CN113745273A - 显示基板和显示装置 - Google Patents
显示基板和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113745273A CN113745273A CN202010479765.3A CN202010479765A CN113745273A CN 113745273 A CN113745273 A CN 113745273A CN 202010479765 A CN202010479765 A CN 202010479765A CN 113745273 A CN113745273 A CN 113745273A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- display
- light
- layer
- sub
- display area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 185
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 18
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 16
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 209
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 101100069049 Caenorhabditis elegans goa-1 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000750042 Vini Species 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- -1 region Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/87—Arrangements for heating or cooling
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8794—Arrangements for heating and cooling
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0404—Matrix technologies
- G09G2300/0408—Integration of the drivers onto the display substrate
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/0452—Details of colour pixel setup, e.g. pixel composed of a red, a blue and two green components
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0804—Sub-multiplexed active matrix panel, i.e. wherein one active driving circuit is used at pixel level for multiple image producing elements
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2340/00—Aspects of display data processing
- G09G2340/04—Changes in size, position or resolution of an image
- G09G2340/0407—Resolution change, inclusive of the use of different resolutions for different screen areas
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
- G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3266—Details of drivers for scan electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geometry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种显示基板和显示装置。该显示基板具有第一侧和第二侧,显示基板包括显示区域,该显示区域包括第一显示区域以及第二显示区域,第一显示区域允许来自第一侧的光至少部分透射至第二侧;第一显示区域包括阵列排布的多个第一子像素,每个第一子像素包括第一发光器件,第二显示区域包括多个第一像素电路,多个第一像素电路分别与多个第一发光器件电连接;显示区域还包括第一遮光层,在垂直于显示基板的板面的方向上,第一遮光层与第二显示区域至少部分重叠,第一遮光层与第一显示区域不重叠。由此,第一遮光层可以遮挡进入第二显示区域的光,以避免光线经过第二显示区域射入屏下传感器,例如屏下摄像头,从而提高屏下摄像头的拍摄质量。
Description
技术领域
本公开的实施例涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
随着手机等显示电子产品的发展,显示屏的屏占比的提升成为一种产品趋势,前置摄像头等手机必备的功能元件成为制约屏占比提升的一大因素。针对这个问题,业界提出了将摄像头与显示面板结合到一显示装置中的被称为“屏下摄像头”的方案。在这样的方案中,显示装置包括显示面板和位于该显示面板下方的摄像头。显示装置的具有屏下摄像头的区域可以与其他区域一样发光并进行显示,并同时具有摄像功能。
发明内容
本公开至少一实施例提供一种显示基板,该显示基板具有用于显示的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧,所述显示基板包括显示区域,其中,所述显示区域包括第一显示区域以及至少部分围绕所述第一显示区域的第二显示区域,所述第一显示区域允许来自所述第一侧的光至少部分透射至所述第二侧;所述第一显示区域包括阵列排布的多个第一子像素,每个第一子像素包括第一发光器件,所述第二显示区域包括多个第一像素电路,所述多个第一像素电路分别与所述多个第一子像素的多个第一发光器件电连接,以分别驱动所述多个第一发光器件;其中,所述显示区域还包括第一遮光层,在垂直于所述显示基板的板面的方向上,所述第一遮光层与所述第二显示区域至少部分重叠,所述第一遮光层与所述第一显示区域不重叠。
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板还包括电源线和复位电压线,其中,所述第一遮光层与所述电源线或者所述复位电压线电连接。
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述多个第一像素电路中的每个包括第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极和第一源漏电极;所述第一遮光层与所述第一源漏电极同层设置。
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述第二显示区域包括至少部分围绕所述第一显示区域的第一子区以及至少部分围绕所述第一子区的第二子区,所述第一遮光层设置在所述第一子区中,所述多个第一像素电路设置在所述第二子区中。
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板还包括分别电连接所述多个第一像素电路的多条信号线,所述多条信号线延伸经过所述第一子区,所述第一像素电路还包括第一存储电容,所述第一存储电容包括第一电容极板和第二电容极板,所述第一电容极板与所述第一栅极同层设置,所述多条信号线与所述第一电容极板或者所述第二电容极板同层设置。
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板还包括衬底基板和第二遮光层,其中,所述多个第一子像素设置在所述衬底基板上,所述第二遮光层设置在所述多个第一像素电路与所述衬底基板之间,以遮挡至少部分所述多个第一像素电路的电路结构;所述第一遮光层与所述第二遮光层同层设置。
