CN104934001B - 一种液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括相对设置的阵列基板和对向基板，阵列基板和对向基板均包括显示区域和围绕显示区域的边框区域；位于阵列基板的边框区域的探测模块和反馈模块，以及位于阵列基板或者位于阵列基板和对向基板上的加热模块，加热模块包括单晶硅开关；探测模块、反馈模块和加热模块依次电连接，探测模块用于探测液晶显示装置的温度，并将探测到的温度信号传输到反馈模块，反馈模块用于当探测模块输出的温度低于预设阈值时控制加热模块开启，从而为液晶显示装置进行加热。本发明能够对液晶显示装置中的液晶和移位寄存器中的非晶硅进行加热，改善低温驱动不足和液晶响应速度不足的现象。

Description

一种液晶显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种液晶显示装置。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)是一种采用液晶材料制作的显示器，具有轻薄、功耗小和显示信息量大等特点。

LCD通常包括用于显示画面的显示面板和用于向显示面板提供信号的电路部分。该显示面板通常包括阵列基板和彩膜基板，它们通过封框胶彼此粘接并由间隙隔开，而液晶材料填充在阵列基板和彩膜基板之间的间隙中。该电路部分通常包括栅极驱动电路，液晶显示装置显示图像时通常采用逐行扫描的方式，每一行像素显示单元中的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)的导通和截止由一条栅线控制，栅极驱动电路通常包括多个移位寄存器，每个移位寄存器包括多个薄膜晶体管，多个薄膜晶体管结合位于液晶显示装置台阶区域的集成电路输入的信号生成栅极驱动信号，所述栅极驱动信号发送给阵列基板上像素显示单元中的薄膜晶体管。

然而，薄膜晶体管一般包括非晶硅层，非晶硅的迁移率会随着温度的降低而降低，薄膜晶体管的开态电阻随着温度的降低而升高，当温度过低时，会使得移位寄存器由于迁移率太低而延迟增大，导致驱动不足，引发液晶显示装置显示异常。此外，随着温度的降低，液晶材料的响应速度会变慢，当温度更低时，液晶材料会变为粘稠状，甚至“结晶”，从而导致液晶显示装置在低温启动工作时，会发生显示画面变色、亮度低、出现“拖尾”等显示异常现象。

发明内容

有鉴于此，本发明提出了一种液晶显示装置，以解决液晶显示装置在低温环境下的驱动能力不足和液晶响应速度慢的问题。

本发明提供了一种液晶显示装置，包括：

相对设置的阵列基板和对向基板，所述阵列基板和所述对向基板均包括显示区域和围绕所述显示区域的边框区域；

位于所述阵列基板的边框区域的探测模块和反馈模块，以及位于所述阵列基板或者位于所述阵列基板和所述对向基板上的加热模块，所述加热模块包括单晶硅开关；

所述探测模块、所述反馈模块和所述加热模块依次电连接，所述探测模块用于探测所述液晶显示装置的温度，并将探测到的温度信号传输到所述反馈模块，所述反馈模块用于当所述探测模块输出的所述液晶显示装置的温度低于预设阈值时控制所述加热模块开启，所述加热模块用于根据所述反馈模块的控制为所述液晶显示装置进行加热。

本发明提供的液晶显示装置，通过在所述阵列基板或者在所述阵列基板和所述对向基板上设置加热模块，所述加热模块包括单晶硅开关，当温度低于预设阈值时，加热模块对液晶显示装置中的液晶材料和薄膜晶体管中的非晶硅进行加热，可使得液晶材料的温度上升，并提升移位寄存器中非晶硅的迁移率，从而加快液晶材料的响应速度并能够提高移位寄存器的驱动能力。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是本发明的液晶显示装置的示意图；

图2为图1中阵列基板的俯视图；

图3A是本发明第一实施方式提供的探测模块的结构图；

图3B为图3A中晶体管a的漏极电压为10V时不同温度下测量的Id-Vg仿真曲线；

图3C是晶体管a单位宽长比等效电阻的阻值与温度的关系曲线图；

图4是本发明第一实施方式提供的反馈模块的结构图；

图5是本发明第一实施方式提供的加热模块的结构图；

图6是本发明第一实施方式提供的探测模块、反馈模块和加热模块的各输入端的输入信号的时序图；

图7A和图7B是本发明第一实施方式中电阻走线Rc在阵列基板的边框区域的位置关系的结构图；

图8A-图8D是本发明第一实施方式中电阻走线Rc的形状示意图；

图9A为本发明第二实施方式对向基板的俯视图；

图9B为本发明第二实施方式中阵列基板的俯视图；

图10A至图10D以及图10E至图10K是本发明第二实施方式中电阻走线Rc的形状示意图；

图11A和图11B是本发明第二实施方式中电阻走线Rc在对向基板上的位置关系的结构图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。

图1是本发明的液晶显示装置的示意图，该液晶显示装置包括阵列基板11和与阵列基板11相对设置的对向基板12，以及封装在阵列基板11和对向基板12之间的液晶材料13。其中，阵列基板11包括相互交叉的多条数据线112和栅线111，在栅线111和数据线112的交叉处设置有像素电极15。对向基板12可以为彩膜基板，所述彩膜基板包括色阻层和包围色阻层的黑色矩阵16。阵列基板11上的两条数据线和两条栅线交叉形成的区域与彩膜基板上的一个色阻(如图1中所示的R或G或B)相对应，构成了一个像素显示单元，图1中一个色阻构成彩膜基板上的一个像素显示区域。也就是说，多条数据线和多条扫描线围成了多个像素显示单元，多个这样的像素显示单元构成了阵列基板11的显示区域，阵列基板11的显示区域之外的区域称为阵列基板的边框区域17，多条栅线和多条数据线分别从阵列基板11的显示区域延伸到阵列基板的边框区域17，进而连接到外部的数据线驱动电路和栅极驱动电路上。多个像素显示区域构成了对向基板12的显示区域，对向基板12的显示区域之外的区域称为对向基板的边框区域18。

