JP2024096015A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置においてフレアの発生を抑制する。
【解決手段】本開示の実施形態は、表示装置に関し、より詳細には、曲線状のアノード延長ラインを含むことにより、カメラの使用時に、フレアが発生するのを抑制することができる表示装置を提供することができる。
【選択図】図１１

Description

本開示は、表示装置に関する。

技術の発展に伴い、表示装置は、画像表示機能の他に、撮影機能及び各種の感知機能などを提供することができる。このためには、表示装置は、カメラ及び／又は感知センサなどの光学電子装置（受光装置又はセンサともいう）を備えることができる。

光学電子装置は、表示装置の前面からの光を受光しなければならないため、受光が有利なところに設置しなければならない。したがって、従来、表示装置の前面に、カメラ（カメラレンズ）及び感知センサが、露出されるように設けられるしかなかった。このため、表示パネルのベゼルが広くなったり、表示パネルの表示領域に、切り欠き部又は物理的な穴が形成され、そこにカメラ又は感知センサが設けられている。

したがって、前面の光を受け取って、所定の機能を果たすカメラや感知センサなどの光学電子装置が、表示装置に備えられることにより、表示装置の前面部のベゼルが大きくなったり、表示装置の前面設計に制約が生じる可能性がある。

ディスプレイ技術の分野において、表示パネルの表示領域の面積を減少することなく、カメラや感知センサなどの光学電子装置を備えるための技術が研究されている。表示パネルの表示領域の下に、光学電子装置を備え、表示装置の前面に光学電子装置が露出されることなく、光学電子装置が正常に光を受け取ることができる光透過の構造を有する表示装置が提供され得る。しかしながら、このような表示装置の光学電子装置を用いる場合、表示装置の配線構造により光をスムーズに受光しにくいという問題があった。特に、表示領域の下でカメラを使用した場合、表示装置の配線構造により、フレアが発生するという問題があった。したがって、本明細書の発明者らは、表示領域の面積を減らすことなく、カメラを備えながらも、カメラを使用してもフレアの発生を抑制することができる表示装置を発明した。

一般に、本開示は、カメラと共に使用するのに適したディスプレイ装置を提供する。ディスプレイ装置は、ディスプレイ装置の光学領域を通して、光を効果的に伝達するように設計されている。特に、ディスプレイ装置は、曲線状を有するアノード延長ラインを含むことによって、フレアを抑制することができる能力を有することができる。

本開示の実施形態は、表示領域、カソード電極、第１の発光素子、第１のサブピクセル回路部、及びアノード延長ラインを含む表示装置を提供することができる。

表示領域は、第１の光学領域及び第１の光学ベゼル領域を含むことができる。第１の光学ベゼル領域は、第１の光学領域の外郭に位置することができる。表示領域は、第１の光学領域と第１の光学ベゼル領域とを含むことができる。第１の光学ベゼル領域は、第１の光学領域の外側に配置されてもよく、例えば、第１の光学領域を囲んでいてもよい。第１の光学領域は、光を効果的に伝達するように構成することができる。第１の光学領域は、第１の光学ベゼル領域よりも高い透光率を有することができる。第１の光学ベゼル領域は、光を通過させないように構成することができる。表示領域は、さらに一般領域を含むことができる。一般領域は、第１の光学ベゼル領域を囲むことができる。各一般領域、第１の光学領域、及び第１の光学ベゼル領域は、光を発散するように構成することができ、例えば、イメージを表示することができる。即ち、第１の光学領域、第１の光学ベゼル領域、及び一般領域は、装置の表示領域を形成することができる。一般領域は、光を通過させないように構成できる。非表示領域は、表示領域の外側（例えば、周辺端）に設けることができる。非表示領域は、光を発散しないように構成できる。

カソード電極は、第１の光学領域内に複数のカソードホールを含むことができる。カソードホールは、カソードを通って光を伝達するために、拡張された開放孔を含むことができる。カソードは、第１の光学ベゼル領域と一般領域に拡張することができ、第１の光学ベゼル領域と一般領域には、カソードホールがなくてもよい。

第１の発光素子は、第１の光学領域に位置し、第１のアノード電極を含むことができる。第１の発光素子は、光を発散するように構成された要素（例えば、ピクセル又はサブピクセル）であり得る。第１の発光素子は、表示装置で対応する発光領域を定義することができる。

第１のサブピクセル回路部は、第１の光学ベゼル領域に配置することができる。第１のサブピクセル回路部は、第１のサブピクセルを駆動するように構成された回路であり得る。

アノード延長ラインは、第１のサブピクセル回路部と、第１のアノード電極を電気的に接続することができる。アノード延長ラインは、カソードホールと重ならないように配置することができる。

アノード延長ラインの形状は、曲線状であり得る。

アノード延長ラインは、第１の光学領域を横切る第１方向に拡張することができ、各アノード延長ラインは、当該アノード電極との接続点で終端することができる。

単位面積当たりのアノード延長ラインの数は、第１の光学領域の端から、第１の光学領域の中央に向かって減少することができる。

複数のアノード延長ラインは、複数のグループに分けられ、各複数のグループの厚さは、第１の光学領域の端から、第１の光学領域の中央に向かって減少することができる。

本発明は、添付の請求項に定義されている。

本開示によれば、曲線状のアノード延長ラインを含むことで、表示装置の下で提供されるカメラ使用時のフレアの発生を抑制することができる表示装置を提供することができる。

本開示によれば、追加の工程を導入することなく、アノード延長ラインを形成することによって、工程の最適化された表示装置を提供することができる。

本開示の実施形態による表示装置を示す。 本開示の実施形態による表示装置を示す。 本開示の実施形態による表示装置を示す。 本開示の実施形態による表示装置のシステムの構成図である。 本開示の実施形態による表示パネルの概略図である。 本開示の実施形態による表示パネルにおいて、一般領域、第１の光学ベゼル領域、及び第１の光学領域を概略的に示す。 本開示の実施形態による表示パネルにおいて、一般領域、第１の光学ベゼル領域、及び第１の光学領域のそれぞれに配置された発光素子と、発光素子を駆動するためのサブピクセル回路部とを示す。 本開示の実施形態による表示パネルにおいて、一般領域、第１の光学ベゼル領域、及び第１の光学領域のそれぞれに配置された発光素子と、発光素子を駆動するためのサブピクセル回路部とを示す。 本開示の実施形態による表示パネルにおいて、一般領域、光学ベゼル領域及び光学領域の平面図である。 本開示の実施形態による表示パネルの断面図であって、表示パネルの第１の光学ベゼル領域及び第１の光学領域における断面図である。 本開示の実施形態による表示パネルの断面図であって、表示パネルの第１の光学ベゼル領域及び第１の光学領域における断面図である。 本開示の比較例による表示装置の第１の光学領域の平面図である。 本開示の実施形態による表示装置の第１の光学領域の平面図である。 図１１に示す平面図の一部領域を拡大した平面図である。 図１１に示す平面図の一部領域を拡大した平面図である。 本開示の実施形態によるアノード延長ラインの断面を概略的に示す図である。 本開示の実施形態によるアノード延長ラインの断面を概略的に示す図である。 本開示の実施形態による表示装置の断面図である。 本開示の実施形態による表示装置の断面図である。 本開示の実施形態による表示装置の断面図である。 本開示の実施形態によるアノード延長ラインの形状によるフレア抑制効果を説明する図である。 本開示の実施形態によるアノード延長ラインの形状によるフレア抑制効果を説明する図である。

以下、本開示の一部の実施形態を、例示的な図面を参照して詳細に説明する。各図面の構成要素に参照符号を付け加えるにおいて、同一の構成要素については、たとえ他の図面上に表示されていても、可能な限り同一の符号を付することができる。なお、本開示を説明するに当たって、関連する公知の構成又は機能の具体的な説明が、本開示の要旨を曖昧にすることがあると判断される場合、その詳細な説明は省略する。本明細書上で言及した「含む」、「有する」、「からなる」などが使用される場合、「～のみ」が使用されない限り、他の部分が追加されてもよい。構成要素を単数として表現した場合に、特に明示的な記載事項がない限り、複数が含まれる場合を含むことができる。

また、本開示の構成要素を説明するにあたって、第１、第２、Ａ、Ｂ、（ａ）、（ｂ）などの用語を使用することができる。これらの用語は、その構成要素を他の構成要素と区別するための任意のラベルとして用いられたものであるだけで、その用語によって当該構成要素の本質、順番、順序又は数などが限定されない。

構成要素の位置関係についての説明において、２つ以上の構成要素が、「連結」、「結合」又は「接続」されると記載されている場合、２つ以上の構成要素が、直接「連結」、「結合」又は「接続」され得るが、２つ以上の構成要素と他の構成要素とが、さらに「介在」され、「連結」、「結合」又は「接続」されることも可能であることを理解されたい。ここで、他の構成要素は、互いに「連結」、「結合」又は「接続」される２つ以上の構成要素のうち１つ以上に含まれてもよい。

構成要素や、動作方法や作製方法などに関する時間的流れの関係の説明において、例えば、「～後に」、「～に続いて」、「～次に」、「～前に」などで、時間的先後関係又は流れ的前後関係が説明される場合、「直ちに」又は「直接」が使用されていない限り、連続的でない場合も含み得る。

一方、構成要素に関する数値又はその対応情報（例えば、レベルなど）が言及されている場合、別途の明示的な記載がなくても、数値又はその対応情報は、各種要因（例えば、工程上の要因、内部又は外部の衝撃、ノイズなど）によって発生できる誤差の範囲を含むと解釈され得る。

以下、添付の図面を参照して、本開示の様々な実施形態を詳細に説明する。

図１ａ、図１ｂ及び図１ｃは、本開示の実施形態による表示装置１００を示す。

図１ａ、図１ｂ及び図１ｃを参照すると、本開示の実施形態による表示装置１００は、映像を表示する表示パネル１１０と、１つ以上の光学電子装置１１、１２とを含むことができる。

表示パネル１１０は、映像が表示される表示領域ＤＡと、映像が表示されない非表示領域ＮＤＡとを含むことができる。

表示領域ＤＡには、複数のサブピクセルが配置され、複数のサブピクセルを駆動するための様々な信号ラインが配置されることができる。

非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの外側領域であってもよい。非表示領域ＮＤＡには、各種信号ラインが配置されることができ、各種駆動回路が接続されることができる。非表示領域ＮＤＡは、曲げられ、前面から見えなくなるか、又はケース（図示せず）によって覆われる。非表示領域ＮＤＡは、ベゼル（Ｂｅｚｅｌ）又はベゼル領域とも呼ばれる。

図１ａ、図１ｂ及び図１ｃを参照すると、本開示の実施形態による表示装置１００において、１つ以上の光学電子装置１１、１２は、表示パネル１１０とは別個に具備及び設置され、表示パネル１１０の下部（視聴面の反対側）に位置する電子部品である。

光は、表示パネル１１０の前面（視聴面）に入り、表示パネル１１０を透過して、表示パネル１１０の下部（視聴面の反対側）に位置する１つ以上の光学電子装置１１、１２に伝達され得る。例えば、表示パネル１１０を透過する光は、可視光線、赤外線、又は紫外線を含み得る。

一つ以上の光学電子装置１１、１２は、表示パネル１１０を透過した光を受信し、受信した光に応じて、所定の機能を行う装置であってもよい。例えば、１つ以上の光学電子装置１１、１２は、カメラ（イメージセンサ）などの撮像装置、近接センサ、照度センサなどの感知センサなどのうち１つ以上を含み得る。ここで、例えば、感知センサは、赤外線センサであり得る。

図１ａ、図１ｂ及び図１ｃを参照すると、本開示の実施形態による表示パネル１１０において、表示領域ＤＡは、一般領域ＮＡと、１つ以上の光学領域ＯＡ１、ＯＡ２とを含み得る。１つ以上の光学領域ＯＡ１、ＯＡ２は、１つ以上の光学電子装置１１、１２と重なる領域であり得る。

図１ａの例示によれば、表示領域ＤＡは、一般領域ＮＡと第１の光学領域ＯＡ１とを含み得る。ここで、第１の光学領域ＯＡ１の少なくとも一部は、第１の光学電子装置１１と重畳し得る。

図１ｂの例示によれば、表示領域ＤＡは、一般領域ＮＡ、第１の光学領域ＯＡ１、及び第２の光学領域ＯＡ２を含み得る。図１ｂの例では、第１の光学領域ＯＡ１と第２の光学領域ＯＡ２との間には、一般領域ＮＡが存在し得る。ここで、第１の光学領域ＯＡ１の少なくとも一部は、第１の光学電子装置１１と重なり、第２の光学領域ＯＡ２の少なくとも一部は、第２の光学電子装置１２と重なり得る。

図１ｃの例示によれば、表示領域ＤＡは、一般領域ＮＡ、第１の光学領域ＯＡ１、及び第２の光学領域ＯＡ２を含み得る。図１ｃの例示では、第１の光学領域ＯＡ１と第２の光学領域ＯＡ２との間には、一般領域ＮＡが存在しない。すなわち、第１の光学領域ＯＡ１と第２の光学領域ＯＡ２とは、互いに接している。ここで、第１の光学領域ＯＡ１の少なくとも一部は、第１の光学電子装置１１と重なり、第２の光学領域ＯＡ２の少なくとも一部は、第２の光学電子装置１２と重なり得る。

一つ以上の光学領域ＯＡ１、ＯＡ２は、映像表示構造と光透過構造との両方が形成されていなければならない。すなわち、１つ以上の光学領域ＯＡ１、ＯＡ２は、表示領域ＤＡの一部領域であるので、１つ以上の光学領域ＯＡ１、ＯＡ２には、映像表示のためのサブピクセルの発光領域が配置されなければならない。そして、１つ以上の光学領域ＯＡ１、ＯＡ２には、１つ以上の光学電子装置１１、１２に、光を透過させるための光透過の構造が形成されなければならない。

一つ以上の光学電子装置１１、１２は、光受信が必要な装置であるが、表示パネル１１０の後方（下、視聴面の反対側）に位置し、表示パネル１１０を透過した光を受信するようになる。一つ以上の光学電子装置１１、１２は、表示パネル１１０の前面（視聴面）に露出されない。したがって、ユーザが表示装置１１０の前面を見るとき、光学電子装置１１、１２は、ユーザに見えない。

例えば、第１の光学電子装置１１は、カメラであってもよく、第２の光学電子装置１２は、近接センサ、照度センサなどの感知センサであってもよい。例えば、感知センサは、赤外線を感知する赤外センサであり得る。逆に、第１の光学電子装置１１が感知センサであってもよく、第２の光学電子装置１２は、カメラであってもよい。

以下、説明の便宜上、第１の光学電子装置１１がカメラであり、第２の光学電子装置１２は、赤外線ベースの感知センサであることを例として説明する。ここで、カメラは、カメラレンズ又はイメージセンサであり得る。

第１の光学電子装置１１がカメラの場合、このカメラは、表示パネル１１０の後方（下部）に位置するが、表示パネル１１０の前面方向を撮影する前面カメラ（Ｆｒｏｎｔ ｃａｍｅｒａ）であってもよい。したがって、ユーザは、表示パネル１１０の視聴面を見ながら、視聴面に見えないカメラに介して、撮影することができる。

