JP2006206985A - 無電解ニッケル−リンめっき皮膜及び無電解ニッケル−リンめっき浴 - Google Patents
無電解ニッケル−リンめっき皮膜及び無電解ニッケル−リンめっき浴 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006206985A JP2006206985A JP2005022462A JP2005022462A JP2006206985A JP 2006206985 A JP2006206985 A JP 2006206985A JP 2005022462 A JP2005022462 A JP 2005022462A JP 2005022462 A JP2005022462 A JP 2005022462A JP 2006206985 A JP2006206985 A JP 2006206985A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electroless nickel
- plating film
- film
- phosphorous
- salt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
【効果】 本発明の無電解ニッケル−リンめっき皮膜は、柔軟性に優れ、内部応力が小さく、しかも加熱しても内部応力が増加しにくいものである。また、このめっき皮膜が形成されたフレキシブル基板は、皮膜が柔軟性に富み、皮膜に亀裂、剥離が発生しにくいものとなり、このめっき皮膜が形成されたシリコンウェハ基板は、皮膜の内部応力が小さく、加熱処理によるシリコンウェハ基板の反りが発生しにくいものとなる。
【選択図】 図1
Description
[2] リン含有量が4〜8質量%であることを特徴とする[1]記載の無電解ニッケル−リンめっき皮膜。
[3] 上記被めっき物がフレキシブル基板又はシリコンウェハ基板であることを特徴とする[1]又は[2]記載の無電解ニッケル−リンめっき皮膜。
[4] [1]乃至[3]のいずれかに記載の無電解ニッケル−リンめっき皮膜を形成するための無電解ニッケル−リンめっき浴であって、水溶性ニッケル塩と、次亜リン酸及び/又はその塩と、アミノカルボン酸及び/又はその塩とを含み、アミノカルボン酸以外の有機カルボン酸及びその塩を含まないことを特徴とする無電解ニッケル−リンめっき浴。
[5] 更に、亜リン酸及び/又はその塩を含むことを特徴とする[4]記載の無電解ニッケル−リンめっき浴。
本発明の無電解ニッケル−リンめっき皮膜は、被めっき物上に形成された無電解ニッケル−リンめっき皮膜であり、この無電解ニッケル−リンめっき皮膜は、上記無電解ニッケル−リンめっき皮膜の厚さ方向に配向した柱状晶により構成されている。
(Ni(200)面の回折強度)/(Ni(111)面の回折強度)
が1/10以下、好ましくは1/20以下、更に好ましくは1/30以下、特に好ましくは0であるものは、皮膜に含まれる各々のNi結晶が、特定の方向に配向していることから、皮膜を加熱した際に起こる各々のNi結晶の成長の方向性も一定方向となり、加熱による内部応力の増加が、特に起こりにくいものとなることから好ましい。
この場合、めっき温度は70〜90℃が好ましい。また、処理時間は形成するめっき皮膜の膜厚によって適宜選定されるが10〜60分程度が一般的である。
pH=−3.8X4−2.6X3+4.4X2−1.6X+7.3 …(1)
〔X:亜リン酸イオン濃度(モル/L)〕
を満たす値に近づくようにpH調整し、0.4モル/L以上である場合は一定値になるようにpH調整すれば、めっきランニング中、無電解ニッケル−リンめっき皮膜中のリン含有量を4〜8質量%、特に5〜7質量%に安定して保ち、安定しためっき速度で本発明の無電解ニッケル−リンめっき皮膜を再現性よく形成することができる。
被めっき物(純アルミ板)に、次の前処理を施した。
前処理
浸漬脱脂(上村工業株式会社製 UA−68、50℃、5分)→エッチング(上村工業株式会社製 AD−101、60℃、2分)→1:1硝酸(20℃、30秒浸漬)→ジンケート(上村工業株式会社製 AD−999F、20℃、20秒浸漬)→1:1硝酸(20℃、60秒浸漬)→ジンケート(上村工業株式会社製 AD−999F、20℃、40秒浸漬)
エリクセン試験で1mm押し出したときに皮膜に割れが発生しなかったものを良好、割れが発生したものを不良とした。この基準を満たせば、一般的なフレキシブル基板に要求される柔軟性を満足する。
内部応力をAlがスパッタされたシリコンウェハにめっきしたときのウェハの反りから算出し、200MPa以下のものを良好、200MPaを超えるものを不良とした。この基準を満たせば、厚さ300μmのシリコンウェハ基板における反りが、問題を引き起こさない程度に小さいものとなる。
島津製作所製 X線回折装置 XD−3Aを用い標準照射条件(2θ/θスキャン)で測定した。
ターゲット Cu
管電圧 35kV
管電流 15mA
無電解ニッケル−リンめっき浴を下記表1に示すものに代えた以外は実施例1と同様の方法で無電解ニッケル−リンめっき皮膜を形成し、得られた無電解ニッケル−リンめっき皮膜のリン含有量、柔軟性、内部応力を評価した。結果を表2に示す。
無電解ニッケル−リンめっき浴を下記表1に示すものに代えた以外は実施例1と同様の方法で無電解ニッケル−リンめっき皮膜を形成し、得られた無電解ニッケル−リンめっき皮膜のリン含有量、柔軟性及び内部応力を評価し、X線回折法により皮膜を解析した。結果を表2及び図5に示す。
実施例1の無電解ニッケル−リンめっき浴を用い、各ターンにおいて表3に示されるpHに硫酸を用いて調整(実験例1)、又はpHを全く調整せずに(実験例2)めっきを繰り返した。各ターンで得られためっき皮膜を、空気雰囲気中、350℃で1時間加熱した後の柔軟性及び内部応力の評価結果を表3に併記する。
2 めっき皮膜
21 柱状晶
Claims (5)
- 被めっき物上に形成された無電解ニッケル−リンめっき皮膜であって、上記無電解ニッケル−リンめっき皮膜の厚さ方向に配向した柱状晶により構成されていることを特徴とする無電解ニッケル−リンめっき皮膜。
- リン含有量が4〜8質量%であることを特徴とする請求項1記載の無電解ニッケル−リンめっき皮膜。
- 上記被めっき物がフレキシブル基板又はシリコンウェハ基板であることを特徴とする請求項1又は2記載の無電解ニッケル−リンめっき皮膜。
- 請求項1乃至3のいずれか1項記載の無電解ニッケル−リンめっき皮膜を形成するための無電解ニッケル−リンめっき浴であって、水溶性ニッケル塩と、次亜リン酸及び/又はその塩と、アミノカルボン酸及び/又はその塩とを含み、アミノカルボン酸以外の有機カルボン酸及びその塩を含まないことを特徴とする無電解ニッケル−リンめっき浴。
