JP4107502B2 - レーザ熱転写装置，レーザ熱転写方法，及び有機電界発光素子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は，レーザ熱転写装置，レーザ熱転写方法，及び有機電界発光素子の製造方法にかかり，より詳細には，ラミネーション及びレーザ照射を同時に具現できるレーザ熱転写装置，レーザ熱転写方法，及び有機電界発光素子の製造方法に関する。

一般に，レーザ熱転写方法は，少なくともレーザ，アクセプタ基板及びドナーフィルムを必要とし，前記ドナーフィルムは，基材フィルム，光−熱変換層及び転写層を備える。レーザ熱転写工程においては，前記転写層を前記アクセプタ基板に対向するようにして，前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板の全面上にラミネーションした後，前記基材フィルム上にレーザビームを照射する。前記基材フィルム上に照射されたビームは，前記光−熱変換層に吸収されて熱エネルギーに変換され，前記熱エネルギーにより，前記転写層は，前記アクセプタ基板上に転写される。その結果，前記アクセプタ基板上に転写層パターンが形成される。これは，米国特許第５９９８０８５号明細書，米国特許第６２１４５２０号明細書及び米国特許第６１１４０８８号明細書に開示されている。

しかしながら，上述したように，アクセプタ基板の全面上にドナーフィルムをラミネーションする場合，前記アクセプタ基板と前記ドナーフィルムとの間には，局部的に気泡が残存することができる。このような気泡は，転写不良を誘発することができる。

これを解決するために，米国特許第６２２６０２０号明細書は，レーザ熱転写法によってプリントを生成する方法及び装置（method and apparatus for producing a print by means of laser-induced thermal transfer）を提供する。前記米国特許によれば，基板シリンダー上に提供された基板上に，前記基板の幅より小さい幅を有する転写テープを接触させ，前記転写テープ上にレーザビームを照射することによって，前記基板上にパターンを形成する。この際，前記基板上に前記転写テープを接触させることは，前記基板に隣接したコンタクトロールを使用して行う。付加的に，前記レーザビームに対して斜め方向にノズルを配置させ，前記ノズルを使用して前記転写テープ上にガスを吹き付けて，前記転写テープと前記基板とのコンタクト力をさらに向上させる。

より詳細には，前記コンタクトロールは，前記転写テープが前記基板シリンダーを所定の巻き角（wrap angle）を有しながら巻回するようにする役目をし，前記巻き角は，前記転写テープと前記基板シリンダー上の基板との間にコンタクト力及び摩擦力を形成することができる。しかしながら，前記転写テープの転写層が有機膜である場合，上記のような摩擦力の発生は，有機膜を損傷させるのに十分である。

また，前記レーザビームに対して斜め方向にノズルを配置させる場合，前記ノズルと前記基板間の距離が遠くて，前記コンタクトロール無しに，前記ノズルだけでは前記転写テープと前記基板間の充分なコンタクト力を確保することは難しいことがある。この場合，充分なコンタクト力を確保するためには，前記ノズルは，高圧のガスを多量で前記転写テープ上に吹き付けなければならない。特に，前記米国特許とは異なって，基板がシリンダーに巻き取られずに，平面上に位置し，前記コンタクトロール無しに前記ノズルが吹き付けるガスの圧力だけで前記転写テープと前記基板を密着させる場合，前記ノズルと前記基板間の距離が遠いため，所定領域にわたって均一なコンタクト力を充分に確保することが一層難しい。

米国特許第５９９８０８５号明細書 米国特許第６２１４５２０号明細書 米国特許第６１１４０８８号明細書 米国特許第６２２６０２０号明細書

本発明は，前述した従来技術の問題点を解決するためになされたもので，本発明の目的は，ドナーフィルムの転写層とアクセプタ基板との間に摩擦力を生成させることなく，ドナーフィルムとアクセプタ基板間の充分なコンタクト力を得ることができるレーザ熱転写装置，レーザ熱転写方法，及び有機電界発光素子の製造方法を提供することにある。

前記目的を達成するために，本発明の一態様は，レーザ熱転写装置を提供する。前記レーザ熱転写装置は，アクセプタ基板を固定させるチャックを備える。前記アクセプタ基板上にドナーフィルムを密着させるラミネーションユニットが，前記チャック上に位置する。前記ラミネーションユニットは，空洞と，該空洞に圧縮ガスを注入するためのガス注入口と，前記空洞に注入されたガスを前記基板上に排出するガス排出口とを有する胴体を備える。前記ラミネーションユニットを貫通して，前記密着させられたドナーフィルム上にレーザビームを照射するレーザ照射装置が，前記ラミネーションユニット上に位置する。これにより，前記ラミネーションユニットにより十分に密着させられたドナーフィルム上にレーザビームを照射することができる。また，前記ラミネーションユニットは，ガス排出を使用して密着させるので，前記胴体と前記ドナーフィルムとの間に一定の間隔を生成することができ，このような間隔は，前記ラミネーションユニットが前記ドナーフィルム上で移動する時，直接的な摩擦なしに移動できるようにする。

本発明の一実施形態において，前記ラミネーションユニットは，前記胴体の上部の一部分に設けられ且つ前記空洞に当接する光透過窓を備えることができる。この場合，前記ガス注入口は，前記胴体の側壁を貫通することができる。この時，前記レーザビームは，前記光透過窓，前記空洞及び前記ガス排出口を介して前記ドナーフィルム上に照射されることができる。

本発明の他の実施形態において，前記ガス注入口は，前記ラミネーションユニット胴体の上部を貫通し，前記ガス排出口は，前記ラミネーションユニット胴体の下部を貫通することができる。この時，前記レーザビームは，前記ガス注入口，前記空洞及び前記ガス排出口を介して前記ドナーフィルム上に照射されることができる。

本発明のいくつかの実施形態において，前記ラミネーションユニットは，前記胴体の外周部に，前記チャック上に排出したガスを排気する排気口をさらに備えることができる。前記排気口は，排気ポンプに連結されることができる。

本発明のいくつかの実施形態において，前記ラミネーションユニットの少なくとも一側部に，前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上に接触させるためのガイドロールをさらに含むことができる。これにより，前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上により效果的に密着させることができる。

本発明の一実施形態において，前記レーザ照射装置及び前記ラミネーションユニットは，前記チャックを横切る前記チャックの移動方向と直交する方向に同時に移動可能であることが望ましい。これに対して，本発明の他の実施形態において，前記ラミネーションユニットは，前記チャックを横切る前記チャックの移動方向と直交する方向に延長されたライン形態を有することができる。この場合，前記レーザ照射装置は，前記ラミネーションユニットに沿って前記チャックの移動方向と直交する方向に移動しながらレーザを照射することができる。

