ａを拡散層３ａ
内に、定電圧ツェナダイオード１７を絶縁膜１０上に形
成してもよい。この他に多結晶シリコン抵抗１６を拡散
層３ａ内に形成してもよい。 【００１６】（２）図６の第３の実施例としての図１に
おけるα−α断面図、及びその等価回路図である図７に
示すように、絶縁膜１０上にＰ形チャネルＭＯＳトラン
ジスタ２４（２４ａ，２４ｂ，２４ｃ）、及びＮ形チャ
ネルＭＯＳトラジスタ２５（２５ａ，２５ｂ）を形成
し、相補形ＭＯＳトランジスタ（Ｃ−ＭＯＳ）を構成し
て２２の電位Ｖ22を増幅して２６の電位Ｖ26としてもよ
い。又、絶縁膜１０上にＰ形チャネルＭＯＳトランジス
タ２４（２４ａ、２４ｂ，２４ｃ）を形成し、Ｎ形チャ
ネルＭＯＳトランジスタ２５（２５ａ，２５ｂ）を拡散
層３ａ内に形成したＣ−ＭＯＳ構成でも良い。 【００１７】本例によるとＣ−ＭＯＳが多段に接続され
るので、その入出力特性は、各々の段の入出力特性の積
となり、図８のＶ23及びＶ26と接合温度の関係のグラフ
に示すように、２６の電位Ｖ26を急峻に下げる事がで
き、従って、パワーＭＯＳ１３を接合温度上昇に対し急
峻にオフ状態にする事ができる。尚、Ｃ−ＭＯＳの接続
段数は限定される事なく、その数が多い程、入出力特性
は急峻となる。また、図６、図７において同一構成要素
の符号は、それぞれ図２、図３のものと同じものを使用
している。 【００１８】（３）制御領域Ｃあるいは感温素子として
の多結晶シリコンダイオード１５の配置は、上記実施例
の如く半導体基板Ａの中央部だけに限定される事なく、
例えば半導体装置の模式的平面図を表わす図９（ａ）乃
至（ｅ）に示すように、複数箇所に対称に配置してもよ
い。尚、本発明者らの実験結果によると、図１０の負荷
ショートさせパワーＭＯＳ１３を強制的に発熱させた場
合の配置箇所数と不良率との関係図に示すように、自己
過熱保護機能がない（０箇所）場合には不良率は１００
％となり、１箇所、すなわち半導体基板Ａの中央部だけ
に多結晶シリコンダイオード１５を配置した場合には不
良率は大幅に低減し、５箇所以上配置すると不良率は０
％となる。負荷ショートの様な短時間に大きな電力を消
費し発熱するような場合を想定した場合には、半導体基
板Ａ内の温度分布が不均一になり易いため、１箇所の配
置では保護機能が不十分であるので、本例の如く、複数
箇所配置するのが有効である。 【００１９】（４）上記実施例はパワーＭＯＳ１３及び
横形ＭＯＳトランジスタ１４をＮ型のチャネルで示した
が、本発明はそれに限らずＰ形のチャネルでもよい。こ
の場合には上記実施例において符号３ａに相当する拡散
層はＮ形導電形となり、そこで、絶縁層１０上にＮ形チ
ャンネルＭＯＳトランジスタ２５（２５ａ，２５ｂ）を
形成し、Ｐ形チャンネルＭＯＳトランジスタ２４（２４
ａ，２４ｂ，２４ｃ）をその拡散層３ａ内に形成しても
よい。通常、多結晶半導体内におけるＭＯＳトランジス
タのチャネルモビリティは単結晶半導体内におけるもの
と比較して小さくなるが、上記のように形成する事によ
り、Ｎ形チャネルＭＯＳトランジスタはＰ形チャネルＭ
ＯＳトランジスタに比較してキャリアが電子であるため
にチャネルモビリティの高いものが作り易く、Ｃ−ＭＯ
Ｓ構成としたときモビリティのバランスがとり易くな
る。 【００２０】（５）能動機能をもつ半導体素子はパワー
ＭＯＳ１３に限定されず、バイポーラトランジスタ、パ
ワーＩＣ等であってもよい。また、感熱素子も多結晶シ
リコンダイオード１５に限らずサーミスタ等でもよい。
さらに制御部の構成は実施例に示す構成に限定されない
事はもちろんである。 （６）実施例は抵抗体として多結晶シリコン抵抗１６を
用いたが、それに限らず窒化タンタル等の抵抗体であっ
てもよい。
特に温度検出機能を有する半導体装置に関するものであ
る。 【０００２】 【従来の技術】能動機能をもつ半導体素子の動作時の異
常な接合温度上昇による破壊をさける為に、従来では同
一半導体基板内に能動機能をもつ半導体素子と、例えば
感熱サイリスタ等の感熱素子を形成し、感熱素子により
半導体基板の温度を検出し、その検出信号により半導体
