JP2012008543A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012008543A JP2012008543A JP2011110409A JP2011110409A JP2012008543A JP 2012008543 A JP2012008543 A JP 2012008543A JP 2011110409 A JP2011110409 A JP 2011110409A JP 2011110409 A JP2011110409 A JP 2011110409A JP 2012008543 A JP2012008543 A JP 2012008543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- wiring
- terminal
- oxide semiconductor
- image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 111
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 245
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 145
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 210
- 239000010408 film Substances 0.000 description 105
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 97
- 238000000034 method Methods 0.000 description 78
- 230000006870 function Effects 0.000 description 62
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 39
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 29
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 26
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 26
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 24
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 23
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 23
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 9
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 8
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 8
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 8
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 8
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 7
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 6
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 6
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 3
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019092 Mg-O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019395 Mg—O Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 3
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004988 Nematic liquid crystal Substances 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 244000025254 Cannabis sativa Species 0.000 description 1
- 235000012766 Cannabis sativa ssp. sativa var. sativa Nutrition 0.000 description 1
- 235000012765 Cannabis sativa ssp. sativa var. spontanea Nutrition 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- 239000004985 Discotic Liquid Crystal Substance Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000008790 Musa x paradisiaca Species 0.000 description 1
- 235000018290 Musa x paradisiaca Nutrition 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920000297 Rayon Polymers 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 208000003443 Unconsciousness Diseases 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- NNBFNNNWANBMTI-UHFFFAOYSA-M brilliant green Chemical compound OS([O-])(=O)=O.C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C(C=1C=CC=CC=1)=C1C=CC(=[N+](CC)CC)C=C1 NNBFNNNWANBMTI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000009120 camo Nutrition 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 235000005607 chanvre indien Nutrition 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000011487 hemp Substances 0.000 description 1
- 238000000097 high energy electron diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000010985 leather Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000002535 lyotropic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 230000003211 malignant effect Effects 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002964 rayon Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000005266 side chain polymer Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
- G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
- G09G2300/0439—Pixel structures
- G09G2300/0443—Pixel structures with several sub-pixels for the same colour in a pixel, not specifically used to display gradations