本発明の一実施形態において，前記ドナーフィルムは，リボン型であってもよい。前記リボン型ドナーフィルムは，その両側エッジに突起部を備えることができる。また，前記レーザ熱転写装置は，前記ラミネーションユニットの一側部にフィルム供給手段（film supply means）と，他側部にフィルム巻き取り手段（film winding means）をさらに含むことができる。さらに，前記レーザ照射装置，前記ラミネーションユニット，前記フィルム供給手段及び前記フィルム巻き取り手段は，前記チャックを横切る前記チャックの移動方向と直交する方向に同時に移動可能であることが望ましい。

本発明の他の実施形態において，前記ドナーフィルムは，前記アクセプタ基板の全面上に位置することができる。この場合，前記ドナーフィルムの少なくとも２角部は，フレームに取り付けられることが望ましい。さらに，前記チャックは，前記フレームを固定させることができる。

前記目的を達成するために，本発明の他の態様は，レーザ熱転写方法を提供する。前記方法は，チャック上にアクセプタ基板を位置させることを含む。少なくとも光熱変換層及び転写層を備えるドナーフィルムを，前記転写層が前記下部基板に対向するように位置させる。ラミネーションユニットを使用して前記ドナーフィルムの一部分を前記アクセプタ基板上に局部的に密着させながら，前記密着させられたドナーフィルム上に，前記ラミネーションユニットを貫通してレーザを照射し，前記転写層の少なくとも一部を前記アクセプタ基板上に転写させる。これにより，前記ラミネーションユニットにより十分に密着させられたドナーフィルム上にレーザビームを照射することができる。

さらに，前記ラミネーションユニットは，空圧を使用して密着させることができる。これにより，前記ラミネーションユニットは，ガス排出を使用して密着させるので，前記胴体と前記ドナーフィルムとの間に一定間隔を生成することができ，このような間隔は，前記ラミネーションユニットが前記ドナーフィルム上で移動する時，直接的な摩擦無しに移動できるようにする。

本発明によれば，ドナーフィルムの転写層とアクセプタ基板との間に摩擦力を生成させずに，アクセプタ基板上にドナーフィルムを十分にラミネーションさせることができ，十分にラミネーションされたドナーフィルム上にレーザビームを照射することによって，優れた転写パターンプロファイルを得ることができる。

以下，添付の図面を参照して，本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。しかしながら，本発明は，下記の実施形態に限定されるものではなく，様々な変形が可能である。なお，図面において，層が他の層又は基板上に位置すると述べられる場合，これは，他の層又は基板上に直接に形成されるものを意味するばかりでなく，それらの間に第３の層が介在されているものを意味することもできる。本明細書において，同一の参照番号は，同一の構成要素を示す。

図１は，本発明の一実施形態に係るレーザ熱転写装置を概略的に示す斜視図であり，図２は，図１のＡ部分を拡大して示す斜視図である。

図１及び図２を参照すれば，レーザ熱転写装置１００は，基板ステージ１１０を備える。前記基板ステージ１１０上にチャック１１５が位置する。前記基板ステージ１１０は，前記チャック１１５をＸ方向に移動させるためのチャックガイドバー（chuck guide bar）１１３を備える。したがって，前記チャック１１５は，前記チャックガイドバー１１３に沿ってＸ方向に移動することができる。前記チャック１１５は，アクセプタ基板５０を前記チャック１１５上に位置するように固定させる。

前記チャック１１５上に，前記チャック１１５を横切る方向に配置された光学ステージ１２０が位置する。前記光学ステージ１２０上にレーザ照射装置１３０が設置される。前記レーザ照射装置１３０は，レーザソース（light source）１３１，ビーム形状変形装置（beam shaping element）１３２，マスク１３５及び投影レンズ（projection lens）１３７を備えることができる。前記レーザソース１３１は，レーザビームＬを発生させる装置である。前記レーザソース１３１から発生したビームＬは，前記ビーム形状変形装置１３２を通過する。前記ビーム形状変形装置１３２は，前記レーザソース１３１で発生したガウシアンプロファイルを有するビームを，均質化されたフラット−トッププロファイルを有するビームＬ＿ｉに変形させることができる。前記均質化されたビームＬ＿ｉは，前記マスク１３５を通過することができる。前記マスク１３５は，少なくとも１つの光透過パターン又は少なくとも１つの光反射パターンを備える。図面には，例示的に光透過パターン１３５ａのみ図示したが，これに限定されるものではない。前記マスク１３５を通過したビームは，前記パターン１３５ａによりパターニングされたイメージＬ＿ｍを有することができる。前記パターニングされたイメージＬ＿ｍを有するビームは，前記投影レンズ（projection lens）１３７を通過する。

前記光学ステージ１２０は，前記レーザ照射装置１３０をＹ方向に移動させるためのレーザガイドバー（laser guide bar）１２３を備える。さらに，前記光学ステージ１２０は，レーザ照射装置ベース１２５を介して前記光学ステージ１２０の上面，詳細には，前記レーザガイドバー１２３に装着される。

前記光学ステージ１２０の側部上にラミネーションユニット１５０が装着される。前記ラミネーションユニット１５０は，ドナーフィルム７０を前記アクセプタ基板５０上に局部的にラミネーションするための要素である。前記ラミネーションユニット１５０上には，前記レーザ照射装置１３０が位置する。前記レーザ照射装置１３０は，前記ラミネーションユニット１５０上に前記投影レンズ１３７を通過したレーザビームを照射する。前記ラミネーションユニット１５０は，前記レーザビームが通る通路に光透過部を有する。したがって，前記レーザビームは，前記ラミネーションユニット１５０を貫通して，詳細には，前記ラミネーションユニット１５０の光透過部を介して前記ラミネーションされたドナーフィルム７０上にレーザビームを照射することができる。これにより，ラミネーションと同時にレーザ熱転写工程を進行することができる。また，局部的なラミネーションを行うので，前記ラミネーションされた部分のアクセプタ基板５０とドナーフィルム７０との間に気泡が発生しても，その気泡は，周辺部に位置するラミネーションされていない部分の前記ドナーフィルム７０と前記アクセプタ基板５０との間に抜け出ることができる。結果的に，気泡による転写不良を防止することができる。さらに，前記レーザビームを，前記ラミネーションユニット１５０を貫通して照射することによって，ラミネーションが十分に行われた部位にレーザビームを照射することができる。これにより，優れた転写パターンプロファイルを得ることができる。

このようなラミネーションユニット１５０は，空圧を使用してラミネーションを行う装置であってもよい。詳細には，前記ラミネーションユニット１５０は，空洞１５１ａと，前記空洞１５１ａに圧縮ガスＣａを注入するためのガス注入口１５１ｂと，前記空洞１５１ａに注入されたガスを前記チャック上に排出するガス排出口１５１ｃとを有する胴体１５１を備えることができる。前記圧縮ガスＣａの圧力により，ドナーフィルム７０は，前記基板上にラミネーションされることができ，前記ガス排出口１５１ｃを介して排出されたガスは，前記ラミネーションユニット１５０の外部に排気されつつ，前記胴体１５１とドナーフィルム７０との間に所定の間隔を形成する。

