CN112785978B - 一种阵列基板 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种阵列基板。该阵列基板包括:扫描电路、与扫描电路对应设置的第一启动信号线,以及至少一条恒定电位信号线;其中,扫描电路与其对应的第一启动信号线电连接;第一启动信号线与恒定电位信号线的至少部分异层绝缘设置;第一启动信号线与恒定电位信号线沿阵列基板的厚度方向至少部分交叠。本发明实施例提供的技术方案可以降低数据线对扫描电路的启动信号线的电磁干扰,避免扫描电路输出电位异常,导致画面异常显示的情况发生。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板。
背景技术
随着显示技术的发展,液晶显示(Liquid Crystal Display,LCD)面板和有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示面板逐渐成为显示领域的两大主流显示面板,LCD面板和OLED显示面板被广泛应用于电脑、手机、穿戴设备、车载等本领域技术人员可知的可集成显示功能的设备或场景中。
显示面板可包括阵列基板,阵列基板的边框区设置有扫描电路和数据驱动电路等,扫描电路可与阵列基板的显示区的栅极线连接,数据驱动电路可与阵列基板的显示区的数据线连接。现有技术中,扫描电路存在输出电位异常的问题,导致画面异常显示。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板,以降低数据线对扫描电路的启动信号线的电磁干扰,避免扫描电路输出电位异常,导致画面异常显示的情况发生。
本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:扫描电路、与扫描电路对应设置的第一启动信号线,以及至少一条恒定电位信号线;
其中,扫描电路与其对应的第一启动信号线电连接;第一启动信号线与恒定电位信号线的至少部分异层绝缘设置;第一启动信号线与恒定电位信号线沿阵列基板的厚度方向至少部分交叠。通过将第一启动信号线与恒定电位信号线上下放置,相比于并列放置,可以使恒定电位信号线屏蔽第一启动信号线一侧的电磁干扰,以保证第一启动信号线正常工作,实现扫描电路的稳定输出,保证画面的正常显示。
进一步地,扫描电路包括多个级联的移位寄存器和多条第二启动信号线,任一移位寄存器包括启动信号端和触发信号端,其中,第一级移位寄存器的启动信号端与第一启动信号线电连接;相邻两级移位寄存器中,后一级移位寄存器的启动信号端通过一第二启动信号线与前一级移位寄存器的触发信号端电连接;
第二启动信号线与恒定电位信号线的至少部分异层绝缘设置;第二启动信号线与恒定电位信号线沿阵列基板的厚度方向至少部分交叠。通过将第二启动信号线与恒定电位信号线上下放置,可以使恒定电位信号线屏蔽第二启动信号线一侧的电磁干扰,以使第二启动信号线正常工作,实现扫描电路的稳定输出,保证画面的正常显示
进一步地,至少部分第二启动信号线中,任一第二启动信号线包括串联的至少两个第二导线段,至少部分第二导线段异层设置,异层设置的第二导线段的电阻率不同。通过对第二启动信号线进行换线处理,以使电阻率大的第二导线段以热能的方式消耗掉积累的静电,从而可避免第二启动信号线发生静电击伤。进一步地,恒定电位信号线的延伸方向平行于多个级联的移位寄存器的排列方向,至少部分恒定电位信号线与多个级联的移位寄存器沿阵列基板的厚度方向至少部分交叠。通过将至少部分恒定电位信号线与多个级联的移位寄存器上下放置,以减小边框的宽度。
进一步地,第一启动信号线包括串联的至少两个第一导线段,至少部分第一导线段异层设置,异层设置的第一导线段的电阻率不同。通过对第一启动信号线进行换线处理,以使电阻率大的第一导线段以热能的方式消耗掉积累的静电,从而可避免第一启动信号线发生静电击伤。
进一步地,至少一条恒定电位信号线包括与扫描电路对应设置的恒定高电位信号线和恒定低电位信号线,恒定高电位信号线和恒定低电位信号线与扫描电路电连接;
恒定高电位信号线和恒定低电位信号线中靠近阵列基板边缘的一者与第一启动信号线沿阵列基板的厚度方向至少部分交叠。通过使第一启动信号线与远离数据线的恒定电位信号线上下放置,以降低数据线对第一启动信号线的电磁干扰。