- G09G2300/0447—Pixel structures with several sub-pixels for the same colour in a pixel, not specifically used to display gradations for multi-domain technique to improve the viewing angle in a liquid crystal display, such as multi-vertical alignment [MVA]
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0209—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display
- G09G2320/0214—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display with crosstalk due to leakage current of pixel switch in active matrix panels
Abstract
【解決手段】上記課題を解決するために、酸化物半導体(OS:オキサイドセミコンダクター)を有するトランジスタ、特に、酸化物半導体を有する薄膜MOSトランジスタを用いて、回路を構成する。その酸化物半導体は、実質的に真性な半導体となっている。そのため、非常にオフ電流が低い。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、酸化物半導体を有するトランジスタ、特に、活性層に酸化物半導体を有する薄膜トランジスタを用いて構成された半導体装置など(表示装置、または、発光装置)の一例について、図面を参照して説明する。酸化物半導体を有するトランジスタは、オフ電流が低いため、酸化物半導体を有する半導体装置などを用いることによって、オフ電流に起因して生じる不具合を低減することが出来る。そのため、より正確な表示を行うことが出来る。また、酸化物半導体を有するトランジスタは、耐圧が高い。よって、高い電圧が加えられても正常に動作し、高い電圧が加えられている時のオフ電流も、低くすることができるため、オフ電流に起因して生じる不具合を低減することが出来る。
図8に、本実施の形態で示す半導体装置などの一構成例を示す。本実施の形態の一態様は、画素部801を有している。ただし、本発明の実施形態の一態様は、これに限定されない。
本実施の形態において、画素100の別の例を示す。
本実施の形態において、画素100の別の例を示す。
本実施の形態は、実施の形態1乃至4で説明した表示装置に用いることができる酸化物半導体層を含むトランジスタ、及び作製方法の一例を、図23及び図24を用いて詳細に説明する。上記実施の形態と同一部分又は同様な機能を有する部分、及び工程は、上記実施の形態と同様に行うことができ、繰り返しの説明は省略する。また同じ箇所の詳細な説明は省略する。
実施の形態1乃至4で説明した表示装置に用いることができる酸化物半導体層を含むトランジスタとしては、例えばトップゲート構造、又はボトムゲート構造のトランジスタなどを用いることができる。また、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、二つ形成されるダブルゲート構造もしくは三つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された2つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型でもよい。酸化物半導体層を含むトランジスタの一例として図23に、ボトムゲート型のトランジスタの構成の一例を示す。
図24(A)乃至(E)にトランジスタの断面構造の一例を示す。図24(A)乃至(E)に示すトランジスタ510は、図23に示すトランジスタ510と同様なボトムゲート構造の逆スタガ型トランジスタである。
次に、表示装置の別の構成例およびその駆動方法について説明する。本実施の形態においては、表示装置の外部から入力される画像(入力画像)の動きを補間する画像を、複数の入力画像を基にして表示装置の内部で生成し、当該生成された画像(生成画像)と、入力画像とを順次表示させる方法について説明する。なお、生成画像を、入力画像の動きを補間するような画像とすることで、動画の動きを滑らかにすることができ、さらに、ホールド駆動による残像等によって動画の品質が低下する問題を改善できる。ここで、動画の補間について、以下に説明する。動画の表示は、理想的には、個々の画素の輝度をリアルタイムに制御することで実現されるものであるが、画素のリアルタイム個別制御は、制御回路の数が膨大なものとなる問題、配線スペースの問題、および入力画像のデータ量が膨大なものとなる問題等が存在し、実現が困難である。したがって、表示装置による動画の表示は、複数の静止画を一定の周期で順次表示することで、表示が動画に見えるようにして行なわれている。この周期(本実施の形態においては入力画像信号周期と呼び、Tinと表す)は規格化されており、例として、NTSC規格では1/60秒、PAL規格では1/50秒である。この程度の周期でも、インパルス型表示装置であるCRTにおいては動画表示に問題は起こらなかった。しかし、ホールド型表示装置においては、これらの規格に準じた動画をそのまま表示すると、ホールド型であることに起因する残像等により表示が不鮮明となる不具合(ホールドぼけ:hold blur)が発生してしまう。ホールドぼけは、人間の目の追従による無意識的な動きの補間と、ホールド型の表示との不一致(discrepancy)で認識されるものであるので、従来の規格よりも入力画像信号周期を短くする(画素のリアルタイム個別制御に近づける)ことで低減させることができるが、入力画像信号周期を短くすることは規格の変更を伴い、さらに、データ量も増大することになるので、困難である。しかしながら、規格化された入力画像信号を基にして、入力画像の動きを補間するような画像を表示装置内部で生成し、当該生成画像によって入力画像を補間して表示することで、規格の変更またはデータ量の増大なしに、ホールドぼけを低減できる。このように、入力画像信号を基にして表示装置内部で画像信号を生成し、入力画像の動きを補間することを、動画の補間と呼ぶこととする。
本実施の形態においては、電子機器の例について説明する。図26(A)乃至図26(H)、図27(A)乃至図27(D)は、電子機器を示す図である。これらの電子機器は、筐体5000、表示部5001、スピーカ5003、LEDランプ5004、操作キー5005(電源スイッチ、又は操作スイッチを含む)、接続端子5006、センサ5007(力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの)、マイクロフォン5008、等を有することができる。
100a 画素
100b 画素
100c 画素
101a トランジスタ
101b トランジスタ
101c トランジスタ
102a 表示素子
102b 表示素子
102c 表示素子
103a 容量素子
103b 容量素子
103c 容量素子
104a 配線
104b 配線
104c 配線
105a 配線
105b 配線
106a 配線
106b 配線
106c 配線
107a 配線
107b 配線
107c 配線
501 トランジスタ
501b トランジスタ
501c トランジスタ
502 回路
503 容量素子
503b 容量素子
503c 容量素子
504 回路
505 基板
506 保護絶縁層
507 ゲート絶縁層
510 トランジスタ
511 基板
512 ゲート電極層
513 回路
515a ソース電極層
515b ドレイン電極層
516 絶縁層
530 酸化物半導体膜
531 酸化物半導体層
801 画素部
901 トランジスタ
901b トランジスタ
901c トランジスタ
903 容量素子
903b 容量素子
903c 容量素子
904 配線
904b 配線
904c 配線
906 配線
906b 配線
906c 配線
913 容量素子
913b 容量素子
913c 容量素子
5000 筐体
5001 表示部
5002 表示部
5003 スピーカ
5004 LEDランプ
5005 操作キー
5006 接続端子
5007 センサ
5008 マイクロフォン
5009 スイッチ
5010 赤外線ポート
5011 記録媒体読込部
5012 支持部
5013 イヤホン
5014 アンテナ
5015 シャッターボタン
5016 受像部
5017 充電器
5018 支持台
5019 外部接続ポート
5020 ポインティングデバイス