- 更に、亜リン酸及び/又はその塩を含むことを特徴とする請求項4記載の無電解ニッケル−リンめっき浴。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005022462A JP2006206985A (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 無電解ニッケル−リンめっき皮膜及び無電解ニッケル−リンめっき浴 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005022462A JP2006206985A (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 無電解ニッケル−リンめっき皮膜及び無電解ニッケル−リンめっき浴 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006206985A true JP2006206985A (ja) | 2006-08-10 |
Family
ID=36964158
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005022462A Pending JP2006206985A (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 無電解ニッケル−リンめっき皮膜及び無電解ニッケル−リンめっき浴 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006206985A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008190034A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-08-21 | C Uyemura & Co Ltd | アルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法 |
JP2009287048A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Nippon Zeon Co Ltd | 金型部材の製造方法及び金型部材 |
EP2628824A1 (en) | 2012-02-16 | 2013-08-21 | Atotech Deutschland GmbH | Method for electroless nickel-phosphorous alloy deposition onto flexible substrates |
JP2014181373A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ni及びNi合金膜が形成されたシリコンウエハ、Siウエハ上へのNi及びNi合金膜の形成方法、Ni及びNi合金膜を形成する際のSiウエハの表面の表面粗化処理液及び同表面粗化処理方法 |
JP2014187072A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | パワーデバイス用ヒートシンクおよびその製造方法 |
JP2017059636A (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2020025134A (ja) * | 2015-09-15 | 2020-02-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2020035812A (ja) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置および電力変換装置 |
CN114438481A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-05-06 | 四川轻化工大学 | 非晶态镍磷合金镀层及其制备方法 |
CN114765923A (zh) * | 2021-05-20 | 2022-07-19 | 上海贺鸿电子科技股份有限公司 | 一种5g基站隔离器三层线路板及其制备方法 |
WO2023149294A1 (ja) * | 2022-02-03 | 2023-08-10 | 積水化学工業株式会社 | 導電性粒子、導電性粒子の製造方法、導電材料及び接続構造体 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5010734A (ja) * | 1973-06-04 | 1975-02-04 | ||
JPH077243A (ja) * | 1993-04-23 | 1995-01-10 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板のボンディングパッド及び導体パターンの無電解金メッキ方法 |
JPH08176837A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解ニッケルリンめっき液 |
JPH08296049A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-11-12 | Nitto Chem Ind Co Ltd | モノアミン型生分解性キレート剤を用いた無電解Niメッキ浴 |
JP2001107254A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-17 | Fujitsu Ltd | Ni電極層の形成方法 |
JP2001115268A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-24 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001342453A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | キレート剤組成物 |
JP2002180261A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-26 | Nikko Metal Plating Kk | 無電解ニッケルめっき液 |