素子を制御して熱破壊しないように保護している。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の温度検出機能では、半導体基板内で感熱素子近辺の
部分と、感熱素子とが電気的に絶縁されていないので寄
生動作が生じる等の問題がある。そこで本発明は上記の
点に鑑みて創案されたもので、半導体基板と感熱素子部
との間に絶縁膜を形成する事により、両者を電気的に完
全に分離し、温度検出機能を損なう事なく寄生動作がな
い半導体装置を提供する事を目的とする。 【０００４】 【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する為
に本発明は、第１導電型の半導体層を有する半導体基板
と、前記半導体基板に形成され、前記半導体層をその構
成要素の一部として動作するものであって、導通状態の
際に電流が流れることで熱破壊に至るような高温に達す
るパワー素子と、前記半導体層内に形成され、該半導体
層との間でＰＮ接合を形成する第２導電型の半導体領域
と、前記半導体領域上に形成された絶縁膜と、前記半導
体基板の温度を検出するために、前記絶縁膜上に形成さ
れた半導体より成る感熱素子部とから構成される。 【０００５】 【作用及び発明の効果】そして本発明は前記の手段によ
り、半導体基板の温度が異常に上昇した時、すなわち半
導体素子の接合温度が異常に高くなった時には、この温
度上昇を感熱素子部で検出することができる。この際、
感熱素子部は絶縁膜上に形成されているので、半導体基
板内に形成されているパワー素子等から電気的な悪影響
を直接受けることがなくなる。 【０００６】ここで、感熱素子部はパワー素子の構成要
素である第１導電型の半導体層上に形成されているの
で、パワー素子の動作状態に応じて該半導体層の電位が
変化し、その電位により絶縁膜上の半導体に形成された
感熱素子部に悪影響を及ぼす可能性がある。即ち、半導
体層の電位に応じて絶縁膜が分極し、感熱素子部の半導
体の絶縁膜側表面に電荷が誘起され、実効的な半導体特
性が変わり、それにより温度検出精度が悪化する可能性
があるのである。 【０００７】しかしながら、本発明によると感熱素子部
は第２導電型の半導体領域上に絶縁膜を介して形成され
ているで、半導体層と半導体領域との間に形成されるＰ
Ｎ接合により半導体層の電位の影響をなくすことがで
き、寄生動作等の温度検出精度を悪化させる要因をなく
すことができるという効果がある。 【０００８】 【実施例】以下、本発明を図面に示す実施例により詳述
する。図１及び図２は自己過熱保護機能を有する縦形パ
ワーＭＯＳトランジスタ（以下、パワーＭＯＳという）
に応用した例であって、図１にその模式的平面図を示
す。引続き図２に図１中のα−α断面図を示す。半導体
基板Ａの全体の大部分に能動素子であるパワーＭＯＳ１
３が複数個並列接続してマルチソース構造となりパワー
領域Ｍを形成している。半導体基板Ａの中央部、言い換
えれば最も放熱しにくい部分で、温度が高く成り易い部
分に感熱素子としての多結晶シリコンダイオード１５を
複数個直列接続して形成し、その周辺に制御部としての
横形ＭＯＳトランジスタ１４、多結晶シリコン抵抗１
６、定電圧ツェナダイオード１７を形成し、全体として
制御領域Ｃを形成する。また、半導体基板Ａ上には外部
から電圧（Ｖｉｎ）を印加する為のボンディングパッド
部Ｂを形成する。これらパワー領域Ｍ及び制御領域Ｃの
各素子及びボンディングバッド部Ｂは電気的に互いに接
続される。 【０００９】次に図２において、その構成を詳しく説明
する。１はＮ+ 形のシリコン基板、２はＮ- 形のシリコ
ンエピタキシャル層、３及び３ａは深く拡散したＰ形拡
散層、４はＰ形拡散層、５，５ａ，５ｂ及び５ｃはＮ+
形拡散層、１１はＰ+ 形拡散層であり、Ｐ形拡散層３と
３ａ、Ｎ+ 形拡散層５，５ａ，５ｂ及び５ｃはそれぞれ
同時に同じ拡散行程で形成される。尚、Ｎ- 形シリコン
エピタキシャル層２が本発明が言うところの半導体層に
相当し、Ｐ形拡散層３ａが半導体領域に相当する。パワ
ーＭＯＳ１３のＭＯＳ構造は、シリコンピタキシャル層
２とシリコン基板１とドレイン電極１２から成るドレイ