进一步地,恒定电位信号线位于阵列基板的拐角处的部分包括:串联的至少两个第三导线段,至少部分第三导线段异层设置,异层设置的第三导线段的电阻率不同。通过对恒定电位信号线位于阵列基板的拐角处的部分进行换线处理,以使电阻率大的第三导线段以热能的方式消耗掉长导线积累的静电,从而可避免恒定电位信号线发生静电击伤。
进一步地,扫描电路包括栅极驱动电路或发光控制电路。
进一步地,恒定电位信号线的线宽大于或等于第一启动信号线的线宽;第一启动信号线的延伸方向与恒定电位信号线的延伸方向平行;第一启动信号线与一恒定电位信号线沿阵列基板的厚度方向的交叠部分,沿第一启动信号线的线宽方向的长度大于第一启动信号线的线宽,以保证第一启动信号线与一恒定电位信号线的交叠面积最大,屏蔽效果较好。
进一步地,阵列基板还可包括与扫描电路对应设置的一条或多条时钟信号线,时钟信号线与扫描电路电连接,时钟信号线位于阵列基板的拐角处的部分包括:串联的至少两个第四导线段,至少部分第四导线段异层设置,异层设置的第四导线段的电阻率不同。通过对时钟信号线位于阵列基板的拐角处的部分进行换线处理,以使电阻率大的第四导线段以热能的方式消耗掉长导线积累的静电,从而可避免时钟信号线发生静电击伤。
本发明实施例的技术方案中,阵列基板包括:扫描电路、与扫描电路对应设置的第一启动信号线,以及至少一条恒定电位信号线;其中,扫描电路与其对应的第一启动信号线电连接;第一启动信号线与恒定电位信号线的至少部分异层绝缘设置;第一启动信号线与恒定电位信号线沿阵列基板的厚度方向至少部分交叠,通过将第一启动信号线与恒定电位信号线上下放置,相比于并列放置,可以使恒定电位信号线屏蔽第一启动信号线一侧的电磁干扰,以保证第一启动信号线正常工作,实现扫描电路的稳定输出,保证画面的正常显示。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部剖面结构示意图;
图3为数据线产生的电磁干扰示意图;
图4为本发明实施例提供的又一种阵列基板的俯视结构示意图;
图5为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部剖面结构示意图;
图6为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部剖面结构示意图;
图7为本发明实施例提供的又一种阵列基板的俯视结构示意图;
图8为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部剖面结构示意图;
图9为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部剖面结构示意图;
图10为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部剖面结构示意图;
图11为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部剖面结构示意图;
图12为本发明实施例提供的又一种阵列基板的俯视结构示意图;
图13为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部剖面结构示意图;
图14为本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明,而非对本发明的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本发明实施例提供一种阵列基板。图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图。图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部剖面结构示意图。图2为阵列基板沿图1中A1A2方向的局部剖面结构示意图。该阵列基板包括:扫描电路10、与扫描电路10对应设置的第一启动信号线20,以及至少一条恒定电位信号线30。
其中,扫描电路10与其对应的第一启动信号线20电连接;第一启动信号线20与恒定电位信号线30的至少部分异层绝缘设置;第一启动信号线20与恒定电位信号线30沿阵列基板的厚度方向Z至少部分交叠。
