JP2006126842A - 液晶表示パネル - Google Patents

Abstract

【課題】 観察方向を変化による表示輝度の変化が少ない液晶表示パネルを具現化するための技術を提供する。
【解決手段】 液晶表示パネルは、各画素内に液晶分子の配向方向が異なる複数種類の配向領域が形成されているマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルであって、画素ユニットが複数配列されているアクティブマトリクス基板と、アクティブマトリクス基板に対向している対向基板と、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に配置されている液晶層とを備えている。各画素ユニットに対向する液晶層は、少なくとも２つの領域群に区分されている。各領域群には、すべての種類の配向領域が含まれている。そして、各画素ユニットは、領域群毎の液晶層に異なる有効電圧を印加することを特徴とする。
【選択図】図１Ａ

Description

本発明は、液晶表示パネルに関する。特に、マルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルに関する。

表示装置に対する需要は高く、その開発が熱心に行われてきている。そのなかで、陰極線管（ＣＲＴ）方式の表示装置は、長期に亘って表示装置の主流を担い、技術的にも成熟されてきている。しかしながら、昨今の環境問題に対する意識の高まりに伴い、消費電力が大きいことや電磁波が漏洩するといった問題について、改善の要望が強くなっている。また、ＣＲＴ方式を採用する限り、表示装置の厚さを薄くすることにも限界がある。近年、表示装置の市場では、薄型であること、軽量であること、消費電力が小さいこと、意匠に優れること、小型であること等の要求が高まっている。ＣＲＴ方式の表示装置は、このような市場の要求に応えることができなくなってきている。
液晶表示装置は、高画質、コンパクト、省電力、無放射汚染等の利点を有していることから、ＣＲＴ方式の表示装置に代わって、表示装置の市場の主流となりつつある。液晶表示装置では、コントラストが高いことや、グレースケールの反転がないことや、色ズレがないことや、輝度が高いことや、色彩が豊かであることや、色飽和度が高いことや、応答性が高いことや、視野角が広いこと等の特性が求められる。広い視野角を実現する液晶表示装置として、例えばＴＮ型の液晶に広視角膜を加えたもの、ＩＰＳ型の液晶表示装置、ＦＦＳ型の液晶装置、マルチドメイン垂直配向型の薄膜トランジスタ液晶表示装置などが開発されている。
マルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置は、カラーフィルタ基板あるいは薄膜トランジスタ基板に配向突起やスリット等の配向構造を設け、各画素内に液晶分子の配向方向が異なる複数種類の配向領域を形成することによって、広い視野角を実現している。

しかしながら、マルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置であっても、観察方向によって液晶の光透過率が変化してしまうことから、観察方向によって表示輝度が変化してしまう。その結果、観察方向によって見える色が変化するという問題や、色飽和度が低下してしまうという問題が生じる。
本発明は、上記の問題を解決する。本発明は、観察方向を変化させた場合でも、表示輝度の変化が少ない液晶表示パネルを具現化するための技術を提供する。

本発明の技術は、各画素内に液晶分子の配向方向が異なる複数種類の配向領域が形成されているマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルに具現化することができる。この液晶表示パネルは、画素ユニットが複数配列されているアクティブマトリクス基板と、アクティブマトリクス基板に対向している対向基板と、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に配置されている液晶層とを備えている。そして、各画素ユニットに対向する液晶層は、少なくとも２つの領域群に区分されている。各領域群には、すべての種類の前記配向領域が含まれている。そして、各画素ユニットは、領域群毎の液晶層に異なる有効電圧を印加することを特徴とする。
この液晶表示パネルでは、画素に駆動電圧が印加されたときに、画素内では領域群毎の液晶層に異なる電界が印加される。それにより、構造上液晶分子の配向方向が同じ配向領域であっても、第１領域群に位置する範囲と第２領域群に位置する範囲では液晶分子の回転角度が異なるようになる。その結果、観察方向の変化に対する表示輝度の変化が低減されることとなる。

対向基板は、アクティブマトリクス基板に対向している共通電極を有することが好ましい。
アクティブマトリクス基板は、複数の走査配線と複数の信号配線を有することが好ましい。この場合、画素ユニットは、対応する一本の走査配線と一本の信号配線によって制御されることが好ましい。

上記の液晶表示パネルでは、領域群が、第１領域群と第２領域群とを含むことが好ましい。
この場合、画素ユニットは、アクティブ素子と、第１画素電極と、金属層と、第２画素電極を有することが好ましい。ここで、第１画素電極は、第１領域群に対向する位置に配置されているとともに、前記アクティブ素子に電気的に接続されている。金属層は、第１画素電極に電気的に接続されている。第２画素電極は、第２領域群に対向する位置に配置されているとともに、金属層と対向してコンデンサを形成している。さらに、画素ユニットは、金属層の下方に位置する共通配線を有することが好ましい。

あるいは、画素ユニットを、アクティブ素子と、第１画素電極と、抵抗体と、第２画素電極を用いて構成することもできる。ここで、第１画素電極は、第１領域群に対向する位置に配置されているとともに、アクティブ素子に電気的に接続されている。抵抗体は、アクティブ素子に電気的に接続されている。第２画素電極は、第２領域群に対向する位置に配置されているとともに、抵抗体に電気的に接続されている。
この画素ユニットにおいて、抵抗体は、アクティブ素子と同時に駆動されるトランジスタであることが好ましい。また、アクティブ素子は、薄膜トランジスタであることが好ましい。
画素ユニットは、共通配線を有することが好ましい。この場合、共通配線は前記した抵抗体であるトランジスタに電気的に接続されており、そのトランジスタは共通配線を介して動作されることが好ましい。
さらにこの場合、画素ユニットは、共通配線とアクティブ素子との間に介挿されているコンデンサを有することが好ましい。

あるいは、画素ユニットを、アクティブ素子と、画素電極と、誘電層を用いて構成することもできる。この場合、画素電極は、アクティブ素子に電気的に接続されている。絶縁層は、画素電極の第２領域群に対向する位置形成されている。
絶縁層は、樹脂材料から形成されることが好ましい。

