JP2006140449A - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
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- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
Abstract
【解決手段】ステッパまたはスキャナとして用いられる投影露光型のリソグラフィ装置において、水よりも屈折率が高い液浸液として、1つまたは複数のハロゲン化アルカリ金属、例えばフッ化アルカリ金属、塩化アルカリ金属、臭化アルカリ金属、の水溶液を用いるものであり、その屈折率が1.5以上のものであることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
放射の投射ビームを供給するための照明システムと、
投射ビームにその断面中においてパターンを付与するように働くパターン形成手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
基板の対象部分上にパターン形成されたビームを投射するための投射システムとを含み、
前記投射システムの最終構成要素と前記基板の間のスペースを液体で充填するための液体供給システムを特徴とし、
その液体が、1つ又は複数のハロゲン化アルカリ金属の水溶液を含む、リソグラフィ装置が、提供される。
放射の投射ビームを供給するための照明システムと、
投射ビームにその断面中においてパターンを付与するように働くパターン形成手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
基板の対象部分上にパターン形成されたビームを投射するための投射システムと、
前記投射システムの最終構成要素と前記基板の間のスペースを液体で充填するための液体供給システムとを含み、
液体供給システムが、少なくとも第1の構成成分を第2の構成成分と混合して前記液体を形成するためのミキサを含むことを特徴とする、リソグラフィ装置が、提供される。
基板を設けるステップと、
照明システムを使用して放射の投射ビームを供給するステップと、
投射ビームにその断面においてパターンを付与するために、パターン形成手段を使用するステップと、
放射のパターン形成されたビームを基板の対象部分上に投射するステップとを含み、
基板と、前記投射するステップ中で使用される投射システムの最終構成要素との間のスペースを充填するために、1つ又は複数のハロゲン化アルカリ金属の水溶液を含む液体を供給することを特徴とする、装置製造方法が提供される。
基板を設けるステップと、
照明システムを使用して放射の投射ビームを供給するステップと、
投射ビームにその断面においてパターンを付与するために、パターン形成手段を使用するステップと、
放射のパターン形成されたビームを基板の対象部分上に投射するステップと、
基板と、前記投射するステップ中で使用される投射システムの最終構成要素との間のスペースを充填するために、液体を供給するステップとを含み、
第1の構成成分と第2の構成成分を連続的に混合して、前記液体を生成することを特徴とする、装置製造方法が提供される。前記第1及び第2の構成成分は、たとえば溶剤及び濃縮物である。この態様の特定の実施例によれば、この方法は、前記液体を生成するために使用される前記第1及び/又は第2の構成成分の量を制御して、液体の1つ又は複数の物理的性質を制御するステップをさらに含む。
(a)有機成分の含有量が、5ppb又はそれより少なく、好ましくは1ppb又はそれより少ないこと。
(b)寸法50nm又はそれより大きい粒子の粒子含有量が、浸漬液1ml当り2個より少なく、好ましくは寸法50nm又はそれより大きい粒子が、浸漬液1ml当り0.5個より少ないこと。
(c)溶解酸素濃度が、15ppb又はそれより少なく、好ましくは5ppb又はそれより少ないこと。
(d)二酸化ケイ素含有量が、500ppt又はそれより少なく、好ましくは100ppt又はそれより少ないこと。
放射(たとえば、UV放射)の投射ビームPBを供給するための照明システム(照明装置)ILと、
パターン形成手段(たとえば、マスク)MAを支持し、アイテムPLに対してパターン形成手段を正確に位置決めするための第1の位置決め手段PMに接続された、第1の支持構造(たとえば、マスク・テーブル)MTと、
基板(たとえば、レジスト被覆ウェハ)Wを保持し、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするための第2の位置決め手段PWに接続された、基板テーブル(たとえば、ウェハ・テーブル)WTと、
基板Wの対象部分C(たとえば、1つ又は複数のダイを含む)上に、パターン形成手段MAによって投射ビームPBに付与されたパターンを写像するための投射システム(たとえば、屈折投射レンズ)PLとを含む。