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述第一遮光层与所述第二遮光层为连续设置的一体化膜层,所述一体化膜层在所述第一显示区域具有开口,以使得在垂直于所述显示基板的板面的方向上,所述第一遮光层与所述第一显示区域不重叠。
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板还包括衬底基板和散热层,其中,所述多个第一子像素设置在所述衬底基板的第一侧,所述散热层设置在所述衬底基板的第二侧,所述第一侧和所述第二侧相对;所述第一遮光层与所述散热层同层设置。
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述第一遮光层与所述散热层为连续设置的一体化膜层,所述一体化膜层在所述第一显示区域具有开口,以使得在垂直于所述显示基板的板面的方向上,所述第一遮光层与所述第一显示区域不重叠。
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述第二显示区域还包括多个第二子像素,每个第二子像素包括第二发光器件以及与所述第二发光器件电连接的第二像素电路,所述第二像素电路配置为驱动所述第二发光器件,在所述第二显示区域中,所述多个第二像素电路呈第一阵列排布,所述多个第一像素电路设置在所述第一阵列的间隙中,并与所述多个第二像素电路整体排布为第二阵列。
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述第一像素电路包括第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极和第一源漏电极,所述第一发光器件包括第一电极、第二电极以及所述第一电极和所述第二电极之间的第一发光层,所述第一发光器件的第一电极通过第一过孔与所述第一源漏电极电连接;所述第二像素电路包括第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极和第二源漏电极,所述第二发光器件包括第一电极、第二电极以及所述第一电极和所述第二电极之间的第二发光层,所述第二发光器件的第一电极通过第二过孔与所述第二源漏电极电连接;在所述显示基板所在平面内,所述第一过孔与所述第一发光层的发光区域的最短距离小于所述第二过孔与所述第二发光层的发光区域的最短距离。
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述第一过孔在所述显示基板所在平面内的正投影与所述第一发光层的发光区域在所述显示基板所在平面内的正投影至少部分重叠。
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述显示区域包括至少部分围绕所述第二显示区域的第三显示区域,所述第三显示区域包括阵列排布的多个第三子像素,其中,所述第三显示区域中所述多个第三子像素的排布密度大于所述第一显示区域中所述多个第一子像素的排布密度,也大于所述第二显示区域中所述多个第二子像素的排布密度。
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述第一显示区域中所述多个第一子像素的排布密度等于所述第二显示区域中所述多个第二子像素的排布密度。
例如,本公开至少一实施例提供的显示基板还包括分别位于所述显示区域相对两侧的第一扫描驱动电路和第二扫描驱动电路,其中,所述第一扫描驱动电路和第二扫描驱动电路共同为在所述第三显示区域中的多个第三子像素提供电信号;所述第一扫描驱动电路还为位于所述第一显示区域靠近所述第一扫描驱动电路一侧的第二显示区域中的多个第二子像素和多个第一像素电路提供电信号,所述第二扫描驱动电路还为位于所述第一显示区域靠近所述第二扫描驱动电路一侧的第二显示区域中的多个第二子像素和多个第一像素电路提供电信号。
本公开至少一实施例提供一种显示装置,该显示装置包括上述任一所述的显示基板,以及传感器,其中,所述传感器设置于所述显示基板的第二侧,且所述传感器配置为接收来自所述第一侧的光。
例如,本公开至少一实施例提供的显示装置中,在垂直于所述显示基板的板面的方向上,所述传感器与所述显示基板的第一显示区域至少部分重叠。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1A为一种显示基板的平面示意图;
图1B为一种显示基板的局部放大示意图;
图2为图1B中的显示基板沿A-A线的截面示意图;
图3为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的平面示意图;
图4A为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的局部放大示意图;
图4B为本公开至少一实施例提供的一种显示基板中第一显示区域和第二显示区域中子像素的排列示意图;
图5为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的平面示意图;
图6为图5中的显示基板沿C-C线的截面示意图;
图7为本公开至少一实施例提供的显示基板中第一显示区域和部分第二显示区域的平面示意图;
图8为本公开至少一实施例提供的显示基板中第一显示区域和部分第二显示区域的另一平面示意图;
图9为图3中的显示基板沿B-B线的截面示意图;
图10为图3中的显示基板沿B-B线的另一截面示意图;
图11本公开至少一实施例提供的显示基板中的第一遮光层的平面示意图;
图12为图3中的显示基板沿B-B线的另一截面示意图;
图13为本公开至少一实施例提供的显示基板中第二显示区域的截面示意图;
图14为本公开至少一实施例提供的显示基板中第一显示区域种子像素的排列示意图;
图15为本公开至少一实施例提供的显示基板中第二显示区域种子像素的排列示意图;
图16为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的平面示意图;
图17为本公开至少一实施例提供的一种显示基板的像素电路图;
图18A为本公开至少一实施例提供的一种显示装置的截面示意图;
图18B为本公开至少一实施例提供的另一种显示装置的截面示意图;
图19A和图19B分别为显示装置在没有第一遮光层和有第一遮光层时点光源成像的点扩散函数仿真图;
图20A和图20B为显示装置在没有第一遮光层和有第一遮光层时点光源成像的两种调制传递函数图;以及
图21A和图21B分别为显示装置在没有第一遮光层和有第一遮光层时点光源成像的眩光实拍照片。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
在“屏下摄像头”的设计方案中,为了使得更多的光能够进入位于显示面板下方的摄像头中,可以将显示面板设计为具有高像素密度区域和低像素密度区域,摄像头则设置在能够允许更多的光透过的低像素密度区域下方。
例如,图1A示出了一种显示基板的平面示意图,图1B为图1A示出的的显示基板的局部放大示意图,图2示出了图1B中的显示基板沿A-A线的截面示意图。
如图1A、图1B和图2所示,该显示基板的显示区包括并列布置的透光显示区1、周边显示区2以及主体显示区3。
例如,主体显示区3为主要的显示区域,具有较高的分辨率(PPI,Pixel PerInch),即主体显示区3内排布有密度较高的用于显示的子像素。每个子像素包括发光器件以及驱动发光器件的像素电路。透光显示区1可以允许从显示基板显示侧射入的光透过显示基板而到达显示基板的背侧,从而用于位于显示基板背侧设置的传感器(例如图像传感器)等部件的正常工作。
透光显示区1和周边显示区2也包括多个子像素,以用于显示。但是,由于子像素的像素电路包括金属走线、金属电极以及有源层等,因此通常至少部分是不透光的,或者说其透光性不能满足透光显示区1的需求。为了保证透光显示区1的透光性,透光显示区1中子像素(例如图1B中透光显示区1内的方框所示)的像素电路可以设置在周边显示区2,如周边显示区2中的灰色方框所示,因此占据了周边显示区2的部分空间。周边显示区2的剩余空间用于设置周边显示区2自身的子像素,例如周边显示区2中的每一个白色方框代表一个子像素。此时,例如,周边显示区2的子像素(图1B中的白色方框)以及透光显示区1中子像素的像素电路(图1B中的灰色方框)整体上在周边显示区2中排布为阵列。由此,透光显示区1和周边显示区2的分辨率低于主体显示区3的分辨率,即透光显示区1和周边显示区2内排布的用于显示的子像素的密度小于主体显示区3的子像素密度。
