CN107121865A - 一种薄膜晶体管、tft基板以及显示面板 - Google Patents

一种薄膜晶体管、tft基板以及显示面板 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种薄膜晶体管、TFT基板以及显示面板。薄膜晶体管包括栅极、源极以及漏极，其中，源极设置为第一弯曲结构，漏极设置为第二弯曲结构，栅极设置为第三弯曲结构，其中，源极的第一弯曲结构与漏极的第二弯曲结构相对设置，栅极的第三弯曲结构设置在源极的第一弯曲结构和漏极的第二弯曲结构之间。因此，本发明有利于显示面板的窄边框的制作。

Description

一种薄膜晶体管、TFT基板以及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种薄膜晶体管、TFT基板以及显示面板。
背景技术
GOA(gate driver on array，栅极驱动电路制作在阵列基板上)是由很多TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)组成的位移暂存器(shift register)。由于将gatedriver做到了array玻璃基板上面，省去了gate driver bonding(栅极驱动电路绑定)的空间，有利于gate侧窄边框的制作。
栅极设置在上部的氧化铟镓锌薄膜晶体管Top gate IGZO(Indium Gallium ZincOxide)-TFT的结构的截面图如图1所示，薄膜晶体管10的栅极11设置在半导体层12的上面，源极13和漏极14分别与半导体层12电连接。该薄膜晶体管10具有高迁移率和寄生电容小的优点，可以输出具有RC delay(电阻电容延迟)小的良好波形，是目前研究的热点。现有的Top-Gate IGZO TFT的结构的俯视图如图2所示，采用I-type的结构。该结构的薄膜晶体管10的长度W在X方向的长度非常长，占据X轴的空间大。这样的结构在进行GOA制作时不利于gate侧窄边框的制作。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种薄膜晶体管、TFT基板以及显示面板，有利于显示面板的窄边框的制作。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括栅极、源极以及漏极，其中，源极设置为第一弯曲结构，漏极设置为第二弯曲结构，栅极设置为第三弯曲结构，其中，源极的第一弯曲结构与漏极的第二弯曲结构相对设置，栅极的第三弯曲结构设置在源极的第一弯曲结构和漏极的第二弯曲结构之间。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种TFT基板，该TFT基板包括显示区和非显示区，其中，显示区设置了多个呈矩阵设置的像素单元，非显示区设置了驱动像素单元的栅极驱动电路，栅极驱动电路包括多个薄膜晶体管，其中：
薄膜晶体管包括栅极、源极以及漏极，其中，源极设置为第一弯曲结构，漏极设置为第二弯曲结构，栅极设置为第三弯曲结构，其中，源极的第一弯曲结构与漏极的第二弯曲结构相对设置，栅极的第三弯曲结构设置在源极的第一弯曲结构和漏极的第二弯曲结构之间；
其中，每行或每列的薄膜晶体管的源极和漏极分别串联连接。
为解决上述技术问题，本发明采用的又一个技术方案是：提供一种显示面板，该显示面板包括TFT基板、CF基板以及液晶层，其中，TFT基板和CF基板相对设置，液晶层设置在TFT基板和CF基板之间；其中，TFT基板包括前文所述的任一项的TFT基板。
本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明提供一种薄膜晶体管、TFT基板以及显示面板，薄膜晶体管包括栅极、源极以及漏极，其中，源极设置为第一弯曲结构，漏极设置为第二弯曲结构，栅极设置为第三弯曲结构，其中，源极的第一弯曲结构与漏极的第二弯曲结构相对设置，栅极的第三弯曲结构设置在源极的第一弯曲结构和漏极的第二弯曲结构之间。因此，本发明的薄膜晶体管的栅极、源极和漏极均设置为弯曲的结构，减少了其在弯曲方向上所占用的空间，从而有利于显示面板的窄边框的制作。
附图说明