表示領域ＤＡに含まれる一般領域ＮＡ及び１つ以上の光学領域ＯＡ１、ＯＡ２は、映像表示の可能な領域であるが、一般領域ＮＡは、光透過の構造が形成される必要のない領域であり、１つ以上の光学領域ＯＡ１、ＯＡ２は、光透過の構造が形成されるべき領域である。

したがって、１つ以上の光学領域ＯＡ１、ＯＡ２は、一定のレベル以上の透過率を有するべきであり、一般領域ＮＡは、光透過性を有さないか、又は一定のレベル未満の低い透過率を有することができる。

例えば、１つ以上の光学領域ＯＡ１、ＯＡ２と、一般領域ＮＡとは、解像度、サブピクセル配置構造、単位面積当たりのサブピクセル数、電極構造、ライン構造、電極配置構造、又はライン配置構造などが、互いに異なっていてもよい。

例えば、１つ以上の光学領域ＯＡ１、ＯＡ２における単位面積当たりのサブピクセル数は、一般領域ＮＡにおける単位面積当たりのサブピクセル数より小さくてもよい。すなわち、１つ以上の光学領域ＯＡ１、ＯＡ２の解像度は、一般領域ＮＡの解像度より低くてもよい。ここで、単位面積当たりのサブピクセル数は、解像度又はピクセル密度又はピクセル集積度と同じ意味であり得る。例えば、単位面積当たりのサブピクセル数の単位は、１インチ（ｉｎｃｈ）内のピクセル数を意味するＰＰＩ（Ｐｉｘｅｌｓ Ｐｅｒ Ｉｎｃｈ）とも言える。

例えば、第１の光学領域ＯＡ１内の単位面積当たりのサブピクセル数は、一般領域ＮＡ内の単位面積当たりのサブピクセル数より少なくてもよい。第２の光学領域ＯＡ２内の単位面積当たりのサブピクセル数は、第１の光学領域ＯＡ１内の単位面積当たりのサブピクセル数以上であり、一般領域ＮＡ内の単位面積当たりのサブピクセル数より少なくてもよい。

一方、第１の光学領域ＯＡ１と第２の光学領域ＯＡ２のうち少なくとも１つの透過率を高めるための１つの方法として、前述したように、ピクセル密集度差分設計方式を適用することができる。ピクセル密集度差分設計方式によれば、第１の光学領域ＯＡ１と第２の光学領域ＯＡ２のうち少なくとも１つの単位面積当たりのサブピクセル数が、一般領域ＮＡの単位面積当たりのサブピクセル数より少ないように、表示パネル１１０を設計することができる。

しかしながら、場合によっては、これとは異なり、第１の光学領域ＯＡ１と第２の光学領域ＯＡ２のうち少なくとも１つの透過率を高めるための他の方法として、ピクセルサイズ差分設計方式を適用することができる。ピクセルサイズ差分設計方式によれば、第１の光学領域ＯＡ１及び第２の光学領域ＯＡ２のうち少なくとも１つの単位面積当たりのサブピクセル数が、一般領域ＮＡの単位面積当たりのサブピクセル数と同一又は類似であるものの、第１の光学領域ＯＡ１及び第２の光学領域ＯＡ２のうち少なくとも１つに配置された各サブピクセルＳＰのサイズ（すなわち、発光領域サイズ）が、一般領域ＮＡに配置された各サブピクセルＳＰのサイズ（すなわち、発光領域のサイズ）より小さくなるように、表示パネル１１０を設計することができる。

以下、説明の便宜のために、第１の光学領域ＯＡ１と第２の光学領域ＯＡ２のうち少なくとも１つの透過率を高めるための２つの方法（ピクセル密集度差分設計方式、ピクセルサイズ差分設計方式）のうち、ピクセル密集度差分設計方式が適用されたものと仮定して説明する。したがって、以下では、単位面積当たりのサブピクセル数が少ないことは、サブピクセルのサイズが小さいことと対応する表現であり得、単位面積当たりのサブピクセル数が多いことは、サブピクセルのサイズが大きいことと対応する表現であり得る。

第１の光学領域ＯＡ１は、円形、楕円形、四角形、六角形、又は八角形などの様々な形状を有することができる。第２の光学領域ＯＡ２は、円形、楕円形、四角形、六角形、又は八角形などの様々な形状を有することができる。第１の光学領域ＯＡ１及び第２の光学領域ＯＡ２は、同じ形状を有してもよく、異なる形状を有してもよい。

図１ｃを参照すると、第１の光学領域ＯＡ１及び第２の光学領域ＯＡ２が接している場合、第１の光学領域ＯＡ１及び第２の光学領域ＯＡ２を含む全光学領域も、円形、楕円形、四角形、六角形、又は八角形などの様々な形状を有することができる。以下、説明の便宜のために、第１の光学領域ＯＡ１及び第２の光学領域ＯＡ２は各々、円形であることを例にする。

本開示の実施形態による表示装置１００において、外部に露出せず、表示装置１００の下部に隠れている第１の光学電子装置１１が、カメラである場合、本開示の実施形態による表示装置１００は、ＵＤＣ（Ｕｎｄｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃａｍｅｒａ）技術が適用されたディスプレイと言える。

これによれば、本開示の実施形態による表示装置１００の場合、表示パネル１１０に、カメラ露出のためのノッチ（Ｎｏｔｃｈ）又はカメラホールが形成されなくてもよいため、表示領域ＤＡの面積の減少は、発生しない。これにより、表示パネル１１０にカメラ露出のためのノッチ（Ｎｏｔｃｈ）又はカメラホールが形成されなくてもよいため、ベゼル領域のサイズを減少することができ、設計の制約事項がなくなり、デザイン設計の自由度が高まり得る。

本開示の実施形態による表示装置１００では、１つ以上の光学電子装置１１、１２が、表示パネル１１０の後方に隠れて配置されているにもかかわらず、１つ以上の光学電子装置１１、１２は、正常に光を受信して、所定の機能を正常に実行できなければならない。

また、本開示の実施形態による表示装置１００では、１つ以上の光学電子装置１１、１２が、表示パネル１１０の後方に隠れて配置され、表示領域ＤＡと重なって配置されているにもかかわらず、表示領域ＤＡにおいて、１つ以上の光学電子装置１１、１２と重なる１つ以上の光学領域ＯＡ１、ＯＡ２で、正常の映像表示が可能でなければならない。

以上で言及した第１の光学領域ＯＡ１は、透過可能な領域として設計されているので、第１の光学領域ＯＡ１における映像表示特性は、一般領域ＮＡにおける映像表示特性と異なっていてもよい。

また、第１の光学領域ＯＡ１の設計時に、映像表示特性を改善するための設計をすると、第１の光学領域ＯＡ１の透過率が低下する可能性もある。

したがって、本開示の実施形態は、第１の光学領域ＯＡ１と一般領域ＮＡとの間の映像品質のばらつきが発生せず、第１の光学領域ＯＡ１における透過率を向上させることができる第１の光学領域ＯＡ１の構造を提示する。

さらに、本開示の実施形態は、第１の光学領域ＯＡ１だけでなく、第２の光学領域ＯＡ２に対しても、第２の光学領域ＯＡ２における映像品質を向上させ、第２の光学領域ＯＡ２における透過率を向上させることができる第２の光学領域ＯＡ２の構造を提示する。

なお、本開示の実施形態による表示装置１００において、第１の光学領域ＯＡ１と第２の光学領域ＯＡ２とは、光透過可能領域である点で同様であるが、活用例が異なっていてもよい。したがって、本開示の実施形態による表示装置１００では、第１の光学領域ＯＡ１の構造と、第２の光学領域ＯＡ２の構造とは、互いに異なるように設計されてもよい。

図２は、本開示の実施形態による表示装置１００のシステム構成図である。

図２を参照すると、表示装置１００は、映像表示のための構成要素であって、表示パネル１１０とディスプレイ駆動回路とを含み得る。

ディスプレイ駆動回路は、表示パネル１１０を駆動するための回路であり、データ駆動回路２２０、ゲート駆動回路２３０、及びディスプレイコントローラ２４０などを含み得る。

表示パネル１１０は、映像が表示される表示領域ＤＡと、映像が表示されない非表示領域ＮＤＡとを含み得る。非表示領域ＮＤＡは、表示領域ＤＡの外郭領域であってもよく、ベゼル領域とも言える。非表示領域ＮＤＡの全部又は一部は、表示装置１００の前面から見える領域であるか、曲げられて表示装置１００の前面から見えない領域でもあり得る。

表示パネル１１０は、基板ＳＵＢと、基板ＳＵＢ上に配置された複数のサブピクセルＳＰとを含み得る。さらに、表示パネル１１０は、複数のサブピクセルＳＰを駆動するために、様々な種類の信号ラインをさらに含み得る。

本開示の実施形態による表示装置１００は、液晶表示装置などであってもよく、表示パネル１１０が自己発光する自発光表示装置であってもよい。本開示の実施形態による表示装置１００が、自発光表示装置である場合、複数のサブピクセルＳＰのそれぞれは、発光素子を含み得る。例えば、本開示の実施形態による表示装置１００は、発光素子が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）で構成された有機発光表示装置であってもよい。他の例として、本開示の実施形態による表示装置１００は、発光素子が無機物ベースの発光ダイオードで構成された無機発光表示装置であってもよい。さらに別の例として、本開示の実施形態による表示装置１００は、発光素子が自ら光を出す半導体結晶である量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｏｔ）で構成された量子ドット表示装置であってもよい。

表示装置１００のタイプによって、複数のサブピクセルＳＰのそれぞれの構造が変わり得る。例えば、表示装置１００が、サブピクセルＳＰの光を自ら出す自発光表示装置の場合、各サブピクセルＳＰは、自ら光を出す発光素子、１つ以上のトランジスタ、及び１つ以上のキャパシタを含み得る。

例えば、いくつかの種類の信号ラインは、データ信号（データ電圧又は映像信号ともいう）を伝達する複数のデータラインＤＬ、及び、ゲート信号（スキャン信号ともいう）を伝達する複数のゲートラインＧＬなどを含み得る。

複数のデータラインＤＬと複数のゲートラインＧＬとは、互いに交差することができる。複数のデータラインＤＬのそれぞれは、第１方向に延びながら配置されることができる。複数のゲートラインＧＬの各々は、第１方向と垂直であってもよい第２方向に延びながら配置されることができる。ここで、第１方向は、列（Ｃｏｌｕｍｎ）方向であり、第２方向は、行（Ｒｏｗ）方向であり得る。又は、第１方向は、行方向であってもよく、第２方向は、列方向であってもよい。

データ駆動回路２２０は、複数のデータラインＤＬを駆動するための回路であり、複数のデータラインＤＬに、データ信号を出力することができる。ゲート駆動回路２３０は、複数のゲートラインＧＬを駆動するための回路であって、複数のゲートラインＧＬに、ゲート信号を出力することができる。

ディスプレイコントローラ２４０は、データ駆動回路２２０及びゲート駆動回路２３０を制御するための装置であって、複数のデータラインＤＬに対する駆動タイミングと、複数のゲートラインＧＬに対する駆動タイミングとを制御することができる。

ディスプレイコントローラ２４０は、データ駆動回路２２０を制御するために、データ駆動制御信号ＤＣＳをデータ駆動回路２２０に供給し、ゲート駆動回路２３０を制御するために、ゲート駆動制御信号ＧＣＳをゲート駆動回路２３０に供給することができる。

ディスプレイコントローラ２４０は、ホストシステム２５０から入力映像データを受信し、入力映像データに基づいて、映像データＤａｔａをデータ駆動回路２２０に供給することができる。

データ駆動回路２２０は、ディスプレイコントローラ２４０からデジタル形式の映像データＤａｔａを受信し、受信した映像データＤａｔａをアナログ形式のデータ信号に変換して、複数のデータラインＤＬに出力することができる。

ゲート駆動回路２３０は、各種のゲート駆動制御信号ＧＣＳとともに、ターンオンレベル電圧に対応する第１のゲート電圧、及び、ターンオフレベル電圧に対応する第２のゲート電圧を供給され、ゲート信号を生成し、生成されたゲート信号を複数のゲートラインＧＬに供給することができる。

例えば、データ駆動回路２２０は、テープオートメイテッドボンディング（ＴＡＢ：Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式で、表示パネル１１０と接続されるか、チップオンガラス（ＣＯＧ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）又はチップオンパネル（ＣＯＰ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｐａｎｅｌ）方式で、表示パネル１１０のボンディングパッド（Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｐａｄ）に接続されるか、チップオンフィルム（ＣＯＦ：Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式で構成されて、表示パネル１１０と接続され得る。

ゲート駆動回路２３０は、テープオートメイテッドボンディング（ＴＡＢ）方式で、表示パネル１１０と接続されるか、チップオンガラス（ＣＯＧ）又はチップオンパネル（ＣＯＰ）方式で、表示パネル１１０のボンディングパッド（Ｂｏｎｄｉｎｇ Ｐａｄ）に接続されるか、チップオンフィルム（ＣＯＦ）方式に従って表示パネル１１０と接続され得る。又は、ゲート駆動回路２３０は、ゲートインパネル（ＧＩＰ：Ｇａｔｅ Ｉｎ Ｐａｎｅｌ）タイプで、表示パネル１１０の非表示領域ＮＤＡに形成されてもよい。ゲート駆動回路２３０は、基板上に配置されてもよく、基板に接続されてもよい。すなわち、ゲート駆動回路２３０は、ＧＩＰタイプの場合、基板の非表示領域ＮＤＡに配置することができる。ゲート駆動回路２３０は、チップオンガラス（ＣＯＧ）タイプ、チップオンフィルム（ＣＯＦ）タイプなどであれば、基板に接続することができる。

一方、データ駆動回路２２０及びゲート駆動回路２３０のうち少なくとも１つの駆動回路は、表示パネル１１０の表示領域ＤＡに配置されてもよい。例えば、データ駆動回路２２０及びゲート駆動回路２３０のうち少なくとも１つの駆動回路は、サブピクセルＳＰと重ならないように配置されてもよく、サブピクセルＳＰと一部又は全体が重なるように配置されてもよい。

データ駆動回路２２０は、表示パネル１１０の一側（例えば、上側又は下側）に接続されてもよい。駆動方式、パネル設計方式等に応じて、データ駆動回路２２０は、表示パネル１１０の両側（例えば、上側と下側）に全て接続されるか、表示パネル１１０の４側面のうち２以上の側面に接続されることもある。

ゲート駆動回路２３０は、表示パネル１１０の一側（例えば、左側又は右側）に接続されてもよい。駆動方式、パネル設計方式等に応じて、ゲート駆動回路２３０は、表示パネル１１０の両側（例えば、左側と右側）に全て接続されるか、又は表示パネル１１０の４側面のうち２以上の側面に接続されることもある。

ディスプレイコントローラ２４０は、データ駆動回路２２０とは別個の構成要素として構成することができ、又はデータ駆動回路２２０と統合して、集積回路として構成することができる。

ディスプレイコントローラ２４０は、通常のディスプレイ技術で使用されるタイミングコントローラ（Ｔｉｍｉｎｇ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）であってもよく、タイミングコントローラを含めて、他の制御機能をさらに実行できる制御装置であってもよく、又はタイミングコントローラとは異なる制御装置であってもよく、又は制御装置内の回路であってもよい。ディスプレイコントローラ２４０は、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙ）、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）、又はプロセッサ（Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）などの様々な回路や電子部品として実現することができる。