如图2所示,透光显示区1中的一个子像素的发光器件4包括阳极4A、阴极4C以及在阳极4A和阴极4C之间的发光层4B,阳极4A通过走线6连接至周边显示区2中的像素电路5,由此发光器件4由像素电路5控制、驱动。像素电路5包括一个或多个薄膜晶体管、电容等结构,在显示基板的平面中,这些结构的各膜层之间具有一定的间隙,即形成许多狭窄的缝隙,在显示基板的显示侧的光线可能通过透光显示区1斜向射入周边显示区2,并经过周边显示区2中的狭缝进入显示基板的背侧设置的传感器(例如图像传感器)中,相当于光线通过了开口率很低的光栅,因此会产生强烈的衍射现象,导致传感器例如在成像时的眩光现象加重,解析度降低,由此影响传感器的正常功能。
本公开至少一实施例提供一种显示基板和显示装置,该显示基板具有用于显示的第一侧和与第一侧相对的第二侧,显示基板包括显示区域,该显示区域包括第一显示区域以及至少部分围绕第一显示区域的第二显示区域,第一显示区域允许来自第一侧的光至少部分透射至第二侧;第一显示区域包括阵列排布的多个第一子像素,每个第一子像素包括第一发光器件,第二显示区域包括多个第一像素电路,多个第一像素电路分别与多个第一子像素的多个第一发光器件电连接,以分别驱动多个第一发光器件;该显示区域还包括第一遮光层,在垂直于显示基板的板面的方向上,第一遮光层与第二显示区域至少部分重叠,第一遮光层与第一显示区域不重叠。由此,在该实施例中,第一遮光层可以遮挡进入第二显示区域的光,以避免光线经过第二显示区域射入设置在显示基板的第二侧的传感器中,从而提高该传感器的感测效果。
下面通过几个具体的实施例对本公开的显示基板和显示装置进行示例性说明。
本公开至少一实施例提供一种显示基板,图3示出了该显示基板的平面示意图。如图3所示,该显示基板具有用于显示的第一侧(即显示侧)和与第一侧相对的第二侧(即非显示侧,又可称为背侧)。该显示基板包括显示区域,该显示区域包括第一显示区域10以及至少部分围绕第一显示区域10的第二显示区域20,第一显示区域10允许来自第一侧的光至少部分透射至第二侧,也即第一显示区域10为透明显示区域,光线可从显示基板的显示侧通过透明显示区域到达非显示侧,非显示侧例如可以设置摄像头、红外感应装置等传感器,该传感器可采集并利用从第一显示区域10透射至非显示侧的光进行感测工作,例如进行成像等。
例如,图4A示出了显示区域中子像素的排布示意图。如图4A所示,第一显示区域10包括阵列排布的多个第一子像素P1,每个第一子像素P1包括第一发光器件EM1,多个第一发光器件EM1排列为阵列;第二显示区域20包括多个第一像素电路D1,多个第一像素电路D1分别与多个第一子像素P1的多个第一发光器件EM1电连接,以分别驱动多个第一发光器件EM1。即,第一显示区域10中的多个第一子像素P1的像素电路设置在第二显示区域20,由此可避免第一显示区域10中设置的结构过多或者具有不透光结构,从而保证第一显示区域10的透光性,有利于透射更多的用于被传感器感测的光,改善感测质量。例如,第二显示区域20还包括多个第二子像素P2,每个第二子像素P2包括第二发光器件EM2以及与第二发光器件EM2电连接的第二像素电路D2,第二像素电路D2配置为驱动第二发光器件EM2。在第二显示区域20中,多个第二像素电路D2呈第一阵列排布,多个第一像素电路D1设置在第一阵列的间隙中,并与多个第二像素电路D2整体排布为第二阵列,即,第一阵列为第二阵列的一个子阵列。例如,多个第一发光器件EM1和多个第二子像素P2(即多个第二发光器件EM2)分别在第一显示区域10和第二显示区域20中排列均匀,由此可以实现第一显示区域10和第二显示区域20整体上均匀发光与显示。
例如,图4B示出了一种具体的第一显示区域和第二显示区域中的子像素的排布示意图。如图4B所示,弧形虚线左侧为第二显示区域20,弧形虚线右侧为第一显示区域10。在第二显示区域20中,多个第二子像素P2的第二像素电路D2呈第一阵列排布,多个第一像素电路D1设置在第一阵列的间隙中,例如设置在虚线圈框出的部分,从而与多个第二像素电路D2整体排布为第二阵列,由此多个子像素P1的多个第一发光器件EM1和多个第二子像素P2(即多个第二发光器件EM2)分别在第一显示区域10和第二显示区域20中排列均匀。
例如,该显示区域还包括第一遮光层,在垂直于显示基板的板面的方向上,第一遮光层与第二显示区域20至少部分重叠,第一遮光层与第一显示区域10不重叠。由此,第一遮光层可以遮挡进入第二显示区域20且经过第二显示区域20中各种走线、电极或有源层之间的狭缝的光,以避免光线经过第二显示区域20到达显示基板的第二侧,从而可以改善传感器的感测质量,例如提高屏下摄像头的拍摄质量。
例如,图5示出了本公开至少一实施例提供的一种显示基板的平面示意图,图6示出了该显示基板沿C-C线的截面示意图。如图5和图6所示,多个第一像素电路中的每个包括第一薄膜晶体管12,第一薄膜晶体管12包括第一有源层121、第一栅极122和第一源漏电极123和124等结构;例如,第一遮光层S1可以与第一源漏电极123和124同层设置,由此可以简化显示基板的制备工艺。
需要注意的是,在本公开的实施例中,“同层设置”为两个功能层或结构层在显示基板的层级结构中同层且同材料形成,例如,在制备工艺中,该两个功能层或结构层可以由同一个材料层形成,且可以通过同一构图工艺形成所需要的图案和结构。
例如,在一些实施例中,如图5和图6所示,第二显示区域20包括至少部分围绕第一显示区域10的第一子区20A以及至少部分围绕第一子区20A的第二子区20B,也即,第二子区20B相比于第一子区20A更远离第一显示区域10。第一遮光层S1设置在第一子区20A中,多个第一像素电路设置在第二子区20B中。例如,第一遮光层S1至少部分覆盖第一子区20A,例如,在一些示例中,第一遮光层S1完全覆盖第一子区20A,由此可以完全遮挡进入第二子区20B的光线。
例如,如图7所示,显示基板还包括多条信号线L,该多条信号线L在显示区域中沿图中的竖直方向延伸,在延伸方向上为了避免与第一显示区域10交叉,多条信号线L弯折并延伸经过第一子区20A,从而绕过第一显示区域10,在该第一子区20A中该多条信号线L例如彼此平行延伸且之间具有狭缝。又例如,该多条信号线L也可以在显示区域中沿图中的水平方向延伸,在延伸方向上为了避免与第一显示区域10交叉,多条信号线L弯折并延伸经过第一子区20A,从而绕过第一显示区域10,在该第一子区20A中该多条信号线L例如彼此平行延伸且之间具有狭缝。如图6所示,第一像素电路还包括第一存储电容13,第一存储电容13包括第一电容极板131和第二电容极板132,第一电容极板131与第一栅极122同层设置,多条信号线L与第一电容极板131或者第二电容极板132同层设置。例如,多条信号线L可以为数据线、扫描线(例如栅线、复位线、发光控制线等)、电源电压线等。
例如,在一些实施例中,如图8所示,第一遮光层S1在显示基板所在平面上的正投影完全覆盖第一子区20A中走线的多条信号线L在显示基板所在平面上的正投影,或者完全覆盖第一子区20A本身在显示基板所在平面上的正投影,从而在垂直于显示基板的板面的方向上,第一遮光层S1与多条信号线L重叠,由此遮挡了这些信号线L之间的一个或多个狭缝。
例如,在一些示例中,第一显示区域10可以为圆形、矩形、跑道形等合适的图形,图中示出为圆形作为示例。例如,第一显示区域10的尺寸D可以为3毫米-4毫米,例如3.2毫米、3.4毫米、3.6毫米等,从而可透过足够的光,例如用于成像。例如,上述第一显示区域10的尺寸可以为圆形的直径、正方形或者长方形的对角线等。例如,第一子区20A的宽度A,也即第一遮光层S1的设置宽度可以为0.1毫米-0.3毫米,例如0.1毫米或者0.2毫米等,从而达到一定的遮光效果,且不影响显示区域的正常显示。
例如,在一些实施例中,显示基板还包括电源线和复位电压线(稍后详述),第一遮光层S1与电源线或者复位电压线电连接。由此,第一遮光层S1中可被输入一定的直流电信号,以避免第一遮光层S1出现悬空状态,从而避免对显示基板上的信号传输造成影响。
例如,在另一些实施例中,第一遮光层S1也可以设置在显示基板的其他位置。
例如,图9是图3中的显示基板沿B-B线的截面示意图。如图9所示,显示基板还包括衬底基板14和第二遮光层S2,多个第一子像素设置在衬底基板14上,第二遮光层S2设置在多个第一像素电路与衬底基板14之间,以遮挡至少部分多个第一像素电路的电路结构,或者遮挡至少部分多个第二像素电路的电路结构。例如,第二遮光层S2至少遮挡第一薄膜晶体管12的有源层121,以避免光线从显示基板的第二侧射入有源层121而影响第一薄膜晶体管12的正常工作。例如,第二遮光层S2上覆盖有绝缘层14A,以与多个第一像素电路间隔;又例如,第二遮光层S2至少遮挡第一像素电路或第二像素电路的不同电极之间的狭缝,或者电极与信号线(例如栅线、数据线、电源线)之间的狭缝等。例如,第一遮光层S1与第二遮光层S2同层设置。例如,第一遮光层S1如上述实施例设置在第一子区20A,从而遮挡多条信号线L之间的一个或多个狭缝。注意,这里的A遮挡B指代的是B在显示基板所在平面上的正投影位于A在显示基板所在平面上的正投影之中。