图1是现有技术的一种薄膜晶体管的截面结构示意图；
图2是现有技术的薄膜晶体管的俯视结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种薄膜晶体管的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的又一种薄膜晶体管的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的又一种薄膜晶体管的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
图8是图7所示的阵列基板中的栅极驱动电路的电路结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。
具体实施方式
请参阅图3，图3是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的结构示意图。如图3所示，本实施例的薄膜晶体管30包括栅极31、源极33、漏极32以及半导体层34。其中，源极33设置为第一弯曲结构331，漏极32设置为第二弯曲结构321，栅极31设置为第三弯曲结构311。源极33的第一弯曲结构331与漏极32的第二弯曲结构321相对设置，且源极33和漏极32分别与半导体层34电连接。栅极31的第三弯曲结构311设置在源极33的第一弯曲结构331和漏极32的第二弯曲结构321之间。本实施例中，第一弯曲结构331与第二弯曲结构321对合设置，即第一弯曲结构331和第二弯曲结构321相互穿插，第一弯曲结构331的一部分插入第二弯曲结构321结构中，第二弯曲结构321的一部分也插入第一弯曲结构331中。并且第一弯曲结构331和第二弯曲结构321不相连接，进一步在第一弯曲结构331和第二弯曲结构321之间预留有空隙来设置第三弯曲结构311。由于本实施例设置的栅极31、源极33以及漏极32均为弯曲结构，因此，本实施例减少了薄膜晶体管30在弯曲结构的延伸方向上的空间。
本实施例中，第一弯曲结构331为至少一个U型结构或至少一个T型结构，第二弯曲结构321为至少一个U型结构或至少一个T型结构，第三弯曲结构311为至少一个波形结构，其中，波形为周期波形，且前半周期的波形和后半周期的波形刚好相反，其可为方波波形、正弦波波形以及三角波波形等。本实施例举例以第三弯曲结构311为方波波形进行详述。
更具体的，第一弯曲结构331为N个相互连接的U型结构和N个相互连接的T型结构的其中一种，第二弯曲结构321为N个相互连接的U型结构和N个相互连接的T型结构的另外一种，第三弯曲结构311为N个波形结构，其中，N为大于或等于1的整数。
如图3所示，本实施例的N等于3。具体而言，本实施例的第一弯曲结构331为三个相互连接的T型结构332，第二弯曲结构321为三个相互连接的U型结构322，第三弯曲结构311为三个方波结构312。
其中，U型结构322的开口323对着T型结构332设置，并且T型结构332的凸出部分333从U型结构322的开口323插入，方波结构312在U型结构322和T型结构332之间弯曲。因此本实施例还进一步减少了垂直于弯曲结构的延伸方向的方向上的空间。
在其他实施例中，为了降低制作难度，还可将T型结构332的凸出部分333仅设置在U型结构322的开口323处或距离U型结构322的开口323一预设距离的位置，方波结构312在U型结构322的开口323和T型结构332的凸出部分333之间弯曲。如图4所示。
应理解，在其他实施例中，第一弯曲结构331还可为N个相互连接的U型结构，第二弯曲结构321还可以为N个相互连接的T型结构，第三弯曲结构311为N个波形结构。
请参阅图5，图5是本发明实施例提供的又一种薄膜晶体管的结构示意图。如图5所示，本实施例的薄膜晶体管40依然包括栅极41、源极43、漏极42和半导体层44。并且，栅极41、源极43以及漏极42依然分别为第三弯曲结构411、第一弯曲结构431以及第二弯曲结构421。源极43和漏极42分别和半导体层44电连接。
本实施例的薄膜晶体管40和前文所述的薄膜晶体管30的区别在于：第一弯曲结构431为N个相互连接的U型结构432，第二弯曲结构421为N个相互连接的U型结构422，第三弯曲结构411为N个方波结构412，其中，N为大于或等于1的整数。本实施例的N为3。