あるいは、画素ユニットを、第１アクティブ素子と、第２アクティブ素子と、第３アクティブ素子と、第１画素電極と、第２画素電極と、コンデンサを用いて構成することもできる。第１画素電極は、第１領域群に対向する位置に配置されているとともに、第１アクティブ素子に電気的に接続されている。第２画素電極は、第２領域群に対向する位置に配置されているとともに、第２アクティブ素子に電気的に接続されている。コンデンサは、第３アクティブ素子を介して第２アクティブ素子に電気的に接続されている。第１アクティブ素子と第２アクティブ素子は、画素ユニットに対応している走査配線および信号配線に電気的に接続されている。一方、第３アクティブ素子は、その画素ユニットに対応している走査配線の次の走査配線によって開閉される。
この画素ユニットにおいて、コンデンサは、第１電極と、その第１電極に対向している第２電極を有することが好ましい。この場合、その第１電極は、第１画素電極および第２画素電極と同じ材料で形成されており、その第２電極は、信号配線と同じ材料で形成されていることが好ましい。
この画素ユニットにおいて、第１アクティブ素子と第２アクティブ素子と第３アクティブ素子は、薄膜トランジスタであることが好ましい。

あるいは、画素ユニットを、第１アクティブ素子と、第１画素電極と、第２アクティブ素子と、第２画素電極を有することが好ましい。第１アクティブ素子は、その画素ユニットに対応している走査配線に電気的に接続されている。第１画素電極は、第１領域群に対向する位置に配置されているとともに、第１アクティブ素子に電気的に接続されている。第２アクティブ素子は、その画素ユニットに対応している信号配線とその画素ユニットに対応している走査配線の次の走査配線に電気的に接続されており、その画素ユニットに対応している走査配線の次の走査配線によって開閉される。第２画素電極は、前記第２領域群に対向する位置に配置されているとともに、第１アクティブ素子と第２アクティブ素子との間に電気的に接続されている。

本発明の技術は、下記する液晶表示装置に具現化することもできる。この液晶表示装置は、各画素内に液晶分子の配向方向が異なる複数種類の配向領域が形成されているマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルであって、アクティブマトリクス基板と、対向基板と、液晶層とを備えている。アクティブマトリクス基板には、複数の画素ユニットが配列されている。対向基板は、共通電極層を有している。液晶層は、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に配置されている。画素ユニットに対向する液晶層は、第１領域群と第２領域群とに区分されている。第１領域群と第２領域群のそれぞれは、すべての種類の配向領域が含まれている。
画素ユニットは、アクティブ素子と、画素電極と、複数の配向突起を有している。画素電極は、アクティブ素子に電気的に接続されている。複数の配向突起は、画素電極の第１領域群に対向する位置に形成されている。画素電極の第２領域群に対向する位置には、複数のスリットが形成されている。

本発明の技術によると、下記するマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルを具現化することもできる。この液晶表示パネルは、アクティブマトリクス基板と、対向基板と、液晶層を備えている。アクティブマトリクス基板には、複数の画素ユニットが配列されている。対向基板は、共通電極層と、この共通電極層に設けられている複数の第１配向構造を有している。液晶層は、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に配置されている。画素ユニットに対向する液晶層は、第１領域群と第２領域群に区分されている。第１領域群と第２領域群のそれぞれには、すべての種類の配向領域が含まれている。
画素ユニットは、アクティブ素子と、画素電極と、複数の第２配向構造を有している。画素電極は、アクティブ素子に電気的に接続されている。第２配向構造は、画素電極に設けられている。そして、第１配向構造からその一方側に隣接する第２配向構造までの第１間隔と、第１配向構造からその他方側に隣接する第２配向構造までの第２間隔とが、異なることを特徴とする。

上記の液晶表示パネルでは、第１配向構造からその一方側に隣接する第２配向構造までの領域が第１領域群に含まれているとともに、第１配向構造からその他方側に隣接する第２配向構造までの領域が前記第２領域群に含まれていることが好ましい。
上記の液晶表示パネルでは、第１配向構造は、配向突起であることが好ましい。また、第２配向構造は、スリットであることが好ましい。また、アクティブ素子は、薄膜トランジスタであることが好ましい。
上記の液晶表示パネルでは、第１間隔と第２間隔との差が１マイクロメートル以上であることが好ましい。そして、第１間隔と第２間隔との差が１０マイクロメートル以上であるとさらに好ましい

本発明によって具現化される一つのマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルは、アクティブマトリクス基板と、対向基板と、液晶層とを備えている。アクティブマトリクス基板には、複数の画素ユニットが配列されている。対向基板は、共通電極層を有している。液晶層は、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に配置されている。各画素ユニットに対向する液晶層は、第１領域群と第２領域群とに区分されている。第１領域群と前記第２領域群のそれぞれには、すべての種類の配向領域が含まれている。
画素ユニットは、アクティブ素子と、アクティブ素子に電気的に接続されている画素電極を有している。画素電極には、鋸歯状の輪郭部を有しない複数の無鋸歯スリットと、鋸歯状の輪郭部を有する複数の鋸歯スリットが形成されている。無鋸歯スリットは、第１領域群に対向する位置に形成されている。鋸歯スリットは、第２領域群に対向する位置に形成されている。
この画素ユニットにおいて、アクティブ素子は、薄膜トランジスタであることが好ましい。

本発明の技術を採用したマルチドメイン垂直配向液晶表示パネルは、アクティブマトリクス基板と、対向基板と、液晶層とを備えている。アクティブマトリクス基板には、複数の画素ユニットが配列されている。対向基板は、共通電極層を有している。液晶層は、アクティブマトリクス基板と対向基板との間に配置されている。各画素ユニットに対向する液晶層は、少なくとも第１領域群と第２領域群に区分されている。第１領域群と第２領域群のそれぞれには、すべての種類の配向領域が含まれている。そして、駆動電圧に対する液晶層の光透過率が、第１領域群と第２領域群とで異なることを特徴とする。

本発明によると、マルチドメイン垂直配向型の液晶表示装置において、一つの画素が少なくとも強電場領域群と弱電場領域群に区分される。それらの各領域群には、すべての種類の配向領域が含まれている（例えば配向領域がＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの４種類存在すれば、各領域群に各配向領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの一部が含まれている。）。それにより、観察方向の変化に対する表示輝度の変化が低減されることとなり、表示品質を向上させることが可能となる。