注意，图1所示的液晶显示装置中彩膜基板上的色阻仅示出了红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)三色，这仅仅是示例性的，色阻还可以包括其他颜色，例如白色(W)和黄色(Y)等，这些均包括在本发明的保护范围内。

液晶显示装置还包括用于贴合阵列基板11和对向基板12的导电封框胶(图1中未示出)，所述导电封框胶位于阵列基板11和对向基板12的边框区域，并与阵列基板11和彩膜基板12形成液晶盒。

液晶显示装置还包括位于阵列基板的边框区域17的探测模块和反馈模块(图1中未示出)，以及位于阵列基板11上的加热模块(图1中未示出)，该加热模块也可以位于阵列基板11和对向基板12上，所述加热模块包括单晶硅开关(图1中未示出)。所述探测模块、所述反馈模块和所述加热模块依次电连接，所述探测模块用于探测液晶显示装置的温度，并将探测到的温度信号传输到所述反馈模块，所述反馈模块用于当所述探测模块输出的所述液晶显示装置的温度低于预设阈值时控制所述加热模块开启，所述加热模块用于根据所述反馈模块的控制为所述液晶显示装置进行加热。

接下来，用第一实施方式来具体说明上述加热模块位于阵列基板上的方案，用第二实施方式来具体说明上述加热模块位于阵列基板和对向基板上的方案。

第一实施方式

图2为图1中阵列基板的俯视图，阵列基板11包括显示区域A和围绕显示区域的阵列基板的边框区域17。在阵列基板的边框区域17包括依次电连接的探测模块19、反馈模块20和加热模块21，所述加热模块21包括单晶硅开关TFT_H。

阵列基板的边框区域17包括栅极驱动电路(图2中未示出)，所述栅极驱动电路通常包括多个移位寄存器(图2中未示出)，在栅极驱动电路中每一帧扫描过程中，通常需要对所有移位寄存器进行一次扫描前复位，以保证显示图像的品质。其中，移位寄存器进行扫描前复位的时间段为液晶显示装置显示一帧中的探测时间段。例如：液晶显示装置显示一帧的时间为16.7ms，选取其中的5ms作为探测时间段，剩余的11.7ms作为显示时间段。当然也可根据IC芯片(位于液晶显示装置的台阶区域，图2中未示出)的处理能力，适当的调整两者的时长，在此不作限定。在每一帧的探测时间段，探测模块19探测液晶显示装置的温度，当探测模块19输出的所述液晶显示装置的温度等于或低于预设阈值时，加热模块21为所述液晶显示装置进行加热，第一个移位寄存器输出栅极驱动信号时，探测时间段结束，显示时间段开始，此时所述液晶显示装置进行显示，当最后一个移位寄存器输出栅极驱动信号后，液晶显示装置结束当前帧的显示，之后进入下一帧的探测时间段，探测模块19探测液晶显示装置的温度，当探测模块19输出的液晶显示装置的温度仍然低于预设阈值时，加热模块21再次为所述液晶显示装置进行加热，直到所述液晶显示装置的温度不低于预设阈值时为止。当探测模块19探测到液晶显示装置的温度大于预设阈值时，在一帧的所述探测时间段，所述液晶显示装置仅进行温度探测。例如：液晶显示装置在-20℃以下时工作异常，而当温度上升到-15℃时即可正常工作，那么可以将-15℃设定为临界温度。液晶显示装置在第一帧的探测时间段，探测模块探测到液晶显示装置的温度为-20℃，则加热模块进行加热，当在第2156帧时，所述探测模块探测到液晶显示装置的温度大于-15℃，则在第2156帧的探测时间段仅进行探测模块探测温度的操作。

可选的，所述液晶显示装置还包括柔性印刷电路板22，该柔性印刷电路板22与阵列基板11电连接，所述单晶硅开关TFT_H位于柔性印刷电路板22上，且与柔性印刷电路板22电连接。

需要说明的是，在加热模块21中采用单晶硅开关TFT_H且将单晶硅开关TFT_H设置于柔性印刷电路板22上的好处在于，能够有效降低加热模块21的等效电阻，使得加热模块21缩短加热时间。

接下来，以可选的方式给出探测模块19、反馈模块20和加热模块21的电路结构图。在本发明实施例中，所涉及到的晶体管均为N型晶体管，在本发明的另一些实施例中，各晶体管也可以为P型晶体管，本发明实施例对此不作限制。还需要说明的是，晶体管的第一端指晶体管的栅极，晶体管的第二端指晶体管的漏极，晶体管的第三端指晶体管的源极，注意，晶体管的源极和漏极的定义，因电流的流动不同而异，这里把晶体管的第二端作为晶体管的漏极，晶体管的第三端作为晶体管的源极。但是并不构成对本发明的限制。晶体管的第二端作为晶体管的源极，晶体管的第三端作为晶体管的漏极也在本发明的保护范围之内。另外，为了方便起见，下面各实施方式以及各附图中，以各晶体管为N型晶体管为例来进行说明。

