JP2007103957A5 - - Google Patents
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- 第１のレーザー光と第２のレーザー光とを発振するレーザー発振装置と、
スリットと開口部とを有するガス吹き付け部と、を有するレーザー照射装置であって、
第１の半導体膜に前記第１のレーザー光を照射して、第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜に前記スリットを通過させた前記第２のレーザー光を照射し、
前記第２のレーザー光の照射とともに、前記第２の半導体膜の前記第２のレーザー光が照射される領域の周辺に、前記開口部から不活性ガスを吹きつけることを特徴とするレーザー照射装置。 - 第１のレーザー光と第２のレーザー光とを発振するレーザー発振装置と、
スリットと開口部とを有するガス吹き付け部と、を有するレーザー照射装置であって、
大気中又は酸素雰囲気下において、第１の半導体膜に前記第１のレーザー光を照射して、第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜に前記スリットを通過させた前記第２のレーザー光を照射し、
前記第２のレーザー光の照射とともに、前記第２の半導体膜の前記第２のレーザー光が照射される領域の周辺に、前記開口部から不活性ガスを吹きつけることを特徴とするレーザー照射装置。 - 第１のレーザー光と第２のレーザー光とを発振するレーザー発振装置と、
スリットと開口部とを有するガス吹き付け部と、を有するレーザー照射装置であって、
第１の半導体膜に前記第１のレーザー光を照射して、第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜に前記スリットを通過させた前記第２のレーザー光を照射し、
前記第２のレーザー光の照射とともに、前記第２の半導体膜の前記第２のレーザー光が照射される領域の周辺に、前記開口部から不活性ガスを吹きつけ、
前記第２のレーザー光のエネルギー密度は、前記第１のレーザー光のエネルギー密度よりも高いことを特徴とするレーザー照射装置。 - 第１のレーザー光と第２のレーザー光とを発振するレーザー発振装置と、
スリットと開口部とを有するガス吹き付け部と、を有するレーザー照射装置であって、
非晶質構造を有する第１の半導体膜に前記第１のレーザー光を照射して、表面に凹凸を有し結晶化された第２の半導体膜を形成し、
前記結晶化された第２の半導体膜に前記スリットを通過させた前記第２のレーザー光を照射して、前記第２の半導体膜を平坦化し、
前記第２のレーザー光の照射とともに、前記結晶化された第２の半導体膜の前記第２のレーザー光が照射される領域の周辺に、前記開口部から不活性ガスを吹きつけることを特徴とするレーザー照射装置。 - 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ガス吹き付け部は、前記開口部を複数有し、
前記複数の開口部は、前記スリットを囲むように設けられていることを特徴とするレーザー照射装置。 - 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記不活性ガスは、窒素であることを特徴とするレーザー照射装置。 - 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記レーザー発振装置は、固体レーザーであることを特徴とするレーザー照射装置。 - 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記レーザー発振装置は、ＹＡＧレーザー又はエキシマレーザーであることを特徴とするレーザー照射装置。 - 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記レーザー光として、ＹＡＧレーザーの第２高調波又は第３高調波のレーザー光を用いることを特徴とするレーザー照射装置。
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| JP2006301374A JP4646894B2 (ja) | 2001-09-07 | 2006-11-07 | 半導体装置の作製方法 |
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