このようなラミネーションユニット１５０は，前記胴体１５１の上部の一部分に設置され，前記空洞１５１ａに接する光透過窓１５５をさらに備えることができる。この場合，前記レーザ照射装置１３０から照射されたレーザは，前記光透過窓１５５，前記空洞１５１ａ及び前記ガス排出口１５１ｃを通過して，前記ドナーフィルム７０上に照射されることができる。したがって，前記光透過窓１５５，前記空洞１５１ａ及び前記ガス排出口１５１ｃは，光透過部を構成することができる。この時，前記ガス注入口１５１ｂは，前記胴体１５１の側壁を貫通するように設けられることができる。このようなラミネーションユニット１５０の胴体１５１は，図示したように，直六面体であるが，これに限定されるものではなく，円柱型であってもよい。

前記ドナーフィルム７０は，リボン型であってもよい。このようなリボン型のドナーフィルム７０は，前記アクセプタ基板５０の幅に比べて小さい幅を有するので，前記基板５０の幅と類似するか，それより大きいドナーフィルムを製作する場合に比べて，フィルム製造時の均一性を確保することが容易である。この場合，前記ラミネーションユニット１５０の一側部にドナーフィルム供給手段１４３が設置され，他側部にドナーフィルム巻き取り手段１４４が設置されることができる。前記フィルム供給手段１４３及び前記フィルム巻き取り手段１４４は，ロール形態を有することが望ましい。前記フィルム供給手段１４３及び前記フィルム巻き取り手段１４４は，前記ドナーフィルム７０に一定の張力を加えることができる。

前記ラミネーションユニット１５０及び前記レーザ照射装置１３０は，前記レーザ照射装置１３０の移送方向であるＹ方向に同時に移送可能である。その具現例として，前記ラミネーションユニット１５０は，ラミネーションユニットベース１４１に設置され，前記ラミネーションユニットベース１４１は，前記レーザ照射装置ベース１２５に連結されることができる。これにより，前記レーザ照射装置ベース１２５を前記Ｙ方向に移送させれば，前記レーザ照射装置ベース１２５上に設置されたレーザ照射装置１３０と前記ラミネーションユニットベース１４１とがＹ方向に移送されることができる。結果的に，前記ラミネーションユニットベース１４１に設置された前記ラミネーションユニット１５０もＹ方向に移送されることができる。

さらに，前記フィルム供給手段１４３及び前記フィルム巻き取り手段１４４は，前記ラミネーションユニット１５０と共に前記Ｙ方向に同時に移送可能であることが望ましい。その具現例として，前記フィルム供給手段１４３及び前記フィルム巻き取り手段１４４は，前記ラミネーションユニット１５０から所定の間隔をもって離隔して，前記ラミネーションユニットベース１４１に各々設置されることができる。したがって，前記レーザ照射装置，前記ラミネーションユニット，前記フィルム供給手段及びフィルム巻き取り手段が共にＹ方向に移送可能であることができる。

これに加えて，前記ラミネーションユニットベース１４１は，前記ラミネーションユニット１５０を上下方向に移動させるためのラミネーションユニットガイドバー１４２を備えることができる。

図３は，図１の切断線III−III’に沿う本発明の一実施形態に係るドナーフィルムの断面図である。

図面を参照すれば，ドナーフィルム７０は，基材フィルム（base film）７１と，前記基材フィルム７１の一面上に順に積層された光熱変換層７３及び転写層７７を備える。また，前記ドナーフィルム７０は，フィルム巻き取り手段（図１の１４４）又はフィルム供給手段（図１の１４３）に複数周り巻き取られている。前記基材フィルム７１は，ポリエチレンテレフタレート（polyethylene terephthalate；ＰＥＴ）などの透明性高分子有機材料で形成された基板であってもよい。前記光熱変換層７３は，入射される光を熱に変換させる膜であり，光吸水性物質であるアルミニウム酸化物，アルミニウム硫化物，カーボンブラック，黒鉛又は赤外線染料を含むことができる。前記転写層７７は，前記下部基板Ａが有機電界発光素子基板である場合，有機転写層であってもよい。前記有機転写層７７は，正孔注入性有機膜，正孔輸送性有機膜，電界発光性有機膜，正孔抑制性有機膜，電子輸送性有機膜及び電子注入性有機膜よりなる群から選ばれる少なくとも１つの膜であってもよい。

前記ベースフィルム７１の前記転写層７７が積層された面と反対面上に突起部７２が位置することができる。前記突起部７２は，上述したように，前記ドナーフィルム７０が複数層積層されている時，前記転写層７７が損傷されることを防止することができる。さらに，前記突起部７２は，前記ベースフィルム７１の両側エッジに位置することが望ましい。また，前記突起部７２の高さは，前記ベースフィルム７１上に積層されたいろいろな膜，すなわち光熱変換層７３と転写層７７の厚さの合計より大きいことが望ましい。

図４は，図１のアクセプタ基板の一実施形態である有機電界発光素子基板の一部領域を拡大して示す断面図である。

図面を参照すれば，基板５１上の所定領域に半導体層５２が位置する。前記半導体層５２は，非晶質シリコン膜又は非晶質シリコン膜を結晶化した多結晶シリコン膜であってもよい。前記半導体層５２上にゲート絶縁膜５３が位置する。前記ゲート絶縁膜５３上に，前記半導体層５２と重畳するゲート電極５４が位置する。前記ゲート電極５４上に，前記半導体層５２及び前記ゲート電極５４を覆う第１層間絶縁膜５５が位置する。前記第１層間絶縁膜５５上に，前記第１層間絶縁膜５５及び前記ゲート絶縁膜５３を貫通して前記半導体層５２の両端部に各々接続するソース電極５６及びドレイン電極５７が位置する。前記半導体層５２，前記ゲート電極５４及び前記ソース／ドレイン電極５６，５７は，薄膜トランジスタＴを構成する。前記ソース／ドレイン電極５６，５７上に，前記ソース／ドレイン電極５６，５７を覆う第２層間絶縁膜５８が位置する。前記第２層間絶縁膜５８は，前記薄膜トランジスタＴを保護するためのパッシベーション膜及び／又は前記薄膜トランジスタによる段差を緩和するための平坦化膜を備えることができる。前記第２層間絶縁膜５８上に，前記第２層間絶縁膜５８を貫通して前記ドレイン電極５７に接続する画素電極５９が位置する。前記画素電極５９は，例えば，ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜であってもよい。前記画素電極５９上に，前記画素電極の一部を露出させる開口部６０ａを有する画素定義膜（pixel defining layer）６０が位置することができる。

以下，図１及び図２を参照して説明したレーザ熱転写装置を使用したレーザ熱転写法及び有機電界発光表示装置の製造方法を詳細に説明する。

図５は，図１の切断線Ｉ−Ｉ’に沿う断面図であり，図６は，図１の切断線II−II’に沿う断面図である。

図１，図５及び図６を参照すれば，チャック１１５上にアクセプタ基板５０を位置させる。前記アクセプタ基板５０は，図４を参照して説明した有機電界発光素子基板であってもよい。