图3A是本发明第一实施方式提供的探测模块的结构图，如图3A所示。所述探测模块可包括用于接收第一电平信号的第一电平信号输入端VGL、用于接收第二重置信号的第二重置信号输入端RESET2、用于输出温度信号的温度信号输出端Vout、晶体管a和电阻R。其中，晶体管a的第一端与所述第二重置信号输入端RESET2相连，晶体管a的第二端与所述温度信号输出端Vout和所述电阻R的一端相连，晶体管a的第三端与第一电平信号输入端VGL相连，电阻R的另一端与第二重置信号输入端RESET2相连。其中，第一电平信号为恒定的低电平信号VGL，电阻R的阻值为R。

图3B为图3A中晶体管a的漏极电压为10V时不同温度下测量的Id-Vg仿真曲线，如图3B所示。其中，横坐标Vg表示晶体管a的栅极电压，纵坐标Id表示晶体管a的漏极电流，晶体管a的漏极电压Vd为10V，其宽长比为23/6。从图3B中可以看出，不同温度下，晶体管a的Id-Vg曲线不同，对于同一栅极电压，晶体管a的漏极电流随温度的增高而增大。取Vg＝20V时，不同温度下流过晶体管a的漏极电流，再根据Vd＝10V和晶体管a的宽长比23/6计算得到晶体管a的单位宽长比的等效电阻的具体数值如下表1：

图3C是晶体管a单位宽长比等效电阻的阻值与温度的关系曲线图，如图3C所示。其中，横坐标表示温度，纵坐标表示晶体管a单位宽长比的等效电阻的阻值。采用Excel的曲线拟合，得到温度t与晶体管a的等效电阻的关系式如下式1：

R0＝-2.821*t³+925.33*t²-130375*t+9000000

如果晶体管a的宽长比为W/L，则温度t与晶体管a的等效电阻Ra的关系式如下式2：

Ra＝R0*L/W＝L/W*(-2.821*t³+925.33*t²-130375*t+9000000)

利用直流分压原理，当第二重置信号端RESET2输入的第二重置信号为高电平VGH时，计算得到探测模块19的温度信号输出端Vout的电压的表达式如下式3：

Vout＝VGH-(VGH-VGL)*R/(Ra+R)

从上式3可以看出，当晶体管a的宽长比W/L和电阻R的阻值确定之后，温度t发生变化，探测模块19的温度信号输出端Vout输出的电压也会发生变化。通过在设计时调节晶体管a的宽长比W/L和电阻R的阻值，能够使得探测模块19在特定的温度下输出特定的电压。

例如：当VGH＝15V，VGL＝-10V时，如何设计使得温度为0℃时，探测模块的温度信号输出端输出的电压为1.5V。

根据式3能够得到电阻R的阻值可用下式4表示：

R＝(VGH-VGL)*Ra/(Vout-VGL)＝1.174Ra

从式4可以看出，在0℃时只要确保电阻R的阻值是晶体管a的等效电阻阻值Ra的0.825倍，即可确保探测模块19的温度信号输出端Vout输出的电压为1.5V。假设电阻R的阻值R为20000Ω，则晶体管a的等效电阻的阻值Ra为17035.8Ω，此时晶体管a的宽长比W/L为7044/6。也就是说，通过设计晶体管a的宽长比和电阻R的阻值，能够设定液晶显示装置的阈值温度，当探测模块探测到的温度信号低于阈值温度时，加热模块对液晶显示装置进行加热，当探测模块探测到的温度信号不低于阈值温度时，加热模块不进行加热。

需要说明的是，上述对探测模块中晶体管a和电阻R的阻值的计算仅是本发明的一个示例，并不用于限制本发明。在实际应用中，能够将其他温度设定为阈值温度，从而相应的确定晶体管a的具体宽长比以及电阻R的具体阻值。

可选的，图4是本发明第一实施方式提供的反馈模块的结构图，如图4所示。反馈模块包括用于接收探测模块19输出的温度信号的温度信号输入端Vin、用于接收第一触发信号的第一触发信号输入端STV1、用于接收第二触发信号的第二触发信号输入端STV2、用于接收第一重置信号的第一重置信号输入端RESET1、用于输出控制信号的控制信号输出端TSTV、用于接收第一电平信号的第一电平信号输入端VGL、第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第一电容C1和第二电容C2。其中，第一电平信号输入端VGL分别与第二晶体管T2的第三端、第三晶体管T3的第三端、第四晶体管T4的第三端、第五晶体管T5的第三端以及第七晶体管T7的第三端相连，第二触发信号输入端STV2分别与第一电容C1的第一极和第二电容C2的第一极相连，第一电容C1的第二极分别与第二晶体管T2的第二端、第四晶体管T4的第二端、第五晶体管T5的第一端以及第七晶体管T7的第一端相连，第一晶体管T1的第一端与温度信号输入端Vin相连，第一晶体管T1的第二端与第一触发信号输入端STV1相连，第一晶体管T1的第三端分别与第二电容C2的第二极、第三晶体管T3的第二端、第四晶体管T4的第一端、第五晶体管T5的第二端以及第六晶体管T6的第一端相连，第二晶体管T2的第一端与第一重置信号输入端RESET1以及第三晶体管T3的第一端相连，第六晶体管T6的第三端与第七晶体管T7的第二端和控制信号输出端TSTV相连，第六晶体管T6的第二端与第二触发信号输入端STV2相连。