ディスプレイコントローラ２４０は、プリント回路基板、フレキシブルプリント回路などに実装され、プリント回路基板、フレキシブルプリント回路などを介して、データ駆動回路２２０及びゲート駆動回路２３０と電気的に接続することができる。

ディスプレイコントローラ２４０は、所定の１つ以上のインタフェースに従って、データ駆動回路２２０と信号を送受信することができる。例えば、インタフェースは、ＬＶＤＳ（Ｌｏｗ Ｖｏｌｔａｇｅ Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｉｇｎａｌｉｎｇ）インタフェース、ＥＰＩ（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ Ｃｌｏｃｋ Ｐｏｉｎｔ－Ｐｏｉｎｔ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）、ＳＰＩ（Ｓｅｒｉａｌ Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）などを含み得る。

本開示の実施形態による表示装置１００は、映像表示機能だけでなく、タッチセンシング機能をさらに提供するために、タッチセンサと、タッチセンサをセンシングして、指やペンなどのタッチオブジェクトによって、タッチが発生したかを検出したり、タッチ位置を検出するタッチセンシング回路を含み得る。

タッチセンシング回路は、タッチセンサを駆動しセンシングして、タッチセンシングデータを生成し出力するタッチ駆動回路２６０と、タッチセンシングデータを用いて、タッチ発生を感知したり、タッチ位置を検出できるタッチコントローラ２７０などを含み得る。

タッチセンサは、複数のタッチ電極を含み得る。タッチセンサは、複数のタッチ電極と、タッチ駆動回路２６０とを電気的に接続するための複数のタッチラインをさらに含み得る。

タッチセンサは、表示パネル１１０の外部に、タッチパネルの形態で存在してもよく、表示パネル１１０の内部に存在してもよい。タッチセンサが、タッチパネルの形態で表示パネル１１０の外部に存在する場合、タッチセンサは、外装型と呼ばれる。タッチセンサが外装型の場合、タッチパネルと表示パネル１１０とは、別々に作製され、組み立て過程で結合することができる。外装型のタッチパネルは、タッチパネル用基板及びタッチパネル用基板上の複数のタッチ電極などを含み得る。

タッチセンサが、表示パネル１１０の内部に存在する場合、表示パネル１１０の作製工程中に、ディスプレイ駆動に関連する信号ライン及び電極等とともに、基板ＳＵＢ上にタッチセンサが形成され得る。

タッチ駆動回路２６０は、複数のタッチ電極のうち少なくとも１にタッチ駆動信号を供給し、複数のタッチ電極のうち少なくとも１つをセンシングして、タッチセンシングデータを生成することができる。

タッチセンシング回路は、セルフキャパシタンス（Ｓｅｌｆ－Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）センシング方式、又は、ミューチュアル－キャパシタンス（Ｍｕｔｕａｌ－Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）センシング方式で、タッチセンシングを行うことができる。

タッチセンシング回路が、セルフキャパシタンスセンシング方式でタッチセンシングを行う場合、タッチセンシング回路は、各タッチ電極とタッチオブジェクト（例えば、指、ペンなど）との間のキャパシタンスに基づいて、タッチセンシングを行うことができる。セルフキャパシタンスセンシング方式によれば、複数のタッチ電極のそれぞれは、駆動タッチ電極の役割も、センシングタッチ電極の役割も果たすことができる。タッチ駆動回路２６０は、複数のタッチ電極の全部又は一部を駆動し、複数のタッチ電極の全部又は一部をセンシングすることができる。

タッチセンシング回路が、ミューチュアルキャパシタンスセンシング方式でタッチセンシングを行う場合、タッチセンシング回路は、タッチ電極間のキャパシタンスに基づいて、タッチセンシングを行うことができる。ミューチュアルキャパシタンスセンシング方式によれば、複数のタッチ電極は、駆動タッチ電極とセンシングタッチ電極とに分けられる。タッチ駆動回路２６０は、駆動タッチ電極を駆動し、センシングタッチ電極をセンシングすることができる。

タッチセンシング回路に含まれるタッチ駆動回路２６０及びタッチコントローラ２７０は、別々の装置で実現されてもよく、１つの装置で実現されてもよい。また、タッチ駆動回路２６０とデータ駆動回路２２０とは、別々の装置で実現されてもよく、１つの装置で実現されてもよい。

表示装置１００は、ディスプレイ駆動回路及び／又はタッチセンシング回路に、各種電源を供給する電源供給回路などをさらに含み得る。

本開示の実施形態による表示装置１００は、スマートフォン、タブレット等の携帯端末であってもよく、多様なサイズのモニタやテレビ（ＴＶ）等であってもよく、これに限定されず、情報や映像を表出できる多様なタイプ、多様なサイズのディスプレイであり得る。

前述のように、表示パネル１１０における表示領域ＤＡは、一般領域ＮＡと、１つ以上の光学領域ＯＡ１、ＯＡ２とを含み得る。一般領域ＮＡ及び１つ以上の光学領域ＯＡ１、ＯＡ２は、映像表示が可能な領域である。しかしながら、一般領域ＮＡは、光透過構造が形成される必要のない領域であり、１つ以上の光学領域ＯＡ１、ＯＡ２は、光透過構造が形成されるべき領域である。

前述のように、表示パネル１１０における表示領域ＤＡは、一般領域ＮＡとともに、１つ以上の光学領域ＯＡ１、ＯＡ２を含み得るが、説明の便宜のために、表示領域ＤＡが、第１の光学領域ＯＡ１と第２の光学領域ＯＡ２の両方を含む場合（図１ｂ、図１ｃ）を仮定する。

図３は、本開示の実施形態による表示パネル１１０の概略図である。

図３を参照すると、表示パネル１１０の表示領域ＤＡには、複数のサブピクセルＳＰが配置され得る。複数のサブピクセルＳＰは、表示領域ＤＡに含まれる一般領域ＮＡ、第１の光学領域ＯＡ１、及び第２の光学領域ＯＡ２に配置され得る。

図３を参照すると、複数のサブピクセルＳＰのそれぞれは、発光素子ＥＤと、発光素子ＥＤを駆動するように構成されたサブピクセル回路部ＳＰＣとを含み得る。

図３を参照すると、サブピクセル回路部ＳＰＣは、発光素子ＥＤを駆動するための駆動トランジスタＤＴ、駆動トランジスタＤＴの第１のノードＮ１に、データ電圧Ｖｄａｔａを伝達するためのスキャントランジスタＳＴ、及び１フレームの間、一定の電圧を維持するためのストレージキャパシタＣｓｔなどを含み得る。

駆動トランジスタＤＴは、データ電圧が印加され得る第１のノードＮ１、発光素子ＥＤと電気的に接続される第２のノードＮ２、及び駆動電圧ラインＤＶＬから、駆動電圧ＥＬＶＤＤが印加される第３のノードＮ３を含み得る。駆動トランジスタＤＴにおいて、第１のノードＮ１は、ゲートノードであり、第２のノードＮ２は、ソースノード又はドレインノードであり、第３のノードＮ３は、ドレインノード又はソースノードであり得る。以下では、説明の便宜上、駆動トランジスタＤＴにおいて、第１のノードＮ１は、ゲートノードであり、第２のノードＮ２は、ソースノードであり、第３のノードＮ３は、ドレインノードである場合を例に挙げる。

発光素子ＥＤは、アノード電極ＡＥ、発光層ＥＬ及びカソード電極ＣＥを含み得る。アノード電極ＡＥは、各サブピクセルＳＰに配置されるピクセル電極であり、各サブピクセルＳＰの駆動トランジスタＤＴの第２のノードＮ２と電気的に接続され得る。カソード電極ＣＥは、複数のサブピクセルＳＰに共通に配置される共通電極であり、ベース電圧ＥＬＶＳＳが印加され得る。

例えば、アノード電極ＡＥは、ピクセル電極であり、カソード電極ＣＥは、共通電極であり得る。逆に、アノード電極ＡＥは、共通電極であり、カソード電極ＣＥは、ピクセル電極であり得る。以下では、説明の便宜のために、アノード電極ＡＥは、ピクセル電極であり、カソード電極ＣＥは、共通電極であると仮定する。

発光素子ＥＤは、所定の発光領域ＥＡを有することができ、発光素子ＥＤの発光領域ＥＡは、アノード電極ＡＥ、発光層ＥＬ及びカソード電極ＣＥが重なる領域と定義することができる。

例えば、発光素子ＥＤは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、無機発光ダイオード、又は量子ドット発光素子などであってもよい。発光素子ＥＤが、有機発光ダイオードの場合、発光素子ＥＤにおける発光層ＥＬは、有機物が含まれている有機発光層ＥＬを含み得る。

スキャントランジスタＳＴは、ゲートラインＧＬを介して印加されるゲート信号のスキャン信号ＳＣＡＮによって、オン－オフが制御され、駆動トランジスタＤＴの第１のノードＮ１とデータラインＤＬとの間に電気的に接続することができる。

ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動トランジスタＤＴの第１のノードＮ１と、第２のノードＮ２との間に電気的に接続され得る。

サブピクセル回路部ＳＰＣは、図３に示すように、２つのトランジスタＤＴ、ＳＴと、１つのキャパシタＣｓｔとを含む２Ｔ（Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１Ｃ（Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）構造を有してもよく、場合によっては、１つ以上のトランジスタをさらに含んでもよく、又は１つ以上のキャパシタをさらに含んでもよい。

ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動トランジスタＤＴの第１のノードＮ１と、第２のノードＮ２との間に存在し得る内部キャパシタ（Ｉｎｔｅｒｎａｌ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）である寄生キャパシタ（例えば、Ｃｇｓ、Ｃｇｄ）ではなく、駆動トランジスタＤＴの外部に意図的に設計した外部キャパシタ（Ｅｘｔｅｒｎａｌ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）であり得る。駆動トランジスタＤＴ及びスキャントランジスタＳＴのそれぞれは、ｎ型トランジスタでも、ｐ型トランジスタでもよい。

各サブピクセルＳＰ内の回路素子（特に、有機物を含む有機発光ダイオードＯＬＥＤで構成された発光素子ＥＤ）は、外部の水分や酸素などに脆弱であるため、外部の水分や酸素が、回路素子（特に、発光素子ＥＤ）へ浸透することを防止するための封止層ＥＮＣＡＰを、表示パネル１１０に配置することができる。封止層ＥＮＣＡＰは、発光素子ＥＤを覆うように配置することができる。

図４は、本開示の実施形態による表示パネル１１０において、一般領域ＮＡ、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１、及び第１の光学領域ＯＡ１を概略的に示す。

図４を参照すると、本開示の実施形態による表示パネル１１０は、映像が表示される表示領域ＤＡと、映像が表示されない非表示領域ＮＤＡとを含み得る。

図４を参照すると、表示領域ＤＡは、第１の光学領域ＯＡ１、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１、及び一般領域ＮＡを含み得る。

図４を参照すると、第１の光学領域ＯＡ１は、第１の光学電子装置１１と重なる領域であり、第１の光学電子装置１１の動作に必要な光が透過できる透過可能領域であり得る。ここで、第１の光学領域ＯＡ１を透過する光は、単一波長帯域の光を含んでもよく、様々な波長帯域の光を含んでもよい。例えば、第１の光学領域ＯＡ１を透過する光は、可視光線、赤外線、又は紫外線などのうち１つ以上の光を含み得る。例えば、第１の光学電子装置１１がカメラの場合、第１の光学領域ＯＡ１を透過して、第１の光学電子装置１１で利用される光は、可視光線を含み得る。別の例として、第１の光学電子装置１１が、赤外線ベースのセンサである場合、第１の光学領域ＯＡ１を透過して、第１の光学電子装置１１で利用される光は、赤外線（赤外線光ともいう）を含み得る。

図４を参照すると、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１は、第１の光学領域ＯＡ１の外郭に位置する領域であってもよい。一般領域ＮＡは、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１の外郭に位置する領域であってもよい。第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１は、第１の光学領域ＯＡ１と一般領域ＮＡとの間に配置されてもよい。

例えば、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１は、第１の光学領域ＯＡ１の一部の境界の外郭のみに配置されてもよく、第１の光学領域ＯＡ１の全境界の外郭に配置されてもよい。

第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１が、第１の光学領域ＯＡ１の全境界の外郭に配置される場合、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１は、第１の光学領域ＯＡ１を囲むリング形状を有することができる。

例えば、第１の光学領域ＯＡ１は、円形、楕円形、多角形、又は不規則な形状などの様々な形状を有することができる。第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１は、様々な形状を有する第１の光学領域ＯＡ１を囲む様々なリング形状（例えば、リング形状、楕円リング形状、多角形リング形状、又は不規則なリング形状など）を有することができる。

図４を参照すると、表示領域ＤＡは、複数の発光領域ＥＡを含み得る。第１の光学領域ＯＡ１、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１、及び一般領域ＮＡは、表示領域ＤＡに含まれる領域であるため、第１の光学領域ＯＡ１、第１の光学ベゼル領域 ＯＢＡ１及び一般領域ＮＡのそれぞれは、複数の発光領域ＥＡを含み得る。

例えば、複数の発光領域ＥＡは、第１色の光を発光する第１色発光領域、第２色の光を発光する第２色発光領域、及び第３色の光を発光する第３色発光領域を含み得る。

第１色発光領域、第２色発光領域、及び第３色発光領域のうち少なくとも１つは、残りとは異なる面積を有することができる。

第１色、第２色、及び第３色は、異なる色として様々な色であり得る。例えば、第１色、第２色、及び第３色は、赤色、緑色、及び青色を含み得る。

以下では、説明の便宜のために、第１色は、赤色であり、第２色は、緑色であり、第３色は、青色である場合を例に挙げる。しかし、これに限定されない。

第１色は赤色、第２色は緑色、第３色は青色の場合、赤色発光領域ＥＡ＿Ｒの面積、緑色発光領域ＥＡ＿Ｇの面積、及び青色発光領域ＥＡ＿Ｂの面積のうち、青色発光領域ＥＡ＿Ｂの面積が最も大きくてもよい。

赤色発光領域ＥＡ＿Ｒに配置された発光素子ＥＤは、赤色光を放出する発光層ＥＬを含み得る。緑色発光領域ＥＡ＿Ｇに配置された発光素子ＥＤは、緑色光を放出する発光層ＥＬを含み得る。青色発光領域ＥＡ＿Ｂに配置された発光素子ＥＤは、青色光を放出する発光層ＥＬを含み得る。

赤色光を放出する発光層ＥＬ、緑色光を放出する発光層ＥＬ、及び青色光を放出する発光層ＥＬのうち、青色光を放出する発光層ＥＬに含まれる有機物が、材料的に最も劣化し易くなる可能性がある。

青色発光領域ＥＡ＿Ｂの面積が、最も大きく設計されることにより、青色発光領域ＥＡ＿Ｂに配置された発光素子ＥＤに供給される電流密度が、最も少ないことがある。したがって、青色発光領域ＥＡ＿Ｂに配置された発光素子ＥＤの劣化度が、赤色発光領域ＥＡ＿Ｒに配置された発光素子ＥＤの劣化度及び緑色発光領域ＥＡ＿Ｇに配置された発光素子ＥＤの劣化度に似ている可能性がある。

