JP6276496B2 - 薄膜トランジスタの製造方法、表示装置および有機elディスプレイの製造方法 - Google Patents
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Description
まず、ガラス基板51上に、例えばアモルファスシリコン(a−Si:amorphous Silicon)で犠牲層52を形成し、犠牲層52上にポリイミド(Polyimide、以下「PI」と称する)を塗布して硬化させ、TFT形成層53を形成する(図2(a)参照)。
また、この発明に係る薄膜トランジスタの製造方法によれば、基板上に犠牲層を形成するステップと、犠牲層上にシルセスキオキサンによる薄膜トランジスタ形成層を形成するステップと、薄膜トランジスタ形成層上に薄膜トランジスタ配線を形成するステップと、を備えている。
また、この発明に係る表示装置によれば、上述した薄膜トランジスタを用いている。
ここで、シルセスキオキサンは、耐熱性および耐薬品性に優れるとともに、透明性の高い材料である。
そのため、透明度の高い薄膜トランジスタ(TFT)、およびこのような薄膜トランジスタの製造方法、並びにこのような薄膜トランジスタを用いた表示装置を得ることができる。
図1は、この発明の実施の形態1に係る表示装置の製造方法を示す説明図である。この発明の実施の形態1では、TFT形成層として、上述したPIに代えて、シルセスキオキサン(Silsesquioxane、以下「SSQ」と称する)を用いている。
さらに、SSQは、塗布法によりTFT形成層を形成することができるので、PIと同等のコストで上記の問題を解決することができる。
また、この発明に係る薄膜トランジスタの製造方法によれば、基板上に犠牲層を形成するステップと、犠牲層上にシルセスキオキサンによる薄膜トランジスタ形成層を形成するステップと、薄膜トランジスタ形成層上に薄膜トランジスタ配線を形成するステップと、を備えている。
また、この発明に係る表示装置によれば、上述した薄膜トランジスタを用いている。
ここで、シルセスキオキサンは、耐熱性および耐薬品性に優れるとともに、透明性の高い材料である。
そのため、透明度の高い薄膜トランジスタ(TFT)、およびこのような薄膜トランジスタの製造方法、並びにこのような薄膜トランジスタを用いた表示装置を得ることができる。
また、このような薄膜トランジスタをフレキシブル基板に転写して、ボトムエミッション型の有機ELディスプレイや液晶ディスプレイを作成することができる。
Claims (7)
- 基板上に犠牲層を形成するステップと、
前記犠牲層上にシルセスキオキサンによる薄膜トランジスタ形成層を形成するステップと、
前記薄膜トランジスタ形成層上に薄膜トランジスタ配線を形成するステップと、
前記薄膜トランジスタ配線が形成された前記薄膜トランジスタ形成層を剥離するステップと、
剥離した前記薄膜トランジスタ形成層を、他の基板に転写するステップと、
を備えたことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記薄膜トランジスタ形成層を形成するステップは、
前記シルセスキオキサンを前記犠牲層上に塗布するステップと、
塗布された前記シルセスキオキサンを硬化させるステップと、を含む
ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記シルセスキオキサンは、ケージ型またはアモルファス型である
ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記シルセスキオキサンは、500℃の耐熱温度を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記他の基板は、フレキシブル基板である
ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記薄膜トランジスタ形成層を剥離するステップは、
前記犠牲層をレーザアブレーションで破壊するステップを含む
ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタの製造方法。 - 基板上に犠牲層を形成するステップと、
前記犠牲層上にシルセスキオキサンによる薄膜トランジスタ形成層を形成するステップと、
前記薄膜トランジスタ形成層上に薄膜トランジスタ配線を形成するステップと、
前記薄膜トランジスタ配線が形成された前記薄膜トランジスタ形成層を剥離するステップと、
剥離した前記薄膜トランジスタ形成層を、他の基板に転写するステップと、
を備えたことを特徴とするボトムエミッション型の有機ELディスプレイの製造方法。
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