JP2006270000A - 歪Si−SOI基板の製造方法および該方法により製造された歪Si−SOI基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 Si層13と埋め込み酸化膜12とを有するSOI基板10に、SiGe混晶層14を成長する工程と、SiGe混晶層14の表面に保護膜15,16を形成する工程と、Si層13と埋め込み酸化膜12界面近傍に軽元素をイオン注入する工程と、400〜1000℃での熱処理を行う第1熱処理工程と、1050℃以上で酸化雰囲気の熱処理を行う第2熱処理工程と、1050℃以上で不活性雰囲気の熱処理をおこなう第3熱処理工程と、表面のSi酸化膜18を除去する工程と、歪Si層19を形成する工程と、を有する。
【選択図】 図2
Description
しかし、ゲート長が100nm以下の領域となると、上記の両立が困難となりつつある。
この為に、SOI基板及び歪シリコンの導入が検討され、特にSOI基板上に歪シリコンを導入した基板が究極の基板と考えられ、研究が進められている。
例えば、特許文献1には、SOI基板上にSiGeエピタキシャル層を形成してSiGe層の歪緩和を起こし、その上にSiエピタキシャル層を形成して歪Siとする方法である。
第2の方法として酸素イオン注入分離法(SIMOX)により埋め込み酸化膜上に歪緩和SiGe層を形成する方法が特許文献2に提供されている。
第3の方法としてSOI基板上にSiGe膜を形成し、その後に酸化雰囲気の熱処理によりGeを下方拡散させつつ薄膜濃縮化させて歪緩和を行う方法が、特許文献3にて提供されている。
第4の方法としてSOI基板上にSiGe膜を形成し、熱処理にてSiGe層を溶融し、その後にGeを拡散させつつSiGe層を固化させる事により歪緩和を行う方法が、特許文献4にて提供されている。
第5の方法として、Si−SOI基板の形成方法が特許文献5にて提供されている。
第6の方法として、 非特許文献1に貼りあわせ法による埋め込み酸化膜上に歪Siのみ存在する歪Si−SOI基板形成法が発表されている。
一方、第6の方法は、Si基板上に形成された絶縁層上に歪Siのみが形成されるけれども、貼り合わせ法により歪Si−SOI基板を作製するため、厚膜の歪Si/SiGe層をエピタキシャル成長する必要があると同時に、貼り合わせ工程、剥離工程、薄膜化工程等が必要になり、製造コストを押上げる欠点を有する。
前記SiGe混晶層の表面に保護膜を形成する工程と、
前記Si層と前記埋め込み酸化膜界面近傍に軽元素をイオン注入する工程と、
400〜1000℃で不活性雰囲気の熱処理を行う第1熱処理工程と、
1050℃以上で塩素を含む酸化雰囲気の熱処理を行う第2熱処理工程と、
表面のSi酸化膜を除去する工程と、
歪Si層を形成する工程と、
を有することにより上記課題を解決した。
本発明において、前記SiGe混晶層がエピタキシャル層であることがより好ましい。
本発明の前記保護膜が、Si層である手段か、気相成長SiO2 膜である手段か、または、Si層と気相成長SiO2 膜の多層膜である手段を採用することもできる。
また、本発明において、前記軽元素が水素、ヘリウム、フッ素、ネオンから選択されることが可能である。
本発明においては、前記第1熱処理工程が、400〜650℃の温度領域でおこなう低温熱処理工程と、650〜1000℃でおこなう高温熱処理工程とを有することが望ましい。
さらに、前記歪Si層はエピタキシャル成長により形成されることが可能である。
また、前記第2熱処理工程においては、Geの拡散速度が常にSi酸化膜成長速度を上回る条件を満たすことができる。
本発明の歪Si−SOI基板は、上記の製造方法により製造されたことにより上記課題を解決した。