本発明の技術は、各画素内に液晶分子の配向方向が異なる複数種類の配向領域が形成されているマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルに好適に実施することができる。この液晶表示パネルでは、各画素が複数の領域群に区分されている。各領域群には、すべての種類の配向領域が含まれている。例えば、各画素内に４種類の配向領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄが形成されている場合、各領域群には各配向領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの一部が含まれている。
この液晶表示パネルでは、各画素を駆動する際に、駆動電圧が信号配線を介して各画素電極の画素ユニットに入力される。画素ユニットは、駆動電圧が入力されると、第１領域群に位置する液晶層と、第２領域群に位置する液晶層に、互いに異なる有効電圧を印加する。それにより、同じ種類の配向領域であっても、それぞれの領域群において液晶分子の回転角度が異なる。その結果、観察方向の変化に対する表示輝度の変化を低減することができる。

本発明の目的、特徴、利点をさらに明瞭にするために、本発明を実施する好適な実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。
（第１実施例）
図１Ａと図１Ｂは、第１実施例のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルの要部を示している。詳しくは、図１Ａは第１実施例の液晶表示パネルの画素ユニットの構成を示しており、図１Ｂは第１実施例の液晶表示パネルの画素ユニットの電気回路の構成を示している。
図１Ａに示すように、第１実施例のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルは、アクティブマトリクス基板１３００と、アクティブマトリクス基板１３００に対向している対向基板１１００と、アクティブマトリクス基板１３００と対向基板１１００との間に配置されている液晶層１２００を備えている。
対向基板１１００上には、液晶分子１２１０ａ、１２１０ｂの配向方向を調整するための配向突起１１３０が形成されている。また、アクティブマトリクス基板１３００上にも、液晶分子１２１０ａ、１２１０ｂの配向方向を調整するための配向突起１３４０が形成されている。配向突起１１３０と配向突起１３４０により、各画素内では液晶層１２００の液晶分子１２１０ａ、１２１０ｂの配向方向が異なる複数種類の配向領域が形成されている。

対向基板１１００は、第１基板１１１０と、第１基板１１１０の一面に形成されている共通電極層１１２０を備えている。共通電極層１１２０は、アクティブマトリクス基板１３００に対向している。
アクティブマトリクス基板１３００には、図１Ｂに示す走査配線１３１４と信号配線１３１２と画素ユニット１００が複数形成されている。図１Ｂに示すように、画素ユニット１００は、対応する信号配線１３１２と走査配線１３１４に接続されており、対応する信号配線１３１２と走査配線１３１４によって制御される。画素ユニット１００群は、第２基板１３１０上にマトリクス状に配置されている。
図１Ａ、図１Ｂに示すように、画素ユニット１００は、アクティブ素子１３１６（図１Ｂ参照）と、第１画素電極１３３０ａと、第２画素電極１３３０ｂと、金属層１３１２ａを備えている。アクティブ素子１３１６には、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や他の三端子アクティブ素子を用いることができる。金属層１３１２ａと信号配線１３１２は、液晶表示パネルの製造時において、同時に形成することができる。図１Ａでは図示省略されているが、アクティブ素子１３１６は、第２基板１３１０上に配置されている。

第２基板１３１０には、絶縁層１３２２が形成されている。絶縁層１３２２は、アクティブ素子１３１６から伸びており、ゲート電極の絶縁層として機能する。金属層１３１２ａは、絶縁層１３２２の図面上方（反第２基板１３１０側）に位置している。絶縁層１３２４の図面上方には、絶縁層１３２４が形成されている。絶縁層１３２４は、金属層１３１２ａや絶縁層１３２２を覆っており、それらを保護する保護層として機能する。金属層１３１２ａは、共通配線１３１４ａの図面上方に位置することが好ましい。
第１画素電極１３３０ａと第２画素電極１３３０ｂは共に、絶縁層１３２４上に配置されている。第１画素電極１３３０ａは、第１領域群Ｉの液晶層１２００に対向する位置に設けられており、アクティブ素子１３１６に電気的に接続されている。第２画素電極１３３０ｂは、第２領域群IIの液晶層１２００に対向する位置に設けられており、対向する金属層１３１２ａとともにコンデンサ１３１８を形成している。換言すれば、液晶表示パネルの各画素は、第１画素電極１３３０ａが面している第１領域群Ｉと、第２画素電極１３３０ｂが面している第２領域群IIに大別することができる。第１領域群Ｉと第２領域群IIのそれぞれには、各画素に形成されているすべての種類の配向領域が含まれている。ここで、第１領域群Ｉと第２領域群IIは、配向突起１１３０、１３４０によって区画されている配向領域毎に区分されるものでは必ずしもない。一つの配向領域において、その一部が第１領域群Ｉに含まれるとともに、その他の一部が第２領域群IIに含まれていてもよい。
第２画素電極１３３０ｂと金属層１３１２ａとが対向する面積は、第２画素電極１３３０ｂの上方に位置する液晶層１２００に印加される有効電圧を決定する。

画素ユニット１００では、第１画素電極１３３０ａがアクティブ素子１３１６に直接的に電気接続されており、一方、第２画素電極１３３０ｂはコンデンサ１３１８を介してアクティブ素子１３１６に電気接続されている。それにより、第２画素電極１３３０ｂの電圧と第１画素電極１３３０ａの電圧は、互いに異なることとなる。従って、第１領域群Ｉに位置する液晶層１２００に印加される有効電圧と第２領域群IIに位置する液晶層１２００に印加される有効電圧は、互いに異なることとなる。詳しくは、信号配線１３１２から所定の駆動電圧が画素ユニットに入力された場合、第１画素電極１３３０ａに印加される電圧は、第２画素電極１３３０ｂに印加される電圧よりも大きくなる。従って、第１領域群Ｉに位置する液晶層１２００に印加される有効電圧は、第２領域群IIに位置する液晶層１２００に印加される有効電圧よりも大きくなる。その結果、第１領域群Ｉにおける液晶分子の回転角度と、第２領域群IIにおける液晶分子の回転角度は、互いに異なることになる。それにより、観察方向の変化に伴う輝度の変化は、第１領域群Ｉと第２領域群IIによって互いに補完され、低減される。