例如,如图9所示,第一遮光层S1与第二遮光层S2可以间隔设置,或者,在一些实施例中,如图10所示,第一遮光层S1与第二遮光层S2为连续设置的一体化膜层,该一体化膜层在第一显示区域10具有开口,以使得在垂直于显示基板的板面的方向上,第一遮光层S1与第一显示区域10不重叠。
例如,如图11所示,第一遮光层S1与第二遮光层S2的一体化膜层可以完全覆盖除第一显示区域10以外的显示区域,以充分达到遮光作用。
例如,该示例中,第一遮光层S1与第二遮光层S2可以采用铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)等具有良好遮光性的金属材料或者合金材料。
例如,在另一些实施例中,如图12所示,显示基板还包括衬底基板14和散热层SCF,多个第一子像素设置在衬底基板14的第一侧(图中示出为衬底基板14的上侧),散热层SCF设置在衬底基板14的第二侧(图中示出为衬底基板14的下侧),第一侧和第二侧相对。例如,第一遮光层S1与散热层SCF同层设置。例如,第一遮光层S1如上述实施例设置在第一子区20A,从而遮挡多条信号线L之间的一个或多个狭缝。
例如,第一遮光层S1与散热层SCF可以间隔设置,或者,参考图11和图12,第一遮光层S1与散热层SCF可以为连续设置的一体化膜层,该一体化膜层在第一显示区域10具有开口,以使得在垂直于显示基板的板面的方向上,第一遮光层S1与第一显示区域10不重叠。
例如,该示例中,第一遮光层S1与散热层SCF可以采用铜箔等金属层,以同时具有良好的遮光效果和散热效果。例如,在显示基板的制备过程中,可以通过剪切形成具有一定形状与尺寸(例如图11所示的形状和尺寸)的铜箔,然后贴附在衬底基板14的第二侧,以同时实现良好的遮光效果和散热效果。
在本公开的实施例中,如图11所示,将第一遮光层S1与第二遮光层S2设置为连续的一体化膜层或者将第一遮光层S1与散热层SCF设置为连续的一体化膜层,可以达到完全遮挡第二显示区域20的技术效果,进而达到更加充分的遮光作用,提高屏下传感器的工作质量,例如提高屏下摄像头的拍照效果。
例如,在一些实施例中,不同的第一遮光层S1可以同时使用,例如图6、图9、图10以及图12中所示的第一遮光层S1中的任意两个或两个以上可以同时使用,以进一步提高遮光效果。例如,在一些实施例中,可以同时使用图10和图11所示的第一遮光层S1,或者同时使用图6和图11所示的第一遮光层S1,或者同时使用图6和图10第一遮光层S1,或者同时使用图9和图11所示的第一遮光层S1等,也即显示基板同时具有两个或两个以上第一遮光层S1,以进一步提高遮光效果。
例如,在一些实施例中,如图6、图9、图10以及图12所示,第一像素电路包括第一薄膜晶体管12,第一薄膜晶体管12包括第一有源层121、第一栅极122和第一源漏电极123和124,第一发光器件11包括第一电极111、第二电极113以及第一电极111和第二电极113之间的第一发光层112,第一发光器件11的第一电极111通过第一过孔V1与第一源漏电极124电连接。例如,第一发光器件11的第一电极111首先通过第一过孔V1与透明连接电极15电连接,再通过透明连接电极15与第一源漏电极124电连接。
例如,透明连接电极15可以采用透明导电材料,例如透明金属氧化物,例如氧化铟锡(ITO)等,以具有良好的透光性。通常,透明连接电极15比第一电极111具有更好的透光性,因此采用透明连接电极15将第一电极111与第一源漏电极124电连接可以进一步提高第一显示区域10的透光性。
如图13所示,第二像素电路包括第二薄膜晶体管22,第二薄膜晶体管22包括第二有源层221、第二栅极222和第二源漏电极223和224,第二发光器件21包括第一电极211、第二电极213以及第一电极211和第二电极213之间的第二发光层212,第二发光器件21的第一电极211通过第二过孔V2与第二源漏电极223电连接。
例如,在本公开的实施例中,显示基板还包括第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142、层间绝缘层143、第一平坦化层144、第二平坦化层145、像素界定层146以及封装层147等结构,本公开的实施例对显示基板的其他结构不做具体限定。
例如,上述各有源层可以采用非晶硅层、多晶硅层或金属氧化物半导体材料。例如,多晶硅可以为高温多晶硅或低温多晶硅,氧化物半导体可以为氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化镓锌(GZO)等。各栅极可以采用铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)等金属材料或者合金材料,例如形成为单层金属层结构或者多层金属层结构,例如钛/铝/钛等多层金属层结构。各有漏极可以采用铜(Cu)、铝(Al)、钛(Ti)等金属材料或者合金材料,例如形成为单层金属层结构或者多层金属层结构,例如钛/铝/钛等多层金属层结构。
例如,各发光器件的第一电极的材料可以为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化镓锌(GZO)等透明金属氧化物,第二电极的材料可以为锂(Li)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)等金属材料。
衬底基板14可以为玻璃、石英等刚性衬底基板或者聚酰亚胺等柔性衬底基板,第一栅绝缘层141、第二栅绝缘层142和层间绝缘层143可以采用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等无机绝缘材料,第一平坦化层144、第二平坦化层145和像素界定层146可以采用聚酰亚胺、树脂等有机绝缘材料。
封装层147可以包括多个有机封装层和无机封装层的叠层。本公开的实施例对显示基板各功能层的材料和结构不做具体限定。
例如,各发光层可以为有机发光层或者量子点发光层等,由此,显示基板可以实现为有机发光二极管(OLED)显示基板或者量子点发光二极管(QLED)显示基板等,本公开的实施例对显示基板的种类不做具体限定。
例如,在显示基板所在平面内,即在平行于衬底基板14的平面内,第一过孔V1与第一发光层112的发光区域(即第一发光层112的正对夹置在第一电极111和第二电极113之间的区域)的最短距离小于第二过孔V2与第二发光层212的发光区域(即第二发光层212的正对夹置在第一电极211和第二电极213之间的区域)的最短距离。由此缩小第一显示区域10中第一电极111与其经过的过孔V1之间的距离,从而尽量减小第一电极111所占据的空间,增加第一显示区域10的光透过率。
例如,图14示出了第一显示区域10中的四个子像素的发光器件的发光区域和第一电极过孔的平面示意图,该四个子像素组成第一显示区域10中的一个像素单元。例如,该四个子像素包括一个红色子像素R、一个蓝色子像素B和两个绿色子像素G。例如,图15示出了第二显示区域20中的四个子像素的发光器件的发光区域和第一电极过孔的平面示意图,该四个子像素组成一个第二显示区域00中的一个像素单元。例如,该四个子像素包括一个红色子像素R、一个蓝色子像素B和两个绿色子像素G。
例如,以红色子像素R为例,结合图12-图15,第一过孔V1与第一发光层112的发光区域R1的最短距离小于第二过孔V2与第二发光层212的发光区域R2的最短距离d。
例如,在一些实施例中,如图12和图14所示,第一过孔V1在显示基板所在平面内的正投影与第一发光层112的发光区域R1在显示基板所在平面内的正投影至少部分重叠,此时,第一过孔V1与第一发光层112的发光区域R1的最短距离为0。如图13和图15所示,第二过孔V2在显示基板所在平面内的正投影与第二发光层212的发光区域R2在显示基板所在平面内的正投影不重叠,且第二过孔V2与第一发光层112的发光区域R2的最短距离为d,d大于0。
由此,在第一显示区域10中,第一过孔V1与第一发光层112的发光区域R1的距离更近,可避免第一电极111的延伸长度过长而影响第一显示区域10的透光性。
例如,在一些实施例中,如图3和图4A所示,显示区域还包括至少部分围绕第二显示区域20的第三显示区域30,第三显示区域30包括阵列排布的多个第三子像素P3。例如,第三显示区域30中多个第三子像素P3的排布密度大于第一显示区域10中多个第一子像素P1的排布密度,也大于第二显示区域20中多个第二子像素P2的排布密度,从而第三显示区域30具有高于第一显示区域10和第二显示区域20的分辨率。并且,第三显示区域30所占据的面积大于第一显示区域10和第二显示区域20所占据的面积,第三显示区域30实现为显示基板的主体显示区域。
例如,在一些示例中,第一显示区域10中多个第一子像素P1的排布密度等于第二显示区域20中多个第二子像素P2的排布密度。例如,在一个示例中,第三显示区域30中所述多个第三子像素P3的排布密度为第一显示区域10中多个第一子像素P1的排布密度的二倍。