したがって、赤色発光領域ＥＡ＿Ｒに配置された発光素子ＥＤ、緑色発光領域ＥＡ＿Ｇに配置された発光素子ＥＤ、及び青色発光領域ＥＡ＿Ｂに配置された発光素子ＥＤ間の劣化のばらつきが、排除又は低減されるため、画質を向上させることができる。また、赤色発光領域ＥＡ＿Ｒに配置された発光素子ＥＤ、緑色発光領域ＥＡ＿Ｇに配置された発光素子ＥＤ、及び青色発光領域ＥＡ＿Ｂに配置された発光素子ＥＤ間の劣化のばらつきが、排除又は低減されることで、赤色発光領域ＥＡ＿Ｒに配置された発光素子ＥＤ、緑色発光領域ＥＡ＿Ｇに配置された発光素子ＥＤ、及び青色発光領域ＥＡ＿Ｂに配置された発光素子ＥＤ間の寿命のばらつきを減らす効果があり得る。

図４を参照すると、第１の光学領域ＯＡ１は、透過可能領域であり、高い透過率を有するべきである。このために、カソード電極ＣＥは、第１の光学領域ＯＡ１に複数のカソードホールＣＨを含み得る。即ち、第１の光学領域ＯＡ１において、カソード電極ＣＥは、複数のカソードホールＣＨを含み得る。

図４を参照すると、カソード電極ＣＥは、一般領域ＮＡでは、カソードホールＣＨを含まない。すなわち、一般領域ＮＡにおいて、カソード電極ＣＥは、カソードホールＣＨを含まない。

また、カソード電極ＣＥは、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１では、カソードホールＣＨを含まない。即ち、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１において、カソード電極ＣＥは、カソードホールＣＨを含まない。

第１の光学領域ＯＡ１において、カソード電極ＣＥに形成された複数のカソードホールＣＨを、複数の第１の透過領域ＴＡ１又は複数の開口部とも言える。ここで、図４において、１つのカソードホールＣＨは、円形を有しているが、円形以外にも、楕円形、多角形、又は不規則な形状などの様々な形状を有してもよい。

図４を参照すると、第２の光学領域ＯＡ２は、第１の光学領域ＯＡ１に隣接して配置することができ、第２の光学領域ＯＡ２における発光領域ＥＡの配置については、図１１を参照してより詳細に説明する。

図５は、本開示の実施形態による表示パネル１１０において、一般領域ＮＡ、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１、及び第１の光学領域ＯＡ１に配置された発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３、ＥＤ４と、発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３、ＥＤ４を駆動するためのサブピクセル回路部ＳＰＣ１、ＳＰＣ２、ＳＰＣ３、ＳＰＣ４を示す。

ただし、サブピクセル回路部ＳＰＣ１、ＳＰＣ２、ＳＰＣ３、ＳＰＣ４のそれぞれは、図３に示すように、トランジスタＤＴ、ＳＴ及びストレージキャパシタＣｓｔなどを含み得る。しかしながら、説明の便宜のために、サブピクセル回路ＳＰＣ１、ＳＰＣ２、ＳＰＣ３、ＳＰＣ４は各々、駆動トランジスタＤＴ１、ＤＴ２、ＤＴ３、ＤＴ４と略記されている。

図５を参照すると、一般領域ＮＡ、第１の光学領域ＯＡ１、及び第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１は、位置的な相違点だけでなく、構造的な相違点も有し得る。

構造的な相違点として、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１及び一般領域ＮＡには、サブピクセル回路部ＳＰＣ１、ＳＰＣ２、ＳＰＣ３、ＳＰＣ４が配置され得るが、第１の光学領域ＯＡ１には、サブピクセル回路部が配置されない。即ち、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１及び一般領域ＮＡには、トランジスタＤＴ１、ＤＴ２、ＤＴ３、ＤＴ４が配置され得るが、第１の光学領域ＯＡ１には、トランジスタが配置されない。

サブピクセル回路部ＳＰＣ１、ＳＰＣ２、ＳＰＣ３、ＳＰＣ４に含まれるトランジスタとストレージキャパシタとは、透過率を減少することができる構成である。これにより、第１の光学領域ＯＡ１にサブピクセル回路部ＳＰＣ１、ＳＰＣ２、ＳＰＣ３、ＳＰＣ４が配置されないことにより、第１の光学領域ＯＡ１の透過率をさらに高めることができる。

サブピクセル回路部ＳＰＣ１、ＳＰＣ２、ＳＰＣ３、ＳＰＣ４は、一般領域ＮＡ及び第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１のみに配置されるが、発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３、ＥＤ４は、一般領域ＮＡ、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１、及び第１の光学領域ＯＡ１の全てに配置することができる。

図５を参照すると、第１の光学領域ＯＡ１には、第１の発光素子ＥＤ１が配置されているが、第１の光学領域ＯＡ１には、第１の発光素子ＥＤ１を駆動するための第１のピクセル回路部ＳＰＣ１が配置されない。

図５を参照すると、第１の光学領域ＯＡ１に配置された第１の発光素子ＥＤ１を駆動するための第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１は、第１の光学領域ＯＡ１に配置されず、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に配置され得る。

以下、一般領域ＮＡ、第１の光学領域ＯＡ１、及び第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１についてより詳細に説明する。

図５を参照すると、本開示の実施形態による表示パネル１１０に含まれる複数の発光領域ＥＡは、第１の発光領域ＥＡ１、第２の発光領域ＥＡ２、及び第３の発光領域ＥＡ３を含み得る。ここで、第１の発光領域ＥＡ１は、第１の光学領域ＯＡ１に含まれてもよく、第２の発光領域ＥＡ２は、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に含まれてもよく、第３の発光領域ＥＡ３は、一般領域ＮＡに含まれてもよい。以下では、第１の発光領域ＥＡ１、第２の発光領域ＥＡ２、及び第３の発光領域ＥＡ３は、同じ色の発光領域であると仮定する。

図５を参照すると、本開示の実施形態による表示パネル１１０は、第１の光学領域ＯＡ１に配置され、第１の発光領域ＥＡ１を有する第１の発光素子ＥＤ１、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に配置され、第２の発光領域ＥＡ２を有する第２の発光素子ＥＤ２、及び一般領域ＮＡに配置され、第３の発光領域ＥＡ３を有する第３の発光素子ＥＤ３を含み得る。

図５を参照すると、本開示の実施形態による表示パネル１１０は、第１の発光素子ＥＤ１を駆動するように構成された第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１、第２の発光素子ＥＤ２を駆動するように構成された第２のサブピクセル回路部ＳＰＣ２、及び第３の発光素子ＥＤ３を駆動するように構成された第３のサブピクセル回路部ＳＰＣ３をさらに含み得る。

図５を参照すると、第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１は、第１の駆動トランジスタＤＴ１を含み得る。第２のサブピクセル回路部ＳＰＣ２は、第２の駆動トランジスタＤＴ２を含み得る。第３のサブピクセル回路部ＳＰＣ３は、第３の駆動トランジスタＤＴ３を含み得る。

図５を参照すると、本開示の実施形態による表示パネル１１０において、第２のサブピクセル回路部ＳＰＣ２は、対応する第２の発光素子ＥＤ２が配置された第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に配置されてもよく、第３のサブピクセル回路部ＳＰＣ３は、対応する第３の発光素子ＥＤ３が配置された一般領域ＮＡに配置されてもよい。

図５を参照すると、本開示の実施形態による表示パネル１１０において、第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１は、対応する第１の発光素子ＥＤ１が配置された第１の光学領域ＯＡ１に配置されず、第１の光学領域ＯＡ１の外郭に位置する第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に配置することができる。これにより、第１の光学領域ＯＡ１の透過率を高めることができる。

図５を参照すると、本開示の実施形態による表示パネル１１０は、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に配置された第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１と、第１の光学領域ＯＡ１に配置された第１の発光素子ＥＤ１を、電気的に接続するアノード延長ラインＡＥＬをさらに含み得る。

アノード延長ラインＡＥＬは、第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１内の第１の駆動トランジスタＤＴ１の第２のノードＮ２まで、第１の発光素子ＥＤ１のアノード電極ＡＥを電気的に延長させることができる。

前述のように、本開示の実施形態による表示パネル１１０において、第１の光学領域ＯＡ１に配置された第１の発光素子ＥＤ１を駆動するための第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１が、第１の光学領域ＯＡ１に配置されず、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に配置されてもよい。このような構造を、アノード延長構造（Ａｎｏｄｅ Ｅｘｔｅｎｓｉｏｎ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）ともいう。

本開示の実施形態による表示パネル１１０が、アノード延長構造を有する場合、アノード延長ラインＡＥＬの全部又は一部は、第１の光学領域ＯＡ１に配置することができ、アノード延長ラインＡＥＬは、透明配線を含み得る。これにより、第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１と、第１の発光素子ＥＤ１を接続するアノード延長ラインＡＥＬが、第１の光学領域ＯＡ１に配置されても、第１の光学領域ＯＡ１の透過率の低下を防ぐことができる。

図５を参照すると、複数の発光領域ＥＡは、第１の発光領域ＥＡ１と同じ色の光を放出し、第１の光学領域ＯＡ１に含まれる第４の発光領域ＥＡ４をさらに含み得る。

図５を参照すると、第４の発光領域ＥＡ４は、行方向又は列方向に第１の発光領域ＥＡ１に隣接して配置され得る。

図５を参照すると、本開示の実施形態による表示パネル１１０は、第１の光学領域ＯＡ１に配置され、第４の発光領域ＥＡ４を有する第４の発光素子ＥＤ４、及び、第４の発光素子ＥＤ４を駆動するために構成された第４のサブピクセル回路部ＳＰＣ４をさらに含み得る。

図５を参照すると、第４のサブピクセル回路部ＳＰＣ４は、第４の駆動トランジスタＤＴ４を含み得る。説明の便宜上、第４のサブピクセル回路部ＳＰＣ４に含まれるスキャントランジスタＳＴ及びストレージキャパシタＣｓｔなどは、図５から省略される。

図５を参照すると、第４のサブピクセル回路部ＳＰＣ４は、第１の光学領域ＯＡ１に配置された第４の発光素子ＥＤ４を駆動するための回路であるが、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に配置されてもよい。

図５を参照すると、本開示の実施形態による表示パネル１１０は、第４のピクセル回路ＳＰＣ４と第４の発光素子ＥＤ４を、電気的に接続するアノード延長ラインＡＥＬをさらに含み得る。

このようなアノード延長ラインＡＥＬの全部又は一部は、第１の光学領域ＯＡ１に配置することができ、アノード延長ラインＡＥＬは、透明配線を含み得る。

前述のように、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に配置された第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１は、第１の光学領域ＯＡ１に配置された１つの発光素子ＥＤ１を駆動することができる。このような回路部接続方式を、１対１（１：１）回路部接続方式という。

これにより、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に配置されるサブピクセル回路部ＳＰＣの数が、大幅に増加できる。第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１の構造が複雑になり、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１の開口率（又は発光面積）が減少できる。

アノード延長構造を有するにもかかわらず、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１の開口率（又は発光面積）を高めるために、本開示の実施形態による表示装置１００は、１：Ｎ（Ｎは、２以上）回路部接続方式を持つことができる。

１：Ｎ回路部接続方式によれば、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に配置された第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１が、第１の光学領域ＯＡ１に配置された２つ以上の発光素子ＥＤを同時に駆動することができる。

図６では、説明の便宜上、１：２回路部接続方式が適用された場合、即ち、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に配置された第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１が、第１の光学領域ＯＡ１に配置された２つ以上の発光素子ＥＤ１、ＥＤ４を同時に駆動する場合を例に挙げる。

図６は、本開示の実施形態による表示パネル１１０において、一般領域ＮＡ、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１、及び第１の光学領域ＯＡ１に配置された発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３、ＥＤ４と、発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ３、ＥＤ４を駆動するためのサブピクセル回路部ＳＰＣ１、ＳＰＣ２、ＳＰＣ３を示す。

図６を参照すると、第１の光学領域ＯＡ１に配置された第４の発光素子ＥＤ４は、第１の光学領域ＯＡ１に配置された第１の発光素子ＥＤ１を駆動するための第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１によって駆動され得る。即ち、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に配置された第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１は、第１の光学領域ＯＡ１に配置された第１の発光素子ＥＤ１と第４の発光素子ＥＤ４とを共に駆動するための構成になり得る。

これにより、表示パネル１１０は、アノード延長構造を有するにもかかわらず、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に配置されるサブピクセル回路部ＳＰＣの数が減ることで、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１の開口部及び発光面積を高めることができる。

図６では、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に配置された第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１によって共に駆動される第１の発光素子ＥＤ１と、第４の発光素子ＥＤ４とは、同色の光を放出する発光素子であり、行方向又は列方向に隣接する発光素子であり得る。

図６を参照すると、アノード延長ラインＡＥＬは、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に配置された第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１を、第１の光学領域ＯＡ１に配置された第１の発光素子ＥＤ１と、第４の発光素子ＥＤ４とに接続することができる。

図７は、本開示の実施形態による表示パネル１１０において、一般領域ＮＡ、光学ベゼル領域ＯＢＡ、及び光学領域ＯＡの平面図である。

図７を参照すると、本開示の実施形態による表示パネル１１０において、一般領域ＮＡ、光学ベゼル領域ＯＢＡ、及び光学領域ＯＡのそれぞれに配置された複数の発光領域ＥＡは、赤色発光領域ＥＡ＿Ｒ、緑色発光領域ＥＡ＿Ｇ、及び青色発光領域ＥＡ＿Ｂを含み得る。

図７を参照すると、本開示の実施形態による表示パネル１１０において、カソード電極ＣＥが、一般領域ＮＡ、光学ベゼル領域ＯＢＡ、及び光学領域ＯＡに共通に配置され得る。

カソード電極ＣＥは、複数のカソードホールＣＨを含むことができ、カソード電極ＣＥの複数のカソードホールＣＨは、光学領域ＯＡに配置され得る。

一般領域ＮＡ及び光学ベゼル領域ＯＢＡは、光が透過できない領域であり、光学領域ＯＡは、光が透過可能な領域であり得る。これにより、光学領域ＯＡにおける透過率は、光学ベゼル領域ＯＢＡ及び一般領域ＮＡにおける透過率より高くなり得る。

光学領域ＯＡの全体が、光が透過可能な領域であり、光学領域ＯＡ内の複数のカソードホールＣＨは、光がよりよく透過可能な透過領域ＴＡであり得る。即ち、光学領域ＯＡにおける複数のカソードホールＣＨを除いた残りの領域は、光が透過可能な領域であり、光学領域ＯＡ内の複数のカソードホールＣＨの透過率は、光学領域ＯＡにおける複数のカソードホールＣＨを除いた残りの領域の透過率より高くてもよい。

これとは異なり、光学領域ＯＡ内の複数のカソードホールＣＨが、光透過可能な透過領域ＴＡであり、光学領域ＯＡにおける複数のカソードホールＣＨを除いた残りの領域は、光が透過しない領域であり得る。

図７を参照すると、光学領域ＯＡにおける発光領域ＥＡの配列、光学ベゼル領域ＯＢＡにおける発光領域ＥＡの配列、及び一般領域ＮＡにおける発光領域ＥＡの配列は、互いに同じであってもよい。

図７を参照すると、複数の発光領域ＥＡは、光学領域ＯＡに含まれる第１の発光領域ＥＡ１、第１の発光領域ＥＡ１と同じ色の光を放出し、光学ベゼル領域ＯＢＡに含まれる第２の発光領域ＥＡ２、及び第１の発光領域ＥＡ１と同じ色の光を放出し、一般領域ＮＡに含まれる第３の発光領域ＥＡ３を含み得る。