可选的，图5是本发明第一实施方式提供的加热模块的结构图，如图5所示。加热模块21包括用于接收反馈模块20输出的控制信号的控制信号输入端TSTVin、用于接收第三触发信号的第三触发信号输入端STV3、用于接收第一置位信号的第一置位信号输入端RESET1、用于接收第一电平信号的第一电平信号输入端VGL、用于接收第二电平信号的第二电平信号输入端VGH、用于接收栅极驱动信号的栅极驱动信号输入端ASG-OUT、第八晶体管T8、第九晶体管T9、第十晶体管T10、电阻走线Rc和单晶硅开关TFT_H，第八晶体管T8的第一端与第三触发信号输入端STV3相连，第八晶体管T8的第二端与控制信号输入端TSTVin相连，第八晶体管T8的第三端与第九晶体管T9的第二端、第十晶体管T10的第二端和单晶硅开关TFT_H的第一端相连，将连接于第八晶体管T8的第三端、第九晶体管T9的第二端以及第十晶体管T10的第二端与单晶硅开关TFT_H之间的信号线称为信号线A，第九晶体管T9的第一端与第一置位信号输入端RESET1相连，第九晶体管T9的第三端与第一电平信号输入端VGL相连，第十晶体管T10的第一端与栅极驱动信号输入端ASG-OUT相连，第十晶体管的第三端与第一电平信号输入端VGL相连，单晶硅开关TFT_H的第二端与第二电平信号输入端VGH相连，单晶硅开关TFT_H的第三端与电阻走线Rc的第一端相连，将连接于单晶硅开关TFT_H的第三端和电阻走线Rc第一端之间的信号线称为信号线B，电阻走线Rc的第二端与第一电平信号输入端VGL相连，将连接于电阻走线Rc第二端与第一电平信号输入端VGL之间的信号线称为信号线C。请参阅图2，其中，信号线A通过封框胶24与位于柔性印刷电路板22上单晶硅开关TFT_H的第一端相连，信号线B通过封框胶24与位于阵列基板的边框区域17中电阻走线Rc的第一端相连，信号线C通过封框胶24将电阻走线Rc的第二端与位于柔性印刷电路板22上的第一电平信号输入端VGL相连，其中，单晶硅开关TFT_H的第二端可以直接与第二电平信号输入端VGH相连(图2中未示出)。

需要说明的是，在本发明实施例中，反馈模块20中的第一重置信号输入端RESET1与加热模块21中的第一重置信号输入端RESET1连接在一起，探测模块19中的第一电平信号输入端VGL、反馈模块20中的第一电平信号输入端VGL和加热模块21中的第一电平信号输入端VGL连接在一起。还需要说明的是，所述第一电平信号输入端VGL用于输入恒定的低电平电压，所述恒定的低电平电压相对于第二电平信号输入端VGH输入的恒定的高电平电压而言，其电压值低于恒定的高电平电压的电压值。例如：VGL＝-10V，VGH＝15V。当然，第一电平信号和第二电平信号还可以是其他数值。

在本实施例中，当探测模块19在当前帧的探测时间段探测到液晶显示装置的温度低于预设阈值时，触发反馈模块20中的第一晶体管T1打开，反馈模块20输出控制信号控制加热模块21进行加热，直至栅极驱动电路中第一个移位寄存器输出栅极驱动信号时，加热模块21在当前帧中结束加热，液晶显示装置在当前帧的显示时间段进行显示。需要说明的是，栅极驱动电路中第一个移位寄存器输出的栅极驱动信号由位于液晶显示装置台阶区域的集成电路(Integrated Circuit，简称IC)来控制。具体来说，当IC所提供的时钟震荡信号clock达到第一个高电位时，第一个移位寄存器输出栅极驱动信号，此时所述液晶显示装置进入显示时间段。

下面结合图3A至图3C、图4、图5和图6对本发明实施例提供的探测模块19、反馈模块20和加热模块21的工作原理做进一步的说明。

图6是本发明第一实施方式提供的探测模块、反馈模块和加热模块的各输入端的输入信号的时序图。在图6中，SRESET1代表第一重置信号输入端RESET1输入的第一重置信号，SRESET2代表第二重置信号端RESET2输入的第二重置信号，SSTV1代表第一触发信号端STV1输入的第一触发信号，SSTV2代表第二触发信号端STV2输入的第二触发信号，SSTV3代表第三触发信号端STV3输入的第三触发信号。

对本发明实施例提供的探测模块、反馈模块和加热模块的工作原理做进一步说明之前，对输入信号和输出信号为低电平信号和高电平信号做一个简单设定，即用0来表示输入信号和输出信号为低电平信号，用1来表示输入信号和输出信号为高电平信号。