5021 リーダ/ライタ
5022 筐体
5023 表示部
5024 リモコン装置
5025 スピーカ
5026 表示パネル
5027 ユニットバス
5028 表示パネル
5029 車体
5030 天井
5031 表示パネル
5032 ヒンジ部
5033 光源
5034 投射レンズ
5121 画像
5121a サブ画像
5121b 画像
5122 画像
5122a サブ画像
5122b サブ画像
5123 画像
5123a サブ画像
5123b サブ画像
5124 領域
5125 領域
5126 領域
5127 ベクトル
5128 画像生成用ベクトル
5129 領域
5130 物体
5131 領域
Claims (6)
- 第1のトランジスタと第2のトランジスタと第1の液晶素子と第2の液晶素子とを有する画素を有し、
前記第1のトランジスタの第1の端子は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2の端子は、前記第1の液晶素子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第1の端子は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第2の端子は、前記第2の液晶素子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、第3の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、酸化物半導体を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 第1のトランジスタと第2のトランジスタと第1の液晶素子と第2の液晶素子とを有する画素を有し、
前記第1のトランジスタの第1の端子は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2の端子は、前記第1の液晶素子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第1の端子は、第3の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第2の端子は、前記第2の液晶素子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、酸化物半導体を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 第1のトランジスタと第2のトランジスタと第1の液晶素子と第2の液晶素子とを有する画素を有し、
前記第1のトランジスタの第1の端子は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2の端子は、前記第1の液晶素子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第1の端子は、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第2の端子は、前記第2の液晶素子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、酸化物半導体を有することを特徴とする液晶表示装置。 - トランジスタと第1の液晶素子と第2の液晶素子と容量素子とを有する画素を有し、
前記トランジスタの第1の端子は、第1の配線と電気的に接続され、
前記トランジスタの第2の端子は、前記第1の液晶素子と電気的に接続され、
前記トランジスタのゲートは、第2の配線と電気的に接続され、
容量素子の第1の端子は、前記第1の液晶素子と電気的に接続され、
容量素子の第2の端子は、前記第2の液晶素子と電気的に接続され、
前記トランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 第1のトランジスタと第2のトランジスタと第1の液晶素子と第2の液晶素子と容量素子とを有する画素を有し、
前記第1のトランジスタの第1の端子は、第1の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2の端子は、前記第1の液晶素子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第1の端子は、前記第1の配線または前記第1のトランジスタの第2の端子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第2の端子は、前記第2の液晶素子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、前記第2の配線と電気的に接続され、
容量素子の第1の端子は、前記第1の液晶素子と電気的に接続され、
容量素子の第2の端子は、前記第2の液晶素子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタとは、酸化物半導体を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1乃至請求項5に記載の液晶表示装置と、操作スイッチとを具備する電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011110409A JP5852793B2 (ja) | 2010-05-21 | 2011-05-17 | 液晶表示装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010117300 | 2010-05-21 | ||
JP2010117300 | 2010-05-21 | ||
JP2011110409A JP5852793B2 (ja) | 2010-05-21 | 2011-05-17 | 液晶表示装置の作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015238200A Division JP2016042201A (ja) | 2010-05-21 | 2015-12-07 | 液晶表示装置及び液晶表示装置の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012008543A true JP2012008543A (ja) | 2012-01-12 |
JP5852793B2 JP5852793B2 (ja) | 2016-02-03 |
Family
ID=44972251
Family Applications (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011110409A Active JP5852793B2 (ja) | 2010-05-21 | 2011-05-17 | 液晶表示装置の作製方法 |
JP2015238200A Withdrawn JP2016042201A (ja) | 2010-05-21 | 2015-12-07 | 液晶表示装置及び液晶表示装置の作製方法 |
JP2017200802A Withdrawn JP2018013808A (ja) | 2010-05-21 | 2017-10-17 | 液晶表示装置及び液晶表示装置の作製方法 |
JP2019201177A Active JP6914311B2 (ja) | 2010-05-21 | 2019-11-06 | 液晶表示装置 |
JP2021115504A Withdrawn JP2021170129A (ja) | 2010-05-21 | 2021-07-13 | 液晶表示装置 |
JP2022103431A Active JP7273226B2 (ja) | 2010-05-21 | 2022-06-28 | 液晶表示装置 |
JP2023073328A Active JP7408871B2 (ja) | 2010-05-21 | 2023-04-27 | 表示装置 |
JP2023214659A Pending JP2024036323A (ja) | 2010-05-21 | 2023-12-20 | 表示装置 |
Family Applications After (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015238200A Withdrawn JP2016042201A (ja) | 2010-05-21 | 2015-12-07 | 液晶表示装置及び液晶表示装置の作製方法 |
JP2017200802A Withdrawn JP2018013808A (ja) | 2010-05-21 | 2017-10-17 | 液晶表示装置及び液晶表示装置の作製方法 |