例如,第三显示区域30中的每个第三子像素P3包括第三像素电路和第三发光器件,第三像素电路和第三发光器件的具体结构与第二像素电路和第二发光器件的机构相似,具体可参见图13,这里不再赘述。
例如,在一些实施例中,如图16所示,显示基板还包括分别位于显示区域相对两侧的第一扫描驱动电路(Gate on Array)GOA1和第二扫描驱动电路GOA2,第一扫描驱动电路GOA1和第二扫描驱动电路GOA2共同为在第三显示区域30中的多个第三子像素提供电信号,即在第三显示区域30中,GOA驱动电路采用双边驱动方式,第三显示区域30左右两侧扫描驱动电路相互连通。
例如,第一扫描驱动电路GOA1还为位于第一显示区域10靠近第一扫描驱动电路GOA1一侧的第二显示区域20中的多个第二子像素以及多个第一像素电路提供电信号,例如为图8中虚线左侧的第二显示区域20中的多个第二子像素以及多个第一像素电路提供电信号;第二扫描驱动电路GOA2还为位于第一显示区域10靠近第二扫描驱动电路GOA2一侧的第二显示区域20中的多个第二子像素以及多个第一像素电路提供电信号,例如为图8中虚线右侧的第二显示区域20中的多个第二子像素以及多个第一像素电路提供电信号。也即,对于第一显示区域10和第二显示区域20,GOA驱动电路采用单边驱动方式,第一显示区域10和第二显示区域20两侧的用于为第一显示区域10和第二显示区域20提供电信号的扫描驱动电路不相互连通。
例如,如上所述,显示基板还包括电源线和复位电压线,第一遮光层S1与电源线或者复位电压线电连接,以避免第一遮光层S1出现悬空状态。下面,结合附图示例性介绍显示基板的驱动电路以及电源线和复位电压线的连接关系。
例如,在一些示例中,显示基板中的第一像素电路、第二像素电路、第三像素电路可以采用2T1C、7T1C等像素驱动电路。例如,图17示出了一种7T1C像素电路的电路图。如图17所示,该像素电路包括驱动晶体管T1、数据写入晶体管T2、补偿晶体管T3、存储电容C、第一发光控制晶体管T4、第二发光控制晶体管T5、第一复位晶体管T6和第二复位晶体管T7。
例如,驱动晶体管T1包括控制端、第一端和第二端,其配置为控制流经发光器件EM的驱动电流,且驱动晶体管T1的控制端和第一节点N1连接,驱动晶体管T1的第一端和第二节点N2连接,驱动晶体管T1的第二端和第三节点N3连接。
例如,数据写入晶体管T2包括控制端、第一端和第二端,其控制端配置为接收第一扫描信号Ga1,第一端配置为接收数据信号,第二端与驱动晶体管T1的第一端(第二节点N2)连接,且配置为响应于该第一扫描信号Ga1将该数据信号写入驱动晶体管T1的第一端。例如,数据写入晶体管T2的第一端与数据线连接以接收该数据信号,控制端与扫描线连接以接收该第一扫描信号Ga1。
例如,在数据写入阶段,数据写入晶体管T2可以响应于第一扫描信号Ga1而开启,从而可以将数据信号写入驱动晶体管T1的第一端(第二节点N2),并将数据信号存储在存储电容C中,以在例如发光阶段时可以根据该数据信号生成驱动发光器件EM发光的驱动电流。
例如,补偿晶体管T3包括控制端、第一端和第二端,其控制端配置为接收第二扫描信号Ga2,其第一端和第二端分别与驱动晶体管T1的控制端和第二端电连接,该补偿电路配置为响应于该第二扫描信号进行阈值补偿。
例如,存储电容C与驱动晶体管T1的控制端及第一电压端VDD电连接,配置为存储数据写入晶体管T2写入的数据信号。例如,在数据写入和补偿阶段,补偿晶体管T3可以响应于该第二扫描信号Ga2而开启,从而可以将数据写入晶体管T2写入的数据信号存储在该存储电容C中。例如,同时在数据写入和补偿阶段,补偿晶体管T3可以将驱动晶体管T1的控制端和第二端电连接,从而可以使驱动晶体管T1的阈值电压的相关信息也相应地存储在该存储电路中,从而例如在发光阶段可以利用存储的数据信号以及阈值电压对驱动晶体管T1进行控制,使得驱动晶体管T1的输出得到补偿。
例如,第一发光控制晶体管T4与驱动晶体管T1的第一端(第二节点N2)以及第一电压端VDD连接,且配置为响应于第一发光控制信号将第一电压端VDD的第一电源电压施加至驱动晶体管T1的第一端。例如,第一发光控制晶体管T4和第一发光控制端Em1、第一电压端VDD以及第二节点N2连接。
例如,第二发光控制晶体管T5和第二发光控制端Em2、发光器件EM的第一端以及驱动晶体管T1的第二端连接,且配置为响应于第二发光控制信号使得驱动电流可被施加至发光器件EM。
例如,在发光阶段,第二发光控制晶体管T5响应于第二发光控制端Em2提供的第二发光控制信号而开启,从而驱动晶体管T1可以通过第二发光控制晶体管T5将驱动电流施加至发光器件EM以使其发光;而在非发光阶段,第二发光控制晶体管T5响应于第二发光控制信号而截止,从而避免有电流流过发光器件EM而使其发光,可以提高相应的显示装置的对比度。
又例如,在初始化阶段,第二发光控制晶体管T5也可以响应于第二发光控制信号而开启,从而可以结合复位电路以对驱动晶体管T1以及发光器件EM进行复位操作。
例如,第二发光控制信号Em2可以与第一发光控制信号Em1相同或不同,例如二者可以连接到相同或不同的信号输出端。
例如,第一复位晶体管T6配置为响应于第一复位信号Rst1将第一复位电压Vini1施加到第一节点N1,该第二复位晶体管T7配置为响应于第二复位信号Rst2将第二复位电压Vini2施加到第四节点N4。例如,在初始化阶段,第一复位晶体管T6和第二复位晶体管T7可以响应于复位信号而开启,从而可以将复位电压施加至发光器件EM的第一端及第一节点N1,从而可以对驱动晶体管T1、补偿晶体管T3以及发光器件EM进行复位操作,消除之前的发光阶段的影响。
例如,发光器件EM包括第一端和第二端,发光器件EM的第一端配置为从驱动晶体管T1的第二端接收驱动电流,发光器件EM的第二端配置为与第二电压端VSS连接。例如,发光器件EM的第一端可以连接至第三节点N3。
需要注意的是,第一节点N1、第二节点N2、第三节点N3和第四节点N4并非一定表示实际存在的部件,而是表示电路图中相关电路连接的汇合点。符号Vd既可以表示数据信号端又可以表示数据信号的电平,同样地,符合Ga1、Ga2既可以表示第一扫描信号、第二扫描信号,也可以表示第一扫描信号端和第二扫描信号端,Rst既可以表示复位控制端又可以表示复位信号,符号Vinit既可以表示复位电压端又可以表示复位电压,符号VDD既可以表示第一电压端又可以表示第一电源电压,符号VSS既可以表示第二电压端又可以表示第二电源电压。以下各实施例与此相同,不再赘述。例如,在一些是来自红,第二电压端可以接地,即VSS可以为0V。
例如,第一遮光层S1可以与传输上述第一电源电压VDD或者第二电源电压VSS的电源线电连接,或者与传输复位电压Vini1或Vini2的复位电压线电连接。例如,当第一遮光层S1与电源线或者复位电压线同层设置时,该第一遮光层S1可以通过连接走线直接与电源线或者复位电压线电连接,或者,当第一遮光层S1与电源线或者复位电压线不同层设置时,该第一遮光层S1可以通过过孔与电源线或者复位电压线电连接。
例如,当第一遮光层S1与电源线或者复位电压线在垂直于显示基板的板面的方向交叠时,可以直接在第一遮光层S1与电源线或者复位电压线之间形成过孔,以使第一遮光层S1通过该过孔与电源线或者复位电压线电连接。或者,当第一遮光层S1与电源线或者复位电压线在垂直于显示基板的板面的方向不交叠时,可以将遮光层S1延伸至与电源线或者复位电压线交叠的位置,进而在二者之间形成过孔,并进行电连接;或者,将电源线或者复位电压线延伸至与第一遮光层S1交叠的位置,进而在二者之间形成过孔,并进行电连接。例如,也可以采用连接走线将电源线或者复位电压线引入到与第一遮光层S1交叠的位置,进而在连接走线与第一遮光层S1之间形成过孔,并进行电连接。在本公开的实施例中,可以通过任意合适的方式将第一遮光层S1与电源线或者复位电压线电连接,本公开的实施例对第一遮光层S1与电源线或者复位电压线电连接的方式不做具体限定。由此第一遮光层S1可被传输一定的电源电压或者复位电压,可避免第一遮光层S1出现悬空状态而对显示基板上的信号传输造成影响。
综上,本公开的至少一个实施例提供的显示基板中,第一遮光层可以有效遮挡至少部分进入第二显示区域的光,以避免光线经过第二显示区域射入屏下传感器,例如摄像头,从而改善感测效果,例如提高屏下摄像头的拍摄质量。并且,该第一遮光层可被输入一定的电信号,从而不会影响显示基板中的驱动电路的正常工作。另外,该第一遮光层可以与显示基板中现有的某些功能层同层设置,从而在制备工艺中可以采用相同的材料通过相同的工艺形成,由此还可以简化显示基板的制备工艺,即在不增加显示基板制备难度的情况下,提高了显示基板的屏下传感器,例如摄像头的工质质量,并且还实现了显示基板的窄边框设计。
