JP2006191026A - アレイ基板及びそれを有する表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アレイ基板で基板は表示領域、及び前記表示領域に隣接した周辺領域に区分される。画素アレイは表示領域に対応する基板上に形成され駆動信号の入力を受ける。駆動回路は複数のステージからなり周辺領域に対応する基板上に形成される。駆動回路の各ステージは前記駆動信号を出力する出力端子に連結された第1キャパシターと、及び1トランジスタのゲート電極とソース電極との間に形成されたキャパシターを含む。このとき、ゲート電極とソース電極との間に介在されたチャンネル層は部分的に除去される。従って、キャパシターの大きさを増加させ駆動回路の出力特性を改善することができる。
【選択図】図5
Description
表示パネルはゲート信号の入力を受ける複数のゲートラインとデータ信号を受ける複数のデータラインとが具備されたアレイ基板、アレイ基板と向き合うカラーフィルター基板、及びアレイ基板とカラーフィルター基板との間に介在された液晶層を含む。
ゲート駆動回路は、アレイ基板に直接的に形成される構造で形成されており、互いに従属的に連結された複数のステージを有する一つのシフトレジスタからなる。ここで、複数のステージそれぞれは複数のトランジスタとキャパシターを含む。
また、キャパシターの充電容量を増加させるために電極の面積を増加させると電極と表示パネルのカラーフィルター基板に形成される共通電極との間で発生する寄生キャパシタンスが増加する。
また、本発明の他の目的は前記したアレイ基板を有する表示装置を提供することにある。
本願第3発明は、第2発明において、前記電極本体は前記ゲート電極とオーバーラップされ、前記チャンネル層は前記電極本体と前記ゲート電極がオーバーラップされた領域で部分的に除去されることを特徴とするアレイ基板を提供する。
本願第4発明は、第1発明において、前記ソース電極はメインソース電極と前記メインソース電極から分岐された複数のサブソース電極からなり、前記第1トランジスタのドレイン電極はメインドレイン電極と前記メインドレイン電極から分岐された複数のサブドレイン電極からなり、前記サブドレイン電極が互いに隣接する2つのサブソース電極の間に具備されることを特徴とするアレイ基板を提供する。
本願第5発明は、第4発明において、前記複数のサブソース電極と複数のサブドレイン電極は、前記ゲート電極が形成された位置で互いに所定の間隔で離隔されることを特徴とするアレイ基板を提供する。
ソース電極のサブソース電極と、サブドレイン電極と、ゲート電極とによりトランジスタが構成される。ソース電極の電極本体下部でゲート電極と重畳している部分のチャンネル層は、トランジスタの構成には関与していないため、除去されても問題は無い。
本願第8発明は、第7発明において、前記ゲート電極と前記ソース電極との間に介在された前記アクティブ層と前記オームコンタクト層のうちいずれか一つ以上が部分的に除去されることを特徴とするアレイ基板を提供する。
本願第10発明は、第9発明において、前記第2トランジスタのゲート電極とドレイン電極には前記前段の信号が提供され、ソース電極は前記第1トランジスタのゲート電極に電気的に連結され、前記第3トランジスタのドレイン電極は前記第2トランジスタのソース電極に電気的に連結され、ゲート電極には前記次段の出力信号が提供され、ドレイン電極にはオフ電圧が提供され、前記第4トランジスタのゲート電極には前記次段の出力信号が提供され、ソース電極にはオフ電圧が提供され、ドレイン電極は前記第1トランジスタのソース電極に電気的に連結されることを特徴とするアレイ基板を提供する。
本願第14発明は、第12発明において、前記複数のステージは、従属的に連結されることを特徴とするアレイ基板を提供する。
本願第18発明は、第15発明において、前記ソース電極はメインソース電極、及び前記メインソース電極から分岐された複数のサブソース電極からなり、前記第1トランジスタのドレイン電極はメインドレイン電極、及び前記メインドレインから分岐された複数のサブドレイン電極からなり、前記サブドレイン電極が互いに隣接する2つのサブソース電極の間に具備されることを特徴とする請求項15記載の表示装置を提供する。
本願第20発明は、第15発明において、前記アレイ基板と前記対抗基板との間に形成された液晶層と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に介在され前記液晶層を封入するシーラントと、をさらに含むことを特徴とする表示装置を提供する。
本願第22発明は、第15発明において、前記対向基板は、基板と、共通電極と、前記表示領域に対応する前記基板の領域に形成されたカラーピクセル、互いに隣接するカラーピクセル間に形成された第1遮光層、及び前記周辺領域に対応する領域に形成された第2遮光層を含み、前記基板と共通電極と間に形成されたカラーフィルター層と、を含むことを特徴とする表示装置を提供する。
本願第24発明は、アレイ基板と、前記アレイ基板と向き合う対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に介在された液晶層と、前記アレイ基板上に実装されデータ信号を出力する駆動チップと、を含み、前記アレイ基板は、表示領域及び前記表示領域に隣接した第1周辺領域に区分される基板と、前記表示領域に形成され、ゲート信号と前記駆動チップから前記データ信号の入力を受ける画素アレイと、複数の単位ステージからなり前記第1周辺領域に形成され、前記画素アレイに前記ゲート信号を提供し、各単位ステージはソース電極が前記ゲート信号を出力する出力端子に連結されたトランジスタを含み、前記ゲート電極と前記ソース電極との間に介在されたチャンネル層が部分的に除去されたゲート駆動回路と、を含むことを特徴とする表示装置を提供する。