其中，第一弯曲结构431的U型结构432的开口433和第二弯曲结构421的U型结构422的开口423相向设置，并且第一弯曲结构431的U型结构432和第二弯曲结构421的U型结构422错位相对设置，使得第一弯曲结构431的U型结构432的侧壁434和第二弯曲结构421的U型结构422的侧壁424可以彼此插入对方的开口，方波结构412在第一弯曲结构431的U型结构432和第二弯曲结构421的U型结构422之间弯曲。
在其他实施例中，为了降低制作难度，可将本实施例的结构设置为类似于前文所述的结构。具体而言，可将U型结构432的侧壁434仅设置在U型结构422的开口423处或距离U型结构422的开口423一预设距离的位置，方波结构412在U型结构422的侧壁424和U型结构432的侧壁434之间弯曲。
进一步的，为了节省材料，还可以设置第一弯曲结构431和第二弯曲结构432之间的一个为N-1个相互连接的U型结构，此时，N为大于或等于2的整数。
请参阅图6，图6是本发明实施例提供的又一种薄膜晶体管的结构示意图。如图6所示，本实施例的薄膜晶体管50依然包括栅极51、源极53、漏极52和半导体层54。并且，栅极51、源极53以及漏极52依然分别为第三弯曲结构511、第一弯曲结构531以及第二弯曲结构521。源极53和漏极52分别和半导体层54电连接。
本实施例的薄膜晶体管50和前文所述的薄膜晶体管30的区别在于：第一弯曲结构531为N个相互连接的T型结构532，第二弯曲结构521为N-1个相互连接的T型结构522，第三弯曲结构511为N个方波结构512，其中，N为大于或等于2的整数。本实施例的N为3。
第一弯曲结构531的T型结构532和第二弯曲结构521的T型结构522的凸出部分533和523相向设置，且错位设置，方波结构512在第一弯曲结构531的T型结构532和第二弯曲结构521的T型结构522的之间弯曲。
本实施例中，T型结构522的凸出部分523和T型结构523的凸出部分533分别从对方的两凸出部分之间插入。在其他实施例中，还可以设置T型结构522的凸出部分523和T型结构523的凸出部分533相互不插入。
在其他实施例中，也可以设置为第一弯曲结构531为N个相互连接的T型结构532，第二弯曲结构521为N个相互连接的T型结构522。
本发明实施例还提供了一种TFT基板60，请参阅图7，该TFT基板60包括显示区61和非显示区62，其中显示区61设置了多个呈矩阵设置的像素单元611，非显示区62设置了驱动像素单元的栅极驱动电路621，栅极驱动电路621通过GOA的技术设置在TFT基板60上，且栅极驱动电路621是由多个TFT(薄膜晶体管)结构形成的位移暂存器，如图8所示。其中，该薄膜晶体管为前文所述的薄膜晶体管，在此不再赘述。
本实施例中，每行或每列的薄膜晶体管的源极和漏极分别串联连接。这样在相同的宽度的情况下，跟现有的结构相比，减少了源极和漏极在其弯曲方向上的距离，有利于显示面板的窄边框的制作。
请参阅图9，本发明还提供了一种显示面板70，显示面板70包括TFT基板71、CF基板72以及液晶层73，其中，TFT基板71和CF基板72相对设置，液晶层73设置在TFT基板71和CF基板72之间。其中，TFT基板71为前文所述的TFT基板60，在此不再赘述。
综上所述，本发明由于将薄膜晶体管的栅极、源极和漏极均设置为弯曲结构，因此可以减少其在弯曲方向上的距离，有利于显示面板的窄边框的制作。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅极、源极以及漏极，其中，所述源极设置为第一弯曲结构，所述漏极设置为第二弯曲结构，所述栅极设置为第三弯曲结构，其中，所述源极的第一弯曲结构与所述漏极的第二弯曲结构相对设置，所述栅极的第三弯曲结构设置在所述源极的第一弯曲结构和所述漏极的第二弯曲结构之间。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一弯曲结构为至少一个U型结构或至少一个T型结构，所述第二弯曲结构为至少一个U型结构或至少一个T型结构，所述第三弯曲结构为至少一个波形结构，其中，所述波形为周期波形，且前半周期的波形和后半周期的波形刚好相反。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一弯曲结构为N个相互连接的U型结构和N个相互连接的T型结构的其中一种，所述第二弯曲结构为N个相互连接的U型结构和N个相互连接的T型结构的另外一种，所述第三弯曲结构为N个波形结构，所述N为大于或等于1的整数；