本公开至少一实施例还提供一种显示装置,如图18A所示,该显示装置包括上述任一的显示基板(图18A中示出为图6中的显示基板作为示例)以及传感器19。传感器19设置于显示基板的第二侧(非显示侧),且传感器配置为接收来自第一侧(显示侧)的光。例如,传感器19可以为摄像头、红外传感器等任意形式的传感器。
例如,图18B示出了本公开至少一实施例提供的另一种显示装置的截面示意图。如图18B所示,该显示装置中的第一遮光层S1与散热层SCF同层设置,例如采用与图12所示的显示基板中第一遮光层S1的设置方式。与图12所示的显示基板不同的是,在图18B中,第一发光器件的第一电极111直接通过暴露源漏极124的过孔与第一源漏极124电连接,从而节省了透明连接电极15以及第二平坦化层145,简化了显示基板的膜层结构。
例如,在一些实施例中,在垂直于显示基板的板面的方向上,传感器19与显示基板的第一显示区域10至少部分重叠,从而可充分接受来自第一侧的光,并基于该光进行工作。由于该显示基板中具有遮挡第二显示区域的第一遮光层,因此该传感器19只接受到从第一显示区域透过的光,可避免光透光第二显示区域达到传感器19而对传感器19的工作造成影响,因此该显示装置的传感器19具有较高的工作质量,例如当传感器19为摄像头时,该摄像头具有较高的拍照质量。
例如,本公开至少一实施例提供的显示装置可以为显示基板、显示面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件,本公开的实施例对此不作限制。
例如,图19A和图19B分别示出了显示装置在没有第一遮光层和有第一遮光层时点光源成像的点扩散函数仿真图,该仿真图描述的是屏下摄像头通过点光源成像后,在成像面的能量分布状态,即能量在上下左右等各个方向(体现在XY坐标中)的弥散分布,由此可以直观地表征点光源眩光情况。如图19A所示,在第二显示区域没有设置第一遮光层时,斜视场角下,光线穿过第二显示区域,类似于通过开口率很小的光栅,此时,点光源成像的中心能量峰值仅10.5,点光源眩光现象严重。如图19B所示,在第二显示区域设置第一遮光层后,斜视场角下,光线只能通过第一显示区域,点光源成像的中心能量峰值大于11,点光源眩光现象得到显著改善。
图20A和图20B示出了显示装置在没有第一遮光层和有第一遮光层时点光源成像在子午面和弧氏面的调制传递函数(Moduation transfer function)图,图中的横坐标数值代表空间频率(即每毫米的空间线对,单位为lp/mm),纵坐标是MTF值,用来表征不同空间频率下的解析度。在相同的空间频率下,MTF值越高,成像解析度越高。在图19A和图19B中,F0曲线为显示装置在没有第一遮光层时点光源成像的调制传递函数曲线,F1曲线为显示装置在设置第一遮光层后点光源成像的调制传递函数曲线,可见,相同的空间频率下,F1曲线的MTF值均高于F0曲线的MTF值,即设置第一遮光层后,显示装置点光源成像的解析度显著提升。
例如,图21A示出了显示装置在没有第一遮光层时点光源成像的眩光实拍照片,图21B示出了显示装置在设置有第一遮光层后点光源成像的眩光实拍照片,通过对比图21A和图21B看出,在设置第一遮光层后,显示装置点光源成像的眩光现象得到明显改善。
还有以下几点需要说明:
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见,在用于描述本公开的实施例的附图中,层或区域的厚度被放大或缩小,即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。
(3)在不冲突的情况下,本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (17)
1.一种显示基板,具有用于显示的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧,所述显示基板包括显示区域,
其中,所述显示区域包括第一显示区域以及至少部分围绕所述第一显示区域的第二显示区域,所述第一显示区域允许来自所述第一侧的光至少部分透射至所述第二侧;
所述第一显示区域包括阵列排布的多个第一子像素,每个第一子像素包括第一发光器件,
所述第二显示区域包括多个第一像素电路,所述多个第一像素电路分别与所述多个第一子像素的多个第一发光器件电连接,以分别驱动所述多个第一发光器件;
其中,所述显示区域还包括第一遮光层,在垂直于所述显示基板的板面的方向上,所述第一遮光层与所述第二显示区域至少部分重叠,所述第一遮光层与所述第一显示区域不重叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板,还包括电源线和复位电压线,
其中,所述第一遮光层与所述电源线或者所述复位电压线电连接。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述多个第一像素电路中的每个包括第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极和第一源漏电极;
所述第一遮光层与所述第一源漏电极同层设置。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其中,所述第二显示区域包括至少部分围绕所述第一显示区域的第一子区以及至少部分围绕所述第一子区的第二子区,
所述第一遮光层设置在所述第一子区中,所述多个第一像素电路设置在所述第二子区中。
5.根据权利要求4所述的显示基板,还包括分别电连接所述多个第一像素电路的多条信号线,所述多条信号线延伸经过所述第一子区,
所述第一像素电路还包括第一存储电容,所述第一存储电容包括第一电容极板和第二电容极板,
所述第一电容极板与所述第一栅极同层设置,所述多条信号线与所述第一电容极板或者所述第二电容极板同层设置。
6.根据权利要求1所述的显示基板,还包括衬底基板和第二遮光层,其中,所述多个第一子像素设置在所述衬底基板上,所述第二遮光层设置在所述多个第一像素电路与所述衬底基板之间,以遮挡至少部分所述多个第一像素电路的电路结构;
所述第一遮光层与所述第二遮光层同层设置。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其中,所述第一遮光层与所述第二遮光层为连续设置的一体化膜层,所述一体化膜层在所述第一显示区域具有开口,以使得在垂直于所述显示基板的板面的方向上,所述第一遮光层与所述第一显示区域不重叠。
8.根据权利要求1所述的显示基板,还包括衬底基板和散热层,其中,所述多个第一子像素设置在所述衬底基板的第一侧,所述散热层设置在所述衬底基板的第二侧,所述第一侧和所述第二侧相对;
所述第一遮光层与所述散热层同层设置。
9.根据权利要求8所述的显示基板,其中,所述第一遮光层与所述散热层为连续设置的一体化膜层,所述一体化膜层在所述第一显示区域具有开口,以使得在垂直于所述显示基板的板面的方向上,所述第一遮光层与所述第一显示区域不重叠。
10.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述第二显示区域还包括多个第二子像素,每个第二子像素包括第二发光器件以及与所述第二发光器件电连接的第二像素电路,所述第二像素电路配置为驱动所述第二发光器件,
在所述第二显示区域中,所述多个第二像素电路呈第一阵列排布,所述多个第一像素电路设置在所述第一阵列的间隙中,并与所述多个第二像素电路整体排布为第二阵列。
11.根据权利要求10所述的显示基板,其中,所述第一像素电路包括第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、第一栅极和第一源漏电极,所述第一发光器件包括第一电极、第二电极以及所述第一电极和所述第二电极之间的第一发光层,所述第一发光器件的第一电极通过第一过孔与所述第一源漏电极电连接;
所述第二像素电路包括第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管包括第二有源层、第二栅极和第二源漏电极,所述第二发光器件包括第一电极、第二电极以及所述第一电极和所述第二电极之间的第二发光层,所述第二发光器件的第一电极通过第二过孔与所述第二源漏电极电连接;
在所述显示基板所在平面内,所述第一过孔与所述第一发光层的发光区域的最短距离小于所述第二过孔与所述第二发光层的发光区域的最短距离。
12.根据权利要求11所述的显示基板,其中,所述第一过孔在所述显示基板所在平面内的正投影与所述第一发光层的发光区域在所述显示基板所在平面内的正投影至少部分重叠。
13.根据权利要求1所述的显示基板,其中,所述显示区域包括至少部分围绕所述第二显示区域的第三显示区域,所述第三显示区域包括阵列排布的多个第三子像素,
其中,所述第三显示区域中所述多个第三子像素的排布密度大于所述第一显示区域中所述多个第一子像素的排布密度,也大于所述第二显示区域中所述多个第二子像素的排布密度。