本願第26発明は、第24発明において、前記複数のステージは、従属的に互いに連結されることを特徴とする表示装置を提供する。
本願第27発明は、第24発明において、前記駆動チップは、フィルム上に形成されることを特徴とする表示装置を提供する。
以下、図面を参照して本発明の望ましい一実施例をより詳細に説明する。
図1は本発明の一実施例によるアレイ基板の平面図であり、図2は図1に示されたゲート駆動回路のブロック図である。
図1に示すように、本発明の一実施例によるアレイ基板100は基板110、画素アレイ120及びゲート駆動回路150を含む。
図2に示されたように、前記ゲート駆動回路150は一つのシフトレジスタからなる。前記シフトレジスタは互いに従属的に連結された複数の単位ステージ(SRC1、SRC2、SRCn)からなりゲート信号を順次に発生させる。前記各単位ステージ(SR1、SR2、SRn)は一つのS−Rラッチと一つのANDゲートで構成される。
奇数番目の単位ステージ(SRC1)には第1クロック(CKV)が印加され、偶数番目の単位ステージ(SRC2、SRCn)には前記第1クロック(CKV)とは異なる位相を有する第2クロック(CKVB)が印加される。ここで、前記第1クロック(CKV)と第2クロック(CKVB)は互いに反対の位相を有する。
図3に示すように、単位ステージはキャパシター(C)、第1、第2、第3及び第4TFT(NT1、NT2、NT3、NT4)を含む。
前記第1TFT(NT1)のドレイン電極がクロック端子(CK)に連結され、ゲート電極が第1ノード(N1)を経由して前記キャパシター(C)の一端に連結され、ソース電極が前記キャパシターの他端と出力端子(OUT)に連結される。前記クロック端子(CK)には第1クロック(CKV)または前記第1クロック(CK)と位相が反対である第2クロック(CKVB)が印加される。
前記第3TFT(NT3)のゲート電極は第2入力信号(N2)の供給を受け、ドレイン電極は前記第2TFT(NT2)のソース電極に連結され、ドレイン電極はオフ電圧(VOFF)の供給を受ける。ここで、前記第2入力信号(IN2)は次段の単位ステージの次段のゲート信号である。
図4に示されたように、第1入力信号(IN1)がハイレベルであると前記第1ノード(N1)の電位はハイレベルに上昇する。前記第1入力信号(IN1)によって前記キャパシターに電荷が充電されると、前記第1ノード(N1)の電位がブートストラップされ漸次的に上昇する。前記第1ノード(N1)の電位が上昇することによって第1TFT(NT1)がターンオンされる。この状態で、前記クロック端子(CK)を通じて提供された前記第1または第2クロック(CKV、CKVB)はゲート信号として前記第1TFT(NT1)を通じて出力端子(OUT)出力される。
図5は図3に示された第1TFTとキャパシターのレイアウトであり、図6は図5に示された切断線I−I’線に沿って切断したアレイ基板の断面図である。
前記ゲート電極(GE)が形成された領域に対応して前記ゲート絶縁膜131上にはチャンネル層134が形成される。前記チャンネル層134はアクティブ層132と前記アクティブ層132上に形成されたオームコンタクト層133を含む。前記アクティブ層132は前記非晶質シリコンからなり、前記オームコンタクト層133はN+ドーピングされた非晶質シリコンからなる。特に、オームコンタクト層133は、上部層との接触抵抗を小さくしたり、上部層との接着性を高める。なお、Aは選択酸化膜を示す。
また、前記ソース電極及びゲート電極(SE、GE)の面積を増加させない状態で前記キャパシター(C)の充電容量を増加させることができる。従って、前記ソース電極及びゲート電極(SE、GE)とカラーフィルター基板(図示せず)に形成される共通電極(図示せず)との間で発生する寄生キャパシタンスが増加することを防止することができる。
図7は本発明の他の実施例による第1TFTとキャパシターのレイアウトであり、図8は図7に示された切断線II−II’に沿って切断した断面図である。
図7及び図8に示すように、本発明の他の実施例によるアレイ基板で第1TFT(NT1)のゲート電極(GE)が形成される。前記ゲート電極(GE)は矩形プレート形状で前記基板110上に形成される。その上にゲート電極(GE)をカバーするようにゲート絶縁膜131が前記基板110上に全体的に形成される。
前記オームコンタクト層133と前記ゲート絶縁膜131上には前記第1TFT(NT1)のソース電極(SE)とドレイン電極(DE)が形成される。前記ドレイン電極(DE)はメインドレイン電極(MDE)及び複数のサブドレイン電極(SDE)で構成される。前記メインドレイン電極(MDE)は前記ゲート電極(GE)が形成された領域の外部に形成される。前記複数のサブドレイン電極(SDE)は前記メインドレイン電極(MDE)から分岐され前記ゲート電極(GE)が形成された領域に延長され、前記複数のサブドレイン電極(SDE)は互いに所定の間隔に離隔される。
<第3実施形態例>
図9は本発明のさらに他の実施例による表示装置の平面図であり、図10は図9に示された切断線II−II’線に沿って切断した表示装置の断面図である。ただ、図9に示された構成要素のうち図1に示された構成要素と同一の構成要素については同一の参照符号を併記し、それに対する具体的な説明は省略する。
前記カラーフィルター基板200は、基板210、カラーフィルター層220、第1ブラックマトリックス231、第2ブラックマトリックス232及び共通電極240を含み、前記アレイ基板100と向き合う。