将液晶显示装置显示一帧的时间分为探测时间段和显示时间段，在探测时间段，当第一重置信号SRESET1为高电平1，第二重置信号SRESET2为低电平0时，第二晶体管T2和第三晶体管T3打开，由于第二晶体管T2和第三晶体管T3的第三端与第一电平信号输入端相连，因此，拉低了第六晶体管T6和第七晶体管T7的第一端的电压，使得第六晶体管T6和第七晶体管T7处于截止状态，当第二重置信号SRESET2由低电平0变为高电平1且第一重置信号SRESET1为高电平1时，探测模块的温度信号输出端Vout输出电压，如前面所述，通过设计探测模块中晶体管a的宽长比以及电阻R的阻值，能够使得探测模块在预设的温度下输出预设的电压，例如在0℃时探测模块输出端输出的预设电压为1.5V。当探测模块探测到的温度处于预设温度或预设温度以下时，第一晶体管T1打开，如果探测模块探测到的温度处于预设温度以上时，第一晶体管T1不打开。当第一触发信号SSTV1由低电平0变为高电平1时，若第一晶体管T1打开，由于第一晶体管T1的第二端接第二电平信号，因此，第六晶体管T6第一端的电位和第四晶体管T4第一端的电位升高，使得第六晶体管T6和第四晶体管T4打开；若第一晶体管T1不打开，则第六晶体管T6第一端的电位和第四晶体管T4第一端的电位不会升高，第六晶体管T6和第四晶体管T4不打开。当第二触发信号SSTV2由低电平0变为高电平1时，若第六晶体管T6第一端的电位和第四晶体管T4第一端的电位已升高，则第一电容C1竞争不过第二电容C2，使得第五晶体管T5和第七晶体管T7不打开，第四晶体管T4和第六晶体管T6打开；若第六晶体管T6第一端的电位和第四晶体管T4第一端的电位没有升高，则第二电容C2竞争不过第一电容C1，第七晶体管T7和第五晶体管T5打开，第四晶体管T4和第六晶体管T6不打开。其中，第六晶体管T6和第七晶体管T7具有相同的宽长比，其处于打开状态和关闭状态时的等效电阻的阻值相差极大，因此，根据直流分压原理，可以使得探测模块的温度信号输出端TSTV输出高电平或低电平。具体来说，当探测模块探测到温度高于预设温度时，反馈模块的控制信号输出端TSTV输出低电平，当探测模块探测到温度低于预设温度时，反馈模块的控制信号输出端TSTV输出高电平。当反馈模块的控制信号输出端TSTV输出高电平时，当第三触发信号SSTVS由高电平变为低电平时，第八晶体管T8打开再关闭，给单晶硅开关TFT_H的第一端进行充电，当第三触发信号SSTV3由高电平变为低电平时，由于单晶硅开关TFT_H的第二端接第二电平信号输入端，因此电流流过电阻走线Rc，产生热量，实现对液晶显示装置的加热，即当第三触发信号SSTV3由高电平变为低电平时，加热模块开始进行加热。当反馈模块的控制信号输出端TSTV输出低电平时，单晶硅开关TFT_H的第一端不被充电，电阻走线Rc不产生热量。当加热模块中第十晶体管T10的第一端接收到栅极驱动电路第一个移位寄存器输出的栅极驱动信号时，加热模块结束加热，液晶显示装置在显示时间段进行显示。

由于本发明实施例中的加热模块中用于产生热量的电阻走线Rc位于阵列基板的边框区域，当探测模块探测到液晶显示装置的阈值温度时，所述加热模块能够实现对液晶显示装置的加热，此外，将单晶硅开关设置于与阵列基板电连接的柔性印刷板上，由于单晶硅开关的等效电阻小于设置于阵列基板栅极线与数据线交叉处的TFT开关器件的等效电阻，因此，能够加快加热的速度，且在绝热状态下能够减少阵列基板恢复到室温的时间。

在本发明第一实施方式的一个具体示例中，本发明提出了电阻走线Rc在阵列基板的边框区域的位置关系的一些优选布置，如图7A和图7B所示。

可选的，电阻走线包括不透明的导电体或透明的导电体，电阻走线位于阵列基板的边框区域。例如，如图7A所示，阵列基板11的边框区域包括依次层叠设置的栅极膜层113、源漏极金属膜层114、第一透明导电膜层115和第二透明导电膜层116。电阻走线Rc(图7A中未示出)为单层结构，且与栅极膜层113同层设置、或与源漏极金属膜层114同层设置、或者与第一透明导电膜层115同层设置、或者与第二透明导电膜层116同层设置。其中，第一透明导电膜层115可以为公共电极膜层，第二透明导电膜层116可以为像素电极膜层，所述公共电极膜层和所述像素电极膜层可通过氧化铟锡(ITO)、铟锡氧化物(IZO)、上述材料的组合或者其他透明导电材料制造。注意，当电阻走线Rc与第一透明导电膜层115或第二透明导电膜层116同层设置时，电阻走线Rc需要与第一透明导电膜层115或第二透明导电膜层116电绝缘，以防发生短路。

可选的，电阻走线Rc也可以为多层结构，如图7B所示，阵列基板的边框区域包括依次层叠设置的栅极膜层113、源漏极膜层114、第一透明导电膜层115和第二透明导电膜层116，电阻走线Rc包括栅极膜层113、源漏极金属膜层114、第一透明导电膜层115和第二透明导电膜层116中的至少两个膜层，且相邻两个所述膜层通过过孔电连接(例如图7B中电阻走线Rc包括栅极膜层113、源漏极金属膜层114、第一透明导电膜层115和第二透明导电膜层116中的四个膜层)。

需要说明的是，由于阵列基板的结构可以多种，因此相应的，阵列基板上的膜层结构也可以多样。本实施例并没有对阵列基板的具体膜层进行细化，不应以此作为对本发明实施例的限制。