前記アクセプタ基板５０上にドナーフィルム７０を位置させる。前記ドナーフィルム７０は，少なくとも光熱変換層（図３の７３）及び転写層７７を備え，前記転写層７７が前記アクセプタ基板５０に対向するように位置される。前記ドナーフィルム７０は，リボン型であってもよい。

次いで，ラミネーションユニット１５０がラミネーションユニットガイドバー１４２に沿って下部に移動する。これにより，前記ラミネーションユニット１５０下部のドナーフィルム７０もやはり前記アクセプタ基板５０上に移動することができる。前記ラミネーションユニット１５０は，空圧を使用してラミネーションを行う装置であってもよい。詳細には，前記ラミネーションユニット１５０は，空洞１５１ａと，前記空洞１５１ａに圧縮ガスＣａを注入するためのガス注入口１５１ｂと，前記空洞１５１ａに注入されたガスを前記チャック上に排出するガス排出口１５１ｃとを有する胴体１５１を備えることができる。さらに，前記ラミネーションユニット１５０は，前記胴体１５１の上部の一部分に設けられ，前記空洞１５１ａに接する光透過窓１５５をさらに備えることができる。また，前記ガス注入口１５１ｂは，前記胴体１５１の側壁を貫通するように設けられることができる。

次いで，前記ラミネーションユニット１５０のガス注入口１５１ｂを介して圧縮ガスＣａが空洞１５１ａ内に注入される。本明細書において，「圧縮ガス」とは，その気体圧が前記ラミネーションユニット１５０外部の気圧より高いことを言う。前記空洞１５１ａ内に注入された圧縮ガスは，ガス排出口１５１ｃを介して排出される。この時，前記圧縮ガスの圧力Ｐにより，ドナーフィルム７０の一部分は，前記アクセプタ基板５０上に局部的にラミネーションされることができ，前記ガス排出口１５１ｃを介して排出されたガスは，前記ラミネーションユニット１５０の外部に排気されつつ，前記胴体１５１と前記ドナーフィルム７０との間に所定の間隔を形成することができる。

これと同時に，レーザ照射装置１３０のレーザソース（図２の１３１）からレーザビームが放出され，前記レーザビームは，投影レンズ１３７を通過する。前記投影レンズ１３７を通過したレーザビームは，前記ラミネーションユニット１５０の光透過部，すなわち光透過窓１５５，前記空洞１５１ａ及び前記ガス排出口１５１ｃを通過して前記ドナーフィルム７０上に照射される。この時，前記ラミネーションユニット１５０が前記ドナーフィルムに加える圧力，すなわち圧縮ガスの圧力Ｐは，前記レーザビームが照射される方向に平行することができる。したがって，前記ドナーフィルム７０が前記アクセプタ基板５０上に充分にラミネーションされた部位にレーザビームを照射することによって，転写不良を低減することができる。これにより，優れた転写パターンプロファイルを得ることができる。

前記ドナーフィルム７０の前記レーザビームが照射された領域では，前記光熱変換層（図３の７３）が前記レーザビームを吸収して熱を発生させ，前記熱が発生した光熱変換層（図３の７３）下部の前記転写層７７は，前記熱により前記光熱変換層（図３の７３）との接着力に変化が生じ，前記アクセプタ基板５０上に転写される。結果的に，前記アクセプタ基板５０上には，パターニングされた転写層７７ａが形成される。

レーザ照射装置ベース１２５は，レーザガイドバー１２３に沿ってＹ軸に連続的に移動する。したがって，前記レーザ照射装置ベース１２５に設置された前記レーザ照射装置１３０，前記レーザ照射装置ベース１２５に連結されたラミネーションユニットベース１４１，前記ラミネーションユニットベース１４１に設置された前記ラミネーションユニット１５０及びドナーフィルム供給手段１４３／ドナーフィルム巻き取り手段１４４も同時にＹ軸に連続的に移動することができる。その結果，前記ラミネーションと前記レーザ照射は，前記Ｙ方向に連続的に進行されることができる。

この時，前記ドナーフィルム巻き取り手段１４４は，前記レーザ照射装置ベース１２５，すなわち前記レーザ照射装置１３０が移動した速度に同期化された速度で前記ドナーフィルム７０を巻き取る。その結果，ドナーフィルム７０のパターニングされていない転写層７７を有する部分が前記ラミネーションユニット１５０下部に連続的に位置することができるようになる。この時，前記胴体１５１と前記ドナーフィルム７０間の間隔により，前記ラミネーションユニット１５０は，前記ドナーフィルム７０との直接的な接触による摩擦無しに前記ドナーフィルム７０上で移動することができる。これにより，前記ドナーフィルム７０の転写層が有機膜である場合，前記有機膜の損傷を最小化することができる。

前記レーザ照射装置１３０が前記アクセプタ基板５０のエッジに届くと，前記ラミネーションユニット１５０に圧縮ガスは供給されずに，また，前記ラミネーションユニット１５０は，前記ラミネーションユニットガイドバー１４２に沿って上部に移動する。その結果，前記ラミネーションユニット１５０下部のドナーフィルム７０は，前記アクセプタ基板から脱着される。

次いで，前記チャック１１５は，前記チャックガイドバー１１３に沿って１ステップ移動し，上述したラミネーション及びレーザ照射を繰り返す。

図７は，パターニングされた転写層を備える有機電界発光素子基板の一部領域を拡大して示す断面図である。

図面を参照すれば，図４を参照して説明した有機電界発光素子基板の開口部６０ａ内に露出された画素電極５５上に転写層パターン７７ａが位置する。前記転写層パターン７７ａは，発光層であってもよい。さらに，前記転写層パターン７７ａは，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層，電子輸送層及び電子注入層よりなる群から選ばれる少なくとも一層をさらに含むことができる。

図８は，本発明の他の実施形態に係るレーザ熱転写装置を示す断面図である。本実施形態に係るレーザ熱転写装置は，後述するものを除いて，図１〜図７を参照して説明したレーザ熱転写装置と同様である。

図８を参照すれば，ラミネーションユニット１５０は，胴体１５１の外周部に，チャック１１５上に排出したガスを排気する排気口１５１ｄをさらに備えることができる。前記排気口１５１ｄは，排気ポンプに連結される。

この場合，ガス注入口１５１ｂから空洞１５１ａに注入された圧縮ガスＣａは，ガス排出口１５１ｃを介して排出される。この時，前記圧縮ガスＣａの圧力により，ドナーフィルム７０は，前記アクセプタ基板５０上にラミネーションされることができ，前記ガス排出口１５１ｃを介して排出されたガスは，前記排気口１５１ｄを介して排気されつつ，前記胴体１５１とドナーフィルム７０との間に所定の間隔を形成する。前記ガス排出口１５１ｃを介して排出されたガスは，前記排気口１５１ｄのみならず，前記ラミネーションユニット１５１の外部にも抜け出ることができる。