JP2019201177A Active JP6914311B2 (ja) | 2010-05-21 | 2019-11-06 | 液晶表示装置 |
JP2021115504A Withdrawn JP2021170129A (ja) | 2010-05-21 | 2021-07-13 | 液晶表示装置 |
JP2022103431A Active JP7273226B2 (ja) | 2010-05-21 | 2022-06-28 | 液晶表示装置 |
JP2023073328A Active JP7408871B2 (ja) | 2010-05-21 | 2023-04-27 | 表示装置 |
JP2023214659A Pending JP2024036323A (ja) | 2010-05-21 | 2023-12-20 | 表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8941790B2 (ja) |
JP (8) | JP5852793B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140000459A (ko) * | 2012-06-22 | 2014-01-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
JP2016529553A (ja) * | 2013-09-09 | 2016-09-23 | 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 | 配列基板及び液晶表示パネル |
WO2017033243A1 (ja) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9454055B2 (en) | 2011-03-16 | 2016-09-27 | View, Inc. | Multipurpose controller for multistate windows |
US9412290B2 (en) | 2013-06-28 | 2016-08-09 | View, Inc. | Controlling transitions in optically switchable devices |
US11630367B2 (en) | 2011-03-16 | 2023-04-18 | View, Inc. | Driving thin film switchable optical devices |
US9030725B2 (en) | 2012-04-17 | 2015-05-12 | View, Inc. | Driving thin film switchable optical devices |
US9778532B2 (en) | 2011-03-16 | 2017-10-03 | View, Inc. | Controlling transitions in optically switchable devices |
US10935865B2 (en) | 2011-03-16 | 2021-03-02 | View, Inc. | Driving thin film switchable optical devices |
US9030837B2 (en) | 2011-06-10 | 2015-05-12 | Scott Moncrieff | Injection molded control panel with in-molded decorated plastic film that includes an internal connector |
US10503039B2 (en) | 2013-06-28 | 2019-12-10 | View, Inc. | Controlling transitions in optically switchable devices |
US20140080411A1 (en) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | Anand S. Konanur | Integration of a near field communication coil antenna behind a screen display for near field coupling |
SE536922C2 (sv) * | 2013-02-19 | 2014-10-28 | Basim Al-Najjar | En metod och en apparat för att prediktera tillståndet hos en maskin eller en komponent hos maskinen |
US9704829B2 (en) | 2013-03-06 | 2017-07-11 | Win Semiconductor Corp. | Stacked structure of semiconductor chips having via holes and metal bumps |
TWI524487B (zh) * | 2013-03-06 | 2016-03-01 | 穩懋半導體股份有限公司 | 結合基板通孔與金屬凸塊之半導體晶片之製程方法 |
US9885935B2 (en) | 2013-06-28 | 2018-02-06 | View, Inc. | Controlling transitions in optically switchable devices |
US9276050B2 (en) * | 2014-02-25 | 2016-03-01 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
KR20170029681A (ko) * | 2015-09-07 | 2017-03-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 그 제조방법 |
CN109275336A (zh) | 2016-04-29 | 2019-01-25 | 唯景公司 | 光学可切换窗孔中电参数的校准 |
CN209388677U (zh) * | 2018-09-11 | 2019-09-13 | 重庆惠科金渝光电科技有限公司 | 一种驱动电路和显示面板 |
US11487141B1 (en) * | 2021-07-15 | 2022-11-01 | Liqxtal Technology Inc. | Dimmer |
US11815753B2 (en) * | 2021-09-15 | 2023-11-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus and driving method of the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006126842A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Chi Mei Optoelectronics Corp | 液晶表示パネル |
JP2006330634A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
WO2008133456A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Lg Chem, Ltd. | Thin film transistor and method for preparing the same |
JP2009033145A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Family Cites Families (160)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244258B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244262B2 (ja) | 1987-02-27 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
EP0820644B1 (en) | 1995-08-03 | 2005-08-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Semiconductor device provided with transparent switching element |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