其中，所述U型结构的开口对着所述T型结构设置，所述T型结构的凸出部分从所述U型结构的开口插入，所述波形结构在所述U型结构和所述T型结构之间弯曲。
4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一弯曲结构为N个相互连接的U型结构，所述第二弯曲结构为N个相互连接的U型结构，所述第三弯曲结构为N个波形结构，其中，所述N为大于或等于1的整数；
其中，所述第一弯曲结构的U型结构的开口和所述第二弯曲结构的U型结构的开口相向设置，并且所述第一弯曲结构的U型结构和所述第二弯曲结构的U型结构错位相对设置，使得第一弯曲结构的U型结构的侧壁和第二弯曲结构的U型结构的侧壁可以彼此插入对方的开口，所述波形结构在第一弯曲结构的U型结构和所述第二弯曲结构的U型结构之间弯曲。
5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一弯曲结构为N个相互连接的T型结构，所述第二弯曲结构为N-1个相互连接的T型结构，所述第三弯曲结构为N个波形结构，其中，所述N为大于或等于2的整数；
所述第一弯曲结构的T型结构和所述第二弯曲结构的T型结构的凸出部分相向设置，且错位设置，所述波形结构在第一弯曲结构的T型结构和所述第二弯曲结构的T型结构的之间弯曲。
6.一种TFT基板，其特征在于，所述TFT基板包括显示区和非显示区，其中，所述显示区设置了多个呈矩阵设置的像素单元，所述非显示区设置了驱动所述像素单元的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括多个薄膜晶体管，其中：
所述薄膜晶体管包括栅极、源极以及漏极，其中，所述源极设置为第一弯曲结构，所述漏极设置为第二弯曲结构，所述栅极设置为第三弯曲结构，其中，所述源极的第一弯曲结构与所述漏极的第二弯曲结构相对设置，所述栅极的第三弯曲结构设置在所述源极的第一弯曲结构和所述漏极的第二弯曲结构之间；
其中，每行或每列的薄膜晶体管的源极和漏极分别串联连接。
7.根据权利要求6所述的TFT基板，其特征在于，所述第一弯曲结构为至少一个U型结构或至少一个T型结构，所述第二弯曲结构为至少一个U型结构或至少一个T型结构，所述第三弯曲结构为至少一个波形结构，其中，所述波形为周期波形，且前半周期的波形和后半周期的波形刚好相反。
8.根据权利要求7所述的TFT基板，其特征在于，所述第一弯曲结构为N个相互连接的U型结构和N个相互连接的T型结构的其中一种，所述第二弯曲结构为N个相互连接的U型结构和N个相互连接的T型结构的另外一种，所述第三弯曲结构为N个波形结构，所述N为大于或等于1的整数；
其中，所述U型结构的开口对着所述T型结构设置，所述T型结构的凸出部分从所述U型结构的开口插入，所述波形结构在所述U型结构和所述T型结构之间弯曲。
9.根据权利要求7所述的TFT基板，其特征在于，所述第一弯曲结构为N个相互连接的T型结构，所述第二弯曲结构为N-1个相互连接的T型结构，所述第三弯曲结构为N个波形结构，其中，所述N为大于或等于2的整数；
所述第一弯曲结构的T型结构和所述第二弯曲结构的T型结构的凸出部分相向设置，且错位设置，所述波形结构在第一弯曲结构的T型结构和所述第二弯曲结构的T型结构的之间弯曲。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括TFT基板、CF基板以及液晶层，其中，所述TFT基板和所述CF基板相对设置，所述液晶层设置在所述TFT基板和所述CF基板之间；
其中，所述TFT基板包括权利要求6-9任一项所述的TFT基板。
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