ンＤと、ゲート酸化膜６を介して形成される多結晶シリ
コン層７から成るゲートＧと、その表面に層間絶縁膜８
を介しパワーＭＯＳ１３表面全体を覆うアルミニウム電
極９から成るソースＳとから構成され、その動作はゲー
トＧに電圧を印加すると図中ｃｈの部分にＮ形のチャネ
ルが形成されソースＳとドレインＤ間に電流が流れる。
尚、拡散層４と拡散層３が一部重なって、しかも拡散層
３が深く拡散しているのは過電圧保護の為であり、所定
のブレークダウン電圧に設定する為である。次に横形Ｍ
ＯＳトランジスタ１４のＭＯＳ構造は拡散層５ａ及び５
ｂ上のアルミニウム電極９ａ及び９ｂから成るそれぞれ
ソースＳ１及びドレインＤ１と、ゲート酸化膜６ａを介
して形成される多結晶シリコン層７ａから成るゲートＧ
１とから構成され、その動作はゲートＧ１に電圧がかか
ると図中ｃｈ１の部分にＮ形のチャネルが形成されソー
スＳ１とドレインＤ１間に電流が流れる。定電圧ツェナ
ダイオード１７は拡散層５ｃと拡散層１１とから形成さ
れ、その表面にそれぞれアルミニウム電極９ｃ及び９ｄ
を形成する。次に拡散層３ａ表面上の一部を熱酸化して
絶縁膜（ＳｉＯ2 膜等）１０を形成する。そして絶縁膜
１０上に多結晶シリコン抵抗１６と、感熱素子としての
多結晶シリコンダイオード１５を形成する。多結晶シリ
コン抵抗１６は、多結晶シリコン層７ｃと層間絶縁膜８
とアルミニウム電極９ｇ及び９ｈから形成される。ま
た、多結晶シリコンダイオード１５は多結晶シリコン層
７ｂを選択的拡散しＰＮ接合をつくり、その上に層間絶
縁膜８を一部介しアルミニウム電極９ｅ及び９ｆを形成
する。以上述べた実施例の構成でゲート酸化膜６と６
ａ、多結晶シリコン層７，７ａ，７ｂ，７ｃ，アルミニ
ウム電極９，９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ，９ｅ，９ｇ，９
ｈはそれぞれ同じ工程で造る事が出来る。また前記の各
素子は、図３に示す等価回路図にあるように互いに配線
される。 【００１０】尚、各々の素子は例えば第１１図の上面図
に示すように配置される。すなわち、制御領域Ｃには横
形ＭＯＳトランジスタ１４、多結晶シリコンダイオード
１５、抵抗１６Ｃ，定電圧ツェナーダイオード１７が配
置しており、パワー領域の表面を覆うアルミニウム電極
９とその各々は接続路Ｃ１を経由して電気接続される。
図中、２０は図３中における２０と同じ点であり、アル
ミニウム電極９の外部接続端子を表わす。ここで、定電
圧ツェナダイオード１７の陽極に電気接続する外部接続
端子２０は接地電位に固定されている。従って、図２に
示されるように、定電圧ツェナダイオード１７の拡散層
１１に電気接続するＰ形拡散層３ａも接地電位に固定さ
れている。又、ボンディングパッド部Ｂに印加される電
圧の一部はその横に配置する抵抗１６ｂを介してパワー
ＭＯＳ１３のゲート電極Ｇ１あるいは横型ＭＯＳトラン
ジスタ１４のドレインＤ１に加わり、他は同じく横に配
置する抵抗１６ａ等を介して横形ＭＯＳトランジスタ１
４のゲートＧ１に加わる。 【００１１】次に、図３の等価回路図を用いて全体の動
作を説明する。図において符号は図１及び図２と共通で
ある。但し、１６ａ，１６ｂ，１６ｃは多結晶シリコン
抵抗、ＲL は外部の負荷抵抗、ＶDDは外部電源である。
シリコン基板温度が通常温度の時、すなわちパワーＭＯ
Ｓ１３の接合温度が通常温度の時には印加された電圧Ｖ
inによりパワーＭＯＳ１３はオン状態となっているが、
シリコン基板温度が異常に高い時、すなわちパワーＭＯ
Ｓ１３の接合温度が異常に上昇した時には感熱素子であ
る多結晶シリコンダイオード１５の順方向電圧は一定の
負の温度係数を持つ為に低下し、抵抗１６ｃの端子間電
圧（すなわち、横形ＭＯＳトランジスタ１４のゲートＧ
１−ソースＳ１間電圧）が上昇する。一定の電圧以上に
なると横形ＭＯＳトランジスタ１４がオン状態となる。
抵抗１６ｂ抵抗値を横形ＭＯＳトランジスタ１４のオン
抵抗値より十分に大きくしておけば、図４の２２の電位
Ｖ 22及び２３の電位Ｖ23の接合温度による変化を表すグ
ラフに示すように接合温度１３０℃近辺（保護動作温
度）でＶ22はほぼ０Ｖまで急激に下がるのでパワーＭＯ