1.ステップ・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは、基本的に静止させて置き、一方投射ビームに付与されたパターン全体は、1回(すなわち、1回の静的露光)で対象部分C上に投射される。次に、基板テーブルWTは、別の対象部分Cを露光することができるように、X方向及び/又はY方向にシフトされる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって、1回の静的露光で写像される対象部分Cのサイズが限定される。
2.スキャン・モードでは、マスク・テーブルMT及び基板テーブルWTは、投射ビームに付与されたパターンが対象部分C上に投射される間(すなわち、1回の動的露光)、同期して走査される。マスク・テーブルMTに対する基板テーブルWTの速度及び方向は、倍率(縮小率)及び投射システムPLの写像反転特性によって決定される。スキャン・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって、1回の動的露光中の対象部分の幅(非走査方向で)が限定され、一方、走査するための移動長さによって、対象部分の高さ(走査方向で)が決定される。
3.他のモードでは、マスク・テーブルMTは、基本的に静止させておいてプログラム可能なパターン形成手段を保持し、基板テーブルWTは、投射ビームに付与されたパターンが、対象部分C上に投射されている間、移動又は走査される。このモードでは、一般に、パルス状放射源が使用され、プログラム可能なパターン形成手段が、基板テーブルWTの移動の後毎に、又は走査中の連続する放射パルス間中に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上記で言及したようなタイプのプログラム可能なミラー・アレイなどのプログラム可能なパターン形成手段を使用するマスクを使用しないリソグラフィに、容易に適用することができる。
KSP=[Ca2+]*[F−]2=[Ca2+]*[2*Ca2+]2=4*[Ca2+]3=3.9e−11M3
[Ca2+]=2.1e−4M
すなわち、平衡状態で、CaF2の2.1e−4モルが、1lの水中に溶けることになる。
KSP=[Ca2+]*[F−]2=[Ca2+]*[2*Ca2++0.01M]2=3.9e−11M3
[Ca2+]が、0.01Mより非常に小さいので、
[2*Ca2++0.01M]〜[0.01M]
及び、
KSP=[Ca2+]*[0.01M]2=3.9e−11M3
及び、
[Ca2+]=3.9e−7M
(a)有機成分の含有量が、5ppb又はそれより少なく、好ましくは1ppb又はそれより少ないこと。
(b)寸法50nm又はそれより大きい粒子の粒子含有量が、浸漬液1ml当り2個より少なく、好ましくは寸法50nm又はそれより大きい粒子が、浸漬液1ml当り0.5個より少ないこと。
(c)溶解酸素濃度が、15ppb又はそれより少なく、好ましくは5ppb又はそれより少ないこと。
(d)二酸化ケイ素含有量が、500ppt又はそれより少なく、好ましくは100ppt又はそれより少ないこと。
Claims (26)
- 放射の投射ビームを供給するための照明システムと、
前記投射ビームにその断面中においてパターンを付与するように働くパターン形成手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記基板の対象部分上に前記パターン形成されたビームを投射するための投射システムとを含み、
前記投射システムの最終構成要素と前記基板の間のスペースを液体で充填するための液体供給システムを特徴とし、
前記液体が、1つ又は複数のハロゲン化アルカリ金属の水溶液を含む、リソグラフィ装置。 - 前記液体供給システムが前記液体又は前記液体の少なくとも1つの構成成分を収容する液体源を含む、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ハロゲン化アルカリ金属がフッ化アルカリ金属である、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記フッ化アルカリ金属がNaF又はCsFである、請求項3に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ハロゲン化アルカリ金属が塩化アルカリ金属又は臭化アルカリ金属である、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ハロゲン化アルカリ金属がハロゲン化ナトリウム、ハロゲン化カリウム、ハロゲン化ルビジウム又はハロゲン化セシウムである、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記液体が1.5又はそれより大きい屈折率を有する、請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 水又は水溶液である液体の屈折率を増加するための作用剤としての1つ又は複数のハロゲン化アルカリ金属の使用であって、
前記液体がリソグラフィ装置中に在る投射システムの最終構成要素と基板の間のスペースを充填している、使用。 - 液体中でのCaF2成分の分解を低減するための作用剤としてのフッ化アルカリ金属の使用であって、
前記液体がリソグラフィ装置中に在る投射システムの最終構成要素と基板の間のスペースを充填している、使用。 - 放射の投射ビームを供給するための照明システムと、
前記投射ビームにその断面中においてパターンを付与するように働くパターン形成手段を支持するための支持構造と、
基板を保持するための基板テーブルと、
前記基板の対象部分上に前記パターン形成されたビームを投射するための投射システムと、
前記投射システムの最終構成要素と前記基板の間のスペースを液体で充填するための液体供給システムとを含み、
前記液体供給システムが、少なくとも第1の構成成分を第2の構成成分と混合して前記液体を形成するためのミキサを含むことを特徴とする、リソグラフィ装置。 - 前記液体供給システムが前記第1及び/又は第2の構成成分の量を制御するための制御器を含む、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 前記液体供給システムが前記液体の1つ又は複数の性質を測定するための測定装置を含む、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1の構成成分が溶剤であり、前記第2の構成成分が濃縮物である、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 前記濃縮物がハロゲン化アルカリ金属である、請求項13に記載のリソグラフィ装置。
- 前記溶剤から前記濃縮物を分離するためのセパレータをさらに含む、請求項13に記載のリソグラフィ装置。
- 前記液体供給システムが、前記液体が連続的に混合される流体室を含む、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ミキサが磁石を含む、請求項16に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ミキサが、溶剤、第1の濃縮物、第2の濃縮物を混合するためのものである、請求項10に記載のリソグラフィ装置。
- 前記第1及び/又は第2の濃縮物がハロゲン化アルカリ金属である、請求項18に記載のリソグラフィ装置。
- 前記溶剤から前記第1及び/又は第2の濃縮物を分離するためのセパレータをさらに含む、請求項18に記載のリソグラフィ装置。
- 基板を設けるステップと、
照明システムを使用して放射の投射ビームを供給するステップと、
前記投射ビームにその断面においてパターンを付与するために、パターン形成手段を使用するステップと、
前記放射のパターン形成されたビームを前記基板の対象部分上に投射するステップとを含み、
前記基板と、前記投射するステップ中で使用される投射システムの最終構成要素との間のスペースを充填するために、1つ又は複数のハロゲン化アルカリ金属の水溶液を含む液体を供給することを特徴とする、デバイス製造方法。 - 基板を設けるステップと、
照明システムを使用して放射の投射ビームを供給するステップと、
前記投射ビームにその断面においてパターンを付与するために、パターン形成手段を使用するステップと、
前記放射のパターン形成されたビームを前記基板の対象部分上に投射するステップと、
前記基板と、前記投射するステップ中で使用される投射システムの最終構成要素との間のスペースを充填するために、液体を供給するステップとを含み、
少なくとも第1の構成成分と第2の構成成分を連続的に混合して、前記液体を形成することを特徴とする、デバイス製造方法。 - 前記第1の構成成分が溶剤であり、前記第2の構成成分が濃縮物である、請求項22に記載のデバイス製造方法。
- 前記液体を生成するために使用される前記第1及び/又は第2の構成成分の量を制御することによって、前記液体の1つ又は複数の物理的性質を制御するステップをさらに含む、請求項22に記載のデバイス製造方法。
- 1つ又は複数のハロゲン化アルカリ金属の水溶液であって、
前記水溶液が、
(a)有機成分の含有量が、5ppb又はそれより少なく、好ましくは1ppb又はそれより少ないこと、
(b)寸法50nm又はそれより大きい粒子の粒子含有量が、浸漬液1ml当り2個より少なく、好ましくは寸法50nm又はそれより大きい粒子が、浸漬液1ml当り0.5個より少ないこと、
(c)溶解酸素濃度が、15ppb又はそれより少なく、好ましくは5ppb又はそれより少ないこと、
(d)二酸化ケイ素含有量が、500ppt又はそれより少なく、好ましくは100ppt又はそれより少ないことの、上記の性質の1つ又は複数、好ましくはすべてを有する、水溶液。 - 前記1つ又は複数のハロゲン化アルカリ金属がNaF又はCsFである、請求項25に記載の水溶液。
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