CN111679479B - 显示面板、显示面板的驱动方法及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种显示面板、显示面板的驱动方法及显示装置,涉及显示技术领域,包括:显示区和非显示区,非显示区包括栅极驱动电路和加热电极,栅极驱动电路包括级联的移位寄存器,移位寄存器包括薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅极和有源层,加热电极设置于栅极背离有源层的一侧,加热电极包括第一电源端口和第二电源端口,通过电源端口为加热电极提供加热电压信号,第一电源端口为加热电极提供第一加热电压信号,第二电源端口为加热电极提供第二加热电压信号;移位寄存器包括复位模块,加热电压信号的变化位于复位模块开启后。本申请通过设置加热电极能有效为薄膜晶体管加热,提高薄膜晶体管的迁移率,提高栅极驱动电路的驱动能力。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体地说,涉及一种显示面板、显示面板的驱动方法及显示装置。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystal Display,简称LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active MatrixOrganic Light-Kmitting Diode,简称AMOI KI))中的主要驱动元件,直接关系到高性能平板显示装置的显示效果。
当电子显示产品处于较寒冷的环境下,电子显示产品中的薄膜晶体管在较冷的环境下迁移率较低,导致栅极驱动电路的驱动能力变弱,在温度更低的环境下,栅极驱动电路甚至无法正常工作,使电子显示产品经常会出现屏幕反应缓慢,画面不正常,延迟现象等,为避免在较寒冷的环境下,电子显示产品出现上述问题,因此,亟需通过改进电子显示产品,以克服薄膜晶体管在较寒冷的环境下迁移率较低的问题。
发明内容
有鉴于此,本申请提供一种显示面板、显示面板的驱动方法及显示装置,采用设置加热电极的形式,并且加热电极开启和关闭的时间点位于移位寄存器的复位模块开启和关闭的时间段内,既能使栅极驱动电路的信号输出端不会输出异常信号,还能有效为薄膜晶体管加热,提高薄膜晶体管的迁移率,提高栅极驱动电路的驱动能力。
为了解决上述技术问题,本申请有如下技术方案:
第一方面,本申请提供一种显示面板,包括:包括显示区和围绕显示区设置的非显示区,非显示区包括栅极驱动电路和加热电极,栅极驱动电路包括多个级联的移位寄存器,移位寄存器包括至少一个薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅极和有源层,加热电极设置于栅极背离有源层的一侧,加热电极与栅极之间设置有第一绝缘层,加热电极包括电源端口,电源端口包括第一电源端口和第二电源端口,通过电源端口为加热电极提供加热电压信号,加热电压信号包括第一加热电压信号和第二加热加热电压信号,通过所述第一电源端口为所述加热电极提供第一加热电压信号,通过所述第二电源端口为所述加热电极提供第二加热电压信号;
移位寄存器包括复位模块,加热电压信号的变化位于复位模块开启后。
第二方面,本申请还提供一种显示面板的驱动方法,驱动方法包括:通过电源端口向加热电极发出加热电压信号,加热电极开启加热,开启加热和关闭加热的时间点位于复位模块开启后。
第三方面,本申请还提供一种显示装置,包括显示面板,该显示面板为本申请所提供的显示面板。
与现有技术相比,本发明提供的显示面板、显示面板的驱动方法及显示装置,至少实现了如下的有益效果:
本申请所提供的显示面板、显示面板的驱动方法及显示装置,采用增加加热电极的方式,并将加热电极设置于薄膜晶体管的栅极背离有源层的一侧,以此为薄膜晶体管进行加热,同时,加热电极开启和关闭的时间点位于移位寄存器的复位模块开启和关闭的时间段内,使得加热电极的开启和关闭不影响栅极驱动电路,使栅极驱动电路的信号输出端不会输出异常信号。另外,加热电极的设置,能在低温环境下有效为薄膜晶体管加热,能有效提高在低温环境下显示面板及显示装置中薄膜晶体管的迁移率,提高栅极驱动电路的驱动能力,克服电子产品处于低温环境下的弊端。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1所示为现有技术中的一种包含加热单元的截面图;
图2所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种结构示意图;
图3所示为本申请实施例所提供的薄膜晶体管和加热电极的一种截面图;
图4所示为本申请实施例所提供的栅极驱动电路的一种结构示意图;
图5所示为本申请实施例所提供的栅极驱动电路的另一种结构示意图;
图6所示为本申请实施例所提供的栅极驱动电路的一种时序图;
图7所示为本申请实施例所提供的显示面板的另一种结构示意图;
图8所示为本申请实施例所提供的显示面板的另一种结构示意图;
图9所示为本申请实施例所提供的温度传感器的一种结构示意图;
图10所示为本申请实施例所提供的显示面板的另一种结构示意图;
图11所示为本申请实施例所提供的加热电极的一种结构示意图;
图12所示为本申请实施例所提供的加热电极的另一种结构示意图;
图13所示为本申请实施例所提供的加热电极的另一种结构示意图;
图14所示为本申请实施例所提供的充电节点电压恢复的一种示意图;
