CN109003579A - 像素结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种像素结构,包括具有第一栅极和第二栅极的薄膜晶体管和具有第一条状部和第二条状部的有源层,第一栅极于有源层所在平面的正投影的延伸方向和第一条状部的延伸方向倾斜设置,第二栅极于有源层所在平面的正投影的延伸方向和第二条状部的延伸方向倾斜设置。本发明通过将第一栅极和有源层的第一条状部倾斜交叠设置,和将第二栅极和有源层的第二条状部倾斜交叠设置,提高了薄膜晶体管沟道区的有效沟道长度。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示技术领域,特别涉及一种像素结构。
背景技术
在AMOLED显示装置的显示区域内,像素被设置成包括多行、多列的矩阵状,通常每一像素通常采用由两个薄膜晶体管与一个电容构成,俗称2T1C电路。这种2T1C的设计对下列因素都很敏感:TFT的阈值电压(Vth)和沟道迁移率(Mobility)、OLED的启动电压和量子效率以及供电电源的瞬变过程。故而一般采用补偿电路,来降低影响,例如7T1C,6T1C,6T2C等。
而在7T1C像素驱动电路的结构中,请参照图1和图2,薄膜晶体管T4'用于控制电容放电,薄膜晶体管T4'的栅极连接于扫描线Scan[n-1],薄膜晶体管T4'的源极连接于输入电压端Vi,薄膜晶体管T4'的漏极连接于电容C1'的一端。7T1C的驱动原理:
T1:Scan[n-1]低电位,薄膜晶体管T4'打开,将A电位变成低电位,C1'电容放电;
T2:Scan[n]低电位,薄膜晶体管T2'/薄膜晶体管T3'/薄膜晶体管T7'打开。薄膜晶体管T1'的源漏短接,且A点电位|VA|>|Vth|,即此时薄膜晶体管T1'变成二极管,薄膜晶体管T1'打开,直到A点电位变成Vdata-|Vth|截止;薄膜晶体管T7'打开,OLED复位;
T3:EM低电位,薄膜晶体管T5'/薄膜晶体管T6'打开。薄膜晶体管T1'的Vgs=Vdd-(Vdata-|Vth|),经过薄膜晶体管T1'的Ids=(1/2)K[Vdd-(Vdata-|Vth|)-|Vth|]2=(1/2)K(Vdd--Vdata)2,K=CoxμW/L,电流流过OLED。
具体的,在7T1C电路的像素结构中,如图3所示,薄膜晶体管T4'的栅极与有源层中对应于薄膜晶体管T4'的有源层2'为相互垂直的结构关系,此结构的薄膜晶体管T4'的沟道长度较短,器件宽长比W/L比较大,从而导致薄膜晶体管T4'的漏电流比较大,进而影响7T1C电路的补偿效果,从而导致显示面板在黑画面时容易出现亮点的现象,其中,薄膜晶体管T4'的栅极为扫描线1'的一部分。
因此本发明通过改变薄膜晶体管T4'中栅极和有源层的排布结构,从而达到增加薄膜晶体管T4'沟道长度,从而减小器件宽长比W/L,达到降低薄膜晶体管T4'漏电流的效果。
发明内容
本发明实施例提供一种像素结构和阵列基板;以解决现有的7T1C电路的像素结构中,薄膜晶体管的沟道长度较短,器件宽长比W/L比较大,从而导致薄膜晶体管的漏电流比较大,进而影响7T1C电路的补偿效果,从而导致显示面板在黑画面时容易出现亮点的现象的技术问题。
本发明实施例提供用于7T1C的像素驱动电路,所述7T1C的像素驱动电路包括一用于控制电容放电的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的栅极连接于扫描线,所述薄膜晶体管的源极连接于输入电压端,所述薄膜晶体管的漏极连接于电容的一端,
所述薄膜晶体管包括所述栅极和有源层,所述有源层包括两条平行的第一条状部和第二条状部、以及连接所述第一条状部和所述第二条状部的连接部;所述有源层包括沟道区域;所述沟道区域为所述栅极分别和所述第一条状部和第二条状部交叠的区域;
其中,所述栅极与所述扫描线同层且连接设置,所述栅极包括与所述第一条状部交叠设置的第一栅极和与所述第二条状部交叠设置的第二栅极,所述第一栅极于所述有源层所在平面的正投影的延伸方向和所述第一条状部的延伸方向倾斜设置,所述第二栅极于所述有源层所在平面的正投影的延伸方向和所述第二条状部的延伸方向倾斜设置。