本実施例の液晶表示パネルでは、液晶層１２００内の液晶分子を複数方向に配向させるために（即ち、マルチドメイン化するために）、例えば共通電極層１１２０や、第１画素電極１３３０ａや、第２画素電極１３３０ｂに、スリットを形成することもできる。あるいは、共通電極層１１２０に配向突起とスリットの一方を形成するとともに、第１画素電極１３３０ａと第２画素電極１３３０ｂに配向突起とスリットの他方を形成することもできる。

（第２実施例）
図２Ａは、本発明を実施した第２実施例のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルの画素ユニット２００の電気回路の構成を示す模式図である。第２実施例の液晶表示パネルは、第１実施例の液晶表示パネルに比して、画素ユニット２００の構成のみが異なっている。図２Ａに示す第２実施例の画素ユニット２００は、図１Ｂに示す第１実施例の画素ユニット１００に類似しているが、第２実施例の画素ユニット２００では、第２画素電極２３３０ｂが抵抗体２３１８を介してアクティブ素子１３１６に電気的に接続されている。なお図２Ａに示すように、本実施例では抵抗体２３１８にトランジスタを用いているが、抵抗体２３１８には抵抗素子や他の電圧下降を発生するもの素子を用いることもできる。一方、第１画素電極２３３０ａはアクティブ素子１３１６に直接的に電気接続されている。
第１実施例と同様に、第１画素電極２３３０ａは第１領域群Ｉの液晶層１２００に対向する位置に配置されており、第２画素電極２３３０ｂは第２領域群IIの液晶層１２００に対向する位置に配置されている。第１画素電極２３３０ａに印加される電圧に比して、第２画素電極２３３０ｂに印加される電圧は、抵抗体２３１８による電圧降下に伴って低くなる。従って、第１領域群Ｉの液晶層１２００に印加される有効電圧と第２領域群IIの液晶層１２００に印加される有効電圧は、互いに異なることになる。第２領域群IIの液晶層１２００に印加される有効電圧は、抵抗体２３１８による電圧下降幅、例えば抵抗体２３１８の抵抗値によって、調整することができる。

第２実施例の画素ユニット２００によれば、第１画素電極２３３０ａは第１領域群Ｉの位置に対応して配置されると共に、第２画素電極２３３０ｂは第２領域群IIの位置に対応して配置されている。そして、第１画素電極２３３０ａは直接的にアクティブ素子に電気接続されており、第２画素電極２３３０ｂは抵抗体２３１８を介してアクティブ素子に電気接続されている。それにより、第１領域群Ｉの液晶層に印加される有効電圧と、第２領域群IIの液晶層に印加される有効電圧は互いに異なることとなる。それにより、観察方向の変化に伴う表示輝度の変化は低減される。

（第２実施例の変形例１）
図２Ｂは本発明を実施した第２実施例の変形例１の画素ユニットの電気回路の構成を示す模式図である。本変形例１では、上記した第２実施例に比して、抵抗体２３１８に用いるトランジスタのゲート電極の電気接続の形態が変更されている。図２Ｂに示すように、抵抗体として用いるトランジスタ２３１８のゲート電極は、アクティブ素子１３１６のソース電極に電気接続されている。それにより、走査配線１３１４がアクティブ素子１３１６をオンすると、それに続いてトランジスタ２３１８がオンすることとなり、電圧信号が印加される。
ここで、信号配線１３１２が出力する電圧信号は、フレーム時間の変化に伴って変化する。この電圧信号の変化によって、トランジスタ２３１８のチャネル幅も変化することから、トランジスタ２３１８は可変抵抗器のように抵抗値を変化させる。トランジスタ２３１８による電圧降下によって、第１画素電極２３３０ａ（第１領域群Ｉに位置される）と第２画素電極２３３０ｂ（第２領域群IIに位置される）には、互いに異なる電圧が印加される。それにより、第１領域群Ｉの液晶層に印加される有効電圧と、第２領域群IIの液晶層に印加される有効電圧は、互いに異なることとなる。

（第２実施例の変形例２）
図２Ｃは、本発明を実施した第２実施例の変形例２の画素ユニットの電気回路の構成を示す模式図である。本変形例２では、上記した第２実施例に比して、共通配線２３１４ａが付加されている。図２Ｃに示すように、共通配線２３１４ａは、トランジスタ２３１８のゲート電圧に電気的に接続されている。一般に、共通配線２３１４ａは、参照電圧源に電気的に接続されている。トランジスタ２３１８のゲート電極には、参照電圧が印加されており、トランジスタ２３１８はオン状態が維持されている。トランジスタ２３１８は、所定のオン抵抗を持つことから、抵抗体として機能する。トランジスタ２３１８による電圧降下によって、第１画素電極２３３０ａ（第１領域群Ｉに位置される）と第２画素電極２３３０ｂ（第２領域群IIに位置される）には、互いに異なる電圧が印加される。
本変形例２の画素ユニットでは、共通配線２３１４ａとアクティブ素子１３１６との間を、コンデンサＣｓを介して接続することが好ましい。コンデンサＣｓは、第１領域群と第２領域群のいずれにも配置することができ、第１領域群と第２領域群の両方に配置することもできる。

（第３実施例）
図３は、本発明を実施した第３実施例のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルの画素ユニットの断面構成を示す模式図である。図３に示すように、本実施例の画素ユニットは、図１Ａに示す第１実施例の画素ユニットに比して、単一の画素電極３３２０を備える点が相違する。その一方において、第２領域群IIの位置に対応する画素電極３３２０の範囲には、誘電層３３３０が形成されている。誘電層３３３０は、画素電極３３２０よりも大きい誘電率を有している。誘電層３３３０が画素電極３３２０より大きい誘電率を持つことによって、第１領域群Ｉの液晶層１２００に印加される有効電圧と、第２領域群IIに印加される有効電圧は、互いに異なることとなる。誘電層３３３０は、例えば樹脂や他の絶縁材料等で形成することができる。
画素電極３３２０は、アクティブ素子に電気的に接続されている。第２領域群IIの液晶層１２００に印加される有効電圧は、誘電層３３３０の厚さや誘電率によって調整することができる。