图15所示为本申请实施例所提供的显示装置的一种结构图。
具体实施方式
如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解,硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式,而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语,故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接受的误差范围内,本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题,基本达到所述技术效果。此外,“耦接”一词在此包含任何直接及间接的电性耦接手段。因此,若文中描述一第一装置耦接于一第二装置,则代表所述第一装置可直接电性耦接于所述第二装置,或通过其他装置或耦接手段间接地电性耦接至所述第二装置。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式,然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的,并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。其中,各实施例之间的相同之处不再一一赘述。
图1所示为现有技术中的一种包含加热单元的截面图。请结合图1,现有技术中,采用增加加热单元1的形式提高薄膜晶体管的温度,使薄膜晶体管达到预设的温度,进而使栅极驱动电路在低温下也能正常工作,如图1所示,现有技术中将加热单元1设置于液晶盒外,通过开启加热单元1对薄膜晶体管进行加热,以达到改善薄膜晶体管在较冷环境下迁移率较低的问题,但现有技术中设置加热单元1对薄膜晶体管进行加热,一方面,使显示模组的厚度增加,加热效果不好;另一方面,现有技术中的显示面板显示和加热分时进行,不能同时进行,同时进行时加热单元1会对薄膜晶体管造成影响。
有鉴于此,本申请提供一种显示面板、显示面板的驱动方法及显示装置,采用设置加热电极的形式,并且加热电极开启和关闭的时间点位于移位寄存器的复位模块开启和关闭的时间段内,既能使栅极驱动电路的信号输出端不会输出异常信号,还能有效为薄膜晶体管加热,提高薄膜晶体管的迁移率,提高栅极驱动电路的驱动能力。
以下结合附图和具体实施例进行详细说明。
图2所示为本申请实施例所提供的显示面板的一种结构示意图,图3所示为本申请实施例所提供的薄膜晶体管和加热电极的一种截面图,图4所示为本申请实施例所提供的栅极驱动电路的一种结构示意图,请参考图2~图4所示。本申请所提供的一种显示面板100,包括显示区3和围绕显示区3设置的非显示区4,非显示区4包括栅极驱动电路和加热电极5,栅极驱动电路包括多个级联的移位寄存器6,如图3所示,移位寄存器6包括至少一个薄膜晶体管7,薄膜晶体管7包括栅极8和有源层9,加热电极5设置于栅极8背离有源层9的一侧,加热电极5与栅极8之间设置有第一绝缘层10,加热电极5包括电源端口,如图2所示,电源端口包括第一电源端口11和第二电源端口12,通过电源端口为加热电极5提供加热电压信号,加热电压信号包括第一加热电压信号和第二加热加热电压信号,通过第一电源端口11为加热电极5提供第一加热电压信号,通过第二电源端口12为加热电极提供第二加热电压信号。
如图4所示,移位寄存器6包括复位模块13,加热电压信号的变化位于复位模块13开启后。
需要说明的是,薄膜晶体管包括PMOS薄膜晶体管和NMOS薄膜晶体管,其中,NMOS薄膜晶体管是在输入高电压信号时,处于打开状态,而PMOS薄膜晶体管在输入低电压信号时,处于打开状态,本实施例仅以NMOS薄膜晶体管为例,当输入高电压信号时,薄膜晶体管为打开状态,当输入低电压信号时,薄膜晶体管为关闭状态。图2仅示意性的示出了本申请显示区3和非显示区4的一种位置关系图,并不代表实际尺寸,图2中级联的移位寄存器6仅示意性的位于非显示区的一侧,当显示面板的扫描线40通过双栅驱动时,位于非显示区的另一侧同样存在级联的移位寄存器6,图3仅示意性的示出本申请显示区3加热电极5和薄膜晶体管7的一种位置关系示意图,本实施例中的薄膜晶体管7还包括源极和漏极30,图3仅示意出薄膜晶体管7为底栅结构,此外,本申请的薄膜晶体管也可以为顶栅型结构,在此不做限定;图4仅示意性的示出本申请将加热电极设置于薄膜晶体管M4时的一种位置关系示意图,其中,其他薄膜晶体管同样可以设置加热电极5,图5所示为本申请实施例所提供的栅极驱动电路的另一种结构示意图,如图5所示,加热电极5设置于薄膜晶体管M3处,同样可以起到为移位寄存器加热的功能,增强栅极驱动电路的驱动能力。
具体地,请结合图2~图4,本申请所提供的显示面板100中,在非显示区4设置有栅极驱动电路和加热电极5,栅极驱动电路包括多个级联的移位寄存器6,而移位寄存器6包括多个薄膜晶体管7,薄膜晶体管7包括栅极8和有源层9,以及源极和漏极30,加热电极5设置于栅极8背离有源层9的一侧,其中,薄膜晶体管7与加热电极5之间设置有第一绝缘层10,当通过电源端口为加热电极5输入第一电压信号时,加热电极5或者开启或者关闭,此外,本申请的移位寄存器6还包括复位模块13,使电压信号的变化位于复位模块13开启后,可选的,当加热电极5的第一电源端口输入的第一加热电压信号为高电压信号时,加热电极5的第二电源端口输入的第二加热电压信号为低电压信号时,输入加热电极5的电压信号产生压差,加热电极5加热,加热电极5此时属于开启阶段,可选的,当加热电极5的第一电源端口输入的第一加热电压信号为低电压信号时,加热电极5的第二电源端口输入的第二加热电压信号为低电压信号时,输入加热电极5的电压信号无压差,此时,加热电极5不加热,加热电极5属于关闭阶段,其中,第一加热电压信号由高电压信号转变为低电压信号,或者第一加热电压信号由低电压信号转变为高电压信号的时间点位于位于复位模块13开启与关闭的时间段内,这样设置的目的是避免第一电压信号的变化对栅极驱动电路造成影响,当加热电极5处于开启阶段或者关闭阶段时,为第一电源端口输入的第一加热电压信号发生变化,此时加热电极5与薄膜晶体管7栅极8之间形成的电容发生耦合,耦合作用会影响薄膜晶体管7开启或者关闭,进而影响移位寄存器6的功能。本申请将加热电极5的第一电源端口输入的第一加热电压信号的变化时间点设置于复位模块13开启后,如此,能够避免加热电极5与薄膜晶体管7的栅极8之间形成的电容发生耦合对薄膜晶体管7的影响,才能保证加热电极5加热的同时不影响移位寄存器6的功能,进而不影响显示,可以实现加热和显示同时进行。
需要说明的是,请继续参见图2,本申请的加热电极5包括电源端口,电源端口包括第一电源端口11和第二电源端口12,可选的,第一电源端口11与第二电源端口12均与驱动芯片连接,其中,加热电极5的第一电源端口11接收第一加热电压信号,加热电极5的第二电源端口12接收第二加热电压信号,当第一加热电压信号为高电压信号,例如28V,第二加热电压信号为低电压信号时,例如0V,或者当第一电压信号为低电压信号时,例如0V,第二电压信号为高电压信号时,例如28V,输入加热电极5的电压形成压差,致使加热电极5加热并产生热量,实现薄膜晶体管7的加热;提高移位寄存器6的驱动能力。
本申请所提供的显示面板100,采用增加加热电极5的方式,并将加热电极5设置于薄膜晶体管7的栅极8背离有源层9的一侧,以此为薄膜晶体管7进行加热,同时,加热电极5开启和关闭的时间点位于移位寄存器6的复位模块13开启和关闭的时间段内,使得加热电极5的开启和关闭不影响栅极驱动电路。另外,加热电极5的设置,能有效为薄膜晶体管7加热,在显示面板100处于低温环境下,能有效提高薄膜晶体管7的迁移率,提高栅极驱动电路的驱动能力,克服电子产品处于低温环境下的弊端。
可选地,请继续参见图2和图4,移位寄存器6还包括上拉模块14,上拉模块14包括充电节点18。
具体地,如图4所示,移位寄存器6包括的上拉模块14包括3个薄膜晶体管,分别为薄膜晶体管M0、薄膜晶体管M1和薄膜晶体管M2,上拉模块14还包括充电节点18,当正向扫描时,薄膜晶体管M0用于为充电节点18充电,薄膜晶体管M1用于为充电节点18放电;当反向扫描时,薄膜晶体管M0用于为充电节点18放电,薄膜晶体管M1用于为充电节点18充电,其中,充电节点18的充放电实现充电节点18电位的拉高与拉低。
可选地,请继续参见图2~图4,加热电极5与薄膜晶体管7的栅极8形成电容22,电容22的第一极与加热电压信号端25电连接,电容的第二极与充电节点18电连接。
需要说明的是,加热电极5设置于栅极8背离有源层9的一侧,当给加热电极5提供加热电压信号后,加热电极发热,对薄膜晶体管具有温度补偿的作用。
具体地,请继续参见图2和图4,加热电极5与薄膜晶体管7的栅极8形成电容22,等同于栅极驱动等效电路中增加电容22,本申请将薄膜晶体管7的栅极8复用为电容22的一极其中,电容22的第一极与加热电压信号端25电连接,电容22的第二极与充电节点18电连接,当电容22输入加热电压信号时,即为加热电极5的第一电源端口输入高电压信号,例如28V,为加热电极5的第二电源端口输入低电压信号时,例如0V,加热电极5形成一个电流通路,并在自身电阻率的作用下产生热量,电容22的第二极与充电节点18电连接,当电容22导通时,起到拉高充电节点18电压的作用。
可选地,请继续参见图2和图4,移位寄存器还包括输出模块15,输出模块15包括第一薄膜晶体管,移位寄存器6还包括除第一薄膜晶体管之外的其他薄膜晶体管,第一薄膜晶体管的宽长比大于其他薄膜晶体管7的宽长比,第一薄膜晶体管的栅极8与充电节点18电连接,第一薄膜晶体管的第一端电连接第一时钟信号端20,第一薄膜晶体管的第二端电连接信号输出端21。
具体地,请继续参见图2和图4,输出模块15包括第一薄膜晶体管,即薄膜晶体管M4,输出模块15还包括其他薄膜晶体管,即薄膜晶体管M5和薄膜晶体管M6,M4是每个移位寄存器6中宽长比最大的薄膜晶体管,例如薄膜晶体管M4的宽长比大于薄膜晶体管M5和薄膜晶体管M6的宽长比,或者薄膜晶体管M4的宽长比大于薄膜晶体管M3等等,因为薄膜晶体管M4是控制显示区中栅线信号的输出线,使得薄膜晶体管M4是宽长比最大的薄膜晶体管,具有较大的驱动能力,因为M4的宽长比是最大的,将加热电极5设置在第一薄膜晶体管的栅极8下方,相应的加热电极的面积将增大,因此,加热电极5能够产生更多的热量,使薄膜晶体管7能够更快速的提高迁移率。需要说明的是,第一薄膜晶体管的栅极8与充电节点18电连接,第一薄膜晶体管的第一端与第一时钟信号端20电连接,第一薄膜晶体管的第二端与信号输出端21电连接,即输出端Gout,此外,将加热电极5设置在第一薄膜晶体管M4上,一方面,能够增大加热电极5的面积,使加热电极5产生更多的热量;另一方面,第一薄膜晶体管M4的第二端与信号输出端Gout电连接,当发现加热电极5对薄膜晶体管7产生影响时,能迅速通过信号输出端Gout输出异常信号。
可选地,请继续参见图2和图4,复位模块13包括第二薄膜晶体管,第二薄膜晶体管的栅极电连接复位控制端26,第二薄膜晶体管的第一端电连接第一输入电压信号端27,可选的,第一输入电压信号端27提供VGL信号(低电平信号),第二薄膜晶体管的第二端与充电节点18电连接。
具体的,请继续参见图2和图4,复位模块13包括第二薄膜晶体管M7,第二薄膜晶体管M7的栅极电连接复位控制端,第二薄膜晶体管M7的第一端与第一输入电压信号端电连接,即VGL信号,第二薄膜晶体管M7的第二端与充电节点18电连接,其中,复位模块13还包括薄膜晶体管M8,薄膜晶体管M8的栅极电连接复位控制端,薄膜晶体管M8的第一端电连接与第一输入电压信号端电连接,即VGL信号;在一帧开始前,复位模块13中的第二薄膜晶体管M7和薄膜晶体管M8将充电节点18的电压拉低,其余时间,第二薄膜晶体管M7和薄膜晶体管M8处于关闭状态;需要说明的是,第二薄膜晶体管M7的第一端与第一输入信号端电连接,第一输入电压信号端输出VGL信号,在复位模块13的第二薄膜晶体管M7和薄膜晶体管M8开启状态下,输出端Gout始终输出VGL信号,始终将充电节点18的电位拉低,因此,在复位模块13的第二薄膜晶体管M7开启状态下,打开或关闭加热电极5,即加热电极5的加热电压信号发生变化的时刻,例如加热信号是28V,停止加热的信号是0V,当信号从28V变至0V或者从0V变至28V时,信号发生突变,此时电容22发生耦合,导致充电节点18的电位拉高,但是此时第二薄膜晶体管M7和薄膜晶体管M8处于开启状态,充电节点18一直输入VGL信号,使得电容22发生耦合不足以将输出模块15的第一薄膜晶体管M4异常打开,使输出模块15的第一薄膜晶体管M4始终处于关闭状态,信号输出端Gout始终不会输出异常信号,使得本申请在显示时和非显示时,均能开启和关闭加热电极5,即能够实现信号的显示和加热同时进行。
需要说明的是,图6所示为本申请实施例所提供的栅极驱动电路的一种时序图,如图6所示,并结合图2和图4所示,本申请的驱动电路以9T2C电路为例进行说明,当正向扫描时,从Gn到Gn+1逐一开启,当反向扫描时,从Gn+1到Gn逐一开启。正向扫描时,输入打开薄膜晶体管M0的电压信号STV,例如,打开薄膜晶体管M0的电压STV=15V,以下对每个工作阶段进行说明:
T1阶段:请参见图2和图4所示,Gn输入高电压信号,即STV输入高电压信号,第一时钟信号CKB为低电压信号,第二时钟信号CK为高电压信号;薄膜晶体管M0打开,DIR1的启动信号传输到充电节点18,充电节点18为拉高状态;薄膜晶体管M3打开,VGL信号经由薄膜晶体管M3传输到D点(如图4中所示D点),薄膜晶体管M5关闭;薄膜晶体管M4打开,第一时钟信号CKB传输到输出端Gout,输出端Gout输出低电压;
T2阶段:Gn输入低电压信号,第一时钟信号CKB为高电压信号,第二时钟信号CK为低电压信号;充电节点18由于没有低信号输入,仍旧保持T1阶段的高电位;薄膜晶体管M3和薄膜晶体管M4打开;在薄膜晶体管M3的控制下,VGL信号输入到D点,D点为低电压电位;第一时钟信号CKB为高电压,薄膜晶体管M4打开,输出端Gout输出高电压;由于C2(与充电节点18连接的电容)的自举效应,充电节点18的电位进一步拉高;
T3阶段:Gn+1输入高电压信号,第一时钟信号CKB为低电压信号,第二时钟信号CK为高电压信号;薄膜晶体管M1打开,充电节点18读入DIR2的低电压信号,薄膜晶体管M3和薄膜晶体管M4关闭,第一时钟信号CKB为低电压信号,D点经电容C1的耦合,仍旧为低电位,薄膜晶体管M5仍旧处于关闭状态,第一时钟信号CK为高电压信号,输出端Gout输出VGL的低电压信号;
T3之后的阶段:Gn和Gn+1均输入低电压信号,第一时钟信号CKB和第二时钟信号CK的电位相反;由于Gn和Gn+1均输入低电压信号,充电节点18的电位保持之前的低电位,输出端Gout也处于低电压信号,所以充电节点18的电位不会被自举电容拉高,一直处于低电压;第一时钟信号CKB的信号耦合到D点;当第一时钟信号CKB为高电压时,第二时钟信号CK为低电压时,D点电位为高电位(耦合为第一时钟信号CKB的电位),薄膜晶体管M5打开,VGL输出到输出端Gout,薄膜晶体管M6处于关闭状态;当第一时钟信号CKB为低电压信号时,第二时钟信号CK为高电压信号时,D点因为C1的耦合,D点处于低电位,薄膜晶体管M5关闭,薄膜晶体管M6打开,薄膜晶体管M6向输出端Gout输出低电压信号;
在T3阶段之后,输出端Gout一直输出低电压信号,充电节点18一直处于低电压信号,D点随第一时钟信号CKB摆动,薄膜晶体管M5和薄膜晶体管M6交替开启,将VGL信号输出到输出端Gout;
Reset信号,在整个扫描阶段均为低电压信号,所以薄膜晶体管M7和薄膜晶体管M8一直处于关闭状态,当最后一行扫描线的信号输出后,对于最后一行的移位寄存器,Gn+1的输入信号等于reset阶段的复位控制端的信号,由于reset阶段的复位控制端信号为高电压信号,薄膜晶体管M7和薄膜晶体管M8打开,输出端Gout一直输出VGL信号,由于每一个移位寄存器均连接到复位模块,因此,所有的移位寄存器的输出端Gout都输出VGL信号,完成所有移位寄存器的复位;当复位完成后,第一行的移位寄存器又重新开始工作。
可选地,请继续参见图2,加热电压信号端25与第一驱动芯片电连接,第一输入电压信号端与第二驱动芯片电连接,或者,加热电压信号端25和第一输入电压信号端均与第一驱动芯片电连接。
具体的,请继续参见图2,加热电压信号端25与第一驱动芯片电连接,第一输入电压信号端与第二驱动芯片电连接,即,加热电极5由单独的IC驱动,栅极驱动电路由单独的IC驱动,一方面,由于加热电极5使用的电流较大,所以,单独为加热电极5设置驱动IC;另一方面,现有的驱动IC提供的电压是有限的,单独为加热电极设置驱动IC则可以提供较大的电压。此外,加热电压信号端25和第一输入电压信号端均与第一驱动芯片电连接,即,加热电极5和栅极驱动电路连接同一驱动IC,能够精简制程工艺,避免材料浪费。
需要说明的是,图2仅示出加热电压信号端25和第一输入电压信号端连接同一个IC,其中,加热电压信号端25和第一输入电压信号端连接不同IC的情况实施例图中未示出。
可选地,请继续参见图2所示,每个移位寄存器6中至少设置一个加热电极5,与移位寄存器6一一对应设置的加热电极5的电源端口并联至第一驱动芯片。
具体地,请继续参见图2所示,为实现更好的加热,为每个移位寄存器6中的任意一个或者多个薄膜晶体管上设置加热电极5,每个移位寄存器上的加热电极5并联至第一驱动芯片,或者,每个移位寄存器上的加热电极5串联至电连接驱动IC,当加热电极5并联至第一驱动芯片上时,可以单独控制各移位寄存器6对应设置的加热电极5,能够使各移位寄存器6对应的加热电极5更灵活的开启和关闭,其中,加热电极5并联至第一驱动芯片上时,距离驱动芯片最远的加热电极5和距离驱动芯片最近的加热电极5的阻抗不同,因此还需要通过设置加热电极5金属走线的长短来平衡各加热电极5的阻抗,同时,当加热电极5并联至驱动芯片上时,可以根据需要对指定区域的加热电极5进行开启或关闭。
可选地,图7所示为本申请实施例所提供的显示面板的另一种结构示意图,如图7所示,每个移位寄存器6中至少设置一个加热电极5,与移位寄存器6一一对应设置的加热电极5的电源端口串联至第一驱动芯片。
具体地,请继续参见图7,当加热电极5串联至第一驱动芯片上时,可以是上一个加热电极5中的一个电源端口与下一个加热电极5中一个电源端口电连接,也可以是设置为整个加热电极5,只要位于每个移动寄存器6中的薄膜晶体管上设置有加热电极5即可,本申请对此不做限定,如此设置,不仅工艺简单,还能同时控制加热电极5为薄膜晶体管加热,实现薄膜晶体管的热量补偿。
可选地,图8所示为本申请实施例所提供的显示面板的另一种结构示意图,图9所示为本申请实施例所提供的温度传感器的一种结构示意图,如图8和图9所示,位于非显示区4还设置有多个温度传感器40,用于检测不同非显示区4的温度;
如图9所示,温度传感器40包括感测电极和设置在感测电极两侧的感测端子,感测电极与感测端子电连接。
需要说明的是,请继续参见图9所示,本实施例的温度传感器40只是一种实施方式,还可以是其他温度传感器40,本申请对此并不限定;本申请中温度传感器40的感测端子与感测电极电连接,可选的,感测端子可以和FPC或者PCB电连接,也可以与IC电连接,温度传感器40可以是基于惠斯通电桥原理来检测温度的变化,具体参见图9,此时,每个温度传感器40还包括第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4,感测电极相当于第一电阻R1,当温度没有发生变化时,电桥处于平衡状态,R1、R2、R3和R4的阻值是相同的,信号输出端无信号输出,当感测电极R1周围的温度发生变化时,R2、R3和R4的阻值可以认为保持不变,可选的,感测电极R1的电阻温度系数比R2、R3和R4大,使得感测电极R1的阻值会随着温度的变化而变化,即R1、R2、R3和R4的阻值不再相同,所以电桥的平衡状态被打破而进入非平衡状态,信号输出端输出信号,当输出的信号为低于预设温度所发出的信号时,加热电极5开始加热,当输出的信号为高于预设温度所发出的信号时,加热电极5关闭加热,需要说明的是,R2、R3和R4可以设置在显示面板的边框区域,也可以设置在FPC或者PCB上,在此不做限定,另外图8示意了每个移位寄存器均对应设置有温度传感器,也可以所有的移位寄存器设置一个温度传感器,或者是其他数量的温度传感器,在此不做限定,温度传感器的感测电极走线形式也不限定。
具体地,请继续参见图8所示,并结合图2所示,本实施例中,在非显示区4可设置有多个温度传感器40,温度传感器40用于检测温度,当温度传感器40的感测电极感测到温度低于预设温度时,温度传感器40输出信号,此时,加热电极5开启加热模式;当感测电极感测到温度高于预设温度时,加热电极5进入关闭模式或者加热持续模式,可选的,预设温度可以是一个温度值,如-10℃,低于-10℃开启加热,高于-10℃停止加热,预设温度也可以是一个温度范围,例如-10°~0°。需要说明的是,温度传感器40可以均匀的设置于非显示区4,也可以根据需要,将温度传感器40均匀的设置于级联的移位寄存器6周围,具体温度传感器40设置的位置不作详细限定。
可选地,图10所示为本申请实施例所提供的显示面板的另一种结构示意图,如图10所示,并结合图8所示,至少一个级联的移位寄存器6对应设置有温度传感器40。
需要说明的是,请继续参见图8和图10,可选的,感测端子可以和FPC或者PCB电连接,也可以与IC电连接,每个移位寄存器可以一一对应设置一个温度传感器40,每两个移为寄存器也可以对应一个移位寄存器,具体根据所适用的环境进行设定,如图8所示,当温度传感器40与级联的移位寄存器6一一对应设置,能够保障有效的监测温度;如图10所示,当温度传感器40与多个级联的移位寄存器对应设置时,能够减少温度传感器40的数量,降低工艺的制作难度,在保障有效监测温度的同时,尽可能减少边框区所设置的部件,实现窄边框的设计。
可选地,请继续参见图2和图3,显示区3包括衬底基板,沿垂直于衬底基板的方向,栅极8在衬底基板的正投影的宽度为L1,有源层9在衬底基板的正投影的宽度为L2,加热电极5在衬底基板的正投影的宽度为L3,L1>L2>L3。
具体地,请继续参见图2、图3和图4,显示区3包括衬底基板,栅极8在衬底基板的正投影覆盖加热电极5在衬底基板的正投影,以及覆盖有源层9在衬底基板的正投影,并且,栅极8在衬底基板的正投影的宽度最大,有源层9在衬底基板的正投影的宽度小于栅极8在衬底基板的正投影的宽度,加热电极5在衬底基板的正投影的宽度小于有源层9在衬底基板的正投影的宽度,将栅极8在衬底基板的正投影的宽度设置为最大,能够使栅极8作为屏蔽层,能有效屏蔽加热电极5通电之后产生的电场对有源层9的干扰和影响,使得在加热电极加热的同时不会影响给显示面板提供信号,其中,栅极8既复用为电容22的一极,也可以作为屏蔽层,一方面,将栅极8复用,能减少部件的设置;另一方面,能有效屏蔽加热电极5电场对有源层9的影响。
可选地,图11所示为本申请实施例所提供的加热电极的一种结构示意图,如图11所示,加热电极5由金属走线23形成;
沿垂直于衬底基板的方向,金属走线23在衬底基板的正投影呈蛇形排布。
具体的,请继续参见图11所示,金属走线23所形成的加热电极5一端设置有第一电源端口11,另一端设置有第二电源端口12,使得加热电极5形成一个电流通路,并在自生电阻率的作用下产生热量,为薄膜晶体管7加热,此外,将金属走线23设置为蛇形排布,能增大加热电极5的加热面积,尽可以的使加热电极5的加热速度提升。
需要说明的是,图11中仅示出了本申请加热电极5的一种设置形式,并不代表加热电极5的具体尺寸,本申请对加热电极5的金属走线23的形状并不做任何限定,图12所示为本申请实施例所提供的加热电极的另一种结构示意图,如图12所示,加热电极5可以是设置在级联的移位寄存器上的一根金属走线23,图13所示为本申请实施例所提供的加热电极的另一种结构示意图,如图13所示,加热电极5也可以设置多根金属走线23,并单独控制,根据不同的环境温度进行选择性开启加热电极5开启或关闭。
基于同一发明构思,本申请还提供一种显示面板的驱动方法,请继续参见图2~6所示,该驱动方法包括:通过电源端口向加热电极5发出加热电压信号,加热电极5开启加热,开启加热和关闭加热的时间点位于复位模块13开启后。
具体的,请继续参见图2~6所示,本申请的驱动方法为通过第一电源端口向加热电极5发出第一加热电压信号,通过第二电源端口向加热电极5发出第二加热电压信号,其中,第一加热电压信号和第二加热电压信号分别为高电压信号和低电压信号,使加热电极5产生电压差,比如第一加热电压为28V,第二加热电压为0V,加热电极5产生压差,并产生热量,实现对薄膜晶体管7的加热;其中,当第二加热电压信号为低电压信号时,第一加热电压信号由低电压信号变为高电压信号的时间点位于复位模块13开启后,或者第一加热电压信号由高电压信号转变为低电压信号的时间点位于复位模块13开启后,例如第二加热电压信号从0V变至28V时,或者从28V变至0V时,使得电容22发生耦合,充电节点18的电位拉高,但是此时第二薄膜晶体管M7和薄膜晶体管M8处于开启状态,充电节点18一直输入VGL信号,VGL信号是低电压信号,使得电容22发生耦合不足以将输出模块15的第一薄膜晶体管M4异常打开,输出端Gout不会输出异常信号。
可选地,图14所示为本申请实施例所提供的充电节点电压恢复的一种示意图,如图14所示,并结合图4和图6,当复位模块13的栅极8输入第一控制信号时,复位模块13处于工作时间,充电节点18的电压恢复时间24位于复位模块13的工作时间内。
需要说明的是,请参见图14所示,复位模块13开启和关闭的时间段为图14中reset时间段,加热电压信号端输出的加热电压信号的变化时间位于复位模块13开启后,充电节点18的电压恢复时间也位于复位模块13的开启与关闭时间段内。
具体地,请继续参见图4、图6和图14,当复位模块13开启后,第二薄膜晶体管M7和薄膜晶体管M8处于开启状态,充电节点18一直输入VGL信号,即低电压信号,当加热电极5输入加热电压信号时,充电节点18的电压被拉高,之后由于第二薄膜晶体管M7和薄膜晶体管M8处于开启状态,充电节点18一直输入VGL信号,使得充电节点18的电压又被拉低,充电节点18的电位由高到低需要一定时间,其中,充电节点18的电位由高到低的这个阶段属于充电节点18的电压恢复时间24,充电节点18的电压恢复时间24位于复位模块13开启到关闭的时间段内,能够有效避免加热信号对栅极驱动电路造成的影响,使栅极驱动电路不会输出异常信号。
可选地,请继续参见图8所示,位于非显示区4还设置有多个温度传感器40;
当温度传感器40检测到非显示区4的温度低于预设的温度时,加热电极5加热开启;
当温度传感器40检测到非显示区4的温度高于预设的温度时,加热电极5加热关闭。
具体地,请继续参见图8所示,在非显示区4设置有多个温度传感器40,温度传感器40用于检测温度,当温度传感器40的感测电极感测到温度低于预设温度时,温度传感器40输出信号,此时,加热电极5开启加热模式;当感测电极感测到温度高于预设温度时,加热电极5进入关闭模式或者加热持续模式,其中,预设温度为一个温度范围,例如-10°~-30°;温度传感器40的设置能够有效检测温度,及时为薄膜晶体管7加热,克服电子产品在低温环境下的弊端。
可选地,请继续参见图8,当温度传感器40检测到部分非显示区4的温度低于预设的温度时,开启相对应的加热电极5。
具体地,请继续参见图8,温度传感器40需要检测出非显示区4的温度是否低于预设温度,当低于预设温度时,需要开启加热电极5,当高于预设温度时,关闭加热电极5;其中,根据温度传感器40的监测,可以开启局部温度传感器40,为局部的非显示区4加热,实现灵活的控制,其中,温度传感器40的设置,既能保证为薄膜晶体管7及时的加热,又能避免薄膜晶体管7的温度加热过高,对薄膜晶体管7造成不良影响。
基于同一发明构思,本申请还提供一种显示装置200,图15所示为本申请实施例所提供的显示装置的一种结构图,参见图15,该显示装置200包括显示面板100,该显示面板100为本申请实施例所提供的显示面板100。需要说明的是,本申请实施例所提供的显示装置200的实施例可参见上述显示面板100的实施例,重复之处不再赘述。本申请所提供的显示装置200可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有现实功能的产品或部件。
通过以上各实施例可知,本申请存在的有益效果是:
本申请所提供的显示面板,采用增加加热电极的方式,并将加热电极设置于薄膜晶体管的栅极背离有源层的一侧,以此为薄膜晶体管进行加热,同时,加热电极开启和关闭的时间点位于移位寄存器的复位模块开启和关闭的时间段内,使得加热电极的开启和关闭不影响栅极驱动电路,使栅极驱动电路的信号输出端不会输出异常信号。另外,加热电极的设置,能有效为薄膜晶体管加热,能有效提高薄膜晶体管的迁移率,提高栅极驱动电路的驱动能力,克服电子产品处于低温环境下的弊端。
上述说明示出并描述了本申请的若干优选实施例,但如前所述,应当理解本申请并非局限于本文所披露的形式,不应看作是对其他实施例的排除,而可用于各种其他组合、修改和环境,并能够在本文所述发明构想范围内,通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本申请的精神和范围,则都应在本申请所附权利要求的保护范围内。
Claims (17)
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括显示区和围绕所述显示区设置的非显示区,所述非显示区包括栅极驱动电路和加热电极,所述栅极驱动电路包括多个级联的移位寄存器,所述移位寄存器包括至少一个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极和有源层,所述加热电极设置于所述栅极背离所述有源层的一侧,所述加热电极与所述栅极之间设置有第一绝缘层,所述加热电极包括电源端口,所述电源端口包括第一电源端口和第二电源端口,通过电源端口为加热电极提供加热电压信号,加热电压信号包括第一加热电压信号和第二加热加热电压信号,通过所述第一电源端口为所述加热电极提供第一加热电压信号,通过所述第二电源端口为所述加热电极提供第二加热电压信号;
所述移位寄存器包括复位模块,所述加热电压信号的变化位于所述复位模块开启后。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述移位寄存器还包括上拉模块,所述上拉模块包括充电节点。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述加热电极与所述薄膜晶体管的所述栅极形成电容,所述电容的第一极与电压信号端电连接,所述电容的第二极与所述充电节点电连接。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,
所述移位寄存器还包括输出模块,所述输出模块包括第一薄膜晶体管,所述移位寄存器还包括除第一薄膜晶体管之外的其他薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的宽长比大于其他所述薄膜晶体管的宽长比,所述第一薄膜晶体管的栅极与所述充电节点电连接,所述第一薄膜晶体管的第一端电连接第一时钟信号端,所述第一薄膜晶体管的第二端电连接信号输出端。
5.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述复位模块包括第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管的栅极电连接复位控制端,所述第二薄膜晶体管的第一端电连接第一输入电压信号端,所述第二薄膜晶体管的第二端与所述充电节点电连接。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述加热电压信号端与第一驱动芯片电连接,所述第一输入电压信号端与第二驱动芯片电连接,或者,所述加热电压信号端和所述第一输入电压信号端均与所述第一驱动芯片电连接。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,每个所述移位寄存器中至少设置一个所述加热电极,与所述移位寄存器一一对应设置的所述加热电极的电源端口并联至第一驱动芯片。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,与所述移位寄存器一一对应设置的所述加热电极的电源端口串联至第一驱动芯片。
9.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,位于所述非显示区还设置有多个温度传感器,用于检测不同所述非显示区的温度;
所述温度传感器包括感测电极和设置在所述感测电极两侧的感测端子,所述感测电极与所述感测端子电连接。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,至少一个级联的所述移位寄存器对应设置有所述温度传感器。
11.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示区包括衬底基板,沿垂直于所述衬底基板的方向,所述栅极在所述衬底基板的正投影的宽度为L1,所述有源层在所述衬底基板的正投影的宽度为L2,所述加热电极在所述衬底基板的正投影的宽度为L3,L1>L2>L3。
12.根据权利要求11所述的显示面板,其特征在于,所述加热电极由金属走线形成;
沿垂直于所述衬底基板的方向,所述金属走线在所述衬底基板的正投影呈蛇形排布。
13.一种如权利要求1-12任一项所述的显示面板的驱动方法,其特征在于,所述驱动方法包括:通过电源端口向加热电极发出加热电压信号,所述加热电极开启加热,所述开启加热和关闭加热的时间点位于所述复位模块开启后。
14.根据权利要求13所述的驱动方法,其特征在于,所述移位寄存器还包括上拉模块,所述上拉模块包括充电节点;当所述复位模块的栅极输入第一控制信号时,所述复位模块处于工作时间,所述充电节点的电压恢复时间位于所述复位模块的工作时间内。
15.根据权利要求13所述的驱动方法,其特征在于,位于所述非显示区还设置有多个温度传感器;
当所述温度传感器检测到所述非显示区的温度低于预设的温度时,所述加热电极加热开启;
当所述温度传感器检测到所述非显示区的温度高于预设的温度时,所述加热电极加热关闭。
16.根据权利要求15所述的驱动方法,其特征在于,当所述温度传感器检测到部分所述非显示区的温度低于预设的温度时,开启相对应的所述加热电极。
17.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-12中任一项所述的显示面板。
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TWI763239B (zh) * | 2021-01-06 | 2022-05-01 | 友達光電股份有限公司 | 加熱墊控制電路 |
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CN112965284A (zh) * | 2021-03-23 | 2021-06-15 | 成都天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN114265250B (zh) * | 2021-12-21 | 2023-04-07 | 苏州华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板和显示装置 |
CN115167024B (zh) | 2022-07-01 | 2023-10-17 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种液晶显示装置及其温度控制方法 |
CN116704883B (zh) * | 2022-11-18 | 2024-05-28 | 荣耀终端有限公司 | 一种电子设备 |
CN116129826B (zh) * | 2023-02-17 | 2024-07-02 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200813539A (en) * | 2006-04-07 | 2008-03-16 | Kopin Corp | Instant-on heater |
CN107644882A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-01-30 | 上海中航光电子有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000150895A (ja) * | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び画像表示装置の駆動装置 |
CN104934001B (zh) * | 2015-04-01 | 2018-04-17 | 上海中航光电子有限公司 | 一种液晶显示装置 |
-
2020
- 2020-07-21 CN CN202010703157.6A patent/CN111679479B/zh active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200813539A (en) * | 2006-04-07 | 2008-03-16 | Kopin Corp | Instant-on heater |
CN107644882A (zh) * | 2017-10-25 | 2018-01-30 | 上海中航光电子有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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CN111679479A (zh) | 2020-09-18 |
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