JP2007235117A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 基板上に複数の島状半導体層を形成し、
   前記複数の島状半導体層上に第１の絶縁膜を形成し、
   前記第１の絶縁膜を介して前記複数の島状半導体層上に、それぞれゲート電極を形成し、
   前記ゲート電極上に第２の絶縁膜を形成し、
   前記第２の絶縁膜上にレジストを設け、
   前記レジストに、偏向器及び複数の異なる分岐パターンを有する回折光学素子を通過して複数に分岐したレーザビームを照射し、
   前記レーザビームが照射された前記レジストを現像し、
   前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜を、前記レジストをマスクとしてエッチングし、選択的にコンタクトホールを形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
2. 請求項１において、前記コンタクトホールを前記島状半導体層のドレイン領域と重なる領域に形成するか否かで、記憶状態を決定することを特徴とする記憶素子の作製方法。
3. レーザビームを射出するレーザ発振器と、
   前記レーザ発振器から射出されたレーザビームの偏向を行う偏向器と、
   前記偏向器を通過したレーザビームを複数のレーザビームに分岐する、複数の異なる分岐パターンを有する回折光学素子と、
   前記回折光学素子を通過し、複数に分岐されたレーザビームが照射される被照射体を載置する搬送ステージと、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
4. レーザビームを射出する複数のレーザ発振器と、
   前記複数のレーザ発振器から射出されたそれぞれのレーザビームを偏向する複数の偏向器と、
   前記複数の偏向器を通過したレーザビームそれぞれを、複数のレーザビームに分岐する、複数の異なる分岐パターンを有する回折光学素子と、
   前記回折光学素子を通過し、複数に分岐されたレーザビームが照射される被照射体を載置する搬送ステージと、を有することを特徴とするレーザ照射装置。
5. 請求項３又は請求項４において、
   前記偏向器は、音響光学偏向器又はガルバノミラーであることを特徴とするレーザ照射装置。
6. 請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記回折光学素子は透過型回折光学素子又は反射型回折光学素子であることを特徴とするレーザ照射装置。
7. 請求項３乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記回折光学素子は、分岐パターンに応じた回折光学素子を積み重ねて構成されることを特徴とするレーザ照射装置。
8. 請求項３乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記回折光学素子は、分岐パターンに応じた回折光学素子を格子状に配置して構成されることを特徴とするレーザ照射装置。
9. レーザ発振器から射出したレーザビームを偏向器に入射し、
   前記偏向器を通過したレーザビームを複数の異なる分岐パターンを有する回折光学素子に入射して複数に分岐し、
   前記複数に分岐されたレーザビームを搬送ステージに載置された被照射体に照射することを特徴とするレーザ照射方法。
10. 請求項９において、
    前記複数に分岐されたレーザビームは投影レンズを通過した後、前記被照射体に照射されることを特徴とするレーザ照射方法。
11. 請求項９又は請求項１０において、
    前記回折光学素子は透過型回折光学素子又は反射型回折光学素子であることを特徴とするレーザ照射方法。