在本发明第一实施方式的一个具体示例中，本发明提出了电阻走线Rc的一些形状，如图8A-图8D所示。

可选的，如图8A所示，电阻走线为直线型；或者，如图8B所示，电阻走线为方波型；或者，如图8C所示，电阻走线为锯齿型；或者，如图8D所示，电阻走线为矩形螺旋型。其中，所述直线型的电阻走线、所述方波型的电阻走线、所述锯齿型的电阻走线或所述矩形螺旋型的电阻走线可以围绕阵列基板的边框区域设置，或者可以采用其他设置方式。

以上，结合图2、图3A至图3C、图4、图5、图6、图7A和图7B以及图8A至图8D来说明探测模块19、反馈模块20和加热模块21设置在阵列基板11上的第一实施方式。本发明的第一实施方式通过将电阻走线Rc设置在阵列基板的边框区域17，将单晶硅开关TFT_H设置在与阵列基板11电连接的柔性印刷电路板22上，由此，当探测模块19探测到液晶显示装置的温度低于预设阈值时，加热模块21中电阻走线Rc中会流过电流，电流流过电阻走线Rc会产生热量，从而对位于阵列基板的边框区域17的栅极驱动电路中的移位寄存器进行加热，改善了低温状态下驱动不足的现象，且能够对液晶进行加热，改善了液晶响应速度不足的问题。还能够实现液晶显示装置的薄化，减轻液晶显示装置的重量，节约液晶显示装置的成本。

另外，本领域技术人员在阅读了上述说明后，容易明白，在不违背逻辑的情况下，上述各种示例所体现的技术方案可以相互结合，这些组合均包括在本发明的保护范围内。

第二实施方式

图9A为本发明第二实施方式对向基板的俯视图，图9B为本发明第二实施方式中阵列基板的俯视图，对向基板12包括显示区域E和围绕显示区域的边框区域18，阵列基板11包括显示区域A和围绕显示区域的边框区域17。显示区域E中包括多个像素显示区域(图9A中未示出)，显示区域A中包括多个像素显示单元(图9B中未示出)，其中，各所述像素显示区域与阵列基板上的各像素显示单元相对应。液晶显示装置中探测模块19、反馈模块20和加热模块21的结构与上述实施例中的探测模块19、反馈模块20和加热模块21的结构相同，在此不再赘述。在本实施例中，阵列基板11上包括电连接的探测模块19和反馈模块20，加热模块21中的第八晶体管T8、第九晶体管T9、第十晶体管T10位于阵列基板的边框区域17，电阻走线Rc位于对向基板12上。

所述液晶显示装置还包括用于贴合阵列基板11和对向基板12的导电封框胶24，阵列基板11上设置有与电阻走线Rc电连接的第一导通衬垫25，对向基板12上设置有与第一导通衬垫25相互对应且与单晶硅开关TFT_H电连接的第二导通衬垫26，第一导通衬垫25与第二导通衬垫26通过导电封框胶24电连接。具体来说，将加热模块21中连接于单晶硅开关TFT_H第一端和第八晶体管T8第三端之间的信号线标记为信号线A，信号线A穿过导电封框胶24和与阵列基板11电连接的柔性印刷板22上的单晶硅开关TFT_H的第一端相连，将连接于单晶硅开关TFT_H第三端和电阻走线Rc第一端的信号线标记为信号线B，信号线B由单晶硅开关TFT_H的第三端通过阵列基板11上的第一导通衬垫25后再通过导电封框胶24与第二导通衬垫26电连接，从而能够将电阻走线Rc设置于对向基板12上，之后电阻走线Rc的第二端通过第二导通衬垫26、导电封框胶24以及第一导通衬垫25后设置于和阵列基板11电连接的柔性印刷电路板22上进而与第一电平信号输入端VGL相连。

在本发明第二实施方式的一个具体示例中，本发明提出了电阻走线Rc在对向基板12上的位置关系的一些优选方案。

可选的，电阻走线Rc包括不透明的导电体，电阻走线Rc位于对向基板的边框区域18或者电阻走线Rc位于对向基板12中相邻像素显示区域之间。具体来说，电阻走线Rc的形状可以如图8A至图8D所示的直线型、方波型、锯齿型和矩形螺旋形型中的至少一种。其中，所述直线型的电阻走线、所述方波型的电阻走线、所述锯齿型的电阻走线或所述矩形螺旋型的电阻走线可以围绕对向基板的边框区域18设置，或者可以采用其他设置方式。当电阻走线Rc位于对向基板12中相邻像素显示区域之间时，如图10A或图10B所示，电阻走线Rc沿对向基板12的行方向延伸；或者如图10C或图10D所示，电阻走线Rc沿对向基板的列方向延伸；或者如图10E所示，电阻走线Rc沿对向基板12的对角线方向延伸。

可选的，电阻走线Rc为面状，电阻走线Rc包括透明的导电体，所述透明的导电体的材料可以为ITO，当然还可以是其他透明导电材料，电阻走线Rc位于对向基板12的显示区域中至少部分所述像素显示区域。如图10F所示，电阻走线Rc可以按照图10F中所示的走线1的设置方式进行设置，即面状的电阻走线Rc的大小和一行像素显示区域的大小相同，或按照走线2的设置方式进行设置，即面状的电阻走线Rc的大小和至少两行像素显示区域的大小相同。或者如图10G所示，一个面状的电阻走线Rc大小可以和一个像素显示区域的大小相同，多个所述面状的电阻走线Rc为直线型，且沿对向基板12的行方向延伸。或者如图10H所示，电阻走线Rc可以按照图10H中所示的走线1的设置方式进行设置，即面状的电阻走线Rc的大小和至少两列像素显示区域的大小相同，或按照走线2的设置方式进行设置，即面状的电阻走线Rc的大小和一列像素显示区域的大小相同。或者如图10I所示，一个面状的电阻走线Rc的大小可以和一个像素显示区域的大小相同，多个所述面状的电阻走线Rc为直线型，且沿对向基板12的列方向延伸。或者如图10J所示，多个所述面状的电阻走线Rc为折线型，且沿对向基板12的列方向延伸。或者如图10K所示，多个所述面状的电阻走线Rc为直线型，且沿对向基板12的对角线方向延伸。