従って、前記ゲート電極と前記ソース電極との間に形成されるキャパシターの充電容量を増加させることができ、その結果、ゲート駆動回路から出力された駆動信号のライジングタイムを十分に確保することができる。これにより、前記ゲート駆動回路の出力特性を改善することができる。
110 基板
120 画素アレイ
132 アクティブ層
133 オームコンタクト層
134 チャンネル層
150 ゲート駆動回路
200 カラーフィルター基板
300 液晶層
350 シーラント
400 表示パネル
500 駆動チップ
600 表示装置
Claims (27)
- 表示領域、及び前記表示領域に隣接した周辺領域に区分される基板と、
前記表示領域に対応する前記基板上に形成され、駆動信号の入力を受ける画素アレイと、
複数の単位ステージからなり前記周辺領域に対応する前記基板上に形成され、各単位ステージはソース電極が前記駆動信号を出力する出力端子に連結された第1トランジスタを含み、前記ゲート電極と前記ソース電極との間に介在されたチャンネル層が部分的に除去された駆動回路と、
を含むことを特徴とするアレイ基板。 - 前記第1トランジスタのドレイン電極はメインドレイン電極、及び前記メインドレイン電極から分岐され互いに所定の間隔に離隔される複数のサブドレイン電極からなり、
前記ソース電極は電極本体、及び前記電極本体と前記複数のサブドレイン電極が所定間隔で離隔され向き合うように前記電極本体に形成され前記複数のサブドレイン電極をそれぞれ収納する複数の電極溝からなることを特徴とする請求項1記載のアレイ基板。 - 前記電極本体は前記ゲート電極とオーバーラップされ、前記チャンネル層は前記電極本体と前記ゲート電極がオーバーラップされた領域で部分的に除去されることを特徴とする請求項2記載のアレイ基板。
- 前記ソース電極はメインソース電極と前記メインソース電極から分岐された複数のサブソース電極からなり、
前記第1トランジスタのドレイン電極はメインドレイン電極と前記メインドレイン電極から分岐された複数のサブドレイン電極からなり、前記サブドレイン電極が互いに隣接する2つのサブソース電極の間に具備されることを特徴とする請求項1記載のアレイ基板。 - 前記複数のサブソース電極と複数のサブドレイン電極は、前記ゲート電極が形成された位置で互いに所定の間隔で離隔されることを特徴とする請求項4記載のアレイ基板。
- 前記メインソース電極は前記ゲート電極とオーバーラップされ、
前記チャンネル層は前記メインソース電極と前記ゲート電極がオーバーラップされた領域で除去されることを特徴とする請求項4記載のアレイ基板。 - 前記チャンネル層は、
非晶質シリコンからなるアクティブ層と、
n+ドーピングされた非晶質シリコン膜からなり、前記アクティブ層上に具備されたオームコンタクト層と、を含むことを特徴とする請求項1記載のアレイ基板。 - 前記ゲート電極と前記ソース電極との間に介在された前記アクティブ層と前記オームコンタクト層のうちいずれか一つ以上が部分的に除去されることを特徴とする請求項7記載のアレイ基板。
- 前記単位ステージは、
前段の単位ステージからの前段の出力信号に応答して動作する第2トランジスタと、
次段の単位ステージからの次段の出力信号に応答して前記キャパシターを放電させる第3トランジスタと、
前記次段の出力信号に応答して現在出力信号を放電させる第4トランジスタと、をさらに含むことを特徴とする請求項1記載のアレイ基板。 - 前記第2トランジスタのゲート電極とドレイン電極には前記前段の信号が提供され、ソース電極は前記第1トランジスタのゲート電極に電気的に連結され、
前記第3トランジスタのドレイン電極は前記第2トランジスタのソース電極に電気的に連結され、ゲート電極には前記次段の出力信号が提供され、ドレイン電極にはオフ電圧が提供され、
前記第4トランジスタのゲート電極には前記次段の出力信号が提供され、ソース電極にはオフ電圧が提供され、ドレイン電極は前記第1トランジスタのソース電極に電気的に連結されることを特徴とする請求項9記載のアレイ基板。 - 前記キャパシターは前記第2トランジスタから出力された信号を充電し、
前記第1トランジスタのドレイン電極にはクロック信号が提供され、ゲート電極は前記第2トランジスタのソース電極に電気的に連結され、ソース電極は現在出力信号を出力する出力端子に連結され、前記キャパシターに充電された前記信号に応答して前記クロック信号を前記現在出力信号として前記出力端子に出力することを特徴とする請求項9記載のアレイ基板。 - 前記画素アレイはマトリックス形状に前記基板上にアレイされる複数の画素を含み、
各画素は、
ゲート信号が印加されるゲートラインと、
前記ゲートラインと絶縁されるように交差し、データ信号が印加されるデータラインと、
前記ゲートラインとデータラインに電気的に連結され、前記ゲート信号に応答して前記データ信号を出力する画素トランジスタと、
前記画素トランジスタから出力された前記データ信号の入力を受ける画素電極と、を含むことを特徴とする請求項1記載のアレイ基板。 - 前記駆動回路は、前記複数のゲートラインに順次に前記ゲート信号を出力するゲート駆動回路であることを特徴とする請求項12記載のアレイ基板。
- 前記複数のステージは、従属的に連結されることを特徴とする請求項12記載のアレイ基板。
- アレイ基板と、
前記アレイ基板と向き合う対向基板と、
を含み、
前記アレイ基板は、
表示領域及び前記表示領域に隣接した周辺領域に区分される基板と、
前記表示領域に対応する前記基板上に形成され、駆動信号の入力を受ける画素アレイと、
複数の単位ステージからなり前記周辺領域に対応する前記基板上に形成され、各単位ステージはソース電極が前記駆動信号を出力する出力端子に連結されたトランジスタを含み、前記ゲート電極と前記ソース電極との間に介在されたチャンネル層が部分的に除去された駆動回路と、を含むことを特徴とする表示装置。 - 前記第1トランジスタのドレイン電極はメインドレイン電極、及び前記メインドレイン電極から分岐され互いに所定の間隔に離隔される複数のサブドレイン電極からなり、