Ｓ１３は強制的にオフ状態となり、接合温度上昇による
素子の破壊をさける事が出来る。 【００１２】上記の実施例の構成によれば、絶縁膜１０
を形成する事により、個別素子のトリミングが可能な、
しかも寄生動物がない半導体装置を提供する事ができ、
またパワーＭＯＳ１３の接合温度の異常な上昇が、感熱
素子を温度の高く成り易い中央部の制御領域Ｃに配置す
るのでより正確に検出でき、また、製造工程が同時に同
じ工程で行えるので簡単となり、コストダウンにもつな
がり、さらに絶縁膜上の多結晶シリコン抵抗１６ｃの抵
抗値及び、多結晶シリコンダイオード１５の直列接続数
により保護動作温度を任意に設定出来る。多結晶シリコ
ン抵抗１６ｃの抵抗値を個別にトリミング出来る為、製
造後に保護動作温度を精密に制御出来る等という優れた
効果がある。 【００１３】又、シリコンエピタキシャル層２はパワー
ＭＯＳ１３のドレインの一部を構成しているのでパワー
ＭＯＳ１３の動作状態に応じてその電位が変化し、その
上に形成されている多結晶シリコンダイオード１５の温
度検出精度を悪化させるように作用する可能性がある
が、本実施例によると、シリコンエピタキシャル層２内
にＰ形拡散層３ａを形成し、その上に絶縁膜１０を介し
て多結晶シリコンダイオード１５を形成しているのでこ
のような不具合をなくすことができる。この点について
詳述すると、仮に、Ｐ形拡散層３ａがない構造を想定す
ると、シリコンエピタキシャル層２の電位に応じて絶縁
膜（ＳｉＯ2 膜等）１０が分極し、多結晶シリコンダイ
オード１５の絶縁膜１０側表面に電荷が誘起されてしま
う。本実施例の場合には、例えばシリコンエピタキシャ
ル層２が高電位になると、多結晶シリコンダイオード１
５のＰＮ接合部における不純物濃度が変化してしまい、
その順方向電圧における温度特性が変化してしまい温度
検出の精度が悪化してしまう。極端な場合、多結晶シリ
コンダイオード１５のＰ形領域下部に反転層が形成され
てしまいＭＯＳトランジスタのような寄生動作をしてし
まうので、もはや温度検出が不可能になる。 【００１４】本実施例によると、多結晶シリコンダイオ
ード１５下にＰ形拡散層３ａを形成しているので、Ｐ形
拡散層３ａとシリコンエピタキシャル層２との間にＰＮ
接合が形成され、パワーＭＯＳ１３のドレイン電位から
電気的に分離することができるので、多結晶シリコンダ
イオード１５はドレイン電位の影響を受けることがな
く、上述のような寄生動作をなくすことができ、より精
度が高い温度検出を行うことができるという効果があ
る。 【００１５】尚、本発明は上記の実施例に限定されず、
以下の如く種々変形可能である。 （１）制御領域Ｃの素子は全て絶縁膜１０上に形成して
もよく、図５の第２の実施例に示す様に横形ＭＯＳトラ
ンジスタ１４ａを絶縁膜１０上に形成し、定電圧ツェナ
ダイオード１７だけを拡散層３ａ内に形成してもよい。
また逆に、横形ＭＯＳトランジスタ１４ａを拡散層３ａ
内に、定電圧ツェナダイオード１７を絶縁膜１０上に形
成してもよい。この他に多結晶シリコン抵抗１６を拡散
層３ａ内に形成してもよい。 【００１６】（２）図６の第３の実施例としての図１に
おけるα−α断面図、及びその等価回路図である図７に
示すように、絶縁膜１０上にＰ形チャネルＭＯＳトラン
ジスタ２４（２４ａ，２４ｂ，２４ｃ）、及びＮ形チャ
ネルＭＯＳトラジスタ２５（２５ａ，２５ｂ）を形成
し、相補形ＭＯＳトランジスタ（Ｃ−ＭＯＳ）を構成し
て２２の電位Ｖ22を増幅して２６の電位Ｖ26としてもよ
い。又、絶縁膜１０上にＰ形チャネルＭＯＳトランジス
タ２４（２４ａ、２４ｂ，２４ｃ）を形成し、Ｎ形チャ
ネルＭＯＳトランジスタ２５（２５ａ，２５ｂ）を拡散
層３ａ内に形成したＣ−ＭＯＳ構成でも良い。 【００１７】本例によるとＣ−ＭＯＳが多段に接続され
るので、その入出力特性は、各々の段の入出力特性の積
となり、図８のＶ23及びＶ26と接合温度の関係のグラフ
に示すように、２６の電位Ｖ26を急峻に下げる事がで
き、従って、パワーＭＯＳ１３を接合温度上昇に対し急
峻にオフ状態にする事ができる。尚、Ｃ−ＭＯＳの接続