当电阻走线Rc包括透明导电体时，电阻走线Rc还可以设置在对向基板12的边框区域18。此时，电阻走线Rc可以围绕对向基板12的边框区域18设置或者可以是其他的设置方式。

需要说明的是，图10A至图10E以及图10F至图10K中RGB分别表示一个像素显示区域，围绕各像素显示区域的部分为黑色矩阵16，且图10A至图10E以及图10F至图10K只是本实施例的一个具体事例，电阻走线Rc还可以设置为图10A至图10E中各种电阻走线设置方案的组合，以及电阻走线Rc还可以设置为图10F至图10K中各种电阻走线设置方案的组合，以上这些组合均包括在本发明的保护范围之内。

在本发明第二实施方式的一个具体事例中，本发明提出了电阻走线Rc在对向基板12上的位置关系的一些优选布置，如图11A和图11B所示。

可选的，对向基板12的显示区域E和边框区域18包括依次层叠的黑色矩阵膜层16、第一导电膜层22和第二导电膜层23，其中，第一导电膜层22和第二导电膜层23可以为触控结构。电阻走线Rc为单层结构，且与黑色矩阵膜层16同层设置、或者与第一导电膜层22同层设置或者与第二导电膜层23同层设置。

可选的，对向基12板的显示区域E和边框区域18包括依次层叠的黑色矩阵膜层16、第一导电膜层22和第二导电膜层23，其中，电阻走线Rc为多层结构，包括黑色矩阵膜层16、第一导电膜层22和第二导电膜层23中的至少两个膜层，且相邻两个所述膜层通过过孔电连接。

需要说明的是，由于对向基板的结构可以多种，因此相应的，对向基板上的膜层结构也可以多样。本实施例并没有对对向基板的具体膜层进行细化，不应以此作为对本发明实施例的限制。

本实施例提供的探测模块、反馈模块和加热模块的工作原理和第一实施方式相同，本领域技术人员参考第一实施例公开的内容可理解，此处不再赘述。

以上，结合图2、图9A和图9B、图10A至图10K以及图11A和图11B来说明探测模块19和反馈模块20设置在阵列基板11上，加热模块21中的第八晶体管T8、第九晶体管T9、第十晶体管T10设置在阵列基板11的边框区域17，电阻走线Rc设置在对向基板12上的第二实施方式。本发明的第二实施方式通过将电阻走线Rc设置在对向基板12上，将单晶硅开关TFT_H设置在与阵列基板11电连接的柔性印刷电路板22上，由此，当探测模块19探测到液晶显示装置的温度低于预设阈值时，加热模块21中的电阻走线Rc会流过电流，电流流过电阻走线Rc会产生热量，从而能够对栅极驱动电路中的移位寄存器进行加热，改善了低温状态下的驱动不足的现象，且能够对液晶进行加热，改善了液晶响应速度不足的问题。还能够实现液晶显示装置的薄化，减轻液晶显示装置的重量，节约液晶显示装置的成本。

另外，本领域技术人员在阅读了上述说明后，容易明白，在不违背逻辑的情况下，上述各种示例所体现的技术方案可以相互结合，这些组合均包括在本发明的保护范围内。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (17)

1.一种液晶显示装置，其特征在于，包括：

相对设置的阵列基板和对向基板，所述阵列基板和所述对向基板均包括显示区域和围绕所述显示区域的边框区域；

位于所述阵列基板的边框区域的探测模块和反馈模块，以及位于所述阵列基板或者位于所述阵列基板和所述对向基板上的加热模块，所述加热模块包括单晶硅开关；

所述探测模块、所述反馈模块和所述加热模块依次电连接，所述探测模块用于探测所述液晶显示装置的温度，并将探测到的温度信号传输到所述反馈模块，所述反馈模块用于当所述探测模块输出的所述液晶显示装置的温度低于预设阈值时控制所述加热模块开启，所述加热模块用于根据所述反馈模块的控制为所述液晶显示装置进行加热；

所述反馈模块包括用于接收所述探测模块输出的温度信号的温度信号输入端、用于接收第一触发信号的第一触发信号输入端、用于接收第二触发信号的第二触发信号输入端、用于接收第一重置信号的第一重置信号输入端、用于输出控制信号的控制信号输出端、用于接收第一电平信号的第一电平信号输入端、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第一电容和第二电容；其中，

所述第一电平信号输入端分别与所述第二晶体管的第三端、所述第三晶体管的第三端、所述第四晶体管的第三端、所述第五晶体管的第三端以及所述第七晶体管的第三端相连；

所述第二触发信号输入端分别与所述第一电容的第一极和所述第二电容的第一极相连，所述第一电容的第二极分别与所述第二晶体管的第二端、所述第四晶体管的第二端、所述第五晶体管的第一端以及所述第七晶体管的第一端相连；

所述第一晶体管的第一端与所述温度信号输入端相连，所述第一晶体管的第二端与所述第一触发信号输入端相连，所述第一晶体管的第三端与所述第二电容的第二极、所述第三晶体管的第二端、所述第四晶体管的第一端、所述第五晶体管的第二端以及所述第六晶体管的第一端相连；

所述第二晶体管的第一端与所述第一重置信号输入端以及所述第三晶体管的第一端相连；

所述第六晶体管的第三端与所述第七晶体管的第二端和所述控制信号输出端相连，所述第六晶体管的第二端与所述第二触发信号输入端相连。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，还包括与所述阵列基板电连接的柔性印刷电路板，所述单晶硅开关位于所述柔性印刷电路板上，且与所述柔性印刷电路板电连接。

3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置显示一帧的时间分为探测时间段和显示时间段，在每一帧的所述探测时间段，所述探测模块探测所述液晶显示装置的温度，当所述探测模块输出的所述液晶显示装置的温度低于预设阈值时，所述加热模块为所述液晶显示装置进行加热，直到所述探测时间段结束；所述显示时间段开始时所述加热模块结束当前帧的加热，所述液晶显示装置进入显示时间段进行帧图像的显示。

4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，所述加热模块还包括用于接收所述反馈模块输出的控制信号的控制信号输入端、用于接收第三触发信号的第三触发信号输入端、用于接收第一置位信号的第一置位信号输入端、用于接收第一电平信号的第一电平信号输入端、用于接收第二电平信号的第二电平信号输入端、用于接收栅极驱动信号的栅极驱动信号输入端、第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管和电阻走线；其中，

所述第八晶体管的第一端与所述第三触发信号输入端相连，所述第八晶体管的第二端与所述控制信号输入端相连，所述第八晶体管的第三端与所述第九晶体管的第二端、所述第十晶体管的第二端和所述单晶硅开关的第一端相连；

所述第九晶体管的第一端与所述第一置位信号输入端相连，所述第九晶体管的第三端与所述第一电平信号输入端相连；

所述第十晶体管的第一端与所述栅极驱动信号输入端相连，所述第十晶体管的第三端与所述第一电平信号输入端相连；

所述单晶硅开关的第二端与所述第二电平信号输入端相连，所述单晶硅开关的第三端与所述电阻走线的第一端相连，所述电阻走线的第二端与所述第一电平信号输入端相连。

5.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其特征在于，所述阵列基板的显示区域包括多个像素显示单元；

所述对向基板的显示区域包括多个像素显示区域，其中，所述像素显示区域与所述像素显示单元相对应。

6.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其特征在于，所述加热模块位于所述阵列基板的边框区域。

7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其特征在于，所述电阻走线包括不透明的导电体或透明的导电体，所述电阻走线位于所述阵列基板的边框区域。

8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其特征在于，所述阵列基板的边框区域包括依次层叠设置栅极膜层、源漏极金属膜层、第一透明导电膜层和第二透明导电膜层；所述电阻走线为单层结构，且与所述栅极膜层同层设置、或者与所述源漏极金属膜层同层设置、或者与所述第一透明导电膜层同层设置、或者与所述第二透明导电膜层同层设置。

9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于，所述电阻走线为多层结构，包括所述栅极膜层、所述源漏极金属膜层、所述第一透明导电膜层和所述第二透明导电膜层中的至少两个膜层，且相邻两个所述膜层通过过孔电连接。

10.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其特征在于，所述加热模块中的第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管位于所述阵列基板的边框区域，所述电阻走线位于所述对向基板上。

11.根据权利要求10所述的液晶显示装置，其特征在于，还包括用于贴合所述阵列基板和所述对向基板的导电封框胶，所述阵列基板上设置有与所述电阻走线电连接的第一导通衬垫，所述对向基板上设置有与所述第一导通衬垫相对应且与所述单晶硅开关电连接的第二导通衬垫，所述第一导通衬垫与所述第二导通衬垫通过所述导电封框胶电连接。

12.根据权利要求10所述的液晶显示装置，其特征在于，所述电阻走线包括不透明的导电体，所述电阻走线位于所述对向基板的边框区域或者所述电阻走线位于所述对向基板中相邻所述像素显示区域之间。

13.根据权利要求7或12所述的液晶显示装置，其特征在于，所述电阻走线的形状为直线型、方波型、锯齿型或矩形螺旋型中的至少一种。

14.根据权利要求10所述的液晶显示装置，其特征在于，所述电阻走线包括透明的导电体，所述电阻走线位于所述对向基板的显示区域中至少部分所述像素显示区域，或者位于所述对向基板的边框区域。

15.根据权利要求14所述的液晶显示装置，其特征在于，所述电阻走线为直线形或折线型且沿所述对向基板的行方向延伸；或者所述电阻走线为直线形或折线型且沿所述对向基板的列方向延伸；或者所述电阻走线为直线形或折线型且沿所述对向基板的对角线方向延伸。

16.根据权利要求12或14所述的液晶显示装置，其特征在于，所述对向基板的显示区域和边框区域包括依次层叠的黑色矩阵膜层、第一导电膜层和第二导电膜层，所述电阻走线为单层结构，且与所述黑色矩阵膜层同层设置、或者与所述第一导电膜层同层设置、或者与所述第二导电膜层同层设置。

17.根据权利要求16所述的液晶显示装置，其特征在于，所述电阻走线为多层结构，包括所述黑色矩阵膜层、第一导电膜层和所述第二导电膜层中的至少两个膜层，且相邻两个所述膜层通过过孔电连接。