前記ソース電極は電極本体、及び前記電極本体と前記複数のサブドレインが所定間隔に離隔され向き合うように前記電極本体に形成され前記複数のサブドレイン電極をそれぞれ収納する電極溝からなることを特徴とする請求項15記載の表示装置。 - 前記電極本体は前記ゲート電極とオーバーラップされ、前記チャンネル層は前記電極本体と前記ゲート電極とがオーバーラップされた領域で部分的に除去されることを特徴とする請求項16記載の表示装置。
- 前記ソース電極はメインソース電極、及び前記メインソース電極から分岐された複数のサブソース電極からなり、
前記第1トランジスタのドレイン電極はメインドレイン電極、及び前記メインドレインから分岐された複数のサブドレイン電極からなり、前記サブドレイン電極が互いに隣接する2つのサブソース電極の間に具備されることを特徴とする請求項15記載の表示装置。 - 前記メインソース電極は前記ゲート電極とオーバーラップされ、前記チャンネル層は前記メインソース電極と前記ゲート電極とがオーバーラップされた領域で除去されることを特徴とする請求項18記載のアレイ基板。
- 前記アレイ基板と前記対抗基板との間に形成された液晶層と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に介在され前記液晶層を封入するシーラントと、をさらに含むことを特徴とする請求項15記載の表示装置。 - 前記シーラントは、前記駆動回路とオーバーラップされることを特徴とする請求項20記載の表示装置。
- 前記対向基板は、
基板と、
共通電極と、
前記表示領域に対応する前記基板の領域に形成されたカラーピクセル、互いに隣接するカラーピクセル間に形成された第1遮光層、及び前記周辺領域に対応する領域に形成された第2遮光層を含み、前記基板と共通電極と間に形成されたカラーフィルター層と、を含むことを特徴とする請求項15記載の表示装置。 - 前記複数のステージは、従属的に互いに連結されることを特徴とする請求項15記載の表示装置。
- アレイ基板と、
前記アレイ基板と向き合う対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に介在された液晶層と、
前記アレイ基板上に実装されデータ信号を出力する駆動チップと、を含み、
前記アレイ基板は、
表示領域及び前記表示領域に隣接した第1周辺領域に区分される基板と、
前記表示領域に形成され、ゲート信号と前記駆動チップから前記データ信号の入力を受ける画素アレイと、
複数の単位ステージからなり前記第1周辺領域に形成され、前記画素アレイに前記ゲート信号を提供し、各単位ステージはソース電極が前記ゲート信号を出力する出力端子に連結されたトランジスタを含み、前記ゲート電極と前記ソース電極との間に介在されたチャンネル層が部分的に除去されたゲート駆動回路と、を含むことを特徴とする表示装置。 - 前記駆動チップは、前記第1周辺領域に隣接する第2周辺領域に形成されたことを特徴とする請求項24記載の表示装置。
- 前記複数のステージは、従属的に互いに連結されることを特徴とする請求項24記載の表示装置。
- 前記駆動チップは、フィルム上に形成されることを特徴とする請求項24記載の表示装置。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008203656A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Sony Corp | 表示装置及び電子機器 |
JP2008235861A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-10-02 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ、薄膜トランジスタアレイの製造方法、および薄膜トランジスタアレイを用いたアクティブマトリクス型ディスプレイ |
WO2011036911A1 (ja) * | 2009-09-25 | 2011-03-31 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP2015195383A (ja) * | 2009-01-16 | 2015-11-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2018032461A (ja) * | 2009-03-26 | 2018-03-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2018063435A (ja) * | 2008-11-28 | 2018-04-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2019013001A (ja) * | 2009-09-10 | 2019-01-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101298094B1 (ko) * | 2006-09-25 | 2013-08-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동회로 및 이를 갖는 표시장치 |
CN101946327B (zh) * | 2008-02-19 | 2012-03-28 | 夏普株式会社 | Tft、移位寄存器、扫描信号线驱动电路、开关电路和显示装置 |
KR101677992B1 (ko) * | 2009-10-21 | 2016-11-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