段数は限定される事なく、その数が多い程、入出力特性
は急峻となる。また、図６、図７において同一構成要素
の符号は、それぞれ図２、図３のものと同じものを使用
している。 【００１８】（３）制御領域Ｃあるいは感温素子として
の多結晶シリコンダイオード１５の配置は、上記実施例
の如く半導体基板Ａの中央部だけに限定される事なく、
例えば半導体装置の模式的平面図を表わす図９（ａ）乃
至（ｅ）に示すように、複数箇所に対称に配置してもよ
い。尚、本発明者らの実験結果によると、図１０の負荷
ショートさせパワーＭＯＳ１３を強制的に発熱させた場
合の配置箇所数と不良率との関係図に示すように、自己
過熱保護機能がない（０箇所）場合には不良率は１００
％となり、１箇所、すなわち半導体基板Ａの中央部だけ
に多結晶シリコンダイオード１５を配置した場合には不
良率は大幅に低減し、５箇所以上配置すると不良率は０
％となる。負荷ショートの様な短時間に大きな電力を消
費し発熱するような場合を想定した場合には、半導体基
板Ａ内の温度分布が不均一になり易いため、１箇所の配
置では保護機能が不十分であるので、本例の如く、複数
箇所配置するのが有効である。 【００１９】（４）上記実施例はパワーＭＯＳ１３及び
横形ＭＯＳトランジスタ１４をＮ型のチャネルで示した
が、本発明はそれに限らずＰ形のチャネルでもよい。こ
の場合には上記実施例において符号３ａに相当する拡散
層はＮ形導電形となり、そこで、絶縁層１０上にＮ形チ
ャンネルＭＯＳトランジスタ２５（２５ａ，２５ｂ）を
形成し、Ｐ形チャンネルＭＯＳトランジスタ２４（２４
ａ，２４ｂ，２４ｃ）をその拡散層３ａ内に形成しても
よい。通常、多結晶半導体内におけるＭＯＳトランジス
タのチャネルモビリティは単結晶半導体内におけるもの
と比較して小さくなるが、上記のように形成する事によ
り、Ｎ形チャネルＭＯＳトランジスタはＰ形チャネルＭ
ＯＳトランジスタに比較してキャリアが電子であるため
にチャネルモビリティの高いものが作り易く、Ｃ−ＭＯ
Ｓ構成としたときモビリティのバランスがとり易くな
る。 【００２０】（５）能動機能をもつ半導体素子はパワー
ＭＯＳ１３に限定されず、バイポーラトランジスタ、パ
ワーＩＣ等であってもよい。また、感熱素子も多結晶シ
リコンダイオード１５に限らずサーミスタ等でもよい。
さらに制御部の構成は実施例に示す構成に限定されない
事はもちろんである。 （６）実施例は抵抗体として多結晶シリコン抵抗１６を
用いたが、それに限らず窒化タンタル等の抵抗体であっ
てもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例を示す半導体装置の模式的平
面図である。 【図２】図１中のα−α断面図である。 【図３】図１及び図２の等価回路図である。 【図４】Ｖ22及びＶ23と接合温度の関係を示すグラフで
ある。 【図５】第２の実施例を示す断面図である。 【図６】第３の実施例としての図１中のα−α断面図で
ある。 【図７】図６の等価回路図である。 【図８】図６の実施例のＶ23及びＶ26と接合温度の関係
を示すグラフである。 【図９】多結晶シリコンダイオードを複数箇所配置した
半導体装置の模式的平面図である。 【図１０】配置箇所数と不良率との関係図である。 【図１１】図１における実施例の具体的な配置を示す上
面図である。 【符号の説明】 １０ 絶縁膜（ＳｉＯ2 膜） １３ 縦形パワーＭＯＳトランジスタ １４ 横形ＭＯＳトランジスタ １５ 感熱素子である多結晶シリコンダイオード １６ 多結晶シリコン抵抗 １７ 定電圧ツェナダイオード
面図である。 【図２】図１中のα−α断面図である。 【図３】図１及び図２の等価回路図である。 【図４】Ｖ22及びＶ23と接合温度の関係を示すグラフで
ある。 【図５】第２の実施例を示す断面図である。 【図６】第３の実施例としての図１中のα−α断面図で
ある。 【図７】図６の等価回路図である。 【図８】図６の実施例のＶ23及びＶ26と接合温度の関係
を示すグラフである。 【図９】多結晶シリコンダイオードを複数箇所配置した
半導体装置の模式的平面図である。 【図１０】配置箇所数と不良率との関係図である。 【図１１】図１における実施例の具体的な配置を示す上