JP2003013243A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Mitsui Chemicals Inc | ポリイミド樹脂成形品の無電解めっき方法 |
JP2004131801A (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-30 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 導電性無電解めっき粉体及びその製造方法 |
JP2004165019A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子および異方導電材料 |
JP2004186661A (ja) * | 2002-10-07 | 2004-07-02 | Tokai Rubber Ind Ltd | フレキシブルプリント基板の製法 |
JP2004197160A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 導電性無電解めっき粉体及びその製造方法 |
JP2004273959A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Seiko Epson Corp | 半導体チップの製造方法、半導体チップ、半導体装置、電子デバイスおよび電子機器 |
-
2005
- 2005-01-31 JP JP2005022462A patent/JP2006206985A/ja active Pending
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5010734A (ja) * | 1973-06-04 | 1975-02-04 | ||
JPH077243A (ja) * | 1993-04-23 | 1995-01-10 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板のボンディングパッド及び導体パターンの無電解金メッキ方法 |
JPH08176837A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-09 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解ニッケルリンめっき液 |
JPH08296049A (ja) * | 1995-04-24 | 1996-11-12 | Nitto Chem Ind Co Ltd | モノアミン型生分解性キレート剤を用いた無電解Niメッキ浴 |
JP2001107254A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-17 | Fujitsu Ltd | Ni電極層の形成方法 |
JP2001115268A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-24 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP2001342453A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | キレート剤組成物 |
JP2002180261A (ja) * | 2000-12-08 | 2002-06-26 | Nikko Metal Plating Kk | 無電解ニッケルめっき液 |
JP2003013243A (ja) * | 2001-06-28 | 2003-01-15 | Mitsui Chemicals Inc | ポリイミド樹脂成形品の無電解めっき方法 |
JP2004186661A (ja) * | 2002-10-07 | 2004-07-02 | Tokai Rubber Ind Ltd | フレキシブルプリント基板の製法 |
JP2004131801A (ja) * | 2002-10-10 | 2004-04-30 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 導電性無電解めっき粉体及びその製造方法 |
JP2004165019A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Sekisui Chem Co Ltd | 導電性微粒子および異方導電材料 |
JP2004197160A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 導電性無電解めっき粉体及びその製造方法 |
JP2004273959A (ja) * | 2003-03-11 | 2004-09-30 | Seiko Epson Corp | 半導体チップの製造方法、半導体チップ、半導体装置、電子デバイスおよび電子機器 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101499852B1 (ko) * | 2007-01-12 | 2015-03-06 | 우에무라 고교 가부시키가이샤 | 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 표면처리 방법 |
JP2008190034A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-08-21 | C Uyemura & Co Ltd | アルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法 |
JP2009287048A (ja) * | 2008-05-27 | 2009-12-10 | Nippon Zeon Co Ltd | 金型部材の製造方法及び金型部材 |
EP2628824A1 (en) | 2012-02-16 | 2013-08-21 | Atotech Deutschland GmbH | Method for electroless nickel-phosphorous alloy deposition onto flexible substrates |
WO2013120660A1 (en) | 2012-02-16 | 2013-08-22 | Atotech Deutschland Gmbh | Method for electroless nickel-phosphorous alloy deposition onto flexible substrates |