図９は，本発明の他の実施形態に係るレーザ熱転写装置を示す断面図である。本実施形態に係るレーザ熱転写装置は，後述するものを除いて，図１〜図７を参照して説明したレーザ熱転写装置と同様である。

図９を参照すれば，ラミネーションユニットのガス注入口１５１ｅは，前記ラミネーションユニット胴体１５１の上部を貫通する。また，ガス排出口１５１ｃは，前記胴体１５１の下部を貫通する。この場合，レーザ照射装置１３０から照射されたレーザは，前記ガス注入口１５１ｅ，前記空洞１５１ａ及び前記ガス排出口１５１ｃを通過して前記ドナーフィルム７０上に照射されることができる。したがって，前記ガス注入口１５１ｅ，前記空洞１５１ａ及び前記ガス排出口１５１ｃは，光透過部を構成することができる。このようなレーザ熱転写装置は，図１を参照して説明したレーザ熱転写装置とは異なって，透明窓（図１の１５５）が形成しなくてもよい。

前記ガス注入口１５１ｅから空洞１５１ａに注入された圧縮ガスＣａは，ガス排出口１５１ｃを介して排出される。この時，前記圧縮ガスＣａの圧力により，ドナーフィルムは，前記基板上にラミネーションされることができ，前記ガス排出口１５１ｃを介して排出されたガスは，前記ラミネーションユニット１５０の外部に排気されつつ，前記胴体１５１とドナーフィルム７０との間に所定の間隔を形成することができる。

図１０は，本発明の他の実施形態に係るレーザ熱転写装置を示す断面図である。本実施形態に係るレーザ熱転写装置は，後述するものを除いて，図１〜図７を参照して説明したレーザ熱転写装置と同様である。

図１０を参照すれば，ラミネーションユニット１５０の少なくとも一側部に，ドナーフィルム７０をアクセプタ基板５０上に近接させるためのガイドロール１４５，１４６をさらに含む。前記ガイドロール１４５，１４６は，前記ドナーフィルム７０を押し付けて，前記ドナーフィルム７０を前記アクセプタ基板５０上に密着させる役目をする。これにより，前記アクセプタ基板５０上に前記ドナーフィルム７０をより容易にラミネーションさせることができる。

図１１は，本発明の他の実施形態に係るレーザ熱転写装置を示す断面図である。本実施形態に係るレーザ熱転写装置は，後述するものを除いて，図１〜図７を参照して説明したレーザ熱転写装置と同様である。

図１１を参照すれば，ラミネーションユニット胴体１５１の側壁は，上部側壁と下部側壁を備え，前記上部側壁及び前記下部側壁は，弾性体１５３により互いに連結される。これにより，前記ラミネーションユニット１５０が前記ドナーフィルム７０上に非常に近接して位置する場合であっても，前記弾性体１５３により前記胴体１５１と前記ドナーフィルム７０との間に均一な間隔を維持することができる。詳細には，前記ドナーフィルム７０を基板５０上に十分にラミネーションさせるためには，前記ラミネーションユニット１５０は，前記ドナーフィルム７０上に近接して位置することが望ましいが，前記基板５０は，その表面に構造物による凹凸を有することができるので，前記ラミネーションユニット胴体１５１が前記ドナーフィルム７０に当接する部分が生じることができ，この場合，前記ラミネーションユニット胴体１５１と前記ドナーフィルム７０との間に摩擦が発生し得る。このような摩擦の発生は，前記ドナーフィルム７０を損傷させることができる。しかしながら，前記弾性体１５１は，ガス排出口１５１ｃを介して前記ラミネーションユニット１５０外部に排気されるガスの圧力によって，前記ラミネーションユニット胴体１５１の側壁を収縮または弛緩させることができ，前記基板５０表面が凹凸を有しても，前記胴体１５１と前記ドナーフィルム７０との間に均一な間隔を形成することができる。

このために，より好ましくは，前記ラミネーションユニット胴体１５１のガス排出口１５１ｃには，ノズル１５４ａを備えるノズル部１５４が取り付けられることができる。前記ノズル１５４ａは，前記ガス排出口１５１ｃの大きさより小さいため，より效果的に前記ドナーフィルム７０をラミネーションさせることができ，前記ノズル部１５４は，ガス注入口１５１ｂから空洞１５１ａに注入された圧縮ガスＣａの圧力Ｐにより前記ドナーフィルム７０方向に力を受け，前記ノズル１５４ａを介して前記ラミネーションユニット１５０外部に排気されるガスの圧力による力を受けるので，前記ノズル部１５４と前記ドナーフィルム７０との間には所定の間隔が形成されることができる。さらに，前記弾性体１５１により前記基板５０表面が凹凸を有しても，前記胴体１５１と前記ドナーフィルム７０との間に均一な間隔を形成することができる。結果的に，前記ラミネーションユニット１５０と前記ドナーフィルム７０間の摩擦を最小化することができる。

これとは異なって，前記弾性体１５３無しに前記ノズル部１５４が弾性体よりなる場合にも，同じ効果を期待することができる。

前記ラミネーションユニット１５０は，前記胴体１５１の上部の一部分に設置され，前記空洞１５１ａに接する光透過窓１５５をさらに備えることが望ましい。この場合，レーザは，前記光透過窓１５５，前記空洞１５１ａ及び前記ノズル１５４ａを通過して，前記ドナーフィルム７０上に照射される。また，前記ガス注入口１５１ｂは，前記胴体１５１の上部側壁を貫通することができる。

図１２は，本発明の他の実施形態に係るレーザ熱転写装置を示す断面図である。本実施形態に係るレーザ熱転写装置は，後述するものを除いて，図１〜図７を参照して説明したレーザ熱転写装置と同様である。

図１２を参照すれば，ラミネーションユニット１５０は，前記ラミネーションユニット胴体１５１の下段，すなわち前記ラミネーションユニット胴体１５１のガス排出口に取り付けられたパイプ形態のピストン１５６をさらに備える。前記ピストン１５６は，前記ラミネーションユニット胴体１５１に沿って下部又は上部に移動することができる。この時，前記ピストン１５６のヘッド部は，ガス注入口１５１ｂから空洞１５１ａに注入された圧縮ガスＣａの圧力Ｐにより，前記ドナーフィルム７０方向，すなわち下部方向に力を受け，前記ピストン１５６は，前記ピストン内部を介して前記ラミネーションユニット１５０外部に排気されるガスの圧力による上部方向の力を受けるので，前記ピストン１５６と前記ドナーフィルム７０との間には，所定の間隔が形成されることができる。また，前記ピストン１５６は，前記ラミネーションユニット胴体１５１に沿って下部又は上部に移動することができるので，前記ラミネーションユニット１５０が前記ドナーフィルム７０上に非常に近接して位置する場合であっても，前記ピストン内部を介して前記ラミネーションユニット１５０外部に排気されるガスの圧力により，前記胴体１５１と前記ドナーフィルム７０との間に均一な間隔を維持することができる。結果的に，前記ラミネーションユニット１５０と前記ドナーフィルム７０間の摩擦を最小化することができる。