其中,阵列基板可设置于有机发光显示面板或液晶显示面板中。可选的,扫描电路10包括栅极驱动电路或发光控制电路。阵列基板可包括栅极驱动电路和发光控制电路,栅极驱动电路和发光控制电路对应的第一启动信号线20不同。阵列基板还可包括沿第一方向X延伸且沿第二方向Y排列的多条驱动信号线50,其中,多条驱动信号线50与扫描电路10电连接。若扫描电路10为栅极驱动电路,则驱动信号线50为栅极线。若扫描电路10为发光控制电路,则驱动信号线50为发光控制线。阵列基板还可包括数据驱动电路40和沿第二方向Y延伸且沿第一方向X排列的多条数据线60,数据驱动电路40与多条数据线60电连接。第一启动信号线20接收到启动信号(例如可以是一个脉冲信号)时,可使扫描电路10逐级向输出驱动信号,以实现对驱动信号线50的逐行扫描。第一方向X和第二方向Y垂直于阵列基板的厚度方向Z。第一方向X可垂直于第二方向Y。阵列基板可包括显示区1和围绕显示区1的非显示区2。扫描电路10、第一启动信号线20、恒定电位信号线30和数据驱动电路49可位于阵列基板的非显示区2。驱动信号线50和数据线60可从阵列基板的显示区1延伸至非显示区2。
需要说明的是,阵列基板可包括基底101,以及位于基底101一侧且沿基底101的厚度方向层叠设置的多层导电层、多层绝缘层和半导体层(图中未示出),以形成导线、薄膜晶体管和电容等,进而形成扫描电路、像素电路等。
显示面板在显示画面时,数据驱动电路40向数据线60传输的数据信号是变化的,不是恒定的电位,会对第一启动信号线20产生电磁干扰,图3为数据线产生的电磁干扰示意图,图3示例性的画出数据线60-1传输数据信号时会产生磁场,产生的磁场强度可呈同心圆状分布,图3示例性的画出数据线60-1的两条磁感应线61,通过将第一启动信号线20与恒定电位信号线30的至少部分异层绝缘设置,将第一启动信号线20与恒定电位信号线30沿阵列基板的厚度方向Z至少部分交叠,即将第一启动信号线20与恒定电位信号线30上下放置,相比于并列放置(即第一启动信号线20与恒定电位信号线30沿阵列基板的厚度方向Z不交叠),可以使恒定电位信号线30屏蔽数据线60对第一启动信号线20一侧的电磁干扰,以使第一启动信号线20正常工作,实现扫描电路10的稳定输出,保证画面的正常显示。第一启动信号线20与恒定电位信号线30沿阵列基板的厚度方向Z的交叠区域越大,屏蔽效果越好。
本实施例的技术方案中,阵列基板包括:扫描电路、与扫描电路对应设置的第一启动信号线,以及至少一条恒定电位信号线;其中,扫描电路与其对应的第一启动信号线电连接;第一启动信号线与恒定电位信号线的至少部分异层绝缘设置;第一启动信号线与恒定电位信号线沿阵列基板的厚度方向至少部分交叠,通过将第一启动信号线与恒定电位信号线上下放置,相比于并列放置,可以使恒定电位信号线屏蔽第一启动信号线一侧的电磁干扰,以保证第一启动信号线正常工作,实现扫描电路的稳定输出,保证画面的正常显示。
可选的,在上述实施例的基础上,图4为本发明实施例提供的又一种阵列基板的俯视结构示意图,图5为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部剖面结构示意图,图5为阵列基板沿图4中B1B2方向的局部剖面结构示意图,扫描电路10包括多个级联的移位寄存器11和多条第二启动信号线12,任一移位寄存器11包括启动信号端S1和触发信号端S2,其中,第一级移位寄存器11-1的启动信号端S1与第一启动信号线20电连接;相邻两级移位寄存器11中,后一级移位寄存器11的启动信号端S1通过一第二启动信号线12与前一级移位寄存器11的触发信号端S2电连接。
其中,任一移位寄存器11还可包括驱动信号输出端,与对应的驱动信号线50电连接。触发信号端S2可复用为驱动信号输出端。前一级移位寄存器11在其启动信号端S1接收到启动信号时将被启动,可配合时钟信号输出驱动信号,时钟信号可以由时钟信号线提供,即移位寄存器11可以根据启动信号端S1接收到的启动信号向与其对应电连接的驱动信号线输出驱动信号,以使与驱动信号线电连接的一行子像素的发光状态被更新,更新后的发光状态可以与之前的发光状态相同或不同,发光状态可包括子像素发出的光的颜色和亮度中的至少一种。并通过其触发信号端S2向与其电连接的后一级移位寄存器11的启动信号端S1输入启动信号,以使后一级移位寄存器11被启动,实现移位寄存器逐级输出驱动信号。
可选的,第二启动信号线12与恒定电位信号线30的至少部分异层绝缘设置;第二启动信号线12与恒定电位信号线30沿阵列基板的厚度方向Z至少部分交叠,即将第二启动信号线12与恒定电位信号线30上下放置,可以使恒定电位信号线30屏蔽第二启动信号线12一侧的电磁干扰,以使第二启动信号线12正常工作,实现扫描电路的稳定输出,保证画面的正常显示。