KR102096117B1 (ko) * | 2012-02-16 | 2020-04-02 | 아토테크더치랜드게엠베하 | 플렉시블 기판 상의 무전해 니켈 인 합금 성막 방법 |
KR20140127319A (ko) * | 2012-02-16 | 2014-11-03 | 아토테크더치랜드게엠베하 | 플렉시블 기판 상의 무전해 니켈 인 합금 성막 방법 |
JP2015507099A (ja) * | 2012-02-16 | 2015-03-05 | アトテツク・ドイチユラント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツングAtotech Deutschland GmbH | 無電解ニッケルリン合金をフレキシブル基板上に堆積するための方法 |
JP2014181373A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ni及びNi合金膜が形成されたシリコンウエハ、Siウエハ上へのNi及びNi合金膜の形成方法、Ni及びNi合金膜を形成する際のSiウエハの表面の表面粗化処理液及び同表面粗化処理方法 |
JP2014187072A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | パワーデバイス用ヒートシンクおよびその製造方法 |
JP2017059636A (ja) * | 2015-09-15 | 2017-03-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2020025134A (ja) * | 2015-09-15 | 2020-02-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2020035812A (ja) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置および電力変換装置 |
CN110867485A (zh) * | 2018-08-28 | 2020-03-06 | 株式会社日立功率半导体 | 半导体装置和电源转换装置 |
JP7075847B2 (ja) | 2018-08-28 | 2022-05-26 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置および電力変換装置 |
CN110867485B (zh) * | 2018-08-28 | 2023-09-26 | 株式会社日立功率半导体 | 半导体装置和电源转换装置 |
CN114765923A (zh) * | 2021-05-20 | 2022-07-19 | 上海贺鸿电子科技股份有限公司 | 一种5g基站隔离器三层线路板及其制备方法 |
CN114438481A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-05-06 | 四川轻化工大学 | 非晶态镍磷合金镀层及其制备方法 |
WO2023149294A1 (ja) * | 2022-02-03 | 2023-08-10 | 積水化学工業株式会社 | 導電性粒子、導電性粒子の製造方法、導電材料及び接続構造体 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006206985A (ja) | 無電解ニッケル−リンめっき皮膜及び無電解ニッケル−リンめっき浴 | |
TWI408241B (zh) | 用於電子機械和工具的銅合金與其製造的方法 | |
TW201508099A (zh) | 單晶銅、其製備方法及包含其之基板 | |
JP2009046734A (ja) | エピタキシャル膜形成用配向基板及びエピタキシャル膜形成用配向基板の表面改質方法 | |
WO2004099472A1 (ja) | Iii-ⅴ族化合物結晶およびその製造方法 | |
CN110325665B (zh) | 无电解镀敷工艺 | |
CN104339751A (zh) | 铜条、带镀敷的铜条以及引线框 | |
JP2021528573A (ja) | 積層構造体、それを含む軟性銅箔積層フィルム、及び該積層構造体の製造方法 | |
JP5344416B2 (ja) | 自己触媒型無電解ニッケルめっき液用耐折り曲げ性向上剤及び自己触媒型無電解ニッケルめっき液 | |
JP2007182623A (ja) | 金属薄体の製造方法 | |
TWI778355B (zh) | 軟性金屬箔基板膜、包含軟性金屬箔基板膜之物品、及準備該膜之方法 | |
JP7144048B2 (ja) | 無電解ニッケル-リンめっき浴 | |
JP4230813B2 (ja) | 金めっき液 | |
JP5216372B2 (ja) | 無電解錫めっき浴及び無電解錫めっき方法 | |
TWI749818B (zh) | 金屬導線結構改質方法 | |
JP2008110912A (ja) | 基板の製造方法 | |
WO2008133316A2 (ja) | めっき部材およびその製造方法 | |
JP2014139348A (ja) | 硬質金系めっき液 | |
JP7441263B2 (ja) | 無電解Co-Wめっき皮膜、および無電解Co-Wめっき液 | |
JP4051513B2 (ja) | 置換型無電解金めっき液 | |
US11430693B1 (en) | Method for microstructure modification of conducting lines | |
JP2004076026A (ja) | 電解硬質金めっき液及びそれを用いためっき方法 | |
JP2021188109A (ja) | 無電解ニッケル−リンめっき浴 | |
CN116695091B (zh) | 一种疏水导电性薄膜及其制备方法和应用 | |
JP2013028866A (ja) | 無電解ニッケルめっき液 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071204 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100809 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100818 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110615 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111019 |