（第４実施例）
図４は、本発明を実施した第４実施例のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルの画素ユニットの断面構成を示す模式図である。図４に示すように、本実施例の画素ユニットは、図３に示す第３実施例の画素ユニットに類似しているが、画素電極４３２０に複数のスリット４３２２が形成されている点で相違している。複数のスリット４３２２は、第２領域群IIに対応する位置に形成されている。一方、画素電極４３２０の第１領域群Ｉに対応する位置には、配向突起１３４０が設けられている。
上記の構成により、本実施例の液晶表示パネルでは、画素電極４３２０に駆動電圧を印加したときの液晶分子１２１０ｂの配向方向が、第１領域群Ｉと第２領域群IIとで異なることとなる。その結果、駆動電圧と液晶層１２００の光透過率との関係が、第１領域群Ｉと第２領域群IIとで異なることとなる。第１領域群Ｉと第２領域群IIによって、観察方向による表示輝度の変化は互いに補完されることとなり、色ズレ等の問題が改善される。
本実施例の液晶表示パネルでは、配向突起１１３０とスリットの両者を、対向基板１１００側に設ける構成とすることもできる。この場合、配向突起１１３０とスリットの一方を第１領域群Ｉに設け、その他方を第２領域群IIに設ける。それにより、液晶層１２００に印加する駆動電圧と液晶層１２００の光透過率の関係を、第１領域群Ｉと第２領域群IIとで相違させることができる。

（第５実施例）
図５Ａは、本発明を実施した第５実施例のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルの画素ユニットの断面構成を示す模式図である。図５Ａに示すように、画素電極５３２０は、複数のスリット５３２２とスリット５３２４を有しており、アクティブ素子に電気的に接続されている。また、対向基板１１００側には、複数の配向突起１１３０が形成されている。画素電極５３２０のスリット５３２２、５３２４や、対向基板１１００側の配向突起１１３０によって、画素領域はマルチドメイン化されている。
図５Ａに示すように、スリット５３２４は第１領域群Ｉに設けられており、スリット５３２２は第２領域群IIに設けられている。対向基板１１００の配向突起１１３０とそれに隣接する第１領域群Ｉのスリット５３２４との第１間隔Ｄ１は、対向基板１１００の配向突起１１３０とそれに隣接する第２領域群IIのスリット５３２２との第２間隔Ｄ２よりも、大きい。

配向突起１１３０からスリット５３２２、５３２４までの最短距離が、第１領域群Ｉと第２領域群IIとで異なることから、第１領域群Ｉと第２領域群IIの液晶層１２００に同じ駆動電圧が印加された場合であっても、第１領域群Ｉの液晶分子１２１０ａの回転角度と第２領域群IIの液晶分子１２１０ｂの回転角度は、互いに異なることとなる。その結果、第１領域群Ｉと第２領域群IIとの間で、液晶層１２００の光透過率が相違することとなる。

図５Ｂは、横軸に駆動電圧をとり、縦軸に光透過率をとり、駆動電圧と光透過率の関係を示すグラフである。図５Ｂのグラフは、上記した間隔Ｄ１あるいはＤ２を、１５μｍ、２０μｍ、２５μｍとした場合について示している。
図５Ｂに示すように、同じ駆動電圧に対して、配向突起１１３０とスリット５３２２、５３２４との間隔が大きいほど光透過率は高くなる。即ち、第１間隔Ｄ１と第２間隔Ｄ２を相違させることによって、第１領域群Ｉにおける光透過率と第２領域群IIにおける光透過率とを相違させることができることを示している。この光透過率の差は、第１間隔Ｄ１と第２間隔Ｄ２との差が大きいほど、大きくなる。そのことから、第１間隔Ｄ１と第２間隔Ｄ２との差は、１μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ以上であることがより好ましい。
本実施例では、液晶層１２００をマルチドメイン化するために、対向基板１１００に配向突起１１３０を配置するとともに、アクティブマトリクス基板１３００にスリット５３２４、スリット５３２２を形成しているが、これに限定されない。例えば配向突起１１３０に代えて、対向基板１１００の共通電極層１１２０にスリットを設けてもよい。また、スリット５３２４、スリット５３２２に代えて、アクティブマトリクス基板１３００に配向突起を設けてもよい。配向突起を配置することと、スリットを形成することは、互いに置換可能である。

（第６実施例）
図６Ａは、本発明を実施した第６実施例のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルの画素ユニット６００の構成を示す平面図である。図６Ａに示すように、画素ユニット６００は、アクティブ素子１３１６と、アクティブ素子１３１６に電気的に接続されている画素電極６３２０を備えている。画素電極６３２０には、直線的な輪郭を有する無鋸歯スリット６３２２と、鋸歯状の輪郭を有する鋸歯スリット６３２４が形成されている。無鋸歯スリット６３２２は、第１領域群Ｉに対応する位置に形成されている。鋸歯スリット６３２４は、第２領域群IIに対応する位置に形成されている。
図６Ｂは、横軸に駆動電圧をとり、縦軸に光透過率をとり、駆動電圧と正規化した光透過率の関係を示すグラフである。図６Ｂの実線のグラフは、無鋸歯スリット６３２２を形成した場合を示しており、図６Ｂの破線のグラフは、鋸歯スリット６３２４を形成した場合を示している。図６Ｂに示すように、同じの駆動電圧であっても、無鋸歯スリット６３２２を形成した場合は、鋸歯スリット６３２４を形成した場合よりも、光透過率が高くなる。そのことから、本実施例の液晶表示パネルでは、同じ駆動電圧に対して、第１領域群Ｉの液晶層における光透過率と、第２領域群IIの液晶層における光透過率とが、互いに異なることとなる。