14.根据权利要求13所述的显示基板,其中,所述第一显示区域中所述多个第一子像素的排布密度等于所述第二显示区域中所述多个第二子像素的排布密度。
15.根据权利要求13所述的显示基板,还包括分别位于所述显示区域相对两侧的第一扫描驱动电路和第二扫描驱动电路,其中,
所述第一扫描驱动电路和第二扫描驱动电路共同为在所述第三显示区域中的多个第三子像素提供电信号;
所述第一扫描驱动电路还为位于所述第一显示区域靠近所述第一扫描驱动电路一侧的第二显示区域中的多个第二子像素和多个第一像素电路提供电信号,所述第二扫描驱动电路还为位于所述第一显示区域靠近所述第二扫描驱动电路一侧的第二显示区域中的多个第二子像素和多个第一像素电路提供电信号。
16.一种显示装置,包括:
权利要求1-15任一所述的显示基板,以及
传感器,
其中,所述传感器设置于所述显示基板的第二侧,且所述传感器配置为接收来自所述第一侧的光。
17.根据权利要求16所述的显示装置,其中,在垂直于所述显示基板的板面的方向上,所述传感器与所述显示基板的第一显示区域至少部分重叠。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210219570.4A CN114582949A (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 显示基板和显示装置 |
CN202010479765.3A CN113745273A (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 显示基板和显示装置 |
US17/626,149 US20220352285A1 (en) | 2020-05-29 | 2021-04-15 | Display substrate and display device |
PCT/CN2021/087545 WO2021238490A1 (zh) | 2020-05-29 | 2021-04-15 | 显示基板和显示装置 |
US17/857,257 US20220344432A1 (en) | 2020-05-29 | 2022-07-05 | Display substrate and display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010479765.3A CN113745273A (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 显示基板和显示装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210219570.4A Division CN114582949A (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 显示基板和显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN113745273A true CN113745273A (zh) | 2021-12-03 |
Family
ID=78725155
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010479765.3A Pending CN113745273A (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 显示基板和显示装置 |
CN202210219570.4A Pending CN114582949A (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 显示基板和显示装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210219570.4A Pending CN114582949A (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 | 显示基板和显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20220352285A1 (zh) |
CN (2) | CN113745273A (zh) |
WO (1) | WO2021238490A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114464757A (zh) * | 2022-02-09 | 2022-05-10 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
WO2023206218A1 (zh) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110634930B (zh) * | 2019-09-27 | 2022-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板和显示装置 |
KR20220001967A (ko) * | 2020-06-30 | 2022-01-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN112258439A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-01-22 | 云谷(固安)科技有限公司 | 一种显示装置及运动物体的图像合成方法 |
US20230320144A1 (en) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and display device |
CN114708798B (zh) * | 2022-03-31 | 2023-06-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
WO2024209622A1 (ja) * | 2023-04-06 | 2024-10-10 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 表示装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090225260A1 (en) * | 2008-03-04 | 2009-09-10 | Masaya Adachi | Liquid crystal display device |
CN110061014A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-07-26 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110070801A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-07-30 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110504289A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-11-26 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN111129102A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-08 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006156035A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
KR102497541B1 (ko) * | 2015-11-18 | 2023-02-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
JP6854625B2 (ja) * | 2016-11-04 | 2021-04-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2019062236A1 (zh) * | 2017-09-30 | 2019-04-04 | 昆山国显光电有限公司 | 显示屏、显示屏驱动方法及其显示装置 |