面図である。 【符号の説明】 １０ 絶縁膜（ＳｉＯ2 膜） １３ 縦形パワーＭＯＳトランジスタ １４ 横形ＭＯＳトランジスタ １５ 感熱素子である多結晶シリコンダイオード １６ 多結晶シリコン抵抗 １７ 定電圧ツェナダイオード
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）第１導電型の半導体層を有する半導体基板と、 前記半導体基板に形成され、前記半導体層をその構成要
素の一部として動作するものであって、導通状態の際に
電流が流れることで熱破壊に至るような高温に達するパ
ワー素子と、 前記半導体層内に形成され、該半導体層との間でＰＮ接
合を形成する第２導電型の半導体領域と、 前記半導体領域上に形成された絶縁膜と、 前記半導体基板の温度を検出するために、前記絶縁膜上
に形成された半導体より成る感熱素子部と、を有する事
を特徴とする半導体装置。 （２）前記感熱素子は、多結晶シリコンダイオードであ
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。 （３）前記半導体領域は、所定電位に固定されている特
許請求の範囲第１項又は第２項記載の半導体装置。 （４）前記第１導電型はＮ形であり、前記第２導電型は
Ｐ形であり、前記半導体領域は接地されている特許請求
の範囲第３項記載の半導体装置。 （５）前記感熱素子部は複数箇所に配置されている特許
請求の範囲第１項乃至第４項のいずれかに記載の半導体
装置。 （６）前記感熱素子部は、５箇所以上配置されている特
許請求の範囲第５項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8023918A JP2701824B2 (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8023918A JP2701824B2 (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61250208A Division JPH0693485B2 (ja) | 1985-11-29 | 1986-10-21 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236709A true JPH08236709A (ja) | 1996-09-13 |
| JP2701824B2 JP2701824B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=12123891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8023918A Expired - Lifetime JP2701824B2 (ja) | 1996-02-09 | 1996-02-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2701824B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10158496B4 (de) * | 2001-03-22 | 2006-09-07 | Mitsubishi Denki K.K. | Leistungshalbleiterbauelement mit Temperaturdetektor |
| EP2736072A4 (en) * | 2011-07-22 | 2015-02-25 | Fuji Electric Co Ltd | SUPER LINK SEMICONDUCTOR DEVICE |
| KR20160110226A (ko) | 2015-03-12 | 2016-09-21 | 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