CN102707450B (zh) * | 2012-05-23 | 2014-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置及其控制方法 |
CN102983132B (zh) * | 2012-11-29 | 2015-04-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
KR102126537B1 (ko) * | 2013-12-18 | 2020-06-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 게이트 인 패널 구조의 박막 트랜지스터 어레이 기판 |
KR102134142B1 (ko) * | 2013-12-20 | 2020-07-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 코플라나형 박막 트랜지스터, 이를 포함하는 게이트 드라이버 및 이의 제조방법 |
TWI526762B (zh) * | 2014-02-10 | 2016-03-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及其主動元件 |
CN105206216A (zh) * | 2015-10-23 | 2015-12-30 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示装置及其应用在栅极驱动电路中的移位寄存电路 |
US10042595B2 (en) * | 2016-09-06 | 2018-08-07 | Apple Inc. | Devices, methods, and graphical user interfaces for wireless pairing with peripheral devices and displaying status information concerning the peripheral devices |
TWI594223B (zh) * | 2016-09-07 | 2017-08-01 | 友達光電股份有限公司 | 陣列基板與應用其之顯示裝置 |
KR20180079550A (ko) * | 2016-12-30 | 2018-07-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시패널 |
CN107204375B (zh) * | 2017-05-19 | 2019-11-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法 |
CN107121865A (zh) * | 2017-06-07 | 2017-09-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种薄膜晶体管、tft基板以及显示面板 |
US10509279B2 (en) * | 2017-06-07 | 2019-12-17 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd | Thin film transistor, TFT substrate, and display panel having source eletrodes and gate electrodes comprising U-shape structures |
KR102630594B1 (ko) * | 2017-12-28 | 2024-01-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN108538854B (zh) * | 2018-03-30 | 2021-04-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管结构及其制备方法、阵列基板和显示装置 |
CN115621285A (zh) * | 2020-12-31 | 2023-01-17 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07202218A (ja) * | 1995-01-30 | 1995-08-04 | Toshiba Corp | 薄膜集積回路 |
JP2003046090A (ja) * | 2001-07-21 | 2003-02-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示パネル用基板及びその製造方法 |
JP2004274050A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-30 | Samsung Electronics Co Ltd | 非晶質−シリコン薄膜トランジスタとこれを有するシフトレジスタ。 |
JP2005527856A (ja) * | 2002-05-28 | 2005-09-15 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 非晶質シリコン薄膜トランジスタ−液晶表示装置及びそれの製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5493129A (en) * | 1988-06-29 | 1996-02-20 | Hitachi, Ltd. | Thin film transistor structure having increased on-current |