其中,第二启动信号线12与恒定电位信号线30沿阵列基板的厚度方向Z的交叠区域越大,屏蔽效果越好。
可选的,在上述实施例的基础上,图6为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部剖面结构示意图,图6为阵列基板沿图4中C1C2方向的局部剖面结构示意图,至少部分第二启动信号线12中,任一第二启动信号线12包括串联的至少两个第二导线段121,至少部分第二导线段121异层设置,即相当于对第二启动信号线12进行换线处理。异层设置的第二导线段121的电阻率(或方阻)不同。
其中,电阻率大的第二导线段121以热能的方式消耗掉积累的静电,从而可避免第二启动信号线发生静电击伤。阵列基板中电阻率(或方阻)小的导电层可包括钛铝钛(TiAlTi)金属层等。阵列基板中电阻率(或方阻)大的导电层可包括钼金属层等。电阻率大的第二导线段121可位于阵列基板中电阻率大的导电层。电阻率小的第二导线段121可位于阵列基板中电阻率小的导电层。异层设置的第二导线段121可通过过孔120电连接。数据线60可位于阵列基板中电阻率小的导电层。
可选的,在上述实施例的基础上,图7为本发明实施例提供的又一种阵列基板的俯视结构示意图,图8为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部剖面结构示意图,图8为阵列基板沿图7中D1D2方向的局部剖面结构示意图,恒定电位信号线30的延伸方向平行于多个级联的移位寄存器11的排列方向,至少部分恒定电位信号线30与多个级联的移位寄存器11沿阵列基板的厚度方向Z至少部分交叠,即将至少部分恒定电位信号线30与多个级联的移位寄存器11上下放置,以减小边框的宽度。
其中,恒定电位信号线30与多个级联的移位寄存器11沿阵列基板的厚度方向Z的交叠区域越大,越有利于实现窄边框。
可选的,在上述实施例的基础上,图9为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部剖面结构示意图,图9为阵列基板沿第一启动信号线20的延伸方向的局部剖面结构示意图,第一启动信号线20包括串联的至少两个第一导线段21,至少部分第一导线段21异层设置,即相当于对第一启动信号线20进行换线处理。异层设置的第一导线段21的电阻率(或方阻)不同。
其中,电阻率大的第一导线段21以热能的方式消耗掉积累的静电,从而可避免第一启动信号线发生静电击伤。电阻率大的第一导线段21-1可位于阵列基板中电阻率大的导电层。电阻率小的第一导线段21-2可位于阵列基板中电阻率小的导电层。结合图7和图9所示,第一导线段21-1与恒定电位信号线30沿阵列基板的厚度方向Z交叠。异层设置的第一导线段21-1和第一导线段21-2可通过过孔电连接。
可选的,在上述实施例的基础上,继续参见图7,至少一条恒定电位信号线30包括与扫描电路对应设置的恒定高电位信号线30-1和恒定低电位信号线30-2,恒定高电位信号线30-1和恒定低电位信号线30-2与扫描电路10电连接(图中未示出)。恒定高电位信号线30-1和恒定低电位信号线30-2中靠近阵列基板边缘的一者与第一启动信号线20沿阵列基板的厚度方向Z至少部分交叠。
其中,图7示例性的画出恒定高电位信号线30-1比恒定低电位信号线30-2中靠近阵列基板边缘的情况。第一启动信号线20离数据线60越远,数据线60对第一启动信号线20的电磁干扰影响越小。移位寄存器11可与恒定高电位信号线31和恒定低电位信号线32电连接。
可选的,在上述实施例的基础上,图10为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部剖面结构示意图,图10为阵列基板沿恒定电位信号线30的延伸方向在拐角处103的局部剖面结构示意图,恒定电位信号线30位于阵列基板的拐角处103的部分包括:串联的至少两个第三导线段301,至少部分第三导线段301异层设置,即相当于对恒定电位信号线30位于阵列基板的拐角处103的部分进行换线处理。异层设置的第三导线段301的电阻率(或方阻)不同。
其中,阵列基板可为矩形。电阻率大的第三导线段301以热能的方式消耗掉长导线积累的静电,从而可避免恒定电位信号线发生静电击伤。电阻率大的第三导线段301可位于阵列基板中电阻率大的导电层。电阻率小的第三导线段301可位于阵列基板中电阻率小的导电层。异层设置的第三导线段301可通过过孔电连接。恒定电位信号线30远离阵列基板的拐角处103的部分可位于阵列基板中电阻率小的导电层。