在本发明的像素结构中,所述第一栅极的延伸方向和所述第二栅极的延伸方向相交,所述扫描线还包括垂直于所述第一条状部延伸方向的第一水平段、与所述第一栅极延伸方向重合的两个第一倾斜段、与所述第二栅极延伸方向重合的两个第二倾斜段、与所述第一条状部延伸方向垂直的第二水平段,
其中,所述第一水平段连接于一第一倾斜段的一端,所述一第一倾斜段的另一端连接于第一栅极的一端,所述第一栅极的另一端连接于另一个第一倾斜段,所述另一个第一倾斜段的另一端连接于一第二倾斜段的一端,所述一第二倾斜段的另一端连接于所述第二栅极的一端,所述第二栅极的另一端连接于另一个第二倾斜段的一端,所述另一个第二倾斜段的另一端连接于所述第二水平段。
在本发明的像素结构中,所述第一栅极的延伸方向和所述第一条状部的延伸方向的夹角大于等于30°且小于90°,所述第二栅极的延伸方向和所述第二条状部的延伸方向的夹角大于90°且小于等于150°。
在本发明的像素结构中,所述第一栅极的延伸方向和所述第二栅极的延伸方向重合时,所述扫描线包括与所述第一栅极的延伸方向重合的三个倾斜段,
其中三个所述倾斜段通过所述第一栅极和所述第二栅极间隔设置,所述第一栅极和所述第二栅极连接所述倾斜段。
在本发明的像素结构中,所述第一栅极的延伸方向和所述第一条状部的延伸方向的夹角大于90°且小于等于150°,或,
所述第一栅极的延伸方向和所述第一条状部的延伸方向的夹角大于等于30°且小于90°。
在本发明的像素结构中,当以两个所述像素结构为循环单元时,所述两个像素结构为第一像素结构和位于所述第一像素结构一侧的第二像素结构;
在所述第一像素结构中,所述第一栅极的延伸方向和所述第二栅极的延伸方向重合时,所述扫描线包括与所述第一栅极的延伸方向重合的三个第一倾斜段,三个所述第一倾斜段通过所述第一栅极和所述第二栅极间隔设置,所述第一栅极和所述第二栅极连接所述第一倾斜段;
在所述第二像素结构中,所述第一栅极的延伸方向和所述第二栅极的延伸方向重合时,所述扫描线包括与所述第一栅极的延伸方向重合的三个第二倾斜段,三个所述第二倾斜段通过所述第一栅极和所述第二栅极间隔设置,所述第一栅极和所述第二栅极连接所述第二倾斜段;
所述第一倾斜段的延伸方向和所述第二倾斜段的延伸方向相交。
在本发明的像素结构中,在所述第一像素结构中,所述第一栅极的延伸方向和所述第一条状部的延伸方向的夹角大于90°且小于等于150°,在所述第二像素结构中,所述第一栅极的延伸方向和所述第一条状部的延伸方向的夹角大于等于30°且小于90°。
本发明还涉及另一种像素结构,包括扫描线、数据线、像素电极和薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线,所述薄膜晶体管的源极连接于所述数据线,所述薄膜晶体管的漏极连接于所述像素电极,其特征在于,
所述薄膜晶体管包括所述栅极和有源层,所述有源层包括两条平行的第一条状部和第二条状部、以及连接所述第一条状部和所述第二条状部的连接部;所述有源层包括沟道区域;所述沟道区域为所述栅极分别和所述第一条状部和第二条状部交叠的区域;
其中,所述栅极与所述扫描线同层且连接设置,所述栅极包括与所述第一条状部交叠设置的第一栅极和与所述第二条状部交叠设置的第二栅极,所述第一栅极于所述有源层所在平面的正投影的延伸方向和所述第一条状部的延伸方向倾斜设置,所述第二栅极于所述有源层所在平面的正投影的延伸方向和所述第二条状部的延伸方向倾斜设置。
在本发明的另一种像素结构中,所述第一栅极的延伸方向和所述第二栅极的延伸方向相交,所述扫描线还包括垂直于所述第一条状部延伸方向的第一水平段、与所述第一栅极延伸方向重合的两个第一倾斜段、与所述第二栅极延伸方向重合的两个第二倾斜段、与所述第一条状部延伸方向垂直的第二水平段,
其中,所述第一水平段连接于一第一倾斜段的一端,所述一第一倾斜段的另一端连接于第一栅极的一端,所述第一栅极的另一端连接于另一个第一倾斜段,所述另一个第一倾斜段的另一端连接于一第二倾斜段的一端,所述一第二倾斜段的另一端连接于所述第二栅极的一端,所述第二栅极的另一端连接于另一个第二倾斜段的一端,所述另一个第二倾斜段的另一端连接于所述第二水平段。
在本发明的另一种像素结构中,所述第一栅极的延伸方向和所述第一条状部的延伸方向的夹角大于等于30°且小于90°,所述第二栅极的延伸方向和所述第二条状部的延伸方向的夹角大于90°且小于等于150°。