前記SiGe混晶層の表面に保護膜を形成する工程と、
前記Si層と前記埋め込み酸化膜界面近傍に軽元素をイオン注入する工程と、
400〜1000℃で不活性雰囲気の熱処理を行う第1熱処理工程と、
1050℃以上で塩素を含む酸化雰囲気の熱処理を行う第2熱処理工程と、
表面のSi酸化膜を除去する工程と、
歪Si層を形成する工程と、
を有することにより、SiGe混晶層を形成して、第1熱処理中にイオン注入した軽元素が、単結晶Si層と埋め込み絶縁層との結合力を弱め、第2熱処理によりこのSiGe混晶層からSi層にGeが拡散してSiGe層となるとともに、塩素を含む酸化雰囲気でSiGe層のSiを酸化させて表面にSi酸化層を形成しつつ、SiGe層中のGe濃度を高めるとともにSiGe層の膜厚を減少させ、かつ、イオン注入した軽元素が、SiGe層と埋め込み絶縁層との結合力を弱め、そして、表面のSi酸化膜を除去した後、表面に歪Si層を形成する。これにより、熱処理中に単結晶Si層と埋め込み絶縁層との結合力を弱め、SiGe混晶層が歪緩和するのを容易にするので、低欠陥で平坦な表面を有する歪緩和したSiGe層と歪Si層を得ることができる。
また、塩素を含む酸化雰囲気で第2熱処理をおこなうことにより、歪Si−SOI基板表面における欠陥低減と、SiGe層における緩和率向上に有効である。さらに、前記第1熱処理工程が不活性雰囲気としておこなわれることで、単結晶Si層と埋め込み酸化膜との界面に軽元素が集まり、単結晶Si層と埋め込み酸化膜との結合力を弱めることができる。
フッ素、ネオン、ヘリウム原子を打ち込む場合に、これらのイオンの注入量は、水素の原子量と打ち込む原子の比の逆数とすることができる。例えばヘリウムでは注入量は水素の4分の一でよい。
なお、熱処理温度は、いずれも、当該の固化したSiGe層のGe濃度に応じた固層線より低い温度に設定する。
1. SOI基板の単結晶Si層と埋め込み酸化膜界面付近に注入した水素、ヘリウム、フッ素、ネオンは、400〜1000℃の第1熱処理中に単結晶Si層と埋め込み酸化膜との界面に集まりこれらの結合力を弱め、次の1050℃以上の温度で酸化雰囲気下の第2熱処理でSiGe層が歪緩和をするのを容易にする。
2. 次の1050℃以上の温度で塩素を含む酸化雰囲気の第2熱処理でSiGe層が緩和するのを容易にする。熱処理温度は、SiGe層の固化温度より低い温度とする
3. 1050℃以上の酸化雰囲気下でおこなう第2熱処理は、Ge原子の拡散速度が酸化膜成長速度を上回る条件でおこなうことが欠陥低減に有効である。
4. 1050℃以上の温度で酸化雰囲気下で行う熱処理に於いて、塩素を含む酸化雰囲気でおこなうことが、欠陥低減と緩和率向上に有効である。
5. 表面に形成された酸化膜を除去し、Si層をエピタキシャル成長させて歪Si層とする方法である。
図1は、本実施形態における歪Si−SOI基板の製造方法における工程を示す断面図であり、図2は、本実施形態における歪Si−SOI基板の製造方法を示す工程図であり、図において、符号10はSOI基板である。
本発明の歪Si−SOI基板は次の方法により製造される。
この保護膜は、図1(c)に示すように、Si層15であるか、図1(d)に示すように、SiO2 膜16であるか、あるいは、図3に示すように、Si層15とこのSi層15上に形成されたSiO2 膜16とからなる複合膜であることができる。
保護膜が、図1(c)に示すように、Si層15である場合、後述する熱処理を酸化性雰囲気で行うときに、酸化膜(SiO2 膜)16を形成して、Geの飛散防止を図るとともにSiGe混晶層表面の面荒れを防ぐ。また熱処理後のSiGe混晶層のGe濃度を設定するために使用する。
ここで、基板厚み方向においてピーク位置を界面Aにする理由は、イオン注入は絶縁層12上と後述のSiGe混晶層17の緩和を促進するためにおこなわれるため、緩和が絶縁層12とSiGe層17との界面Aで生じる必要があるからである。またピーク位置はこの界面A近傍の絶縁層12中又はSi層13中でもよい。これは、後工程の第1熱処理により界面Aにイオンを集めることができるからである。
さらに、界面A又は界面A近傍とは、界面Aから基板厚み方向0〜30nmの範囲が例示される。
水素イオンの注入に代えて、或いは水素イオンの注入とともに、ヘリウムイオン(He+ )を注入してもよい。この場合、ヘリウムイオンのドーズ量は好ましくは2.5×1013〜1.25×1016atoms/cm2 以上、より好ましくは2.5×1014atoms/cm2 〜5×1015atoms/cm2 である。さらに、フッ素、ネオンを注入することも可能である。
ここで、イオン濃度のピーク位置を含むイオン注入領域は、絶縁層12とSi層13の界面Aに平行に形成される。
これにより、SiGe層14が酸化することなく、SOI基板10の単結晶Si層13と埋め込み酸化膜12との界面A付近に注入した水素、ヘリウム、フッ素、ネオンが、第1熱処理中に単結晶Si層13と埋め込み酸化膜12との界面Aに集まりこれらの結合力を弱めることができ、このような2段階の熱処理をおこなうことにより、単結晶Si層と埋め込み酸化膜との結合力を効果的に弱めることができる。
本発明で熱処理時の不活性ガス雰囲気とは窒素ガス、Arガス、Heガス等の雰囲気である。
本発明で熱処理時の酸化性雰囲気とは、塩素含有ガス雰囲気、塩酸含有ガス雰囲気である。塩素を5〜30%含む酸化雰囲気でこの第2熱処理をおこなうことにより、SiGe層17表面における欠陥低減と、SiGe層における緩和率を向上することができる。
熱処理温度は、図4に示すように、SiGe系の状態図より、SiGe混晶層のGe濃度に応じて固相線より低い温度とする必要がある。図中の下横軸はSiGeのSi含有率XSi(%)、縦軸は温度(℃)を表す。図中に2本ある曲線のうち、上の曲線を液相線といい、これよりも高温側では完全に溶融し、液体状態である。下の曲線を固相線といい、これよりも低温側では固体状態である。二本の曲線に囲まれた領域では部分溶融状態になっている。したがって、本実施形態では、溶融しない条件とされる。
この熱処理によりSiGe混晶層14からSi層13にGeが拡散してSiGe混晶層17となるとともに、同時に、酸化雰囲気であることにより、このSiGe層のSiが酸化されて、いうなれば、SiO2 膜16の膜厚が増した状態のSi酸化膜18となってゆく。このSi酸化膜18の厚みが増すにつれ、SiGe層では、Ge濃度が高くなるとともに、膜厚が減じていき、SiGe層14よりもGe濃度の高いSiGe層17となる。つまり、SiGe層を酸化することにより、Ge濃度を高くするという、Ge濃縮をおこなうことができる。
ここで、Geの拡散速度が常にSi酸化膜18成長速度を上回る条件を満たすものとする。これにより、Si層13へSiGe層14からGeが充分拡散することを妨げないとともに、効率よくSi酸化膜18を成長させて、SiGe層17におけるGe濃縮と膜厚削減を短時間でおこない、作業効率を向上することができる。
SOI基板10の製法は、SIMOX法、貼り合わせ法(Smart−cut法やEltran法)等の既に発表されている技術を用いることができる。
温度は900℃〜1200℃の範囲で実施する。なお圧力は常圧又は減圧のどちらでも良いが、エピタキシャル成長装置に応じて適宜選択しても良い。
さらに保護層として、Si層15の上にCVD法でSiO2 層16を形成する。厚さは下地であるSi層15の表面が荒れない厚さであればよく、例えば20〜30nm程度でよいまた、保護膜として、上記のSi層15を酸化させて10〜20nmのSiO2 層16を形成しても良い。
注入深さは、埋め込み酸化膜上の保護層厚さ/Si層厚さ/SiGe層厚さ/Si層厚さを考えて適宜選択する事が好ましい。
第1の熱処理工程(ステップS16)では注入した元素イオンを単結晶Si層13と埋め込み酸化膜12との界面近傍に集め、第2の熱処理(ステップS17)で単結晶Si13と埋め込み酸化膜12との結合力を弱めて、後の1050℃以上の熱処理でSiGe層17と埋め込み酸化膜12との界面すべりを促進して、SiGe層17の緩和を容易とするものである。
従って、この場合の温度としては、固相線よりも下側で1100℃以上の出来るだけ高い温度が好ましい。
このように、酸化雰囲気下での酸素分圧は、そのGe原子がSi中に拡散する速度が、酸化雰囲気下におけるSiの酸化速度より大きくなるように設定してもよい。
この温度は最終的に形成されるSiGe層17が溶融しないような固相線よりも下側の温度に設定することが重要である。
水素ベーク温度は例えば750〜900℃で実施する。水素ベーク時間は30秒から5分の間が望ましい。900℃以上の高温では、SiGe層17からGeが蒸発してSi層ができてしまい、その状態でSi層をエピタキシャル成長すると歪Si層19の膜厚が臨界膜厚を超えてしまいこの歪Si層19とSiGe層17との界面に欠陥が生じてしまう可能性があるため、好ましくない。また750℃では5分以上行っても効果は変わらない。圧力は減圧雰囲気が望ましい。Siのエピタキシャル成長としては、ジシラン、モノシラン、ジクロルシラン等のSiガスを用いて成長させる。
SIMOX法で作成された200mmのp型SOI基板10を用意した。埋め込み酸化膜12上の単結晶Si層13の厚さは50nmで、埋め込み酸化膜12の厚さは140nmである。
次に、SOIウエーハ(SOI基板)10をSC−1+SC−2洗浄を行なった後、速やかにランプ加熱方式の枚葉型エピタキシャル成長装置にロードした。
SOIウエーハ10は、SiGe層14のエピタキシャル成長前に、1125℃、圧力2666Pa(20torr)、水素流量20SLM(標準状態で毎分のリットル流量)で45秒の水素ベーク処理をおこなった。
温度730℃、圧力2666Pa(20torr)、水素流量20SLMでシランガスとゲルマンガスとを供給してエピタキシャル成長を行った。次にゲルマンガスのみ供給を停止して、温度を700℃とし、その他は同じ条件で保護膜としてのSi層15を5nmエピタキシャル成長した。
次にウエーハを取り出し、プラズマCVD装置にて20nmのSi酸化膜16(SiO2 )を形成した。
続いて、上記の膜を形成したSOIウエーハ10をイオン注入装置にて、Si層13と埋め込み酸化膜12との界面にイオン注入量のピークが来る様な条件で、水素イオンを3×1014、5E14、1×1015、5×1015、1×1016、3×1016、5×1016atoms/cm2 の注入量でそれぞれ打ち込んだ。
次にこれらのSOIウエーハをイオン注入装置から取り出し、表裏面を洗浄して熱処理を行った。
熱処理は500℃で30分行い、さらに温度を850℃に上げて2時間実施した。雰囲気は窒素ガス雰囲気下で実施した。
さらに温度を700℃に下げて、雰囲気を酸素濃度3%の窒素雰囲気に変更し、温度を1200℃に上げて酸素ガス雰囲気として1.5時間保持し、さらに、HClガスを3%混合した酸素ガス雰囲気で30分保持した。その後、雰囲気を酸素濃度3%の窒素雰囲気に変更して、700℃まで温度を下げた後、SOIウエーハ10を取り出した。