図７を参照すると、複数の発光領域ＥＡは、第１の発光領域ＥＡ１と同じ色の光を放出し、光学領域ＯＡに含まれる第４の発光領域ＥＡ４をさらに含み得る。

図７を参照すると、本開示の実施形態による表示パネル１１０は、光学領域ＯＡに配置される第１のアノード電極ＡＥ１、光学ベゼル領域ＯＢＡに配置される第２のアノード電極ＡＥ２、一般領域ＮＡに配置される第３のアノード電極ＡＥ３、及び光学領域ＯＡ１に配置される第４のアノード電極ＡＥ４を含み得る。

本開示の実施形態による表示パネル１１０は、一般領域ＮＡ、光学ベゼル領域ＯＢＡ、及び光学領域ＯＡに共通に配置されるカソード電極ＣＥをさらに含み得る。

本開示の実施形態による表示パネル１１０は、光学領域ＯＡに配置される第１の発光層ＥＬ１、光学ベゼル領域ＯＢＡに配置される第２の発光層ＥＬ２、一般領域ＮＡに配置される第３の発光層ＥＬ３、及び光学領域ＯＡに配置される第４の発光層ＥＬ４などを含み得る。

第１～第４の発光層ＥＬ４は、同じ色の光を放出する発光層であってもよい。この場合、第１～第４の発光層ＥＬ４は、個別に分離して配置してもよく、統合して１つで配置してもよい。

図７を参照すると、第１のアノード電極ＡＥ１、第１の発光層ＥＬ１、及びカソード電極ＣＥによって、第１の発光素子ＥＤ１を構成することができ、第２のアノード電極ＡＥ２、第２の発光層ＥＬ２、及びカソード電極ＣＥによって、第２の発光素子ＥＤ２を構成することができ、第３のアノード電極ＡＥ３、第３の発光層ＥＬ３、及びカソード電極ＣＥによって、第３の発光素子ＥＤ３を構成することができ、第４のアノード電極ＡＥ４、第４の発光層ＥＬ４、及びカソード電極ＣＥによって、第４の発光素子ＥＤ４を構成することができる。

以下では、図７のＸ－Ｙ線に沿った断面構造を、図８及び図９を用いてより詳細に説明する。

図７のＸ－Ｙ線が表示された部分は、光学ベゼル領域ＯＢＡと光学領域ＯＡとの境界を基準として、光学ベゼル領域ＯＢＡの一部と、光学領域ＯＡの一部とを含む。

図７のＸ－Ｙ線が表示された部分は、光学領域ＯＡに含まれる第１の発光領域ＥＡ１及び第４の発光領域ＥＡ４、そして光学ベゼル領域ＯＢＡに含まれる第２の発光領域ＥＡ２を含み得る。第１の発光領域ＥＡ１、第４の発光領域ＥＡ４、及び第２の発光領域ＥＡ２は、同じ色の光を放出する発光領域ＥＡの一例である。

図８は、本開示の実施形態による表示パネル１１０の断面図であり、表示パネル１１０の光学ベゼル領域ＯＢＡ及び光学領域ＯＡでの断面図である。ただし、図８は、図５と同様に、１：１回路部接続方式が適用された場合の断面図である。

図８を参照すると、表示パネル１１０は、垂直構造から見ると、トランジスタ形成部（ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ｆｏｒｍｉｎｇ ｐａｒｔ）、発光素子形成部（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｅｌｅｍｅｎｔ ｆｏｒｍｉｎｇ ｐａｒｔ）、及び封止部（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ ｐａｒｔ）を含み得る。［１９４］トランジスタ形成部（ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ ｆｏｒｍｉｎｇ ｐａｒｔ）は、基板ＳＵＢ、基板ＳＵＢ上の第１のバッファ層ＢＵＦ１、及び第１のバッファ層ＢＵＦ１上に形成される各種のトランジスタＤＴ１、ＤＴ２、ストレージキャパシタＣｓｔ、及び様々な電極又は信号配線を含み得る。

基板ＳＵＢは、第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２とを含むことができ、第１の基板ＳＵＢ１と第２の基板ＳＵＢ２との間の中間膜ＩＮＴＬを含み得る。ここで、例えば、中間膜ＩＮＴＬは、無機膜であり、水分浸透を遮断することができる。

基板ＳＵＢ上には、下部シールドメタルＢＳＭを配置することができる。下部シールドメタルＢＳＭは、第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のアクティブ層ＡＣＴ１の下に位置することができる。

第１のバッファ層ＢＵＦ１は、単一膜でも多重膜でもよい。第１のバッファ層ＢＵＦ１が多重膜の場合、第１のバッファ層ＢＵＦ１は、マルチバッファ層ＭＢＵＦ及びアクティブバッファ層ＡＢＵＦを含み得る。

各種のトランジスタＤＴ１、ＤＴ２、ストレージキャパシタＣｓｔ、及び様々な電極又は信号配線が、第１のバッファ層ＢＵＦ１上に形成できる。

例えば、第１のバッファ層ＢＵＦ１上に形成されたトランジスタＤＴ１、ＤＴ２は、同じ材料で構成され、同じ層に位置することができる。これとは異なり、図８に示すように、トランジスタＤＴ１、ＤＴ２のうち、第１の駆動トランジスタＤＴ１と第２の駆動トランジスタＤＴ２とは、異なる材料で構成され、異なる層に配置されてもよい。

図８を参照すると、第１の駆動トランジスタＤＴ１は、光学領域ＯＡに含まれる第１の発光素子ＥＤ１を駆動するための駆動トランジスタＤＴであり、第２の駆動トランジスタＤＴ２は、光学ベゼル領域ＯＢＡに含まれる第２の発光素子ＥＤ２を駆動するための駆動トランジスタＤＴであり得る。

言い換えれば、第１の駆動トランジスタＤＴ１は、光学領域ＯＡに含まれる第１の発光素子ＥＤ１を駆動するための第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１に含まれる駆動トランジスタであり、第２の駆動トランジスタＤＴ２は、光学ベゼル領域ＯＢＡに含まれる第２の発光素子ＥＤ２を駆動するための第２のサブピクセル回路部ＳＰＣ２に含まれる駆動トランジスタであり得る。

第１の駆動トランジスタＤＴ１及び第２の駆動トランジスタＤＴ２の形成に関して説明すると、以下の通りである。

第１の駆動トランジスタＤＴ１は、第１のアクティブ層ＡＣＴ１、第１のゲート電極Ｇ１、第１のソース電極Ｓ１、及び第１のドレイン電極Ｄ１を含み得る。

第２の駆動トランジスタＤＴ２は、第２のアクティブ層ＡＣＴ２、第２のゲート電極Ｇ２、第２のソース電極Ｓ２、及び第２のドレイン電極Ｄ２を含み得る。

第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のアクティブ層ＡＣＴ２は、第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のアクティブ層ＡＣＴ１よりも高く位置することができる。

第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のアクティブ層ＡＣＴ１の下には、第１のバッファ層ＢＵＦ１が配置され、第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のアクティブ層ＡＣＴ２の下には、第２のバッファ層ＢＵＦ２が配置され得る。

即ち、第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のアクティブ層ＡＣＴ１は、第１のバッファ層ＢＵＦ１上に位置し、第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のアクティブ層ＡＣＴ２は、第２のバッファ層ＢＵＦ２上に位置することができる。ここで、第２のバッファ層ＢＵＦ２は、第１のバッファ層ＢＵＦ１よりも高く位置してもよい。

第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のアクティブ層ＡＣＴ１は、第１のバッファ層ＢＵＦ１上に配置され、第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のアクティブ層ＡＣＴ１上に、第１のゲート絶縁膜ＧＩ１が配置され得る。第１のゲート絶縁膜ＧＩ１上には、第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のゲート電極Ｇ１が配置され、第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のゲート電極Ｇ１上には、第１の層間絶縁膜ＩＬＤ１が配置され得る。

ここで、第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のアクティブ層ＡＣＴ１は、第１のゲート電極Ｇ１と重なる第１のチャネル領域、第１のチャネル領域の一方側に位置する第１のソース接続領域、及びチャネル領域の他方側に位置する第１のドレイン接続領域を含み得る。

第１の層間絶縁膜ＩＬＤ１上には、第２のバッファ層ＢＵＦ２が配置され得る。

第２のバッファ層ＢＵＦ２上に、第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のアクティブ層ＡＣＴ２が配置され、第２のアクティブ層ＡＣＴ２上に、第２のゲート絶縁膜ＧＩ２が配置され得る。第２のゲート絶縁膜ＧＩ２上に、第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のゲート電極Ｇ２が配置され、第２のゲート電極Ｇ２上に、第２の層間絶縁膜ＩＬＤ２が配置され得る。

ここで、第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のアクティブ層ＡＣＴ２は、第２のゲート電極Ｇ２と重なる第２のチャネル領域、第２のチャネル領域の一方側に位置する第２のソース接続領域、及びチャネル領域の他方側に位置する第２のドレイン接続領域を含み得る。

第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のソース電極Ｓ１及び第１のドレイン電極Ｄ１は、第２の層間絶縁膜ＩＬＤ２上に配置され得る。また、第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のソース電極Ｓ２及び第２のドレイン電極Ｄ２は、第２の層間絶縁膜ＩＬＤ２上に配置され得る。

第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のソース電極Ｓ１及び第１のドレイン電極Ｄ１は、第２の層間絶縁膜ＩＬＤ２、第２のゲート絶縁膜ＧＩ２、第２のバッファ層ＢＵＦ２、第１の層間絶縁膜ＩＬＤ１、及び第１のゲート絶縁膜ＧＩ１の貫通孔を介して、第１のアクティブ層ＡＣＴ１の第１のソース接続領域及び第１のドレイン接続領域とそれぞれ接続され得る。

第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のソース電極Ｓ２及び第２のドレイン電極Ｄ２は、第２の層間絶縁膜ＩＬＤ２及び第２のゲート絶縁膜ＧＩ２の貫通孔を介して、第２のアクティブ層ＡＣＴ２の第２のソース接続領域及び第２のドレイン接続領域とそれぞれ接続され得る。

図８では、第２のサブピクセル回路部ＳＰＣ２に含まれる第１の駆動トランジスタＤＴ１と、ストレージキャパシタＣｓｔのみが図示され、他のトランジスタは省略されている。また、図８では、第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１に含まれる第１の駆動トランジスタＤＴ１のみが示され、他のトランジスタとストレージキャパシタとは、省略されている。

図８を参照すると、第２のサブピクセル回路部ＳＰＣ２に含まれるストレージキャパシタＣｓｔは、第１のキャパシタ電極ＰＬＴ１と、第２のキャパシタ電極ＰＬＴ２とを含み得る。

第１のキャパシタ電極ＰＬＴ１は、第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のゲート電極Ｇ２と電気的に接続され、第２のキャパシタ電極ＰＬＴ２は、第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のソース電極Ｓ２と電気的に接続され得る。

一方、図８を参照すると、第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のアクティブ層ＡＣＴ２の下に、下部メタルＢＭＬが配置され得る。下部メタルＢＭＬは、第２のアクティブ層ＡＣＴ２の全部又は一部と重なることができる。

例えば、下部メタルＢＭＬは、第２のゲート電極Ｇ２と電気的に接続できる。これとは別の例として、下部メタルＢＭＬは、下部から流入される光を遮断するライトシールドとして機能することができる。この場合、下部メタルＢＭＬは、第２のソース電極Ｓ２と電気的に接続されてもよい。

第１の駆動トランジスタＤＴ１は、光学領域ＯＡに配置された第１の発光素子ＥＤ１を駆動するためのトランジスタであるが、光学ベゼル領域ＯＢＡに配置されてもよい。

第２の駆動トランジスタＤＴ２は、光学ベゼル領域ＯＢＡに配置された第２の発光素子ＥＤ２を駆動するためのトランジスタであり、光学ベゼル領域ＯＢＡに配置されてもよい。

図８を参照すると、第１の駆動トランジスタＤＴ１及び第２の駆動トランジスタＤＴ２上に、第１の平坦化層ＰＬＮ１が配置され得る。即ち、第１の平坦化層ＰＬＮ１は、第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のソース電極Ｓ１及び第１のドレイン電極Ｄ２と、第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のソース電極Ｓ２及び第２のドレイン電極Ｄ２の上に配置され得る。

図８を参照すると、第１の平坦化層ＰＬＮ１上には、第１の中継電極ＲＥ１及び第２の中継電極ＲＥ２が配置され得る。

ここで、第１の中継電極ＲＥ１は、第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のソース電極Ｓ１と、第１の発光素子ＥＤ１の第１のアノード電極ＡＥ１との間の電気的な接続を中継する電極であり得る。そして、第２の中継電極ＲＥ２は、第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のソース電極Ｓ２と、第２の発光素子ＥＤ２の第２のアノード電極ＡＥ２との間の電気的な接続を中継する電極であり得る。

第１の中継電極ＲＥ１は、第１の平坦化層ＰＬＮ１のホールを介して、第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のソース電極Ｓ１と電気的に接続され得る。第２の中継電極ＲＥ２は、第１の平坦化層ＰＬＮ１の他のホールを介して、第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のソース電極Ｓ２と電気的に接続され得る。

図８を参照すると、第１の中継電極ＲＥ１及び第２の中継電極ＲＥ２は、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に配置されてもよい。

一方、図８を参照すると、アノード延長ラインＡＥＬは、第１の中継電極ＲＥ１と連結されて、光学ベゼル領域ＯＢＡから光学領域ＯＡに延長され得る。

図８を参照すると、アノード延長ラインＡＥＬは、第１の中継電極ＲＥ１上に形成される金属層であって、透明材料で構成できる。

図８を参照すると、第２の平坦化層ＰＬＮ２は、第１の中継電極ＲＥ１、第２の中継電極ＲＥ２、及びアノード延長ラインＡＥＬを覆いながら配置され得る。

図８を参照すると、発光素子形成部（ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｅｌｅｍｅｎｔ ｆｏｒｍｉｎｇ ｐａｒｔ）が、第２の平坦化層ＰＮＬ２上に位置することができる。

図８を参照すると、発光素子形成部は、第２の平坦化層ＰＮＬ２上に形成された第１の発光素子ＥＤ１、第２の発光素子ＥＤ２、及び第４の発光素子ＥＤ４を含み得る。

図８を参照すると、第１の発光素子ＥＤ１及び第４の発光素子ＥＤ４は、光学領域ＯＡに配置され、第２の発光素子ＥＤ２は、光学ベゼル領域ＯＢＡに配置され得る。

図８の例では、第１の発光素子ＥＤ１、第２の発光素子ＥＤ２、及び第４の発光素子ＥＤ４は、同じ色の光を放出する発光素子である。以下では、第１の発光素子ＥＤ１、第２の発光素子ＥＤ２、及び第４の発光素子ＥＤ４の各発光層ＥＬは、別途に形成してもよいが、共通に形成されていると仮定する。

図８を参照すると、第１の発光素子ＥＤ１は、第１のアノード電極ＡＥ１、発光層ＥＬ、及びカソード電極ＣＥが重なる領域で構成することができる。第２の発光素子ＥＤ２は、第２のアノード電極ＡＥ２、発光層ＥＬ、及びカソード電極ＣＥが重なる領域で構成することができる。第４の発光素子ＥＤ４は、第４のアノード電極ＡＥ４、発光層ＥＬ、及びカソード電極ＣＥが重なる領域で構成することができる。