さらに，前記パイプ形態のピストン１５６の下部に，ノズル１５７ａを備えるノズル部１５７がさらに取り付けられることができる。このようなノズル部１５７は，図１１を参照して説明したレーザ熱転写装置のノズル部１５４と同様の役目をする。

図１３は，本発明の他の実施形態に係るレーザ熱転写装置を概略的に示す一部分解斜視図であり，図１４は，図１３の切断線Ｉ−Ｉ’に沿う断面図である。本実施形態に係るレーザ熱転写装置は，図１〜図７を参照して説明したレーザ熱転写装置とは異なって，アクセプタ基板の全面を覆うドナーフィルムを適用する。

図１３及び１４を参照すれば，チャック１１５は，アクセプタ基板５０を前記チャック１１５上に位置するように固定させる。前記アクセプタ基板５０上にドナーフィルム７０−１が配置される。前記ドナーフィルム７０−１の少なくとも２角部以上は，フレーム８０により固定されることが望ましい。これにより，前記ドナーフィルム７０−１は，適正な張力を維持することができ，前記ドナーフィルム７０−１のエッジで，前記ドナーフィルム７０−１と前記アクセプタ基板５０間の間隔が一定に維持されることができる。この場合，前記チャック１１５は，前記フレーム８０をも固定させることが望ましい。

本実施形態のラミネーションユニット１５０は，図示のものとは異なって，図８〜１２を参照して説明したラミネーションユニットの特徴的な構成要素のうち少なくとも１つ以上を含むことができる。

以下，図１３及び図１４を参照して本実施形態に係るレーザ熱転写装置を使用したレーザ熱転写法を説明する。

図１３及び図１４を参照すれば，チャック１１５上にアクセプタ基板５０を位置させる。前記アクセプタ基板５０は，図４を参照して説明した有機電界発光素子基板であってもよい。前記アクセプタ基板５０上に，フレーム８０に少なくとも２角部以上が取り付けられたドナーフィルム７０−１を位置させる。前記アクセプタ基板５０上に前記ドナーフィルム７０−１を位置させることは，前記チャック１１５が前記フレーム８０を固定することによって行うことができる。前記ドナーフィルム７０−１は，少なくとも光熱変換層（図３の７３）及び転写層７７を備え，前記転写層７７が前記アクセプタ基板５０に対向するように位置される。

次いで，ラミネーションユニット１５０がラミネーションユニットガイドバー１４２に沿って下部に移動する。これにより，前記ラミネーションユニット１５０下部のドナーフィルム７０−１もやはり前記アクセプタ基板５０上に移動されることができる。

次いで，前記ラミネーションユニット１５０のガス注入口１５１ｂを介して圧縮ガスＣａが空洞１５１ａ内に注入される。前記空洞１５１ａ内に注入された圧縮ガスは，ガス排出口１５１ｃを介して排出される。この時，前記圧縮ガスの圧力Ｐにより，ドナーフィルム７０−１は，前記アクセプタ基板５０上にラミネーションされることができ，前記ガス排出口１５１ｃを介して排出されたガスは，前記ラミネーションユニット１５０の外部に排気されつつ，前記胴体１５１と前記ドナーフィルム７０−１との間に所定の間隔を形成することができる。

この場合，前記フレーム８０により適正の張力を有するドナーフィルム７０−１により，前記ラミネーションされた部分のアクセプタ基板５０とドナーフィルム７０−１との間に気泡が発生しても，その気泡は，周辺部に位置するラミネーションされていない部分の前記ドナーフィルム７０−１と前記アクセプタ基板５０との間に抜け出ることができる。結果的に，気泡による転写不良を防止することができる。

次いで，レーザ照射装置１３０のレーザソース（図２の１３１）からレーザビームが放出され，前記レーザビームは，投影レンズ１３７を通過する。前記投影レンズ１３７を通過したレーザビームは，前記ラミネーションユニット１５０の光透過部，すなわち光透過窓１５５，前記空洞１５１ａ及びガス排出口１５１ｃを通過して前記ドナーフィルム７０−１上に照射される。この時，前記ドナーフィルム７０−１の前記レーザビームが照射された領域では，転写層７７の少なくとも一部が前記アクセプタ基板５０上に転写される。結果的に，前記アクセプタ基板５０上には，パターニングされた転写層７７ａが形成される。

この時，レーザ照射装置ベース１２５は，レーザガイドバー１２３に沿ってＹ軸に連続的に移動する。したがって，前記レーザ照射装置ベース１２５に設置された前記レーザ照射装置１３０，前記レーザ照射装置ベース１２５に連結されたラミネーションユニットベース１４１及び前記ラミネーションユニットベース１４１に設置された前記ラミネーションユニット１５０も，同時にＹ軸に連続的に移動するのに対して，前記ドナーフィルム７０−１は，前記フレーム８０により前記チャック１１５上に固定されて位置する。その結果，前記ラミネーションと前記レーザ照射は，前記Ｙ方向に連続的に進行されることができる。この時，前記胴体１５１と前記ドナーフィルム７０−１間の間隔により，前記ラミネーションユニット１５０は，前記ドナーフィルム７０−１との直接的な接触による摩擦無しに前記ドナーフィルム７０上で移動することができる。

また，前記レーザ照射装置１３０は，連続的にレーザビームを照射する。したがって，前記アクセプタ基板５０上には，転写層パターン７７ａがＹ軸に沿って継続的に生成される。

前記レーザ照射装置１３０が前記アクセプタ基板５０のエッジに届くと，前記ラミネーションユニット１５０に圧縮ガスは供給されずに，また，前記ラミネーションユニット１５０は，前記ラミネーションユニットガイドバー１４２に沿って上部に移動する。その結果，前記ラミネーションユニット１５０下部のドナーフィルム７０は，前記アクセプタ基板から脱着される。

次いで，前記チャック１１５は，前記チャックガイドバー１１３に沿って１ステップ移動し，上述したレーザ照射工程を繰り返す。

図１５は，本発明の他の実施形態に係るレーザ熱転写装置を概略的に示す一部分解斜視図である。本実施形態に係るレーザ熱転写装置は，後述するものを除いて，図１３を参照して説明したレーザ熱転写装置と同様である。

図１５を参照すれば，ラミネーションユニット１５０−１は，チャック１１５を横切るＹ方向に延長されたライン形態である。したがって，ドナーフィルム７０−１は，アクセプタ基板５０上に前記チャック１１５を横切るＹ方向に延長されてラミネーションされることができる。さらに，前記ラミネーションユニット１５０−１の胴体は，多数の圧縮ガス注入口を備え，前記ラミネーションユニットの空洞内に均一に圧縮ガスを供給することができる。この場合，レーザ照射装置１３０は，前記ラミネーションユニット１５０−１に沿ってＹ方向に移動しながら連続的にレーザを照射することができる。その結果，前記レーザビームは，前記Ｙ方向にラミネーションされたドナーフィルムに沿って照射されることができる。

本実施形態のラミネーションユニット１５０は，図示のものとは異なって，図８〜１２を参照して説明したラミネーションユニットの特徴的な構成要素のうち少なくとも１つ以上を含むことができる。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

本発明は，レーザ熱転写装置，レーザ熱転写方法，及び有機電界発光素子の製造方法に利用可能であり，より詳細には，ラミネーション及びレーザ照射を同時に具現できるレーザ熱転写装置，レーザ熱転写方法，及び有機電界発光素子の製造方法に利用可能である。

本発明の一実施形態に係るレーザ熱転写装置を概略的に示す斜視図である。 図１のＡ部分を拡大して示す斜視図である。 図１の切断線III−III’に沿う本発明の一実施形態に係るドナーフィルムの断面図である。 図１のアクセプタ基板の一実施形態である有機電界発光素子基板の一部領域を拡大して示す断面図である。 図１の切断線Ｉ−Ｉ’に沿う断面図である。 図１の切断線II−II’に沿う断面図である。 パターニングされた転写層を備えた有機電界発光素子基板の一部領域を拡大して示す断面図である。 本発明の他の実施形態に係るレーザ熱転写装置を示す断面図である。 本発明の他の実施形態に係るレーザ熱転写装置を示す断面図である。 本発明の他の実施形態に係るレーザ熱転写装置を示す断面図である。 本発明の他の実施形態に係るレーザ熱転写装置を示す断面図である。 本発明の他の実施形態に係るレーザ熱転写装置を示す断面図である。 本発明の他の実施形態に係るレーザ熱転写装置を概略的に示す一部分解斜視図である。 図１３の切断線Ｉ−Ｉ’に沿う断面図である。 本発明の他の実施形態に係るレーザ熱転写装置を概略的に示す一部分解斜視図である。

符号の説明

１１５ チャック
５０ アクセプタ基板
７０ ドナー基板
１５０ ラミネーションユニット
１５５ 透明窓
１４３ フィルム供給手段
１４４ フィルム巻き取り手段
１３０ レーザ照射装置
１２０ 光学ステージ

Claims (53)