Raman分光に使用したレーザー波長は443nmを用いた。またAFM測定では測定領域を20μmX20μmとした。
次にウエーハを1/4分割し、1分割片をSeccoエッチングして貫通転位密度を測定した。
エッチング量は表面から30nmとし、微分干渉顕微鏡にてエッチピットを計数した。
また残りの1/4分割片で、SIMSにてSiGe層の膜厚、Ge濃度を測定した。
その結果を表1にまとめた。
実施例―1に於いて、酸化熱処理(第2熱処理)においてHClを添加しないこと以外、他の処理はまったく同じ処理を行った。
各水素注入量に対応した上記処理したウエーハ各1枚に関して、Raman分光装置にてSiGe層の緩和率を測定し、さらにAFMにて表面roughnessを測定した。
Raman分光に使用したレーザー波長は443nmを用いた。また AFM測定では測定領域を20μmX20μmとした。
次にウエーハを1/4分割し、1分割片をSeccoエッチングして貫通転位密度を測定した。
エッチング量は表面から30nmとし、微分干渉顕微鏡にてエッチピットを計数した。
また残りの1/4分割片で、SIMSにてSiGe層の膜厚、Ge濃度を測定した。
その結果を表2にまとめた。
SIMOX法で作成された200mmp型SOI基板10を用意した。埋め込み酸化膜12上の単結晶Si層13の厚さは50nmで、埋め込み酸化膜12の厚さは140nmである。
次に、SOIウエーハ10をSC−1+SC−2洗浄を行なった後、速やかにランプ加熱方式の枚葉型エピタキシャル成長装置にロードした。
SOIウエーハ10は、SiGe層14のエピタキシャル成長前に、1125℃、圧力2666Pa(20torr)、水素流量20SLMで45秒の水素ベーク処理を行った。水素ベーク処理で正常化された表面にSiGe層14をエピタキシャル成長した。膜厚は140nm、Ge濃度は10%である。
温度730℃、圧力2666Pa(20torr)、水素流量20SLMでシランガスとゲルマンガスとを供給してエピタキシャル成長を行った。次にゲルマンガスのみ供給を停止して、温度を700℃とし、その他は同じ条件でSi層15を5nmエピタキシャル成長した。
次にウエーハを取り出し、プラズマCVD装置にて20nmのSi酸化膜16(SiO2 )を形成した。
また水素イオンを注入しない上記の膜を形成したSOIウエーハも用意した。
次にこれらのウエーハをイオン注入装置から取り出し、表裏面を洗浄して熱処理を行った。
熱処理は500℃で30分おこない、更に温度を850℃に上げて2時間実施した。雰囲気は窒素ガス雰囲気下で実施した。
さらに温度を700℃に下げて、雰囲気を酸素濃度3%の窒素雰囲気に変更し、温度を1200℃に上げて酸素ガス雰囲気として2時間保持し、雰囲気を酸素濃度3%の窒素雰囲気に変更して、700℃まで温度を下げた後、SOIウエーハ10を取り出した。
次に表面に形成された酸化膜を希HF水で除去した。HF濃度は10%で、温度は常温で20分浸漬し、その後純水に15分浸漬して、スピン乾燥した。その後即座にランプ加熱方式の枚葉型エピタキシャル成長装置にロードし、SiGe層17上にSi層19を5nmエピタキシャル成長した。成長条件は700℃、2666Pa(20torr)、水素流量20SLMで、モノシランガスを供給してSi層を成長した。
Raman分光に使用したレーザー波長は443nmを用いた。またAFM測定では測定領域を20μmX20μmとした。
次にウエーハを1/4分割し、1分割片をSeccoエッチングして貫通転位密度を測定した。
エッチング量は表面から30nmとし、微分干渉顕微鏡にてエッチピットを計数した。
また残りの1/4分割片で、SIMSにてSiGe層の膜厚、Ge濃度を測定した。
その結果を表3にまとめた。
実施例―2に於いて、HClなし1000℃以下の低温熱処理を省略した以外は、他の処理はまったく同じ処理を行った。
各水素注入量に対応した上記処理したウエーハ各1枚に関して、Raman分光装置にてSiGe層の緩和率を測定し、更にAFMにて表面roughnessを測定した。
Raman分光に使用したレーザー波長は443nmを用いた。また AFM測定では測定領域を20μmX20μmとした。
次にウエーハを1/4分割し、1分割片をSeccoエッチングして貫通転位密度を測定した。
エッチング量は表面から30nmとし、微分干渉顕微鏡にてエッチピットを計数した。
また残りの1/4分割片で、SIMSにてSiGe層の膜厚、Ge濃度を測定した。
その結果を表4にまとめた。
この第1熱処理は、緩和SiGe層の膜厚が薄くなるほど緩和率の向上効果が大きいこともわかった。また、塩素を含む酸化雰囲気で酸化することにより、Siを酸化してSi酸化膜を効率よく成長させて、SiGe層におけるGe濃縮と膜厚削減を短時間でおこない、作業効率を向上することができる。ここで、塩素(HClとCl2 )によるSI酸化膜成長を縦軸、作用時間を横軸としたグラフに、塩素濃度等を変えた結果を示す。これにより、塩素によるSi酸化膜厚の増加分が確認できる。
ウエーハの裏面や面取り面には、Ge残留する可能性があるが、熱処理前に裏面や面取り面を研磨加工又は酸エッチング処理して残留Geを除去してもよい。
11:Siバルク層
12:絶縁層(埋め込み酸化膜)
13:Si層(単結晶Si層)
14:SiGe層(SiGe混晶層)
15:Si層
16:SiO2 層
17:SiGe層(SiGe混晶層)
18:Si酸化膜
19:歪Si層
Claims (10)
- 5nm以上の厚さを有するSi層と埋め込み酸化膜とを有するSOI基板に、SiGe混晶層を成長する工程と、
前記SiGe混晶層の表面に保護膜を形成する工程と、
前記Si層と前記埋め込み酸化膜界面近傍に軽元素をイオン注入する工程と、
400〜1000℃で不活性雰囲気の熱処理を行う第1熱処理工程と、
1050℃以上で塩素を含む酸化雰囲気の熱処理を行う第2熱処理工程と、
表面のSi酸化膜を除去する工程と、
歪Si層を形成する工程と、
を有することを特徴とする歪Si−SOI基板の製造方法。 - 前記SiGe混晶層がエピタキシャル層であることを特徴とする請求項1記載の歪Si−SOI基板の製造方法。
- 前記保護膜がSi層であることを特徴とする請求項1記載の歪Si−SOI基板の製造方法。
- 前記保護膜が気相成長SiO2 膜であることを特徴とする請求項1記載の歪Si−SOI基板の製造方法。
- 前記保護膜がSi層と気相成長SiO2 膜の多層膜であることを特徴とする請求項1記載の歪Si−SOI基板の製造方法。
- 前記軽元素が水素、ヘリウム、フッ素、ネオンから選択されることを特徴とする請求項1記載の歪Si−SOI基板の製造方法。
- 前記第1熱処理工程が、400〜650℃の温度領域でおこなう低温熱処理工程と、650〜1000℃でおこなう高温熱処理工程とを有することを特徴とする請求項1記載の歪Si−SOI基板の製造方法。
- 前記歪Si層はエピタキシャル成長により形成されることを特徴とする請求項1記載の歪Si−SOI基板の製造方法。
- 前記第2熱処理工程においては、Geの拡散速度が常にSi酸化膜成長速度を上回る条件を満たすことを特徴とする請求項1記載の歪Si−SOI基板の製造方法。
- 請求項1から8のいずれか記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする歪Si−SOI基板。
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