JPH0984141A (ja) * | 1995-09-18 | 1997-03-28 | Casio Comput Co Ltd | 着信呼出装置 |
US5987060A (en) * | 1997-06-13 | 1999-11-16 | Innova Corporation | System and method of radio communications with an up-down digital signal link |
KR100439944B1 (ko) * | 1998-12-10 | 2004-11-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터형광감지센서,센서박막트랜지스터와그제조방법 |
SG118117A1 (en) * | 2001-02-28 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TWI256732B (en) * | 2002-08-30 | 2006-06-11 | Sharp Kk | Thin film transistor, liquid crystal display apparatus, manufacturing method of thin film transistor, and manufacturing method of liquid crystal display apparatus |
TWI252954B (en) | 2002-11-11 | 2006-04-11 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display device integrating driving circuit on matrix substrate |
JP2005063153A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Sony Corp | 情報配信システム、端末装置、サーバ装置、情報配信方法および端末装置用プログラム |
KR100553935B1 (ko) | 2003-08-20 | 2006-02-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
-
2005
- 2005-01-06 KR KR1020050001203A patent/KR101246023B1/ko active IP Right Grant
- 2005-12-01 US US11/291,366 patent/US8493524B2/en active Active
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- 2005-12-26 CN CNB2005101362617A patent/CN100546030C/zh active Active
-
2013
- 2013-07-08 US US13/936,971 patent/US11094720B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07202218A (ja) * | 1995-01-30 | 1995-08-04 | Toshiba Corp | 薄膜集積回路 |
JP2003046090A (ja) * | 2001-07-21 | 2003-02-14 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示パネル用基板及びその製造方法 |
JP2005527856A (ja) * | 2002-05-28 | 2005-09-15 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 非晶質シリコン薄膜トランジスタ−液晶表示装置及びそれの製造方法 |
JP2004274050A (ja) * | 2003-03-04 | 2004-09-30 | Samsung Electronics Co Ltd | 非晶質−シリコン薄膜トランジスタとこれを有するシフトレジスタ。 |
Cited By (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008235861A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-10-02 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ、薄膜トランジスタアレイの製造方法、および薄膜トランジスタアレイを用いたアクティブマトリクス型ディスプレイ |
JP2008203656A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Sony Corp | 表示装置及び電子機器 |
US10304873B2 (en) | 2008-11-28 | 2019-05-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
US11776483B2 (en) | 2008-11-28 | 2023-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
US11527208B2 (en) | 2008-11-28 | 2022-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
US11250785B2 (en) | 2008-11-28 | 2022-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