1. アクセプタ基板を固定させるチャックと，
   前記チャック上に位置し，空洞（cavity）と，該空洞に圧縮ガスを注入するためのガス注入口と，前記空洞に注入されたガスを前記基板上に排出するガス排出口とを有する胴体を備え，前記アクセプタ基板上にドナーフィルムを密着させるラミネーションユニットと，
   前記ラミネーションユニット上に位置し，前記ラミネーションユニットを貫通して，前記密着させられたドナーフィルム上にレーザビームを照射するレーザ照射装置と，
   を含むことを特徴とする，レーザ熱転写装置。
2. 前記レーザ照射装置は，前記ラミネーションユニットの空洞及びガス排出口を介して前記ドナーフィルム上にレーザビームを照射することを特徴とする，請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
3. 前記ラミネーションユニットは，前記胴体の上部の一部分に設けられ且つ前記空洞に当接する光透過窓をさらに備えることを特徴とする，請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
4. 前記ガス注入口は，前記胴体の側壁を貫通することを特徴とする，請求項３に記載のレーザ熱転写装置。
5. 前記ガス注入口は，前記ラミネーションユニット胴体の上部を貫通し，前記ガス排出口は，前記ラミネーションユニット胴体の下部を貫通することを特徴とする，請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
6. 前記ラミネーションユニットは，前記胴体の外周部に，前記チャック上に排出されたガスを排気する排気口をさらに備えることを特徴とする，請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
7. 前記排気口は，排気ポンプに連結されることを特徴とする，請求項６に記載のレーザ熱転写装置。
8. 前記ラミネーションユニット胴体の側壁は，上部側壁及び下部側壁を備え，前記上部側壁及び前記下部側壁は，弾性体により互いに連結されることを特徴とする，請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
9. 前記ラミネーションユニットは，胴体のガス排出口に取り付けられ且つノズルを備えるノズル部をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載のレーザ熱転写装置。
10. 前記ラミネーションユニットは，前記胴体の上部の一部分に設けられ且つ前記空洞に当接する光透過窓をさらに備えることを特徴とする，請求項８に記載のレーザ熱転写装置。
11. 前記ガス注入口は，前記胴体の上部側壁を貫通することを特徴とする，請求項１０に記載のレーザ熱転写装置。
12. 前記ラミネーションユニットは，前記ガス排出口に取り付けられるパイプ形態のピストンをさらに備えることを特徴とする，請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
13. 前記パイプ形態のピストンの下部に取り付けられ且つノズルを備えるノズル部をさらに含むことを特徴とする，請求項１２に記載のレーザ熱転写装置。
14. 前記ラミネーションユニットは，前記アクセプタ基板に対して垂直な方向に移動可能であることを特徴とする，請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
15. 前記ラミネーションユニットの少なくとも一側部に，前記ドナーフィルムを前記アクセプタ基板上に接触させるためのガイドロールをさらに含むことを特徴とする，請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
16. 前記レーザ照射装置と前記ラミネーションユニットは，前記チャックを横切る前記チャックの移動方向と直交する方向に同時に移動可能であることを特徴とする，請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
17. 前記チャックを前記チャックの移動方向と直交する方向に横切る光学ステージをさらに含み，
    前記レーザ照射装置は，レーザ照射装置ベースを介して前記光学ステージの上面に設置され，前記ラミネーションユニットベースは，前記レーザ照射装置ベースに連結され，前記ラミネーションユニットは，前記ラミネーションユニットベースに設置されることを特徴とする，請求項１６に記載のレーザ熱転写装置。
18. 前記ラミネーションユニットは，前記チャックを横切る前記チャックの移動方向と直交する方向に延長されたライン形態であることを特徴とする，請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
19. 前記レーザ照射装置は，前記ラミネーションユニットに沿って前記チャックの移動方向と直交する方向に移動しながらレーザを照射することを特徴とする，請求項１８に記載のレーザ熱転写装置。
20. 前記ラミネーションユニットの胴体は，多数の圧縮ガス注入口を備えることを特徴とする，請求項１９に記載のレーザ熱転写装置。
21. 前記ドナーフィルムは，リボン型であることを特徴とする，請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
22. 前記リボン型ドナーフィルムは，その両側エッジに突起部を備えることを特徴とする，請求項２１に記載のレーザ熱転写装置。
23. 前記ラミネーションユニットの一側部にフィルム供給手段（film supply means）と，他側部にフィルム巻き取り手段（film winding means）をさらに含むことを特徴とする，請求項２１に記載のレーザ熱転写装置。
24. 前記ラミネーションユニットの少なくとも一側部に，前記フィルムを前記基板上に接触させるためのガイドロールをさらに含むことを特徴とする，請求項２３に記載のレーザ熱転写装置。
25. 前記レーザ照射装置，前記ラミネーションユニット，前記フィルム供給手段及び前記フィルム巻き取り手段は，前記チャックを横切る前記チャックの移動方向と直交する方向に同時に移動可能であることを特徴とする，請求項２３に記載のレーザ熱転写装置。
26. 前記レーザ照射装置は，レーザ照射装置ベースを介して前記光学ステージの上面に設置され，前記ラミネーションユニットベースは，前記レーザ照射装置ベースに連結され，前記ラミネーションユニットは，前記ラミネーションユニットベースに設置され，前記フィルム供給手段及び前記フィルム巻き取り手段は，前記ラミネーションユニットから離隔されて前記ラミネーションユニットベースに各々設置されることを特徴とする，請求項２５に記載のレーザ熱転写装置。
27. 前記ドナーフィルムは，前記アクセプタ基板の全面上に位置することを特徴とする，請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
28. 前記ドナーフィルムの少なくとも２角部は，フレームに取り付けられることを特徴とする，請求項２７に記載のレーザ熱転写装置。
29. 前記チャックは，前記フレームを固定させることを特徴とする，請求項２８に記載のレーザ熱転写装置。
30. 前記ドナーフィルムは，基材フィルムと，該基材フィルム上に位置する光熱変換層及び該光熱変換層上に位置する転写層を備えることを特徴とする，請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
31. 前記転写層は，正孔注入性有機膜，正孔輸送性有機膜，電界発光性有機膜，正孔抑制性有機膜，電子輸送性有機膜及び電子注入性有機膜よりなる群から選ばれる少なくとも１層の有機膜であることを特徴とする，請求項３０に記載のレーザ熱転写装置。
32. 前記アクセプタ基板は，有機電界発光素子基板であることを特徴とする，請求項１に記載のレーザ熱転写装置。
33. チャック上にアクセプタ基板を位置させる段階と，
    少なくとも光熱変換層及び転写層を備えるドナーフィルムを，前記転写層が前記アクセプタ基板に対向するように位置させる段階と，
    ラミネーションユニットを使用して前記ドナーフィルムの一部分を前記アクセプタ基板上に局部的に密着させながら，前記密着させられたドナーフィルム上に前記ラミネーションユニットを貫通してレーザを照射して，前記転写層の少なくとも一部を前記アクセプタ基板上に転写させる段階と，
    を含むことを特徴とする，レーザ熱転写方法。
34. 前記ラミネーションユニットは，空圧を使用して密着させることを特徴とする，請求項３３に記載のレーザ熱転写方法。
35. 前記ラミネーションユニットは，
    空洞と，該空洞に圧縮ガスを注入するためのガス注入口と，前記空洞に注入されたガスを前記基板上に排出するガス排出口とを有する胴体と，
    前記胴体の上部の一部分に設けられ且つ前記空洞に当接する光透過窓と，
    を備えることを特徴とする，請求項３４に記載のレーザ熱転写方法。
36. 前記ガス注入口は，前記胴体の側壁を貫通することを特徴とする，請求項３５に記載のレーザ熱転写方法。
37. 前記ラミネーションユニットは，空洞と，該空洞に圧縮ガスを注入するためのガス注入口と，前記空洞に注入されたガスを前記基板上に排出するガス排出口とを有する胴体を備え，
    前記ガス注入口は，前記胴体の上部を貫通し，前記ガス排出口は，前記胴体の下部を貫通することを特徴とする，請求項３４に記載のレーザ熱転写方法。
38. 前記密着及び前記レーザ照射は，前記チャックを横切る前記チャックの移動方向と直交する方向に連続的に進行されることを特徴とする，請求項３３に記載のレーザ熱転写方法。
39. 前記密着は，前記チャックを横切る前記チャックの移動方向と直交する方向に延長されて実行され，前記レーザは，前記前記チャックの移動方向と直交する方向に密着させられたドナーフィルムに沿って照射されることを特徴とする，請求項３３に記載のレーザ熱転写方法。
40. 前記ドナーフィルムは，リボン型であることを特徴とする，請求項３３に記載のレーザ熱転写方法。
41. 前記ドナーフィルムは，前記基板の全面上に位置することを特徴とする，請求項３３に記載のレーザ熱転写方法。
42. 前記ドナーフィルムの少なくとも２角部は，フレームに取り付けられることを特徴とする，請求項４１に記載のレーザ熱転写方法。
43. 前記密着及び前記レーザ照射を行う前に，前記チャックは，前記フレームを固定させることを特徴とする，請求項４２に記載のレーザ熱転写方法。
44. 画素電極が形成された有機電界発光素子基板をチャック上に位置させる段階と，
    少なくとも光熱変換層及び有機転写層を備えるドナーフィルムを，前記有機転写層が前記素子基板に対向するように位置させる段階と，
    ラミネーションユニットを使用して前記ドナーフィルムの一部分を前記アクセプタ基板上に局部的に密着させながら，前記密着させられたドナーフィルム上に前記ラミネーションユニットを貫通してレーザを照射して，前記有機転写層の少なくとも一部を前記素子基板上に転写させ，前記画素電極上に有機機能膜を形成する段階と，
    を含むことを特徴とする，有機電界発光素子の製造方法。
45. 前記ラミネーションユニットは，空圧を使用して密着させることを特徴とする，請求項４４に記載の有機電界発光素子の製造方法。
46. 前記ラミネーションユニットは，
    空洞と，該空洞に圧縮ガスを注入するためのガス注入口と，前記空洞に注入されたガスを前記基板上に排出するガス排出口とを有する胴体と，
    前記胴体の上部の一部分に設けられ且つ前記空洞に当接する光透過窓と，
    を備えることを特徴とする，請求項４５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
47. 前記ガス注入口は，前記胴体の側壁を貫通することを特徴とする，請求項４６に記載の有機電界発光素子の製造方法。
48. 前記ラミネーションユニットは，空洞と，該空洞に圧縮ガスを注入するためのガス注入口と，前記空洞に注入されたガスを前記基板上に排出するガス排出口とを有する胴体を備え，
    前記ガス注入口は，前記胴体の上部を貫通し，前記ガス排出口は，前記胴体の下部を貫通することを特徴とする，請求項４５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
49. 前記密着及び前記レーザ照射は，前記チャックを横切る前記チャックの移動方向と直交する方向に連続的に進行されることを特徴とする，請求項４４に記載の有機電界発光素子の製造方法。
50. 前記密着は，前記チャックを横切る前記チャックの移動方向と直交する方向に延長されて実行され，前記レーザは，前記前記チャックの移動方向と直交する方向に密着させられたドナーフィルムに沿って照射されることを特徴とする，請求項４４に記載の有機電界発光素子の製造方法。
51. 前記ドナーフィルムは，リボン型であることを特徴とする，請求項４４に記載の有機電界発光素子の製造方法。
52. 前記ドナーフィルムは，前記基板の全面上に位置することを特徴とする，請求項４４に記載の有機電界発光素子の製造方法。
53. 前記有機機能膜は，正孔注入層，正孔輸送層，発光層，正孔抑制層，電子輸送層及び電子注入層よりなる群から選ばれる少なくとも１層の膜であることを特徴とする，請求項４４に記載の有機電界発光素子の製造方法。

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