JP2012003254A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用され、透光性基板上にパターンが形成された薄膜を備えた転写用マスクのための薄膜の評価方法であって、
   パルスレーザ光を前記薄膜に間欠的に照射することによって薄膜の耐光性を評価する工程を備えることを特徴とする薄膜の評価方法。
2. 前記薄膜は、遷移金属及びケイ素を含有する材料からなることを特徴とする請求項１記載の薄膜の評価方法。
3. 前記パルスレーザ光は、前記薄膜が発熱しない程度に間欠的に照射することを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜の評価方法。
4. 前記パルスレーザ光は間欠発振であり、前記薄膜の一定位置に照射することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の薄膜の評価方法。
5. 前記間欠発振の休止期間は、１００ｍｓｅｃ〜３０００ｍｓｅｃであることを特徴とする請求項４記載の薄膜の評価方法。
6. 前記パルスレーザ光は連続発振であり、該パルスレーザ光に対して前記薄膜を相対的に移動させることにより間欠的に照射することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の薄膜の評価方法。
7. 前記パルスレーザ光は、湿度を制御した雰囲気下で照射することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の薄膜の評価方法。
8. 前記パルスレーザ光は、雰囲気中の化学汚染物質の量を制御した環境下で照射することを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の薄膜の評価方法。
9. 前記薄膜は、前記遷移金属とケイ素に、酸素及び窒素から選ばれる１以上の元素を含有させた化合物を主成分とする材料からなる光半透過膜であることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の薄膜の評価方法。
10. 前記薄膜は、遮光膜であることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の薄膜の評価方法。
11. 請求項１から１０のいずれかに記載の薄膜の評価方法によって薄膜の耐光性が評価され、薄膜の耐光性が保証されたマスクブランク。
12. 請求項１１に記載のマスクブランクを用い、前記薄膜をパターニングして製造されたことを特徴とする転写用マスク。
13. 請求項１２記載の転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。
14. ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用され、透光性基板上にパターンが形成された薄膜を備えた転写用マスクの製造方法であって、
    前記転写用マスクは、前記薄膜からなる評価用パターンを有し、
    パルスレーザ光を前記評価用パターンに間欠的に照射することによって薄膜の耐光性を評価することを特徴とする転写用マスクの製造方法。
15. 請求項１４記載の転写用マスクの製造方法によって作製された転写用マスクを用い、半導体ウェハ上に回路パターンを形成することを特徴する半導体デバイスの製造方法。
16. ＡｒＦエキシマレーザー露光光が適用される転写用マスクを作製するためのマスクブランクの製造方法であって、
    透光性基板上にパターンが形成された薄膜を備えた評価用の薄膜付基板に対して、パルスレーザ光を間欠的に照射することによって前記薄膜の耐光性を評価し、該耐光性の評価基準を満たす条件を予め求めておき、該条件を用いてマスクブランクを作製するマスクブランクの製造方法。
17. 前記条件は、組成であることを特徴とする請求項１６記載のマスクブランクの製造方法。
18. 前記条件は、成膜条件であることを特徴とする請求項１６記載のマスクブランクの製造方法。