US10971075B2 (en) | 2008-11-28 | 2021-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device including the same |
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KR20190135554A (ko) * | 2008-11-28 | 2019-12-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 표시 장치 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치 |
JP2018063435A (ja) * | 2008-11-28 | 2018-04-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20210053836A (ko) * | 2009-01-16 | 2021-05-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
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US11735133B2 (en) | 2009-01-16 | 2023-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the same |
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KR20190067750A (ko) * | 2009-01-16 | 2019-06-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
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US10332610B2 (en) | 2009-01-16 | 2019-06-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the same |
JP2015195383A (ja) * | 2009-01-16 | 2015-11-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR102329916B1 (ko) | 2009-01-16 | 2021-11-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR20180001537A (ko) * | 2009-01-16 | 2018-01-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US11151953B2 (en) | 2009-01-16 | 2021-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the same |
KR101814371B1 (ko) | 2009-01-16 | 2018-01-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2017083881A (ja) * | 2009-01-16 | 2017-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
KR102249227B1 (ko) | 2009-01-16 | 2021-05-10 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
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KR20200083415A (ko) * | 2009-01-16 | 2020-07-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US10741138B2 (en) | 2009-01-16 | 2020-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the same |
KR102187423B1 (ko) | 2009-01-16 | 2020-12-08 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101871150B1 (ko) | 2009-01-16 | 2018-06-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
KR101754719B1 (ko) | 2009-01-16 | 2017-07-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
US11514871B2 (en) | 2009-03-26 | 2022-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic device including the same |
JP2018032461A (ja) * | 2009-03-26 | 2018-03-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
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