（第７実施例）
図７Ａは、本発明を実施した第７実施例のマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルの断面構成を示す模式図である。図７Ｂは、第７実施例の画素ユニットの電気回路の構成を示す模式図である。
図７Ａ、図７Ｂに示すように、本実施例の液晶表示パネルは、アクティブマトリクス基板１３００と、アクティブマトリクス基板１３００に対向している対向基板１１００と、アクティブマトリクス基板１３００と対向基板１１００との間に配置されている液晶層１２００を備えている。
対向基板１１００は、第１基板１１１０と、第１基板１１１０の表面に配置されている共通電極層１１２０を備えている。共通電極層１１２０は、アクティブマトリクス基板１３００に対向している。
アクティブマトリクス基板１３００には、図７Ｂに示す信号配線１３１２と走査配線１３１４と画素ユニット７００が複数形成されている。図７Ｂに示すように、画素ユニット７００は、対応する信号配線１３１２と走査配線１３１４に接続されており、対応する信号配線１３１２と走査配線１３１４によって制御される。画素ユニット７００は、第２基板１３１０上にマトリクス状に配置されている。
図７Ｂに示すように、画素ユニット７００は、第１アクティブ素子１３１６ａと、第２アクティブ素子１３１６ｂと、第３アクティブ素子１３１６ｃと、第１画素電極１３３１ａと、第２画素電極１３３１ｂと、コンデンサ１３１９を備えている。第１アクティブ素子１３１６ａと第２アクティブ素子１３１６ｂと第３アクティブ素子１３１６ｃには、例えば薄膜トランジスタや他の３端子能動素子を用いることができる。

第１アクティブ素子１３１６ａは、第１画素電極１３３１ａに電気的に接続されている。第１画素電極１３３１ａは、第１領域群Ｉの液晶層１２００に対向する位置に配置されている。第１アクティブ素子１３１６ａは、ドレイン電極１３１２ａが第１画素電極１３３１ａに電気的に接続されている。第１アクティブ素子１３１６ａのゲート電極は、走査配線１３１４に電気的に接続されている。
第２アクティブ素子１３１６ｂは、第２画素電極１３３１ｂに電気的に接続されている。第２画素電極１３３１ｂは、第２領域群IIの液晶層１２００に対応する位置に配置されている。第２アクティブ素子１３１６ｂは、ドレイン電極１３１２ｂが第２画素電極１３３１ｂに電気的に接続されている。第２アクティブ素子１３１６ｂのゲート電極は、走査配線１３１４に電気的に接続されている。
ドレイン電極１３１２ａやドレイン電極１３１２ｂは、例えば信号配線１３１２と同時に形成することができる。

図７Ｂに示すように、第１アクティブ素子１３１６ａと第２アクティブ素子１３１６ｂは、画素ユニット７００に対応している信号配線１３１２と走査配線１３１４に電気的に接続されている。第３アクティブ素子１３１６ｃは、次の走査配線１３１５に電気的に接続されている。コンデンサ１３１９は、第３アクティブ素子１３１６ｃを介して、第２画素電極１３３１ｂに電気的に接続されている。第３アクティブ素子１３１６ｃのゲート電極が次の走査配線１３１５に電気的に接続されていることから、第３アクティブ素子１３１６ｃのオン／オフは走査配線１３１５によって制御される。第３アクティブ素子１３１６ｃのソース電極は、第２画素電極１３３１ｂに電気的に接続されている。また、第３アクティブ素子１３１６ｃのドレイン電極は、コンデンサ１３１９に電気的に接続されている。

上記の構造により、第１アクティブ素子１３１６ａと第２アクティブ素子１３１６ｂが走査配線１３１４によって略同時に駆動されると、第１画素電極１３３１ａに印加される電圧Ｖ１と第２画素電極１３３１ｂに印加される電圧Ｖ２は略同一になる。一方、次の走査配線１３１５によって第３アクティブ素子１３１６ｃがオンされると、コンデンサ１３１９によって電圧Ｖ２は下降する。このとき、第１アクティブ素子１３１６ａと第２アクティブ素子１３１６ｂは、オフ状態が維持される。それにより、第１領域群Ｉの液晶層１２００に印加される有効電圧と、第２領域群IIの液晶層１２００に印加される有効電圧は、互いに相違することとなる。
図７Ａに示すように、前記のコンデンサ１３１９は、第１電極１３１９ａと第２電極１３１９ｂを有している。第２電極１３１９ｂは、第１電極１３１９ａの下方に配置されている。第１電極１３１９ａは、第１画素電極１３３１ａや第２画素電極１３３１ｂと同じ材料で形成することができ、第２電極１３１９ｂは信号配線１３１２と同じ材料で形成することができる。

（第８実施例）
図８は、本発明を実施した第８実施例の画素ユニットの電気回路の構成を示す模式図である。図８に示すように、本実施例の画素ユニット８００は、第１アクティブ素子１３１６ａと、第１画素電極１３３１ａと、第２アクティブ素子１３１６ｂと、第２画素電極１３３１ｂを備えている。
第１アクティブ素子１３１６ａのゲート電極は、画素ユニット８００に対応する走査配線１３１４に電気的に接続されている。第１アクティブ素子１３１６ａのドレイン電極は、第１画素電極１３３１ａに電気的に接続されている。第１画素電極１３３１ａは、第１領域群に対応する位置に配置されている。
第２アクティブ素子１３１６ｂのゲート電極は、画素ユニット８００に対応する走査線１３１４ｂ（ｎ本目）の次の走査線１３１４ｂ（ｎ＋１本目）に電気的に接続されている。それにより、第２アクティブ素子１３１６ｂは、画素ユニット８００に対応する走査線１３１４ｂ（ｎ本目）の次の走査線１３１４ｂ（ｎ＋１本目）によってオン／オフされる。第２アクティブ素子１３１６ｂのソース電極は、画素ユニット８００に対応する信号配線１３１２に電気的に接続されている。第２アクティブ素子１３１６ｂのドレイン電極は、第２画素電極１３３ｂと第１アクティブ素子１３１６ａのソース電極に電気的に接続されている。第２画素電極１３３ｂは、第２領域群に対応する位置に配置されている。

上記の構成により、ｎ本目の走査配線１３１４によって第１アクティブ素子１３１６ａがオンされると、第２画素電極１３３１ｂに残るｋ−１個目のフレーム時間の信号電圧が第１画素電極１３３１ａに印加されることとなり、第１画素電極１３３１ａ（第１領域群Ｉにある）に駆動電圧Ｖ１が印加されることになる。次に、ｎ＋１本目の走査配線１３１４によって第２アクティブ素子１３１６ｂがオンされると、信号配線１３１２から第２画素電極１３３１ｂにｋ個目のフレーム時間の信号電圧が印加されることになり、第２画素電極１３３１ｂ（第２領域群IIにある）に電圧Ｖ２が印加されることになる。このとき、第１アクティブ素子１３１６ａはオフ状態に維持されている。
このように、第１領域群に対応して配置されている第１画素電極１３３１ａと、第２領域群に対応して配置されている第２画素電極１３３１ｂでは、印加される電圧が互いに異なることから、第１領域群の液晶層に印加される有効電圧と第２領域群の液晶層に印加される有効電圧は、互いに異なることとなる。その結果、第１領域群の液晶層と第２領域群の液晶層では液晶分子の回転角度が互いに異なることとなり、観察方向による輝度の変化等が低減され、広い視野角が実現される。

上述した各実施例の液晶表示パネルでは、第１領域群Ｉと第２領域群IIとの面積比率を調整することにより、液晶表示パネルの表示特性を調整することができる。
上述したように、本発明を実施したマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルは、少なくとも以下のような利点を備えている。即ち、実施例で説明したマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルでは、マルチドメイン化された画素領域に対して、液晶分子の配向方向（回転角度）が互いに異なる複数の領域を形成することができる。それにより、観察方向の変化による輝度等の変化を低減でき、表示品質を向上することができる。このマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルでは、他の光学的な補償層等を増設する必要がないことから、従来の製造設備を用いて製造することも可能である。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。本明細書または図面に例示した技術は複数の目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

第１実施例の液晶表示パネルの断面構成を示す模式図。 第１実施例の画素ユニットの電気回路の構成を示す模式図。 第２実施例の画素ユニットの電気回路の構成を示す模式図。 第２実施例の第１変形例の画素ユニットの電気回路の構成を示す模式図。 第２実施例の第２変形例の画素ユニットの電気回路の構成を示す模式図。 第３実施例の液晶表示パネルの断面構成を示す模式図。 第４実施例の液晶表示パネルの断面構成を示す模式図。 第５実施例の液晶表示パネルの断面構成を示す模式図。 配向突起とスリットとの間隔毎に、液晶層の駆動電圧と光透過率の関係を示すグラフ。 第６実施例の画素ユニットの平面構成を示す模式図。 スリットの形態別に、液晶層の駆動電圧と光透過率の関係を示すグラフ。 第７実施例の液晶表示パネルの断面構成を示す模式図。 第７実施例の画素ユニットの電気回路の構成を示す模式図。 第８実施例の画素ユニットの電気回路の構成を示す模式図。

符号の説明

１００、１００、６００、８００・・画素ユニット
１１００・・対向基板
１１１０・・第１基板
１１２０・・共通電極層
１１３０、１３４０・・配向突起
１２００・・液晶層
１２１０ａ、１２１０ｂ・・液晶分子
１３００・・アクティブマトリクス基板
１３１０・・第２基板
１３１２・・信号配線
１３１２ａ・・金属層
１３１４・・走査配線
１３１４ａ、２３１４ａ・・共通配線
１３１５・・次の走査配線
１３１６・・アクティブ素子
１３１６ａ・・第１アクティブ素子
１３１６ｂ・・第２アクティブ素子
１３１６ｃ・・第３アクティブ素子
１３１８・・コンデンサ
１３１９・・コンデンサ
１３１９ａ・・コンデンサの第１電極
１３１９ｂ・・コンデンサの第２電極
１３２２、１３２４・・絶縁層
１３３０ａ、１３３１ａ、２３３０ａ・・第１画素電極
１３３０ｂ、１３３１ｂ、２３３０ｂ・・第２画素電極
２３１８・・抵抗体
３３２０、４３２０、５３２０、６３２０・・画素電極
３３３０・・誘電層
４３２２、５３２２、５３２４・・スリット
６３２２・・無鋸歯スリット
６３２４・・鋸歯スリット
Ｃｓ・・コンデンサ
Ｖ１、Ｖ２・・電圧

Claims (20)

1. 各画素内に液晶分子の配向方向が異なる複数種類の配向領域が形成されているマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルであって、
   画素ユニットが複数配列されているアクティブマトリクス基板と、
   アクティブマトリクス基板に対向している対向基板と、
   アクティブマトリクス基板と対向基板との間に配置されている液晶層とを備え、
   各画素ユニットに対向する液晶層は、少なくとも２つの領域群に区分されており、
   前記各領域群には、すべての種類の前記配向領域が含まれており、
   各画素ユニットは、前記領域群毎の液晶層に異なる有効電圧を印加することを特徴とする液晶表示パネル。
2. 前記対向基板には、前記アクティブマトリクス基板に対向する共通電極が形成されており、
   前記アクティブマトリクス基板には、複数の走査配線と複数の信号配線が形成されており、
   前記画素ユニットは、対応する一つの走査配線と一つの信号配線によって制御されることを特徴とする請求項１の液晶表示パネル。
3. 前記領域群は、第１領域群と第２領域群を含むことを特徴とする請求項１又は２の液晶表示パネル。
4. 前記画素ユニットは、
   薄膜トランジスタと、
   前記第１領域群に対向する位置に配置されているとともに、薄膜トランジスタに電気的に接続されている第１画素電極と、
   前記第１画素電極に電気的に接続されている金属層と、
   前記第２領域群に対向する位置に配置されているとともに、金属層と対向してコンデンサを形成している第２画素電極と、
   を備えることを特徴とする請求項３の液晶表示パネル。
5. 前記画素ユニットは、前記金属層の下方に位置する共通配線をさらに備えていることを特徴とする請求項４の液晶表示パネル。
6. 前記画素ユニットは、
   薄膜トランジスタと、
   前記第１領域群に対向する位置に配置されているとともに、薄膜トランジスタに電気的に接続されている第１画素電極と、
   薄膜トランジスタに電気的に接続されている抵抗体と、
   前記第２領域群に対向する位置に配置されているとともに、抵抗体に電気的に接続されている第２画素電極と、
   を備えることを特徴とする請求項３の液晶表示パネル。
7. 前記抵抗体は、前記薄膜トランジスタと同時に駆動されるトランジスタを有することを特徴とする請求項６の液晶表示パネル。
8. 前記アクティブマトリクス基板には共通配線が形成されており、
   前記抵抗体は、そのゲートが共通配線に電気的に接続されているトランジスタを有しており、
   前記薄膜トランジスタは、コンデンサを介して共通配線に電気的に接続されていることを特徴とする請求項６の液晶表示パネル。
9. 前記画素ユニットは、
   薄膜トランジスタと、
   薄膜トランジスタに電気的に接続されている画素電極と、
   画素電極の前記第２領域群に対向する位置に形成されている誘電層と、
   を備えることを特徴とする請求項３の液晶表示パネル。
10. 前記画素ユニットは、
    第１薄膜トランジスタと、
    第２薄膜トランジスタと、
    第３薄膜トランジスタと、
    前記第１領域群に対向する位置に配置されているとともに、第１薄膜トランジスタに電気的に接続されている第１画素電極と、
    前記第２領域群に対向する位置に配置されているとともに、第２薄膜トランジスタに電気的に接続されている第２画素電極と、
    前記第３薄膜トランジスタを介して前記第２薄膜トランジスタに電気的に接続されているコンデンサを備え、
    前記第１薄膜トランジスタと第２薄膜トランジスタは、画素ユニットに対応する走査配線と信号配線に電気的に接続されており、
    第３薄膜トランジスタは、その対応する走査配線の次の走査配線によって開閉されることを特徴とする請求項３の液晶表示パネル。
11. 前記コンデンサは、第１電極と、その第１電極に対向している第２電極とを備えており、
    前記第１電極は、前記第１画素電極および前記第２画素電極と同じ材料で形成されており、
    前記第２電極は、前記信号配線と同じ材料で形成されていることを特徴とする請求項１０の液晶表示パネル。
12. 前記画素ユニットは、
    対応する走査配線に電気的に接続されている第１薄膜トランジスタと、
    前記第１領域群に対向する位置に配置されており、前記第１薄膜トランジスタに電気的に接続されている第１画素電極と、
    対応する信号配線と対応する走査配線の次の走査配線に電気的に接続されており、次の走査配線によって開閉される第２薄膜トランジスタと、
    前記第２領域に対向する位置に配置されており、前記第１薄膜トランジスタと前記第２薄膜トランジスタとの間に電気的に接続されている第２画素電極と、
    を備えることを特徴とする請求項３の液晶表示パネル。
13. 各画素内に液晶分子の配向方向が異なる複数種類の配向領域が形成されているマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルであって、
    画素ユニットが複数配列されているアクティブマトリクス基板と、
    共通電極層を有する対向基板と、
    アクティブマトリクス基板と対向基板との間に配置されている液晶層とを備え、
    各画素ユニットに対向する液晶層は、第１領域群と第２領域群に区分されており、
    第１領域群と第２領域群のそれぞれには、すべての種類の前記配向領域が含まれており、
    前記画素ユニットは、薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタに電気的に接続されている画素電極と、その画素電極上に配置されている複数の配向突起とを有し、
    前記複数の配向突起は、前記第１領域群に対向する位置に形成されており、
    前記画素電極には、前記第２領域群に対向する位置に複数のスリットが形成されていることを特徴とする液晶表示パネル。
14. 各画素内に液晶分子の配向方向が異なる複数種類の配向領域が形成されているマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルであって、
    画素ユニットが複数配列されているアクティブマトリクス基板と、
    共通電極層とこの共通電極層に設けられている複数の第１配向構造を有する対向基板と、
    アクティブマトリクス基板と対向基板との間に配置されている液晶層とを備え、
    各画素ユニットに対向する液晶層は第１領域群と第２領域群に区分されており、
    第１領域群と第２領域群のそれぞれには、すべての種類の前記配向領域が含まれており、
    前記各画素ユニットは、薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタに電気的に接続されている画素電極と、その画素電極に設けられている複数の第２配向構造とを有しており、
    前記第１配向構造からその一方側に隣接する前記第２配向構造までの第１間隔と、前記第１配向構造からその他方側に隣接する前記第２配向構造までの第２間隔とが、異なることを特徴とする液晶表示パネル。
15. 前記第１配向構造からその一方側に隣接する前記第２配向構造までの領域が前記第１領域群に含まれており、
    前記第１配向構造からその他方側に隣接する前記第２配向構造までの領域が前記第２領域群に含まれていることを特徴とする請求項１４の液晶表示パネル。
16. 前記第１配向構造は、配向突起であることを特徴とする請求項１４又は１５の液晶表示パネル。
17. 前記第２配向構造は、スリットであることを特徴とする請求項１４から１６のいずれかの液晶表示パネル。
18. 前記第１間隔と前記第２間隔との差が１マイクロメートル以上であることを特徴とする請求項１４から１７のいずれかの液晶表示パネル。
19. 前記第１間隔と前記第２間隔との差が１０マイクロメートル以上であることを特徴とする請求項１４から１７の液晶表示パネル。
20. 各画素内に液晶分子の配向方向が異なる複数種類の配向領域が形成されているマルチドメイン垂直配向型の液晶表示パネルであって、
    画素ユニットが複数配列されているアクティブマトリクス基板と、
    共通電極層を有する対向基板と、
    アクティブマトリクス基板と対向基板との間に配置されている液晶層とを備え、
    各画素ユニットに対向する液晶層は第１領域群と第２領域群に区分されており、
    第１領域群と第２領域群のそれぞれには、すべての種類の前記配向領域が含まれており、
    前記各画素ユニットは、薄膜トランジスタと、その薄膜トランジスタに電気的に接続されている画素電極とを有し、
    前記画素電極には、前記第１領域群に対向する位置に鋸歯状の輪郭部を有しない無鋸歯スリットが形成されているとともに、前記第２領域群に対向する位置に鋸歯状の輪郭部を有する鋸歯スリットが形成されていることを特徴とする液晶表示パネル。

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