需要说明的是,图11为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部剖面结构示意图,图11为阵列基板沿图7中E1E2方向的局部剖面结构示意图。
可选的,在上述实施例的基础上,恒定电位信号线30的线宽大于或等于第一启动信号线20的线宽;第一启动信号线20的延伸方向与恒定电位信号线30的延伸方向平行;第一启动信号线20与一恒定电位信号线30沿阵列基板的厚度方向Z的交叠部分,沿第一启动信号线20的线宽方向的长度大于第一启动信号线20的线宽,以保证第一启动信号线20与一恒定电位信号线30的交叠面积最大,屏蔽效果较好。
可选的,在上述实施例的基础上,图12为本发明实施例提供的又一种阵列基板的俯视结构示意图,阵列基板还可包括与扫描电路对应设置的一条或多条时钟信号线70,时钟信号线70与扫描电路电连接(图中未示出)。
可选的,与扫描电路对应设置的时钟信号线70为多条,远离阵列基板拐角处103的区域,同层设置的多条时钟信号线70之间可设置有与该多条时钟信号线70同层设置的恒定电位信号线,以降低多条时钟信号线70之间的电磁干扰。移位寄存器11可与时钟信号线70电连接。
可选的,在上述实施例的基础上,图13为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部剖面结构示意图,图13为阵列基板沿时钟信号线70的延伸方向的局部剖面结构示意图,时钟信号线70位于阵列基板的拐角处103的部分包括:串联的至少两个第四导线段701,至少部分第四导线段701异层设置,即相当于对时钟信号线位于阵列基板的拐角处103的部分进行换线处理。异层设置的第四导线段701的电阻率(或方阻)不同。
其中,电阻率大的第四导线段701以热能的方式消耗掉长导线积累的静电,从而可避免时钟信号线发生静电击伤。电阻率大的第四导线段701可位于阵列基板中电阻率大的导电层。电阻率小的第四导线段701可位于阵列基板中电阻率小的导电层。时钟信号线70远离阵列基板的拐角处103的部分可位于阵列基板中电阻率小的导电层。时钟信号线70远离阵列基板的拐角处103的部分、恒定电位信号线30远离阵列基板的拐角处103的部分和数据线60可同层设置。时钟信号线70可位于恒定电位信号线30远离显示区1的一侧,以降低数据线对时钟信号线的电磁干扰。将第一启动信号线20与恒定电位信号线30上下放置,可以使恒定电位信号线30屏蔽时钟信号线70对第一启动信号线20一侧的电磁干扰。
可选的,显示区1包括多条栅极线、多条发光控制线和多条数据线;多条数据线与多条栅极线绝缘交叉设置;多条数据线与多条发光控制线绝缘交叉设置;栅极驱动电路与多条栅极线电连接;发光控制电路与多条发光控制线电连接。可选的,显示区1还包括呈阵列分布的像素电路。像素电路与多条栅极线、多条发光控制线和多条数据线电连接。栅极线可用于传输扫描信号。发光控制线可用于传输发光控制信号。数据线可用于传输数据信号。像素电路可包括驱动晶体管、开关晶体管、存储电容等。
若阵列基板设置于液晶显示面板中,当栅极线接收到扫描信号后,可通过数据线向与该栅极线连接的一行子像素传输数据电压,以使子像素发光显示,更新发光状态。
若阵列基板设置于有机发光二极管显示面板中,当栅极线接收到扫描信号后,与该栅极线连接的一行子像素在接收的扫描信号的控制下,进入数据电压写入状态,在此过程中子像素的像素电路将接收到来自数据线的数据电压,并且将数据电压存储于像素电路的存储电容中,以稳定写入像素电路的驱动晶体管的栅极和源极之间的电压,以控制有机发光二极管的驱动电流,进而在发光控制线接收到发光控制信号时,可使有机发光二极管发光。
本发明实施例提供一种显示面板。图14为本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图。该显示面板包括本发明任意实施例提供的阵列基板100。
其中,显示面板可包括有机发光显示面板或液晶显示面板。若显示面板为有机发光显示面板,该显示面板还可包括发光器件层200和封装层300。发光器件层200可位于阵列基板100和封装层300之间。封装层300可包括薄膜封装层。本发明实施例提供的显示面板包括上述实施例中的阵列基板,因此本发明实施例提供的阵列基板也具备上述实施例中所描述的有益效果,此处不再赘述。