KR102532307B1 (ko) * | 2017-11-02 | 2023-05-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR102422750B1 (ko) * | 2017-12-06 | 2022-07-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
US20220140040A1 (en) * | 2019-06-28 | 2022-05-05 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel, manufacturing method thereof and display device |
CN110289299B (zh) * | 2019-06-28 | 2021-06-08 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN116867324A (zh) * | 2019-09-30 | 2023-10-10 | 武汉天马微电子有限公司 | 有机发光显示面板及有机发光显示装置 |
CN110767729A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-02-07 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示装置及电子设备 |
EP4068381A4 (en) * | 2019-11-29 | 2023-01-25 | BOE Technology Group Co., Ltd. | DISPLAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MAKING IT, AND DISPLAY DEVICE |
CN111129100B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-06-24 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN111180494B (zh) * | 2020-01-03 | 2023-05-26 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
-
2020
- 2020-05-29 CN CN202010479765.3A patent/CN113745273A/zh active Pending
- 2020-05-29 CN CN202210219570.4A patent/CN114582949A/zh active Pending
-
2021
- 2021-04-15 WO PCT/CN2021/087545 patent/WO2021238490A1/zh active Application Filing
- 2021-04-15 US US17/626,149 patent/US20220352285A1/en active Pending
-
2022
- 2022-07-05 US US17/857,257 patent/US20220344432A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20090225260A1 (en) * | 2008-03-04 | 2009-09-10 | Masaya Adachi | Liquid crystal display device |
CN110061014A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-07-26 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110070801A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-07-30 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
CN110504289A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-11-26 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN111129102A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-08 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114464757A (zh) * | 2022-02-09 | 2022-05-10 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN114464757B (zh) * | 2022-02-09 | 2024-03-26 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
WO2023206218A1 (zh) * | 2022-04-28 | 2023-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114582949A (zh) | 2022-06-03 |
WO2021238490A1 (zh) | 2021-12-02 |
US20220344432A1 (en) | 2022-10-27 |
US20220352285A1 (en) | 2022-11-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN113745273A (zh) | 显示基板和显示装置 | |
JP7453254B2 (ja) | 表示基板及び表示装置 | |
CN113196374B (zh) | 显示基板及显示装置 | |
US20220352292A1 (en) | Display substrate and display device | |
US20240334797A1 (en) | Display substrate and display apparatus | |
CN114679914B (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
EP4095937B1 (en) | Display substrate and display device | |
WO2022001435A1 (zh) | 显示基板和显示装置 | |
CN112186021A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
WO2022001434A1 (zh) | 显示面板和显示装置 | |
US20230012412A1 (en) | Display substrate and method of manufacturing the same, and display device | |
EP4068378A1 (en) | Display substrate and manufacturing method therefor, and display device | |
WO2021254049A1 (zh) | 显示基板和显示装置 | |
CN115666176A (zh) | 显示装置 | |
WO2022082375A1 (zh) | 显示基板和显示装置 | |
WO2023230805A1 (zh) | 显示基板以及显示装置 | |
EP4336987A1 (en) | Display substrate and manufacturing method therefor, and display device | |
WO2023230811A1 (zh) | 显示基板以及显示装置 | |
US20230354655A1 (en) | Display Substrate, Preparation Method Thereof, and Display Apparatus | |
KR20240053914A (ko) | 표시 장치 및 표시 패널 | |
JP2024096015A (ja) | 表示装置 | |
KR20240118420A (ko) | 표시 장치 및 표시 패널 | |
CN113257870A (zh) | 显示装置和制造显示装置的方法 | |
CN115943488A (zh) | 显示基板及其制作方法和显示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |