CN109315043B - 蒸镀掩模的制造方法及制造装置 - Google Patents
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 100
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 128
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 128
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 128
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 43
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 7
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 25
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/162—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using laser ablation
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
本发明提供一种能够以与使用时相同的朝向或放置方向来制造具备有树脂框架层及金属薄膜层的混合型蒸镀掩模的蒸镀掩模的制造方法及制造装置。在规定的方向施加规定的张力的状态下,以使树脂薄膜层成为外侧的方式,将在形成有一个或多个开口的金属薄膜层的一侧的表面上配置的树脂薄膜层的蒸镀掩模材料熔接于金属框架,以基台来保持该金属框架,并以使与金属薄膜层成为相对向的方式将反射面等的锥形形成构件/材料配置于金属框架的内侧,从树脂薄膜层的上方照射激光以在树脂薄膜层形成贯通孔,并且使通过贯通孔的激光被锥形形成构件/材料反射,由此在贯通孔的周围形成锥形。
Description
技术领域
本发明是关于一种可在制造例如有机发光二极管(OLED:Organic LightEmitting Diode)上使用的蒸镀掩模的制造方法及制造装置。
背景技术
有机发光二极管中,所谓的被称为底部发光(bottom emission)型的结构是通过在玻璃板、透明的塑料板等的透明基板上,层叠透明电极(阳极)、空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、金属电极(阴极)等所构成。此外,顶部发光(topemission)型则是通过在玻璃板以外的其他的形成茶褐色的聚酰亚胺薄膜等的不一定要透明的基板上层叠反射电极(阳极)、空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、半透明的极薄的金属电极(阴极)等所构成。如图9所示,根据工业上用于制造有机发光二极管的蒸镀,一般的底部发光型的有机发光二极管的制造装置130包括:在真空室(chamber)内,用来保持在被蒸镀面形成有透明电极的透明基板131以使得该被蒸镀面朝下的基板保持器132;在真空室的下部,以与基板保持器所保持的透明基板的被蒸镀面呈相对向的方式所设置的多个点状、或线状的蒸镀源133;以及用于使基板保持器132或蒸镀源133在规定方向以一定速度旋转或平行移动的驱动机构(未图标)等。在多个蒸镀源133中收纳有分别用于形成上述的空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层、电子注入层、金属电极等的蒸镀物质。
在真空室的内部备有:为蒸镀上述的各层材料而符合各层图案的蒸镀掩模110,并在形成各层时交换符合各个该层的蒸镀掩模。此外,在不使用滤色器的全色彩(fullcolor)有机发光二极管的情况下,为了蒸镀与R(红)、G(绿)、B(蓝)的各色相对应的发光层,则准备具有符合各色的图案的开口的蒸镀掩模,且在形成各色的发光层时交换符合该色的蒸镀掩模。蒸镀掩模需要以与被基板保持器所保持的透明基板的被蒸镀面紧密接触的方式来进行安装,特别是一般的现有的蒸镀掩模是形成有规定图案的开口的金属掩模,因而可通过在基板保持器的里侧,即在与被基板保持器保持的透明基板相反的侧上所设置的磁铁的磁力来吸引保持,以使与透明基板的被蒸镀面紧密接触。
随着诸如此类的有机发光二极管的高解像度与高精细化,在有机发光二极管的制造上所使用的蒸镀掩模是由对于金属薄板进行2阶段蚀刻处理所制造而成的,因而正逐渐地往具备有以聚酰亚胺等的热固化性树脂形成的树脂薄膜、以及用于支持该树脂薄膜层的金属薄膜层的混合型蒸镀掩模移动。例如,如图10所示,根据专利文献1所记载的现有的蒸镀掩模110的制造方法,在一面上形成有树脂薄膜层112的金属薄膜层111的非树脂薄膜层侧涂布抗蚀膜113,在抗蚀膜113上设置掩模114,并照射紫外线115以形成规定的抗蚀图案116。然后,实施蚀刻处理并在金属薄膜层111形成狭缝117,经由该狭缝117,进一步地将激光119照射在树脂薄膜层112上,进而形成与有机发光二极管的薄膜图案相对应的多个贯通孔118。
一般而言,树脂薄膜层112的厚度为数μm左右,金属薄膜层111的厚度也为数十μm左右。另一方面,蒸镀掩模的大小,以大型者而言,为925mm×1500mm。因此,若要单独处理该类的蒸镀掩模110则在现实上是不可能的,是在对金属薄膜层111施加张力的状态下,以熔接于比蒸镀掩模110还大的高刚性的矩形金属框架120来处理的。此外,如图11所示,在将激光119照射于树脂薄膜层112上时,使树脂薄膜层112向下,使金属薄膜层111朝上,更进一步地在金属薄膜层111的上方配置集光透镜121、蒸镀掩模制造用的掩模122,并从上方对蒸镀掩模制造用的掩模122垂直地照射平行的激光束123。因此,对于通常形成在树脂薄膜层112上的贯通孔118而言,其在金属薄膜层111侧的尺寸将会变大。
在混合型蒸镀掩模中,由于是在张力施加于金属薄膜层111的状态下被熔接于金属框架120,所以金属框架120仅稍微地弯曲,树脂薄膜层112的贯通孔118在金属框架120呈弯曲的状态下以规定的精度形成。然而,如上所述,在底部发光型的有机发光二极管的制造装置130设置成:基板保持器132位于真空室的上部,蒸镀源133位于真空室的下部。并且,透明基板131在该被蒸镀面以向下的方式被保持于基板保持器132的状态下,以使蒸镀掩模110的树脂薄膜层112的非金属掩模侧与被蒸镀面紧密接触的方式,利用磁力而将各金属框架120的蒸镀掩模110分别地吸引保持于基板保持器132。即,蒸镀掩模110及金属框架120在蒸镀掩模110的制造时与使用时为上下颠倒的。因此,在蒸镀掩模110的制造时与使用时,当蒸镀掩模110及金属框架120的上下(朝向或放置方向)改变时,则金属薄膜层111与金属框架120的弯曲方向及变形量改变,且树脂薄膜层112的贯通孔118的位置有可能稍微偏离,以致相对于在透明基板131的被蒸镀面所形成的TFT(Thin Film Transistor)而言,蒸镀掩模110的位置的对准精度降低。即,在蒸镀掩模的制造时与使用时上下颠倒所引起的变形方向与变形量的变化将会使得掩模位置的对准精度恶化,关于此点已为本发明者所注意到。相对于TFT而言,当在树脂薄膜层112所形成的贯通孔118的位置偏离时,蒸镀物质就会附着在与本来应附着位置不同的位置,以致使用该蒸镀掩模110制造的有机发光二极管的质量下降。特别是在高精细的有机发光二极管中,蒸镀掩模110的位置偏离的容许误差是非常小的,因而有时即便仅有3~5μm的偏离也会有不良的情况。