| JP2018147935A (ja) * | 2017-03-01 | 2018-09-20 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6436791B2 (ja) | 2015-01-16 | 2018-12-12 | エイブリック株式会社 | 半導体装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5721849A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-04 | Fujitsu Ltd | Semiconductor integrated circuit |
| JPS5870588A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-27 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 温度センサとその製造方法 |
| JPS59163528A (ja) * | 1983-03-09 | 1984-09-14 | Seiko Epson Corp | 温度検出回路 |
| JPS60131469A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | Toshiba Corp | 半導体流速検出素子 |
| JPS61208862A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体抵抗装置 |
-
1996
- 1996-02-09 JP JP8023918A patent/JP2701824B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5721849A (en) * | 1980-07-14 | 1982-02-04 | Fujitsu Ltd | Semiconductor integrated circuit |
| JPS5870588A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-27 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 温度センサとその製造方法 |
| JPS59163528A (ja) * | 1983-03-09 | 1984-09-14 | Seiko Epson Corp | 温度検出回路 |
| JPS60131469A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | Toshiba Corp | 半導体流速検出素子 |
| JPS61208862A (ja) * | 1985-03-14 | 1986-09-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体抵抗装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10158496B4 (de) * | 2001-03-22 | 2006-09-07 | Mitsubishi Denki K.K. | Leistungshalbleiterbauelement mit Temperaturdetektor |
| EP2736072A4 (en) * | 2011-07-22 | 2015-02-25 | Fuji Electric Co Ltd | SUPER LINK SEMICONDUCTOR DEVICE |
| KR20160110226A (ko) | 2015-03-12 | 2016-09-21 | 에스아이아이 세미컨덕터 가부시키가이샤 | 반도체 장치 |
| JP2018147935A (ja) * | 2017-03-01 | 2018-09-20 | 株式会社豊田中央研究所 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2701824B2 (ja) | 1998-01-21 |
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