相较于现有技术的像素结构,本发明的像素结构通过将第一栅极和有源层的第一条状部倾斜交叠设置,和将第二栅极和有源层的第二条状部倾斜交叠设置,提高了薄膜晶体管沟道区的有效沟道长度,解决了现有的7T1C电路的像素结构中,薄膜晶体管的沟道长度较短,器件宽长比W/L比较大,从而导致薄膜晶体管的漏电流比较大,进而影响7T1C电路的补偿效果,从而导致显示面板在黑画面时容易出现亮点的现象的技术问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本发明的部分实施例,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为现有技术的7T1C像素驱动电路的等效电路图;
图2为现有技术的7T1C像素驱动电路的驱动时序图;
图3为现有技术的7T1C像素驱动电路的结构示意图;
图4为本发明的像素结构的第一实施例的结构示意图;
图5为本发明的像素结构的第一实施例的扫描线和薄膜晶体管的结构示意图;
图6为本发明的像素结构的第二实施例的扫描线和薄膜晶体管的结构示意图;
图7为本发明的像素结构的第三实施例的扫描线和薄膜晶体管的结构示意图;
图8为本发明的像素结构的第四实施例的结构示意图;
图9为图8中A的放大图。
具体实施方式
请参照附图中的图式,其中相同的组件符号代表相同的组件。以下的说明是基于所例示的本发明具体实施例,其不应被视为限制本发明未在此详述的其它具体实施例。
请参照图4和图5,图4为本发明的像素结构的第一实施例的结构示意图;图5为本发明的像素结构的第一实施例的扫描线和薄膜晶体管的结构示意图。需要说明的是,本发明第一实施例的像素结构,用于7T1C的像素驱动电路,本发明的7T1C的像素驱动电路的等效电路和驱动时序和现有技术的一致。
7T1C的像素驱动电路包括一用于控制电容放电的薄膜晶体管T4,薄膜晶体管T4的栅极连接于扫描线11,薄膜晶体管T4的源极连接于输入电压端,薄膜晶体管T4的漏极连接于电容的一端。
薄膜晶体管T4包括栅极和有源层12,有源层12包括两条平行的第一条状部121和第二条状部122、以及连接第一条状部121和第二条状部122的连接部123;有源层12包括沟道区域;沟道区域为薄膜晶体管T4的栅极分别和第一条状部121和第二条状部122交叠的区域;其中该栅极和第一条状部121交叠形成第一沟道区域,该栅极和第二条状部122交叠形成第二沟道区域。
其中该栅极与扫描线11同层且连接设置,该栅极包括与第一条状部121交叠设置的第一栅极11a和与第二条状部122交叠设置的第二栅极11b,有源层12所在的平面上,第一栅极11a于有源层12所在平面的正投影的延伸方向和第一条状部121的延伸方向倾斜设置,第二栅极11b于有源层12所在平面的正投影的延伸方向和第二条状部122的延伸方向倾斜设置。倾斜设置为两条线非垂直的相交设置。
本实施例通过将第一栅极11a和有源层12的第一条状部12a倾斜交叠设置,和将第二栅极11b和有源层12的第二条状部122倾斜交叠设置,提高了薄膜晶体管T4中第一沟道区域和第二沟道区域的有效沟道长度,进而减少了薄膜晶体管T4的宽长比,避免了薄膜晶体管T4漏电流较大的情况发生。
具体的,第一栅极11a的延伸方向和第二栅极11b的延伸方向相交,扫描线11还包括垂直于第一条状部121延伸方向的第一水平段111、与第一栅极11a延伸方向重合的两个第一倾斜段112、与第二栅极11b延伸方向重合的两个第二倾斜段113、以及与第一条状部121延伸方向垂直的第二水平段114,
其中,第一水平段111连接于一第一倾斜段112的一端,一第一倾斜段112的另一端连接于第一栅极11a的一端,第一栅极11a的另一端连接于另一个第一倾斜段112,另一个第一倾斜段112的另一端连接于一第二倾斜段113的一端,一第二倾斜段113的另一端连接于第二栅极11b的一端,第二栅极11b的另一端连接于另一个第二倾斜段113的一端,另一个第二倾斜段113的另一端连接于第二水平段114。
在本发明的第一实施例中,第一栅极11a的延伸方向和第一条状部121的延伸方向的夹角α1大于等于30°且小于90°,第二栅极11b的延伸方向和第二条状部122的延伸方向的夹角β1大于90°且小于等于150°。