另外,如图11所示,在树脂薄膜层112形成贯通孔118时,由于使用集光透镜121而使激光119聚集,仅就单纯地使蒸镀掩模110及金属框架120的上下颠倒而言,在贯通孔118的周围所形成的锥形就成为在金属薄膜层111侧的尺寸小的倒锥形。因而,该倒锥形就会成为在未有蒸镀物质附着的阴面部分、即在内阴影(inner shadow)、本来蒸镀物质不应附着的位置上,产生蒸镀物质附着的外阴影(outer shadow)的原因。
现有技术文献
非专利文献
日本专利特开2013-165058号公报
发明的公开
本发明是为了解决上述的的问题而完成的,其目的在于,提供一种蒸镀掩模的制造方法及制造装置,其是能够以与该蒸镀掩模的使用时相同的朝向或放置方向的方式来制造具备有树脂框架层及金属薄膜层的混合型的蒸镀掩模。
为了达成上述目的,本发明涉及的蒸镀掩模的制造方法的特征在于,包括:
在规定的位置上形成有一个或多个开口的金属薄膜层的一侧的表面,形成配置有树脂薄膜层的蒸镀掩模材料的工序;
相对于所述蒸镀掩模材料,在规定的方向施加规定的张力的状态下,将所述树脂薄膜层设为外侧,将所述金属薄膜层熔接于金属框架的工序;
在与所述金属框架的内侧的所述金属薄膜层呈相对向的位置上,在所述树脂薄膜层所形成的贯通孔的周围,配置以在所述金属薄膜层的侧的尺寸变大的方式来形成锥形的锥形形成构件/材料的工序;
在所述树脂薄膜层的上方配置用于形成所述贯通孔的激光加工用掩模的工序;及
经由所述激光加工用掩模,在所述树脂薄膜层照射激光且在所述树脂薄膜层形成所述贯通孔的工序,
通过将所述激光照射于所述树脂薄膜层而在所述树脂薄膜层形成所述贯通孔之后,使通过所述贯通孔的激光与所述锥形形成构件/材料产生反应,且通过所产生的物理现象而在所述贯通孔的周围形成锥形。
也可以构成为:所述锥形形成构件/材料包括将通过所述贯通孔的激光反射到所述树脂薄膜层的侧的散射反射面。
此外,也可以构成为:所述锥形形成构件/材料是将通过所述贯通孔的激光转换成热的光热转换材料。
此外,也可以构成为:所述锥形形成构件/材料是经由通过所述贯通孔的激光而使等离子产生的等离子产生材料。
本发明涉及的蒸镀掩模的制造方法的特征在于,包括:
基台,其为用于保持金属框架,所述金属框架用于使在规定的位置形成有一个或多个开口的金属薄膜层的一侧的表面上配置有树脂薄膜层的蒸镀掩模材料,在将所述树脂薄膜层设为外侧且在规定的方向施加规定的张力的状态下被熔接;
锥形形成构件/材料,其配置在与所述金属框架的内侧的所述金属薄膜层呈相对向的位置,并用于在所述树脂薄膜层形成的贯通孔的周围形成:大于所述金属薄膜层的侧的尺寸的锥形;
激光加工用掩模,其配置在所述树脂薄膜层的上方,并用于形成所述贯通孔;及
激光光源,其用于经由所述激光加工用掩模,将激光照射于所述树脂薄膜层,并在所述树脂薄膜层形成所述贯通孔,
在通过将所述激光照射于所述树脂薄膜层而在所述树脂薄膜层形成所述贯通孔之后,再使通过所述贯通孔的激光与所述锥形形成构件/材料引起反应,通过因此产生的物理现象而在所述贯通孔的周围形成锥形。
此外,也可以构成为:所述锥形形成构件/材料包括将通过所述贯通孔的激光反射到所述树脂薄膜层的侧的散射反射面。
此外,也可以构成为:所述锥形形成构件/材料是将通过所述贯通孔的激光转换成热的光热转换材料。
此外,也可以构成为:所述锥形形成构件/材料是经由通过所述贯通孔的激光而使等离子产生的等离子产生材料。
此外,本发明涉及的有机发光二极管的制造方法的特征在于:使用通过上述任一个的蒸镀掩模的制造方法或蒸镀掩模的制造装置所制造的蒸镀掩模。
