JP2006100804A5 - - Google Patents

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  1. レーザ光を射出するレーザ発振器と、
    前記射出されたレーザ光を線状レーザ光に加工するレンズと、
    前記線状レーザ光の照射面に、ヒータにより加熱された気体を噴き付ける手段とを有することを特徴とするレーザ処理装置。
  2. レーザ光を射出するレーザ発振器と、
    前記射出されたレーザ光を線状レーザ光に加工するレンズと、
    前記線状レーザ光の照射面に、ヒータにより３００℃以上１５００℃以下に加熱された気体を噴き付ける手段とを有することを特徴とするレーザ処理装置。
  3. レーザ光を射出するレーザ発振器と、
    前記射出されたレーザ光を線状レーザ光に加工するレンズと、
    前記線状レーザ光の照射面に、プラズマ発生装置により発生されたプラズマを噴き付ける手段とを有することを特徴とするレーザ処理装置。
  4. 請求項１または２において、
    前記気体は、不活性ガスまたは空気であることを特徴とするレーザ処理装置。
  5. 請求項１または２において、
    前記気体は、酸素を含む気体であることを特徴とするレーザ処理装置。
  6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
    前記レーザ光は、連続発振のレーザ光であることを特徴とするレーザ処理装置。
  7. 請求項１乃至５のいずれか一において、
    前記レーザ光は、発振周波数が１０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザ光であることを特徴とするレーザ処理装置。
  8. 基板上に半導体膜を形成し、
    前記半導体膜に対し、ヒータにより加熱された気体を噴き付けながら線状レーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  9. 基板上に半導体膜を形成し、
    前記半導体膜に対し、ヒータにより３００℃以上１５００℃以下に加熱された気体を噴き付けながら線状レーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  10. 基板上に半導体膜を形成し、
    前記半導体膜に対し、プラズマ発生装置により発生されたプラズマを噴き付けながら線状レーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
  11. 請求項８または９において、
    前記気体は、不活性ガスまたは空気であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  12. 請求項８または９において、
    前記気体は、酸素を含む気体であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  13. 請求項８乃至１２のいずれか一において、
    前記レーザ光は、連続発振のレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
  14. 請求項８乃至１２のいずれか一において、
    前記レーザ光は、発振周波数が１０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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