显而易见的是,在0°>α1<90°,90°>α1<180°中。当夹角α1和夹角β1越接近90°,第一沟道区域和第二沟道区域的有效沟道长度越长;夹角α1越接近0°以及夹角β1越接近180°,第一沟道区域和第二沟道区域的有效沟道长度越短,因此为了确保显示面板在黑画面时,不会出现亮点的现象,即确保薄膜晶体管T4具备合适的宽长比。因此将夹角α1设定大于等于30°,将夹角β1设定小于等于150°。
另外,第一栅极11a和第二栅极11b均包括至少一个弯折部,第一栅极中的多个弯折部沿着第一栅极的延伸方向延伸设置,第二栅极中的多个弯折部沿着第二栅极的延伸方向延伸设置。这样的设置,提高了第一沟道区域和第二沟道区域的有效沟道长度。可选的,弯折部为U形、n形、波谷状或波峰状。
在本发明的第二实施例中,请参照图6,本实施例与第一实施例的不同之处在于:第一栅极31a的延伸方向和第二栅极31b的延伸方向重合时,扫描线31包括与第一栅极31a的延伸方向重合的三个倾斜段311,其中三个倾斜段311通过第一栅极31a和第二栅极31b间隔设置,第一栅极31a和第二栅极31b连接倾斜段311。当有两个以上的本实施例进行连接排布时,两个倾斜段之间可通过一竖直段连接。
在本发明的第二实施例中,第一栅极31a的延伸方向和第一条状部321的延伸方向的夹角α3大于90°且小于等于150°。
在本发明的第三实施例中,请参照图7,本实施例和第二实施例的不同之处在于:第一栅极41a的延伸方向和第二栅极41b的延伸方向重合时,扫描线41包括与第一栅极41a的延伸方向重合的三个倾斜段411,其中三个倾斜段411通过第一栅极41a和第二栅极41b间隔设置,第一栅极41a和第二栅极41b连接倾斜段411。第一栅极41a的延伸方向和第一条状部421的延伸方向的夹角α4大于等于30°且小于90°。
在本发明的第四实施例中,请参照图8和图9,本实施例与第一实施例的不同之处在于:当以两个像素结构为循环单元时,两个像素结构为第一像素结构和位于所述第一像素结构一侧的第二像素结构;
在第一像素结构中,有源层52包括两条平行的第一条状部521和第二条状部522、以及连接第一条状部521和第二条状部522的连接部523;第一栅极51a的延伸方向和第二栅极51b的延伸方向重合时,扫描线51包括与第一栅极51a的延伸方向重合的三个第一倾斜段511,其中三个第一倾斜段511通过第一栅极51a和第二栅极51b间隔设置,第一栅极51a和第二栅极51b连接第一倾斜段511;
在第二像素结构中,有源层52'包括两条平行的第一条状部521'和第二条状部522'、以及连接第一条状部521'和第二条状部522'的连接部523';第一栅极51a'的延伸方向和第二栅极51b'的延伸方向重合时,扫描线51'包括与第一栅极51a'的延伸方向重合的三个第二倾斜段511',其中三个第二倾斜段511'通过第一栅极51a'和第二栅极51b'间隔设置,第一栅极51a'和第二栅极51b'连接第二倾斜段511';
第一倾斜段511的延伸方向和第二倾斜段511'的延伸方向相交。
在本实施例中,将第一倾斜段511和第二倾斜段511'进行相交连接,便于整体布局。
在本发明的第四实施例中,在第一像素结构中,第一栅极51a的延伸方向和第一条状部521的延伸方向的夹角α5大于90°且小于等于150°,在第二像素结构中,第一栅极51a'的延伸方向和第一条状部521'的延伸方向的夹角β2大于等于30°且小于90°。
本发明还涉及另一种像素结构,包括扫描线、数据线、像素电极和薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线,所述薄膜晶体管的源极连接于所述数据线,所述薄膜晶体管的漏极连接于所述像素电极,其特征在于,
所述薄膜晶体管包括所述栅极和有源层,所述有源层包括两条平行的第一条状部和第二条状部、以及连接所述第一条状部和所述第二条状部的连接部;所述有源层包括沟道区域;所述沟道区域为所述栅极分别和所述第一条状部和第二条状部交叠的区域;
其中,所述栅极与所述扫描线同层且连接设置,所述栅极包括与所述第一条状部交叠设置的第一栅极和与所述第二条状部交叠设置的第二栅极,所述第一栅极于所述有源层所在平面的正投影的延伸方向和所述第一条状部的延伸方向倾斜设置,所述第二栅极于所述有源层所在平面的正投影的延伸方向和所述第二条状部的延伸方向倾斜设置。
在本发明的另一种像素结构中,所述第一栅极的延伸方向和所述第二栅极的延伸方向相交,所述扫描线还包括垂直于所述第一条状部延伸方向的第一水平段、与所述第一栅极延伸方向重合的两个第一倾斜段、与所述第二栅极延伸方向重合的两个第二倾斜段、与所述第一条状部延伸方向垂直的第二水平段,
其中,所述第一水平段连接于一第一倾斜段的一端,所述一第一倾斜段的另一端连接于第一栅极的一端,所述第一栅极的另一端连接于另一个第一倾斜段,所述另一个第一倾斜段的另一端连接于一第二倾斜段的一端,所述一第二倾斜段的另一端连接于所述第二栅极的一端,所述第二栅极的另一端连接于另一个第二倾斜段的一端,所述另一个第二倾斜段的另一端连接于所述第二水平段。
在本发明的另一种像素结构中,所述第一栅极的延伸方向和所述第一条状部的延伸方向的夹角大于等于30°且小于90°,所述第二栅极的延伸方向和所述第二条状部的延伸方向的夹角大于90°且小于等于150°。
本发明还涉及一种阵列基板,所述阵列基板包括基板和设置在所述基板上的像素结构,所述像素结构与上述实施例的像素结构相同。
相较于现有技术的像素结构,本发明的像素结构和阵列基板通过将扫描线的第一栅极和有源层的第一条状部倾斜交叠设置,和将扫描线的第二栅极和有源层的第二条状部倾斜交叠设置,提高了薄膜晶体管沟道区的有效沟道长度,解决了现有的7T1C电路的像素结构中,薄膜晶体管的沟道长度较短,器件宽长比W/L比较大,从而导致薄膜晶体管的漏电流比较大,进而影响7T1C电路的补偿效果,从而导致显示面板在黑画面时容易出现亮点的现象的技术问题。
本发明尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本公开,但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本公开包括所有这样的修改和变型,并且仅由所附权利要求的范围限制。此外,尽管本公开的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被公开,但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且,就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在具体实施方式或权利要求中而言,这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包括。
综上所述,虽然本发明已以实施例揭露如上,实施例前的序号,如“第一”、“第二”等仅为描述方便而使用,对本发明各实施例的顺序不造成限制。并且,上述实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种像素结构,用于7T1C的像素驱动电路,所述7T1C的像素驱动电路包括一用于控制电容放电的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的栅极连接于扫描线,所述薄膜晶体管的源极连接于输入电压端,所述薄膜晶体管的漏极连接于电容的一端,其特征在于,
所述薄膜晶体管包括所述栅极和有源层,所述有源层包括两条平行的第一条状部和第二条状部、以及连接所述第一条状部和所述第二条状部的连接部;所述有源层包括沟道区域;所述沟道区域为所述栅极分别和所述第一条状部和第二条状部交叠的区域;
其中,所述栅极与所述扫描线同层且连接设置,所述栅极包括与所述第一条状部交叠设置的第一栅极和与所述第二条状部交叠设置的第二栅极,所述第一栅极于所述有源层所在平面的正投影的延伸方向和所述第一条状部的延伸方向倾斜设置,所述第二栅极于所述有源层所在平面的正投影的延伸方向和所述第二条状部的延伸方向倾斜设置。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一栅极的延伸方向和所述第二栅极的延伸方向相交,所述扫描线还包括垂直于所述第一条状部延伸方向的第一水平段、与所述第一栅极延伸方向重合的两个第一倾斜段、与所述第二栅极延伸方向重合的两个第二倾斜段、与所述第一条状部延伸方向垂直的第二水平段,
其中,所述第一水平段连接于一第一倾斜段的一端,所述一第一倾斜段的另一端连接于第一栅极的一端,所述第一栅极的另一端连接于另一个第一倾斜段,所述另一个第一倾斜段的另一端连接于一第二倾斜段的一端,所述一第二倾斜段的另一端连接于所述第二栅极的一端,所述第二栅极的另一端连接于另一个第二倾斜段的一端,所述另一个第二倾斜段的另一端连接于所述第二水平段。
3.根据权利要求2所述的像素结构,其特征在于,所述第一栅极的延伸方向和所述第一条状部的延伸方向的夹角大于等于30°且小于90°,所述第二栅极的延伸方向和所述第二条状部的延伸方向的夹角大于90°且小于等于150°。
4.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一栅极的延伸方向和所述第二栅极的延伸方向重合时,所述扫描线包括与所述第一栅极的延伸方向重合的三个倾斜段,
其中三个所述倾斜段通过所述第一栅极和所述第二栅极间隔设置,所述第一栅极和所述第二栅极连接所述倾斜段。
5.根据权利要求4所述的像素结构,其特征在于,所述第一栅极的延伸方向和所述第一条状部的延伸方向的夹角大于90°且小于等于150°,或,
所述第一栅极的延伸方向和所述第一条状部的延伸方向的夹角大于等于30°且小于90°。
6.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,当以两个所述像素结构为循环单元时,所述两个像素结构为第一像素结构和位于所述第一像素结构一侧的第二像素结构;
在所述第一像素结构中,所述第一栅极的延伸方向和所述第二栅极的延伸方向重合时,所述扫描线包括与所述第一栅极的延伸方向重合的三个第一倾斜段,三个所述第一倾斜段通过所述第一栅极和所述第二栅极间隔设置,所述第一栅极和所述第二栅极连接所述第一倾斜段;
在所述第二像素结构中,所述第一栅极的延伸方向和所述第二栅极的延伸方向重合时,所述扫描线包括与所述第一栅极的延伸方向重合的三个第二倾斜段,三个所述第二倾斜段通过所述第一栅极和所述第二栅极间隔设置,所述第一栅极和所述第二栅极连接所述第二倾斜段;
所述第一倾斜段的延伸方向和所述第二倾斜段的延伸方向相交。
7.根据权利要求6所述的像素结构,其特征在于,在所述第一像素结构中,所述第一栅极的延伸方向和所述第一条状部的延伸方向的夹角大于90°且小于等于150°,在所述第二像素结构中,所述第一栅极的延伸方向和所述第一条状部的延伸方向的夹角大于等于30°且小于90°。
8.一种像素结构,包括扫描线、数据线、像素电极和薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的栅极连接于所述扫描线,所述薄膜晶体管的源极连接于所述数据线,所述薄膜晶体管的漏极连接于所述像素电极,其特征在于,
所述薄膜晶体管包括所述栅极和有源层,所述有源层包括两条平行的第一条状部和第二条状部、以及连接所述第一条状部和所述第二条状部的连接部;所述有源层包括沟道区域;所述沟道区域为所述栅极分别和所述第一条状部和第二条状部交叠的区域;
其中,所述栅极与所述扫描线同层且连接设置,所述栅极包括与所述第一条状部交叠设置的第一栅极和与所述第二条状部交叠设置的第二栅极,所述第一栅极于所述有源层所在平面的正投影的延伸方向和所述第一条状部的延伸方向倾斜设置,所述第二栅极于所述有源层所在平面的正投影的延伸方向和所述第二条状部的延伸方向倾斜设置。
9.根据权利要求8所述的像素结构,其特征在于,所述第一栅极的延伸方向和所述第二栅极的延伸方向相交,所述扫描线还包括垂直于所述第一条状部延伸方向的第一水平段、与所述第一栅极延伸方向重合的两个第一倾斜段、与所述第二栅极延伸方向重合的两个第二倾斜段、与所述第一条状部延伸方向垂直的第二水平段,
其中,所述第一水平段连接于一第一倾斜段的一端,所述一第一倾斜段的另一端连接于第一栅极的一端,所述第一栅极的另一端连接于另一个第一倾斜段,所述另一个第一倾斜段的另一端连接于一第二倾斜段的一端,所述一第二倾斜段的另一端连接于所述第二栅极的一端,所述第二栅极的另一端连接于另一个第二倾斜段的一端,所述另一个第二倾斜段的另一端连接于所述第二水平段。
10.根据权利要求9所述的像素结构,其特征在于,所述第一栅极的延伸方向和所述第一条状部的延伸方向的夹角大于等于30°且小于90°,所述第二栅极的延伸方向和所述第二条状部的延伸方向的夹角大于90°且小于等于150°。
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