KR100476623B1 (ko) * | 1997-12-22 | 2005-08-29 | 삼성전자주식회사 | 액정표시장치 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
EP2309482A3 (en) | 1998-10-30 | 2013-04-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Field sequantial liquid crystal display device and driving method thereof, and head mounted display |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
US6597348B1 (en) | 1998-12-28 | 2003-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information-processing device |
US7145536B1 (en) | 1999-03-26 | 2006-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
US7129918B2 (en) | 2000-03-10 | 2006-10-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device and method of driving electronic device |
EP1296174B1 (en) | 2000-04-28 | 2016-03-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display unit, drive method for display unit, electronic apparatus mounting display unit thereon |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
US7385579B2 (en) | 2000-09-29 | 2008-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method of driving the same |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
WO2003040441A1 (en) | 2001-11-05 | 2003-05-15 | Japan Science And Technology Agency | Natural superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
JP4101533B2 (ja) | 2002-03-01 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半透過型の液晶表示装置の作製方法 |
JP4237442B2 (ja) | 2002-03-01 | 2009-03-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半透過型液晶表示装置 |
JP4087620B2 (ja) | 2002-03-01 | 2008-05-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置の作製方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
KR100900541B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2009-06-02 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
CN1998087B (zh) | 2004-03-12 | 2014-12-31 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 非晶形氧化物和薄膜晶体管 |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
CN100557667C (zh) | 2004-04-22 | 2009-11-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置及其驱动方法 |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
JP4571845B2 (ja) * | 2004-11-08 | 2010-10-27 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその駆動方法 |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7868326B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor |
RU2399989C2 (ru) | 2004-11-10 | 2010-09-20 | Кэнон Кабусики Кайся | Аморфный оксид и полевой транзистор с его использованием |
JP5053537B2 (ja) | 2004-11-10 | 2012-10-17 | キヤノン株式会社 | 非晶質酸化物を利用した半導体デバイス |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
WO2006051994A2 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
US7863611B2 (en) | 2004-11-10 | 2011-01-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Integrated circuits utilizing amorphous oxides |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI569441B (zh) | 2005-01-28 | 2017-02-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI412138B (zh) | 2005-01-28 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
KR100648223B1 (ko) | 2005-05-11 | 2006-11-24 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 반투과형 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치 |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
EP1758072A3 (en) | 2005-08-24 | 2007-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
EP1995787A3 (en) * | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof |
EP1770676B1 (en) | 2005-09-30 | 2017-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN1963647A (zh) | 2005-11-10 | 2007-05-16 | 群康科技(深圳)有限公司 | 液晶显示面板 |
CN101577282A (zh) | 2005-11-15 | 2009-11-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
US7821613B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
EP1832915B1 (en) | 2006-01-31 | 2012-04-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with improved contrast |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) * | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP2007334317A (ja) * | 2006-05-16 | 2007-12-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置及び半導体装置 |
TWI539423B (zh) | 2006-05-31 | 2016-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置、顯示裝置的驅動方法、以及電子設備 |
US8154493B2 (en) | 2006-06-02 | 2012-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device, driving method of the same, and electronic device using the same |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
KR101295298B1 (ko) * | 2006-07-28 | 2013-08-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
TWI321771B (en) * | 2006-09-08 | 2010-03-11 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display and driving method thereof |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
JP2008129314A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置およびその製造方法 |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
WO2008078438A1 (ja) * | 2006-12-26 | 2008-07-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶パネル、液晶表示装置、およびテレビジョン装置 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
TWI478347B (zh) * | 2007-02-09 | 2015-03-21 | Idemitsu Kosan Co | A thin film transistor, a thin film transistor substrate, and an image display device, and an image display device, and a semiconductor device |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
KR101348755B1 (ko) * | 2007-04-04 | 2014-01-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이장치 및 그 제어방법 |
JP5197058B2 (ja) * | 2007-04-09 | 2013-05-15 | キヤノン株式会社 | 発光装置とその作製方法 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
JP5116359B2 (ja) * | 2007-05-17 | 2013-01-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP5542297B2 (ja) | 2007-05-17 | 2014-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP5542296B2 (ja) | 2007-05-17 | 2014-07-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
JP4989309B2 (ja) | 2007-05-18 | 2012-08-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP5037221B2 (ja) | 2007-05-18 | 2012-09-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置及び電子機器 |
KR101334182B1 (ko) * | 2007-05-28 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터의 제조방법 |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
US8809203B2 (en) | 2007-06-05 | 2014-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device using a microwave plasma CVD apparatus |
US9176353B2 (en) * | 2007-06-29 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP2009092912A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
KR101452204B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2014-10-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 트랜지스터 및 상기 박막 트랜지스터를 구비하는 표시 장치 |
KR101414043B1 (ko) * | 2007-12-04 | 2014-07-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 |
JP5213422B2 (ja) | 2007-12-04 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 絶縁層を有する酸化物半導体素子およびそれを用いた表示装置 |
US8202365B2 (en) | 2007-12-17 | 2012-06-19 | Fujifilm Corporation | Process for producing oriented inorganic crystalline film, and semiconductor device using the oriented inorganic crystalline film |
US8284218B2 (en) | 2008-05-23 | 2012-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device controlling luminance |
JPWO2009157535A1 (ja) * | 2008-06-27 | 2011-12-15 | 出光興産株式会社 | InGaO3(ZnO)結晶相からなる酸化物半導体用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
US10644163B2 (en) * | 2008-08-27 | 2020-05-05 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Semiconductor film comprising an oxide containing in atoms, Sn atoms and Zn atoms |
US9082857B2 (en) * | 2008-09-01 | 2015-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer |
KR101501497B1 (ko) * | 2008-09-18 | 2015-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
EP2172977A1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR101579050B1 (ko) | 2008-10-03 | 2015-12-23 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
JP5616012B2 (ja) | 2008-10-24 | 2014-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101980167B1 (ko) * | 2008-11-07 | 2019-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
KR101515383B1 (ko) * | 2008-11-17 | 2015-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 이의 제조를 위한 광 마스크 |
WO2010071183A1 (en) | 2008-12-19 | 2010-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2011081041A1 (en) | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
WO2011081011A1 (en) | 2009-12-28 | 2011-07-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
KR101781788B1 (ko) | 2009-12-28 | 2017-09-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 액정 표시 장치 및 전자 기기 |
CN102844806B (zh) | 2009-12-28 | 2016-01-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 液晶显示装置及电子设备 |
US8879010B2 (en) | 2010-01-24 | 2014-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
WO2011089853A1 (en) | 2010-01-24 | 2011-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
KR20190093706A (ko) | 2010-01-24 | 2019-08-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치와 이의 제조 방법 |
-
2011
- 2011-05-17 JP JP2011110409A patent/JP5852793B2/ja active Active
- 2011-05-18 US US13/110,403 patent/US8941790B2/en active Active
-
2015
- 2015-12-07 JP JP2015238200A patent/JP2016042201A/ja not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-10-17 JP JP2017200802A patent/JP2018013808A/ja not_active Withdrawn
-
2019
- 2019-11-06 JP JP2019201177A patent/JP6914311B2/ja active Active
-
2021
- 2021-07-13 JP JP2021115504A patent/JP2021170129A/ja not_active Withdrawn
-
2022
- 2022-06-28 JP JP2022103431A patent/JP7273226B2/ja active Active
-
2023
- 2023-04-27 JP JP2023073328A patent/JP7408871B2/ja active Active
- 2023-12-20 JP JP2023214659A patent/JP2024036323A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006126842A (ja) * | 2004-10-29 | 2006-05-18 | Chi Mei Optoelectronics Corp | 液晶表示パネル |
JP2006330634A (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
WO2008133456A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Lg Chem, Ltd. | Thin film transistor and method for preparing the same |
JP2009033145A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140000459A (ko) * | 2012-06-22 | 2014-01-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
JP2014006527A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Samsung Display Co Ltd | 液晶表示装置 |
KR101991371B1 (ko) | 2012-06-22 | 2019-06-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
JP2016529553A (ja) * | 2013-09-09 | 2016-09-23 | 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 | 配列基板及び液晶表示パネル |
WO2017033243A1 (ja) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 液晶表示装置及び液晶表示装置の駆動方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6914311B2 (ja) | 2021-08-04 |
JP2021170129A (ja) | 2021-10-28 |
US20110285930A1 (en) | 2011-11-24 |
JP7273226B2 (ja) | 2023-05-12 |
JP2023106420A (ja) | 2023-08-01 |
JP2016042201A (ja) | 2016-03-31 |
JP2018013808A (ja) | 2018-01-25 |
JP2020030428A (ja) | 2020-02-27 |
US8941790B2 (en) | 2015-01-27 |
JP2024036323A (ja) | 2024-03-15 |
JP2022141674A (ja) | 2022-09-29 |
JP7408871B2 (ja) | 2024-01-05 |
JP5852793B2 (ja) | 2016-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7273226B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
KR102329918B1 (ko) | 반도체 장치 | |
US11955537B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
KR102487564B1 (ko) | 반도체 장치 | |
JP5889366B2 (ja) | 表示装置 | |
JP5448981B2 (ja) | 液晶表示装置の駆動方法 | |
JP2017207765A (ja) | 液晶表示装置の駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140429 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150609 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150611 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151201 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151207 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5852793 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |