JP2006216989A5 - - Google Patents

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  1. リードフレームに搭載された、トーテムポール接続された一組の電力スイッチング素子と、前記一組の電力スイッチング素子を制御する制御素子とが、樹脂パッケージ内に封止された半導体装置であって、
    前記リードフレームは、
    前記樹脂パッケージの一端に形成された第１接続リード部と、
    前記一端に対向する他端に形成された第２接続リード部と、
    前記第１接続リード部が形成された側に、前記一組の電力スイッチング素子のうちハイサイドの電力スイッチング素子を搭載するためのハイサイド素子搭載部と、ローサイドの電力スイッチング素子を搭載するためのローサイド素子搭載部とが交互に配置された第１素子搭載部と、
    前記第２接続リード部が形成された側に、前記制御素子を搭載するために配置された第２素子搭載部とを備え、
    前記第２素子搭載部は、前記ハイサイド素子搭載部と前記ローサイド素子搭載部とに並んで、かつ、前記ハイサイド素子搭載部の前記ローサイド素子搭載部から最も離れている部分と、前記ローサイド素子搭載部の前記ハイサイド素子搭載部から最も離れている部分との間に配置され、
    前記ローサイドの電力スイッチング素子のドレイン電極と電気的に接続された前記ローサイド素子搭載部と、前記ハイサイドの電力スイッチング素子のソース電極とが、金属細線で接続されていることを特徴とする半導体装置。
  2. リードフレームに搭載された、トーテムポール接続された一組の電力スイッチング素子と、前記一組の電力スイッチング素子を制御する制御素子とが、樹脂パッケージ内に封止された半導体装置であって、
    前記リードフレームは、
    前記樹脂パッケージの一端に形成された第１接続リード部と、
    前記一端に対向する他端に形成された第２接続リード部と、
    前記第１接続リード部が形成された側に、前記一組の電力スイッチング素子のうちハイサイドの電力スイッチング素子を搭載するための複数のハイサイド素子搭載部と、ローサイドの電力スイッチング素子を搭載するための複数のローサイド素子搭載部とが交互に配置された第１素子搭載部と、
    前記第２接続リード部が形成された側に、複数の前記制御素子を搭載するために配置された複数の第２素子搭載部と、
    前記複数のハイサイド素子搭載部を電気的に接続する第１素子間配線部と、
    前記複数の第２素子搭載部を電気的に接続する第２素子間配線部とを備えたことを特徴とする半導体装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4586034B2 (ja) 2007-03-16 2010-11-24 株式会社日立製作所 モータ駆動用半導体装置とそれを有する３相モータ及びモータ駆動装置並びにファンモータ
JP5152526B2 (ja) 2009-04-24 2013-02-27 株式会社デンソー 車載電力変換装置
JP5564367B2 (ja) * 2010-08-26 2014-07-30 新電元工業株式会社 半導体装置及びリードフレーム
JP5564369B2 (ja) * 2010-08-31 2014-07-30 新電元工業株式会社 リードフレーム、半導体装置及びその製造方法
CN107924883B (zh) 2015-08-20 2020-07-14 三菱电机株式会社 电力用半导体装置
CN115346948B (zh) * 2022-10-14 2023-04-07 吉光半导体(绍兴)有限公司 一种半桥模块

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0758757B2 (ja) * 1989-11-15 1995-06-21 三洋電機株式会社 混成集積回路
JPH06101636B2 (ja) * 1990-01-25 1994-12-12 三菱電機株式会社 半導体装置
JP3212791B2 (ja) * 1994-02-10 2001-09-25 株式会社東芝 半導体装置
JP3843185B2 (ja) * 1998-10-30 2006-11-08 三菱電機株式会社 半導体装置
JP4073559B2 (ja) * 1998-10-30 2008-04-09 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2000196009A (ja) * 1998-12-24 2000-07-14 Mitsubishi Electric Corp 半導体パワーモジュール

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