図８を参照すると、第１のアノード電極ＡＥ１、第２のアノード電極ＡＥ２、及び第４のアノード電極ＡＥ４は、第２の平坦化層ＰＬＮ２上に配置することができる。

第２のアノード電極ＡＥ２は、第２の平坦化層ＰＬＮ２のホールを介して、第２の中継電極ＲＥ２と接続され得る。

第１のアノード電極ＡＥ１は、第２の平坦化層ＰＬＮ２の他のホールを介して、光学ベゼル領域ＯＢＡから光学領域ＯＡまで延びるアノード延長ラインＡＥＬと接続され得る。

第４のアノード電極ＡＥ４は、第２の平坦化層ＰＬＮ２のまた別のホールを介して、光学ベゼル領域ＯＢＡから光学領域ＯＡ１まで延びる他のアノード延長ラインＡＥＬと接続できる。

図８を参照すると、バンクＢＫは、第１のアノード電極ＡＥ１、第２のアノード電極ＡＥ２、及び第４のアノード電極ＡＥ４上に配置することができる。

バンクＢＫは、複数のバンクホールを含むことができ、複数のバンクホールを介して、第１のアノード電極ＡＥ１、第２のアノード電極ＡＥ２、及び第４のアノード電極ＡＥ４のそれぞれの一部が露出する可能性がある。即ち、バンクＢＫに形成された複数のバンクホールは、第１のアノード電極ＡＥ１、第２のアノード電極ＡＥ２、及び第４のアノード電極ＡＥ４のそれぞれの一部と重なってもよい。

図８を参照すると、発光層ＥＬがバンクＢＫ上に配置され得る。発光層ＥＬは、複数のバンクホールを介して、第１のアノード電極ＡＥ１の一部、第２のアノード電極ＡＥ２の一部、及び第４のアノード電極ＡＥ４の一部と接触することができる。

図８を参照すると、発光層ＥＬとバンクＢＫとの間に、少なくとも１つのスペースＳＰＣが存在してもよい。

図８を参照すると、カソード電極ＣＥが発光層ＥＬ上に配置され得る。カソード電極ＣＥは、複数のカソードホールＣＨを含み得る。カソード電極ＣＥに形成された複数のカソードホールＣＨは、光学領域ＯＡに配置され得る。

図８に例示される１つのカソードホールＣＨは、第１の発光領域ＥＡ１と第４の発光領域ＥＡ４との間に位置するカソードホールである。

図８を参照すると、封止部（ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ ｐａｒｔ）がカソード電極ＣＥ上に配置され得る。封止部は、カソード電極ＣＥ上に形成された封止層ＥＮＣＡＰを含み得る。

図８を参照すると、封止層ＥＮＣＡＰは、封止層ＥＮＣＡＰの下に配置された発光素子ＥＤ１、ＥＤ２、ＥＤ４に、水分や酸素が浸透するのを防止する層であり得る。特に、封止層ＥＮＣＡＰは、有機膜を含み得る発光層ＥＬに水分又は酸素が浸透することを防止することができる。ここで、封止層ＥＮＣＡＰは、単一膜で構成されてもよく、多重膜で構成されてもよい。

図８を参照すると、封止層ＥＮＣＡＰは、第１の封止層ＰＡＳ１、第２の封止層ＰＣＬ、及び第３の封止層ＰＡＳ２を含み得る。第１の封止層ＰＡＳ１及び第３の封止層ＰＡＳ２は、無機膜であってもよく、第２の封止層ＰＣＬは、有機膜であってもよい。

第２の封止層ＰＣＬが、有機膜で構成されることにより、第２の封止層ＰＣＬは、平坦化層の役割を果たすこともできる。

一方、本開示の実施形態による表示パネル１１０は、タッチセンサを内蔵することができる。この場合、本開示の実施形態による表示パネル１１０は、封止層ＥＮＣＡＰ上に形成されたタッチセンサ部を含み得る。

図８を参照すると、タッチセンサ部は、タッチセンサメタルＴＳＭ及びブリッジメタルＢＲＧを含むことができ、センサバッファ層Ｓ－ＢＵＦ、センサ層間絶縁膜Ｓ－ＩＬＤ、及びセンサ保護層Ｓ－ＰＡＣなどの絶縁膜の構成をさらに含み得る。

センサバッファ層Ｓ－ＢＵＦは、封止層ＥＮＣＡＰ上に配置することができる。ブリッジメタルＢＲＧは、センサバッファ層Ｓ－ＢＵＦ上に配置され、センサ層間絶縁膜Ｓ－ＩＬＤは、ブリッジメタルＢＲＧ上に配置され得る。

タッチセンサメタルＴＳＭは、センサ層間絶縁膜Ｓ－ＩＬＤ上に配置することができる。タッチセンサメタルＴＳＭの一部は、センサ層間絶縁膜Ｓ－ＩＬＤのホールを介して、当該ブリッジメタルＢＲＧと接続されてもよい。

図８を参照すると、タッチセンサメタルＴＳＭ及びブリッジメタルＢＲＧは、光学ベゼル領域ＯＢＡに配置することができる。タッチセンサメタルＴＳＭ及びブリッジメタルＢＲＧは、光学ベゼル領域ＯＢＡの第２の発光領域ＥＡ２と重ならないように配置することができる。

複数のタッチセンサメタルＴＳＭは、１つのタッチ電極（又は１つのタッチ電極ライン）を構成することができ、メッシュの形態で配置され、電気的に接続することができる。タッチセンサメタルＴＳＭの一部と、タッチセンサメタルＴＳＭの他の一部は、ブリッジメタルＢＲＧを介して電気的に接続され、１つのタッチ電極（又は１つのタッチ電極ライン）を構成することができる。

センサ保護層Ｓ－ＰＡＣは、タッチセンサメタルＴＳＭ及びブリッジメタルＢＲＧを覆いながら配置することができる。

一方、表示パネル１１０が、タッチセンサを内蔵するタイプの場合、表示領域ＤＡにおいて、封止層ＥＮＣＡＰ上に位置するタッチセンサメタルＴＳＭの少なくとも一部が延びて、封止層ＥＮＣＡＰの外郭傾斜面に沿って配置され、封止層ＥＮＣＡＰの外郭傾斜面よりも外側に位置するパッドと電気的に接続することができる。ここで、パッドは、非表示領域ＮＤＡに配置されてもよく、タッチ駆動回路２６０が電気的に接続される金属パターンであってもよい。

本開示の実施形態による表示パネル１１０は、第１のアノード電極ＡＥ１上に位置するものの、第１のアノード電極ＡＥ１の一部を露出させるバンクホールを有するバンクＢＫ、及び、バンクＢＫ上に位置するものの、バンクホールを介して露出された第１のアノード電極ＡＥ１の一部と接触する発光層ＥＬをさらに含み得る。

バンクＢＫに形成されたバンクホールは、複数のカソードホールＣＨと重ならない場合がある。即ち、カソードホールＣＨがある点では、バンクＢＫは、陥没又は貫通していない。したがって、カソードホールＣＨがある点で、バンクＢＫの下に位置する第２の平坦化層ＰＬＮ２及び第１の平坦化層ＰＬＮ１はまた、陥没又は貫通していない。

複数のカソードホールＣＨの下に位置するバンクＢＫの上面は、損傷を受けずに、平坦な状態であり得る。これは、カソード電極ＣＥに、複数のカソードホールＣＨを形成する工程により、カソード電極ＣＥの下に位置する絶縁層や金属パターン（電極や配線など）、又は発光層ＥＬが、損傷していないことを意味することができる。

カソード電極ＣＥに複数のカソードホールＣＨを形成する工程について簡単に説明すると、次の通りである。複数のカソードホールＣＨが形成される位置に、特定のマスクパターン（蒸着防止パターン、図示せず）を蒸着しておき、その上にカソード電極材料を蒸着する。これにより、カソード電極材料は、特定のマスクパターンのない領域にのみ蒸着され、複数のカソードホールＣＨが形成されたカソード電極ＣＥを形成することができる。例えば、特定のマスクパターンは、有機物を含み得る。カソード電極材料は、マグネシウム－銀（Ｍｇ－Ａｇ）合金を含み得る。

一方、複数のカソードホールＣＨを有するカソード電極ＣＥが形成された後、表示パネル１１０は、特定のマスクパターンが完全に除去された状態であってもよく、特定のマスクパターンの全部又は一部が残っている状態であってもよい。

本開示の実施形態による表示パネル１１０は、光学領域ＯＡに配置された第１の発光素子ＥＤ１を駆動するために、光学ベゼル領域ＯＢＡに配置された第１の駆動トランジスタＤＴ１と、光学ベゼル領域ＯＢＡに配置された第２の発光素子ＥＤ２を駆動するために、光学ベゼル領域ＯＢＡに配置された第２の駆動トランジスタＤＴ２とを含み得る。

本開示の実施形態による表示パネル１１０は、第１の駆動トランジスタＤＴ１及び第２の駆動トランジスタＤＴ２上に配置される第１の平坦化層ＰＬＮ１、第１の平坦化層ＰＬＮ１上に位置し、第１の平坦化層ＰＬＮ１のホールを介して、第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のソース電極Ｓ１と電気的に接続される第１の中継電極ＲＥ１、第１の平坦化層ＰＬＮ１上に位置し、第１の平坦化層ＰＬＮ１の他のホールを介して、第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のソース電極Ｓ２と電気的に接続される第２の中継電極ＲＥ２、及び第１の中継電極ＲＥ１及び第２の中継電極ＲＥ２上に配置される第２の平坦化層ＰＬＮ２をさらに含み得る。

本開示の実施形態による表示パネル１１０は、第１の中継電極ＲＥ１と第１のアノード電極ＡＥ１を接続し、第１の平坦化層ＰＬＮ１上に位置するアノード延長ラインＡＥＬをさらに含み得る。

第２のアノード電極ＡＥ２は、第２の平坦化層ＰＬＮ２のホールを介して、第２の中継電極ＲＥ２と電気的に接続され、第１のアノード電極ＡＥ１は、第２の平坦化層ＰＬＮ２の他のホールを介して、アノード延長ラインＡＥＬと電気的に接続することができる。

アノード延長ラインＡＥＬの全部又は一部は、光学領域ＯＡに配置され、アノード延長ラインＡＥＬは、透明材料を含み得る。
第１のピクセル回路ＳＰＣ１は、第１の発光素子ＥＤ１を駆動するための第１の駆動トランジスタＤＴ１を含み、第２のピクセル回路ＳＰＣ２は、第２の発光素子ＥＤ２を駆動するための第２の駆動トランジスタＤＴ２を含み得る。

第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のアクティブ層ＡＣＴ１と、第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のアクティブ層ＡＣＴ２とは、異なる層であってもよい。

本開示の実施形態による表示パネル１１０は、基板ＳＵＢ、基板ＳＵＢと第１の駆動トランジスタＤＴ１との間に配置される第１のバッファ層ＢＵＦ１、及び第１の駆動トランジスタＤＴ１と第２の駆動トランジスタＤＴ２の間に配置される第２のバッファ層ＢＵＦ２をさらに含み得る。

第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のアクティブ層ＡＣＴ１と、第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のアクティブＡＣＴ２とは、互いに異なる半導体材料を含み得る。

例えば、第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のアクティブ層ＡＣＴ２は、酸化物半導体材料を含み得る。例えば、酸化物半導体材料は、ＩＧＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＣｄＯ（ｃａｄｍｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、ＩｎＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、ＺＴＯ（ｚｉｎｃ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、 ＺＩＴＯ（ｚｉｎｃ ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）などを含み得る。

例えば、第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のアクティブＡＣＴ１は、第２の駆動トランジスタＤＴ２の第２のアクティブ層ＡＣＴ２とは異なる半導体材料を含み得る。

例えば、第１の駆動トランジスタＤＴ１の第１のアクティブ層ＡＣＴ１は、シリコンベースの半導体材料を含み得る。例えば、シリコンベースの半導体材料は、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ：Ｌｏｗ－Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ）などを含み得る。

本開示の実施形態による表示パネル１１０は、第１の発光素子ＥＤ１、第２の発光素子ＥＤ２、及び第３の発光素子ＥＤ３上の封止層ＥＮＣＡＰ、及び封止層ＥＮＣＡＰ上のタッチセンサメタルＴＳＭをさらに含み得る。

タッチセンサメタルＴＳＭは、一般領域ＮＡと光学ベゼル領域ＯＢＡとに配置され得る。光学領域ＯＡでは、タッチセンサメタルＴＳＭを配置しなくてもよく、一般領域ＮＡと光学ベゼル領域ＯＢＡよりも低密度で配置してもよい。

図８を参照すると、光学領域ＯＡは、光学電子装置と重なることができる。光学ベゼル領域ＯＢＡは、光学電子装置と重ならない場合がある。場合によっては、光学ベゼル領域ＯＢＡの一部は、光学電子装置と重なってもよい。

光学領域ＯＡと重なる光学電子装置は、第１の光学電子装置１１及び／又は第２の光学電子装置１２であってもよい。例えば、光学電子装置は、カメラ、赤外線センサ、又は紫外線センサなどを含み得る。例えば、光学電子装置は、可視光線を受信して、所定の動作を行う装置であってもよく、又は可視光線とは異なる光線（例えば、赤外線、紫外線）を受信して、所定の動作を行う装置であってもよい。

図８を参照すると、一般領域ＮＡの断面構造は、光学ベゼル領域ＯＢＡの断面構造と同じであり得る。ただし、光学領域ＯＡに配置された第１の発光素子ＥＤ１を駆動するために、光学ベゼル領域ＯＢＡに配置される第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１は、一般領域ＮＡに配置されない。

図９は、本開示の実施形態による表示パネル１１０の断面図であり、表示パネル１１０の光学ベゼル領域ＯＢＡ及び光学領域ＯＡでの断面図である。ただし、図９は、図６と同様に、１：２回路部接続方式を適用した場合の断面図である。

図９の断面図は、図８の断面図と基本的に同様である。ただし、図８の断面図は、図５のような１：１回路部接続方式が適用された場合であり、図９の断面図は、図６のような１：２回路部接続方式が適用された場合である点のみで、相違がある。したがって、以下では、図９の断面構造を説明するにおいて、図８の断面構造と相違がある特徴を中心に説明する。

図９を参照すると、光学領域ＯＡに配置された第１の発光素子ＥＤ１と第４の発光素子ＥＤ４とは、光学ベゼル領域ＯＢＡに配置された第１の駆動トランジスタＤＴ１によって同時に駆動され得る。

したがって、図９に示すように、アノード延長ラインＡＥＬは、第１のアノード電極ＡＥ１と他の第４のアノード電極ＡＥ４と電気的にさらに接続されてもよい。即ち、アノード延長ラインＡＥＬは、第１の発光素子ＥＤ１の第１のアノード電極ＡＥ１と、第４の発光素子ＥＤ４の第４のアノード電極ＡＥ４との両方に電気的に接続することができる。

図９を参照すると、アノード延長ラインＡＥＬは、複数のカソードホールＣＨのうち、第１の発光素子ＥＤ１と第４の発光素子ＥＤ４との間に位置するカソードホールＣＨと重なることができる。

図９を参照すると、第１の発光素子ＥＤ１による第１の発光領域ＥＡ１と、第４の発光素子ＥＤ４による第４の発光領域ＥＡ４とは、同じ色の光を放出する発光領域であってもよい。

図１０は、本開示の比較例による表示装置の第１の光学領域ＯＡ１の平面図である。

図１０を参照すると、表示装置は、第１の光学領域ＯＡ１内に複数のカソードホールＣＨを含み得る。

表示装置は、第２方向Ｄ２に延びて位置する複数の信号ラインＳＬを含み得る。複数の信号ラインＳＬは、第１方向Ｄ１に複数配列されてもよい。

第１方向Ｄ１に配列され、第２方向Ｄ２に延びて位置する複数の信号ラインＳＬが、第１の光学領域ＯＡ１に位置することにより、第１の光学領域ＯＡ１の下部に位置するカメラなどの光学電子装置上には、複数の信号ラインＳＬが配置されている。光学電子装置がカメラの場合、カメラは、複数の信号ラインＳＬ間を通過した光を受光して、画面を撮影するので、カメラでは、特定の方向のフレアを撮影することができる。例えば、第２方向Ｄ２に延びる複数の信号ラインＳＬが、第１方向Ｄ１に配置されると、第１方向Ｄ１にフレアが発生する可能性がある。

本開示の発明者らは、このような問題を解決するために、曲線状のアノード延長ラインを有する表示装置を発明した。

図１１は、本開示の実施形態による表示装置の表示領域の一部の平面図である。

図４、図５、図６、図８、図９及び図１１を参照すると、本開示の実施形態による表示装置は、表示領域ＤＡ、カソード電極ＣＥ、第１の発光素子ＥＤ１、第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１及びアノード延長ラインＡＥＬを含み得る。

より具体的に、図４を参照すると、表示領域ＤＡは、第１の光学領域ＯＡ１と、第１の光学領域ＯＡ１の外郭に位置する第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１とを含み得る。より具体的には、図８及び図９を参照すると、カソード電極ＣＥは、第１の光学領域ＯＡ１内に複数のカソードホールＣＨを含み得る。第１の発光素子ＥＤ１は、第１の光学領域ＯＡ１に位置し、第１のアノード電極ＡＥ１を含み得る。より具体的には、図５及び図６を参照すると、第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１は、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に位置することができる。図５、図６、図８及び図９を参照すると、アノード延長ラインＡＥＬは、第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１と、第１のアノード電極ＡＥ１とを電気的に接続することができる。図１１を参照すると、アノード延長ラインＡＥＬの形状は、曲線状であり得る。

図１１を参照すると、アノード延長ラインＡＥＬが、第２方向Ｄ２に延びて位置しながら、アノード延長ラインＡＥＬの形状が曲線状である場合、複数のアノード延長ラインＡＥＬが、第１方向Ｄ１に配列されて位置しても、第１の光学領域ＯＡ１と重畳して位置する光学電子装置を使用する際に、フレアが発生することを抑制することができる。図１１に示すように、単位面積当たりのアノード延長ラインの数は、第１の光学領域の端から、第１の光学領域の中央に向かって減少する。さらに、複数のアノード延長ラインは、複数のグループに分けられ、複数のグループのそれぞれの厚さは、第１の光学領域の端から、第１の光学領域の中央に向かって減少する。

表示装置は、複数のアノード延長ラインＡＥＬを含み得る。アノード延長ラインＡＥＬは、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に位置する複数のサブピクセル回路部と、第１の光学領域ＯＡ１に位置する複数の発光素子のアノード電極を電気的に接続するための配線を指すので、表示装置は、複数のアノード延長ラインＡＥＬを含み得る。

アノード延長ラインＡＥＬの数は、第１の光学領域ＯＡ１の中心部に向かうほど、その数が少なくなることがある。例えば、第１の光学領域ＯＡ１のＡ１行では、１つのピクセルＰＸＬに多数のアノード延長ラインＡＥＬが重畳して位置し、第１の光学領域ＯＡ１の中心部により近いＡ８行では、１つのピクセルＰＸＬに、より少ない数のアノード延長ラインＡＥＬが重畳して位置することができる。これは、Ａ１行からＡ８行に進むほど、アノード延長ラインＡＥＬが電気的に接続しなければならない発光素子及びサブピクセル回路部の数が減るためである。

アノード延長ラインＡＥＬは、カソードホールと重ならないように配置することができる。図１１を参照すると、第１の光学領域ＯＡ１及び第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１には、複数のピクセルＰＸＬを配置することができる。各ピクセルＰＸＬは、例えば、赤色発光領域ＥＡ＿Ｒ、緑色発光領域ＥＡ＿Ｇ、及び青色発光領域ＥＡ＿Ｂを含み得る。なお、先に図４及び図７などを参照して説明したように、第１の光学領域ＯＡ１には、透過度を確保するために、カソードホールＣＨを配置することができる。ただし、図１１では、カソードホールを示していない。

図１２及び図１３は、図１１の第１の光学領域ＯＡ１の拡大図である。より具体的には、図１２は、図１１の第１の光学領域ＯＡ１のＡ６行中の一部の拡大図であり、図１３は、図１１の第１の光学領域ＯＡ１のＡ８行中の一部の拡大図である。

図１２及び図１３を参照すると、アノード延長ラインＡＥＬは、カソードホールＣＨと重ならないように配置することができる。アノード延長ラインＡＥＬが、カソードホールＣＨと重ならないように配置することにより、表示装置が第１の光学領域ＯＡ１においてより高い透過度を確保することができる。また、アノード延長ラインＡＥＬが、カソードホールＣＨと重ならず、他の不透明な配線と重畳して位置することができるため、アノード延長ラインＡＥＬによって、第１の光学領域ＯＡ１の透過度が低下することを防ぐことができる。

図１２及び図１３を比較すると、アノード延長ラインＡＥＬの数が、図１２に示す部分において、図１３に示す部分より多いことが分かる。図１２は、図１１を参照する際に、第１の光学領域ＯＡ１のＡ６行中の一部の拡大図であり、図１３は、図１１を参照した際に、第１の光学領域ＯＡ１のＡ８行中の一部の拡大図である。このような差異を考慮すると、図１２では、アノード延長ラインＡＥＬが第２方向Ｄ２に進むにつれて、より多くのピクセルＰＸＬを接続する必要があるため、図１２に示す部分にさらに多数のアノード延長ラインＡＥＬが配置されてもよい。

図１２及び図１３を参照する際に、アノード延長ラインＡＥＬの形状は、カソードホールＣＨを迂回する曲線状であり得る。アノード延長ラインＡＥＬがカソードホールＣＨを迂回する場合、アノード延長ラインＡＥＬがカソードホールＣＨと重ならないので、前述したように、第１の光学領域ＯＡ１が高い透過度を有することができる。また、アノード延長ラインＡＥＬが曲線状を有する場合、前述したように、第１の光学領域ＯＡ１と重畳して位置するカメラを用いると、フレアの発生を抑制することができる。

カソードホールＣＨの形状は、円形の形状であり得る。この例では、アノード延長ラインＡＥＬの形状は、カソードホールＣＨを迂回するＳ字形状であり得る。カソードホールＣＨの形状が、円形であり、アノード延長ラインＡＥＬの形状が、カソードホールＣＨを迂回するＳ字形である場合、アノード延長ラインＡＥＬが、カソードホールＣＨと重畳せず、カソードホールＣＨと重ならずに位置する他の不透明配線と、アノード延長ラインＡＥＬとが重なって位置するため、第１の光学領域ＯＡ１の透過度を最大化することができる。また、アノード延長ラインＡＥＬを位置決めできる空間を効果的に確保できるので、より多くのアノード延長ラインＡＥＬを配置できることで、第１の光学領域ＯＡ１がより高い単位面積当たりのピクセル数を持つことができる。

図１２及び図１３において、発光領域ＥＡ＿Ｒ、ＥＡ＿Ｇ、ＥＡ＿Ｂを駆動するアノード電極と、アノード延長ラインＡＥＬとを接続するコンタクトホールは、図示していない。

表示装置は、第１の発光領域ＥＡ１、第２の発光領域ＥＡ２、及びアノード接続ラインＡＣＬを含み得る。第１の発光領域ＥＡ１及び第２の発光領域ＥＡ２は、第１の光学領域に位置することができる。アノード接続ラインＡＣＬは、第１の発光領域ＥＡ１と第２の発光領域ＥＡ２とを接続することができる。表示装置が、そのようなアノード接続ラインＡＣＬを含むことにより、第１の光学領域に位置する発光領域ＥＡ＿Ｒ、ＥＡ＿Ｇ、ＥＡ＿Ｂ中の一部ＥＡ１、ＥＡ２を、１つのアノード接続ラインＡＣＬを介して、同時に駆動できるので、より少ない数のアノード延長ラインＡＥＬを用いて、第１の光学領域に位置する発光領域ＥＡ＿Ｒ、ＥＡ＿Ｇ、ＥＡ＿Ｂを駆動することができるので、第１の光学ベゼル領域より少ない数のサブピクセル回路部を配置しても構わないので、第１の光学ベゼル領域の厚さを薄くすることができる効果がある。この例では、第１の発光領域ＥＡ１と第２の発光領域ＥＡ２とは、同じ色の光を放出することができる。同じ色の光を放出することは、ディスプレイ技術分野でサブピクセル間で発生する可能性のある一般的な誤差を考慮すると、同じであることを意味し得る。

アノード接続ラインＡＣＬは、カソードホールＣＨと重ならないように配置することができる。また、アノード接続ラインＡＣＬの形状は、カソードホールＣＨを迂回する曲線状であってもよい。アノード接続ラインＡＣＬが、カソードホールＣＨと重ならないように位置し、カソードホールＣＨを迂回する場合、第１の光学領域の透過度を最大化することができるので、光学電子装置が効果的に光を受光することができる。また、アノード接続ラインＡＣＬが曲線状を有する場合、例えば、カメラである光学電子装置を使用する際に、アノード接続ラインＡＣＬによってフレアが発生することを抑制することができる。

図１４及び図１５は、本開示の実施形態によるアノード延長ラインの断面を概略的に示す図である。より具体的には、図１４は、図１２に示すアノード延長ラインＡＥＬが含む第１のアノード延長ラインＡＥＬ１、第２のアノード延長ラインＡＥＬ２、及び第３のアノード延長ラインＡＥＬ３の断面を概略的に示したものであり、図１５は、図１３に示すアノード延長ラインＡＥＬが含む第１のアノード延長ラインＡＥＬ１の断面を概略的に示したものである。

図１４及び図１５を参照すると、第１のアノード延長ラインＡＥＬ１は、第１の金属層Ｍ１、第１の金属層Ｍ１上に位置する第２の金属層Ｍ２、及び第２の金属層Ｍ２上に位置する第３の金属層Ｍ３を含み得る。

第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２とは、互いに重ならないように配置することができる。第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２とが、互いに重ならないように位置することで、表示装置に不要なキャパシティが形成されるのを防止することができる。例えば、第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２とは、互いに異なる層上に配置されるものの、２つの層の間に１つ以上の絶縁膜が位置する最も隣接する２つの金属層であり得る。このような隣接する金属層である第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２とが、重なって位置する場合、２層間の距離が非常に短いため、表示装置の表示品質を低下させるほどのキャパシティが発生することがある。しかしながら、本開示の実施形態では、第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２とが、重なり合わないように位置することによって、第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２との間のキャパシティによって表示品質が低下するのを防ぐことができる。

第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２とは、互いに重ならないように位置して、第１のスリットＳＬＴ１を形成することができる。この例では、第３の金属層Ｍ３は、第１のスリットＳＬＴ１と重なるように配置することができる。第３の金属層Ｍ３が、第１のスリットＳＬＴ１と重畳して位置することにより、第１のスリットＳＬＴ１によってヘイズ不良が発生することを効果的に防止することができる。

表示装置は、第４の金属層Ｍ４をさらに含み得る。第４の金属層Ｍ４は、アノード延長ラインＡＥＬ１、ＡＥＬ２、ＡＥＬ３を構成しない層であってもよい。

第１のアノード延長ラインＡＥＬ１及び第２のアノード延長ラインＡＥＬ２は、第２のスリットＳＬＴ２を形成することができる。第２のスリットＳＬＴ２は、隣接する２つのアノード延長ラインＡＥＬ１、ＡＥＬ２を構成する第１の金属層Ｍ１及び第２の金属層Ｍ２が形成するスリットを指すことができる。例えば、第２のスリットＳＬＴ２は、第１のアノード延長ラインＡＥＬ１を構成する第２の金属層Ｍ２と、第２のアノード延長ラインＡＥＬ２を構成する第１の金属層Ｍ１とが形成するスリットを指すことができる。第２のスリットＳＬＴ２は、前述の第１のスリットＳＬＴ１が、１つのアノード延長ラインＡＥＬ１を構成する金属層Ｍ１、Ｍ２が形成するスリットである反面、第２のスリットＳＬＴ２は、互いに隣接する２つのアノード延長ラインＡＥＬ１、ＡＥＬ２を構成する金属層Ｍ１、Ｍ２が形成するスリットであるという点で、第１のスリットＳＬＴ１と相違がある。

第４の金属層Ｍ４は、第２のスリットＳＬＴ２と重なるように位置することができる。第４の金属層Ｍ４が、第２のスリットＳＬＴ２と重なって位置することにより、第２のスリットＳＬＴ２によってヘイズの不良が発生することを効果的に防止することができる。

また、第４の金属層Ｍ４は、第１のスリットＳＬＴ１とも重なるように位置することができる。第３の金属層Ｍ３だけでなく、第４の金属層Ｍ４も、第１のスリットＳＬＴ１と重なって位置する場合、第１のスリットＳＬＴ１によって発生し得るヘイズをより効果的に防止することができる。別の実施形態では、第４の金属層Ｍ４は、第１～第３の金属層Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３の全てを覆い、第１～第３の金属層Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３と、アノード電極ＡＥとの間に、寄生キャパシタが生じるのを防ぐことができる。

図１６は、本開示の実施形態による表示装置の断面図である。以下、図１６を参照して説明する際に、特に明記していない事項は、先に図８及び図９を参照して説明したものと同様であり得る。

図１６を参照すると、第１の光学領域ＯＡ１においてアノード延長ラインＡＥＬを構成する第１の金属層Ｍ１の線幅ｗ１と、第１の光学領域ＯＡ１においてアノード延長ラインＡＥＬを構成する第２の金属層Ｍ２の線幅ｗ２とは、互いに同じであってもよい。

例えば、線幅ｗ１及び線幅ｗ２は、工程上の誤差を考慮して決定された最小線幅であり得る。線幅ｗ１及び線幅ｗ２の両方が、最小線幅を有する場合、より多くのアノード延長ラインＡＥＬを形成することができる。したがって、第１の光学領域ＯＡ１で多数の発光素子を駆動することができるので、表示装置が第１の光学領域ＯＡ１において優れた表示品質を有することができる。この例では、第１の金属層Ｍ１の線幅ｗ１及び第２の金属層Ｍ２の線幅ｗ２は、両方とも工程上の誤差を考慮して形成できる最小限の線幅であるため、互いに同じであってもよい。

アノード延長ラインは、第２のアノード延長ラインＡＥＬ２を含み得る。第２のアノード延長ラインＡＥＬ２は、第１のアノード延長ラインＡＥＬ１に隣接して位置することができる。第１のアノード延長ラインＡＥＬ１の第１の金属層Ｍ１と、第２のアノード延長ラインＡＥＬ２の第１の金属層Ｍ１との間の間隔ｄ１は、第１のアノード延長ラインＡＥＬ１の第２の金属層Ｍ２と、第２のアノード延長ラインＡＥＬ２の第２の金属層Ｍ２との間の間隔ｄ２と同じであってもよい。

例えば、間隔ｄ１及び間隔ｄ２は、プロセス上の誤差を考慮して決定された最小限の間隔であり得る。間隔ｄ１及び間隔ｄ２の両方が、最小間隔を有する場合、より多くのアノード延長ラインＡＥＬを形成することができる。したがって、第１の光学領域ＯＡ１で多数の発光素子を駆動することができるので、表示装置が第１の光学領域ＯＡ１において優れた表示品質を有することができる。この例では、第１のアノード延長ラインＡＥＬ１の第１の金属層Ｍ１と、第２のアノード延長ラインＡＥＬ２の第１の金属層Ｍ１との間の間隔ｄ１と、第１のアノード延長ラインＡＥＬ１の第２の金属層Ｍ２と、第２のアノード延長ラインＡＥＬ２の第２の金属層Ｍ２との間の間隔ｄ２とは、両方とも工程上の誤差を考慮して形成できる最小限の間隔であるため、間隔ｄ１と間隔ｄ２とは、互いに同じであってもよい。

第１のソース－ドレイン電極ＳＤ１は、先に図８及び図９を参照して説明した第１のソース電極又は第１のドレイン電極であってもよい。第２のソース－ドレイン電極ＳＤ２は、先に図８及び図９を参照して説明した第１の中継電極又は第２の中継電極であってもよい。

第１の金属層Ｍ１は、第１のゲート電極Ｇ１及び第１のキャパシタ電極ＰＬＴ１と同じ層に位置することができる。第２の金属層Ｍ２は、第２のキャパシタ電極ＰＬＴ２と同じ層に位置することができる。第３の金属層Ｍ３は、第２のゲート電極Ｇ２と同じ層に位置することができる。第４の金属層Ｍ４は、第１のソース－ドレイン電極ＳＤ１と同じ層に位置することができる。

図１７は、本開示の実施形態による表示装置の断面図である。以下、図１７を参照して説明する際に、特に明記していない事項は、先に図８及び図９を参照して説明したものと同様であり得る。

図１７を参照すると、第１の金属層Ｍ１、第２の金属層Ｍ２、第３の金属層Ｍ３及び第４の金属層Ｍ４は、不透明であり得る。即ち、第１の光学領域ＯＡ１において、アノード延長ラインＡＥＬ１、ＡＥＬ２を構成する第１の金属層Ｍ１、第２の金属層Ｍ２、第３の金属層Ｍ３、及び第４の金属層Ｍ４は、不透明であり得る。例えば、不透明な第１の金属層Ｍ１、第２の金属層Ｍ２、第３の金属層Ｍ３及び第４の金属層Ｍ４は、薄膜トランジスタアレイ基板を構成する不透明な金属層と同じ材料で構成され得る。

第１の金属層Ｍ１、第２の金属層Ｍ２、第３の金属層Ｍ３及び第４の金属層Ｍ４が不透明である場合、第１の金属層Ｍ１、第２の金属層Ｍ２、第３の金属層Ｍ３及び第４の金属層Ｍ４が、より高い導電性を有することができるので、表示装置の効率を向上させることができる。

また、第１の金属層Ｍ１、第２の金属層Ｍ２、第３の金属層Ｍ３、及び第４の金属層Ｍ４が不透明である場合、隣接する金属層によって形成されるスリットＳＬＴ１、ＳＬＴ２で通過される光又は回折される光を、第３の金属層Ｍ３及び第４の金属層Ｍ４が効果的に遮断できるため、第１の光学領域ＯＡ１と重畳して位置するカメラなどの光学電子装置が、よりスムーズに光を受光することができる。

図１８は、本開示の実施形態による表示装置の断面図である。以下、図１８を参照して説明する際に、特に明記していない事項は、先に図８及び図９を参照して説明したものと同様であり得る。

図１８を参照すると、第１の金属層Ｍ１′、第２の金属層Ｍ２′、及び第３の金属層Ｍ３′は、透明であり得る。即ち、第１の光学領域ＯＡ１において、アノード延長ラインＡＥＬ１、ＡＥＬ２を構成する第１の金属層Ｍ１′、第２の金属層Ｍ２′、及び第３の金属層Ｍ３′は、透明であり得る。例えば、透明な第１の金属層Ｍ１′、第２の金属層Ｍ２′、及び第３の金属層Ｍ３′は、薄膜トランジスタアレイの上部に位置する透明な導電性金属層と同じ材料で構成できる。

第１の金属層Ｍ１′、第２の金属層Ｍ２′、及び第３の金属層Ｍ３′が透明である場合、第１の光学領域ＯＡ１がより高い透過度を有することができるので、第１の光学領域ＯＡ１と重畳して位置する光学電子装置が、よりスムーズに光を受光することができる。

図１９は、本開示の実施形態によるアノード延長ラインＡＥＬの形状によるフレア抑制効果を説明する。

図１９を参照すると、本開示の実施形態による表示装置は、様々な形状のアノード延長ラインＡＥＬを含み得る。より具体的には、実施例１は、アノード延長ラインＡＥＬを形成する金属層が、スリットを形成する実施例であり、実施例２は、先に図１４～図１８を参照して説明したように、金属層によって形成されたスリットが、異なる金属層と重なる実施例であり、実施例３は、実施例２のいくつかのアノード延長ラインパターンの位相が反転された実施例である。ＲＥＦ．１は、第１の光学領域ＯＡ１にカメラホールのみを配置した比較例である。

実施例１～３のフレアを見ると、ＲＥＦ．１と比較して、ある程度のフレアが発生したが、いずれも特定の方向へのフレアが発生していないことがわかる。即ち、いずれかの方向に延びるアノード延長ラインＡＥＬが位置しても、フレアの形状が対称的な形状をなしているので、いずれかの方向にフレアが最大化されることを効果的に防止することが分かる。

具体的に、実施例１及び２はいずれも、フレア抑制効果に優れ、パターン位相を反転した実施例３は、フレア抑制能力の点で、実施例１及２と大きな差はない。

図２０は、本開示の比較例及び実施例によるアノード接続ラインＡＣＬの形状によるフレア抑制効果を説明する図である。

図２０を参照すると、ＲＥＦ．１は、第１の光学領域ＯＡ１にカメラホールのみが位置する比較例であり、ＲＥＦ．２は、複数のカソードホールパターンが配置され、実施例は、アノード電極及びアノード接続ラインＡＣＬが位置する実施例である。

ＲＥＦ．２では、カソードホールパターンによって、ＲＥＦ．１で観察されていないフレアが観察される。実施例の場合、ＲＥＦ．２よりフレアが抑制された。したがって、本開示の実施形態による曲線状のアノード接続ラインＡＣＬを含む表示装置は、フレアが抑制されることが分かる。

以上で説明した本開示の実施形態を簡単に説明すると、以下の通りである。

本開示の実施形態による表示装置１００は、表示領域ＤＡ、カソード電極ＣＥ、第１の発光素子ＥＤ１、第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１、第１のアノード電極ＡＥ１及びアノード延長ラインＡＥＬを含み得る。

表示領域ＤＡは、第１の光学領域ＯＡ１と、第１光学領域ＯＡ１の外郭に位置する第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１とを含み得る。カソード電極ＣＥは、第１の光学領域ＯＡ１内に複数のカソードホールＣＨを含み得る。第１の発光素子ＥＤ１は、第１の光学領域ＯＡ１に位置し、第１のアノード電極ＡＥ１を含み得る。第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１は、第１の光学ベゼル領域ＯＢＡ１に位置することができる。アノード延長ラインＡＥＬは、第１のサブピクセル回路部ＳＰＣ１と、第１のアノード電極ＡＥ１とを電気的に接続し、カソードホールＣＨと重ならないように位置することができる。アノード延長ラインＡＥＬの形状は、曲線状であり得る。

アノード延長ラインＡＥＬの形状は、カソードホールＣＨを迂回する曲線状であり得る。

カソードホールＣＨの形状は、円形であり得る。また、アノード延長ラインＡＥＬの形状は、カソードホールＣＨを迂回するＳ字形であってもよい。

表示装置１００は、第１の光学領域ＯＡ１に位置する第１の発光領域ＥＡ１、第１の光学領域ＯＡ１に位置する第２の発光領域ＥＡ２、及び第１の発光領域ＥＡ１と第２の発光領域ＥＡ２を接続するアノード接続ラインＡＣＬを含み得る。第１の発光領域ＥＡ１と第２の発光領域ＥＡ２とは、同じ色の光を放出することができる。アノード接続ラインＡＣＬは、カソードホールＣＨと重ならないように位置し、アノード接続ラインＡＣＬの形状は、カソードホールＣＨを迂回する曲線状であり得る。

アノード延長ラインＡＥＬは、第１のアノード延長ラインＡＥＬ１を含み得る。第１のアノード延長ラインＡＥＬ１は、第１の金属層Ｍ１、第１の金属層Ｍ１上に位置する第２の金属層Ｍ２、及び第２の金属層Ｍ２上に位置する第３の金属層Ｍ３を含み得る。第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２とは、互いに重ならないように位置して、第１のスリットＳＬＴ１を形成することができる。第３の金属層Ｍ３は、前記第１のスリットＳＬＴ１と重なるように位置することができる。表示装置１００は、第４の金属層Ｍ３をさらに含み得る。第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２とは、互いに重ならないように位置して、第２のスリットＳＬＴ２を形成し、第４の金属層Ｍ４は、第２のスリットＳＬＴ２と重なるように位置することができる。第１の金属層Ｍ１の線幅ｗ１と、第２の金属層Ｍ２の線幅ｗ２とは、互いに同じであってもよい。

アノード延長ラインＡＥＬは、第２のアノード延長ラインＡＥＬ２を含み得る。第２のアノード延長ラインＡＥＬ２は、第１の金属層Ｍ１、第２の金属層Ｍ２、及び第３の金属層Ｍ３を含み得る。第２のアノード延長ラインＡＥＬ２は、第１のアノード延長ラインＡＥＬ１に隣接して位置することができる。

第１のアノード延長ラインＡＥＬ１の第１の金属層Ｍ１と、第２のアノード延長ラインＡＥＬ２の第１の金属層Ｍ１との間の間隔ｄ１は、第１のアノード延長ラインＡＥＬ１の第２の金属層Ｍ２と、第２のアノード延長ラインＡＥＬ２の第２の金属層Ｍ２との間の間隔ｄ２と同じであってもよい。

第１の金属層Ｍ１、第２の金属層Ｍ２、第３の金属層Ｍ３、及び第４の金属層Ｍ４は、不透明であり得る。

第１の金属層Ｍ１、第２の金属層Ｍ２、及び第３の金属層Ｍ３は、透明であり得る。

以上の説明は、本開示の技術思想を例示的に説明したものに過ぎず、本開示が属する技術分野における通常の知識を有する者であれば、本開示の本質的な特性から逸脱しない範囲で、様々な修正及び変形が可能であろう。また、本開示に示された実施形態は、本開示の技術思想を限定するものではなく、説明するためのものであるので、これらの実施形態によって本開示の技術思想の範囲が限定されるものではない。

１００ 表示装置
１１０ 表示パネル

Claims (15)

1. 第１の光学領域、及び前記第１の光学領域の外郭に位置する第１の光学ベゼル領域を含む表示領域と、
   前記第１の光学領域内に複数のカソードホールを含むカソード電極と、
   前記第１の光学領域に位置し、第１のアノード電極を含む第１の発光素子と、
   前記第１の光学ベゼル領域に位置する第１のサブピクセル回路部と、
   前記第１のサブピクセル回路部と前記第１のアノード電極とを電気的に接続し、前記カソードホールと重ならないように位置するアノード延長ラインとを含み、
   前記アノード延長ラインの形状は曲線状である、表示装置。
2. 前記アノード延長ラインの形状は、前記カソードホールを迂回する曲線状である、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記カソードホールの形状は円形であり、
   前記アノード延長ラインの形状は、前記カソードホールを迂回するＳ字形である、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１の光学領域に位置する第１の発光領域と、
   前記第１の光学領域に位置する第２の発光領域と、
   前記第１の発光領域と、前記第２の発光領域とを接続するアノード接続ラインとをさらに含む、請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第１の発光領域及び前記第２の発光領域は同じ色の光を放出する、請求項４に記載の表示装置。
6. 前記アノード接続ラインは、前記カソードホールと重ならないように配置され、
   前記アノード接続ラインの形状は、前記カソードホールを迂回する曲線状である、請求項４に記載の表示装置。
7. 前記アノード延長ラインは、第１の金属層、前記第１の金属層上に位置する第２の金属層、及び前記第２の金属層上に位置する第３の金属層を含む第１のアノード延長ラインを含み、
   前記第１の金属層と前記第２の金属層とは、互いに重ならないように位置し、第１のスリットを形成し、
   前記第３の金属層は、前記第１のスリットと重なるように位置する、請求項１に記載の表示装置。
8. 前記アノード延長ラインは、前記第１の金属層、前記第２の金属層、及び前記第３の金属層を含み、前記第１のアノード延長ラインに隣接して位置する第２のアノード延長ラインをさらに含み、
   前記第１のアノード延長ライン及び前記第２のアノード延長ライン上には、第４の金属層が配置され、
   前記第１のアノード延長ラインと前記第２のアノード延長ラインとは、互いに重ならないように位置し、第２のスリットを形成し、
   前記第４の金属層は、前記第２のスリットと重なるように位置する、請求項７に記載の表示装置。
9. 前記第１の金属層の線幅と前記第２の金属層の線幅とは、互いに同じである、請求項７に記載の表示装置。
10. 前記アノード延長ラインは、前記第１の金属層、前記第２の金属層、及び前記第３の金属層を含み、前記第１のアノード延長ラインに隣接して位置する第２のアノード延長ラインをさらに含み、
    前記第１のアノード延長ラインの第１の金属層と前記第２のアノード延長ラインの第１の金属層との間の間隔は、前記第１のアノード延長ラインの第２の金属層と前記第２のアノード延長ラインの第２の金属層との間の間隔と同じである、請求項７に記載の表示装置。
11. 前記第１の金属層、前記第２の金属層、前記第３の金属層、及び前記第４の金属層は不透明である、請求項８に記載の表示装置。
12. 前記第１の金属層、前記第２の金属層、及び前記第３の金属層は透明である、請求項７に記載の表示装置。
13. 単位面積当たりの前記アノード延長ラインの数は、前記第１の光学領域の端から、前記第１の光学領域の中央に向かって減少する、請求項１に記載の表示装置。
14. 前記第１の光学ベゼル領域を囲む一般領域を含み、選択的に、前記第１の光学領域が、前記一般領域と前記第１の光学ベゼル領域よりも高い光透過率を有する、請求項１に記載の表示装置。
15. 前記複数のアノード延長ラインは複数のグループに分けられ、前記複数のグループの各々の厚さは、前記第１の光学領域の端から前記第１の光学領域の中央に向かって減少する、請求項１に記載の表示装置。

Images