注意,上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解,本发明不限于这里所述的特定实施例,对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此,虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明,但是本发明不仅仅限于以上实施例,在不脱离本发明构思的情况下,还可以包括更多其他等效实施例,而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (9)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:扫描电路、与所述扫描电路对应设置的第一启动信号线,以及至少一条恒定电位信号线;
其中,所述扫描电路与其对应的第一启动信号线电连接;所述第一启动信号线与所述恒定电位信号线的至少部分异层绝缘设置;所述第一启动信号线与所述恒定电位信号线沿所述阵列基板的厚度方向至少部分交叠;
所述扫描电路包括多个级联的移位寄存器和多条第二启动信号线,任一所述移位寄存器包括启动信号端和触发信号端,其中,第一级移位寄存器的启动信号端与所述第一启动信号线电连接;相邻两级移位寄存器中,后一级所述移位寄存器的启动信号端通过一所述第二启动信号线与前一级移位寄存器的触发信号端电连接;
所述第二启动信号线与所述恒定电位信号线的至少部分异层绝缘设置;所述第二启动信号线与所述恒定电位信号线沿所述阵列基板的厚度方向至少部分交叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,至少部分所述第二启动信号线中,任一所述第二启动信号线包括串联的至少两个第二导线段,至少部分所述第二导线段异层设置,异层设置的所述第二导线段的电阻率不同。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述恒定电位信号线的延伸方向平行于所述多个级联的移位寄存器的排列方向,至少部分所述恒定电位信号线与所述多个级联的移位寄存器沿所述阵列基板的厚度方向至少部分交叠。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一启动信号线包括串联的至少两个第一导线段,至少部分所述第一导线段异层设置,异层设置的所述第一导线段的电阻率不同。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述至少一条恒定电位信号线包括与所述扫描电路对应设置的恒定高电位信号线和恒定低电位信号线,所述恒定高电位信号线和所述恒定低电位信号线与所述扫描电路电连接;
所述恒定高电位信号线和所述恒定低电位信号线中靠近所述阵列基板边缘的一者与所述第一启动信号线沿所述阵列基板的厚度方向至少部分交叠。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述恒定电位信号线位于所述阵列基板的拐角处的部分包括:串联的至少两个第三导线段,至少部分所述第三导线段异层设置,异层设置的所述第三导线段的电阻率不同。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述扫描电路包括栅极驱动电路或发光控制电路。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述恒定电位信号线的线宽大于或等于所述第一启动信号线的线宽;所述第一启动信号线的延伸方向与所述恒定电位信号线的延伸方向平行;所述第一启动信号线与一所述恒定电位信号线沿所述阵列基板的厚度方向的交叠部分,沿所述第一启动信号线的线宽方向的长度大于所述第一启动信号线的线宽。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还可包括与扫描电路对应设置的一条或多条时钟信号线,所述时钟信号线与所述扫描电路电连接,所述时钟信号线位于所述阵列基板的拐角处的部分包括:串联的至少两个第四导线段,至少部分所述第四导线段异层设置,异层设置的所述第四导线段的电阻率不同。
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