这样,由于只要根据本发明有关的蒸镀掩模的制造方法及制造装置,就能够将与该蒸镀掩模的使用时同样地以树脂薄膜层为外侧来制造:具备了树脂框架层及金属薄膜层的混合型的蒸镀掩模,因此能够防止相对于在有机发光二极管的基板的被蒸镀面所形成的TFT,蒸镀掩模的位置对准精度降低,特别是能够高效地制造高精细的有机发光二极管。
附图的简单说明
图1是表示本发明的一实施方式涉及的蒸镀掩模的制造方法及制造装置的剖面图。
图2是表示通过上述蒸镀掩模的制造方法及制造装置,而在树脂薄膜层照射激光来形成贯通孔的工序的图。
图3是表示上述蒸镀掩模的制造方法及制造装置的第一变形例的剖面图。
图4是表示通过上述蒸镀掩模的制造方法及制造装置的第一变形例,在树脂薄膜层照射激光来形成贯通孔的工序的图。
图5是表示上述的蒸镀掩模的制造方法及制造装置的第二变形例的剖面图。
图6是表示通过上述的蒸镀掩模的制造方法及制造装置的第二变形例,在树脂薄膜层照射激光来形成贯通孔的工序的图。
图7是表示上述的蒸镀掩模的制造方法及制造装置的第三变形例的剖面图。
图8是表示通过上述的蒸镀掩模的制造方法及制造装置的第三变形例,在树脂薄膜层照射激光来形成贯通孔的工序的图。
图9是表示一般的底部发光型的有机发光二极管的制造装置的结构的图。
图10是表示现有的蒸镀掩模的制造方法的图。
图11是表示现有的蒸镀掩模的制造方法中的通过照射激光而在树脂薄膜层形成贯通孔的工序的图。
具体实施方式
对本发明的一实施方式涉及的蒸镀掩模的制造方法及制造装置进行说明。图1是表示本实施方式涉及的蒸镀掩模的制造方法及制造装置。蒸镀掩模50是具备有例如以聚酰亚胺等的热固化性树脂形成的树脂薄膜层51、及以磁性金属薄膜等形成的金属薄膜层52,即所谓的混合型的蒸镀掩模。例如,树脂薄膜层51的厚度为数μm~20μm左右;金属薄膜层52的厚度也为数十μm左右。另一方面,蒸镀掩模50的大小,以大型者而言,为925mm×1500mm或在其以上。因此,单独处理该类的蒸镀掩模50在现实上是不可能的,是在对金属薄膜层52施加张力的状态下以熔接于比蒸镀掩模50还大的高刚性矩形的金属框架53来处理的。
蒸镀掩模的制造装置1包括:用于保持熔接有由具备树脂薄膜层51与金属薄膜层52的蒸镀掩模材料的金属框架53的基台2;在基台2之上、且配置于金属框架53的内侧的锥形形成构件/材料3;配置在树脂薄膜层51的上方、且将几乎垂直地照射于树脂薄膜层51的激光7集光在树脂薄膜层51上的集光透镜4;在树脂薄膜层51的上方、且配置在比集光透镜4还更上方、用于在树脂薄膜层51形成配置成规定图案的多个(多数)的贯通孔51a的激光加工用掩模5;经由激光加工用掩模5将激光7照射在树脂薄膜层51上以在树脂薄膜层51形成贯通孔51a的激光光源6。该蒸镀掩模的制造方法及制造装置使锥形形成构件/材料3与激光7产生反应而产生各种的物理现象,由此,从金属薄膜层52的侧开始,在树脂薄膜层51的贯通孔51a的周围,形成在金属薄膜层52的侧的尺寸变大的锥形51b。在如图1所示的结构例中,将激光7的反射用作物理现象。
作为该蒸镀掩模50的制造方法,是在规定的位置形成有一个或多个开口的金属薄膜层52的一侧的表面上形成配置有树脂薄膜层51的蒸镀掩模材料。在不使用市售的树脂薄膜而从树脂薄膜层51开始制造的情况下,其为在例如玻璃基板(未图示)之上均匀地涂布树脂材料,且在例如400~500℃进行数小时的烧成来形成树脂薄膜层51。其次,在树脂薄膜层51保持于玻璃基板上的状态下,在其上粘接形成有不遮断激光用的开口的金属薄膜层52。接着,从玻璃基板的里侧照射激光以使玻璃基板与树脂薄膜层51的界面产生变质,且从玻璃基板将树脂薄膜层51与金属薄膜层52的层叠体剥离下来。然后,使树脂薄膜层51与金属薄膜层52的层叠体的上下颠倒,将树脂薄膜层51设为外侧,且在对金属薄膜层52施加张力的状态下,将它熔接于金属框架53。此时,也可以是在金属框架53的内侧预先安装:作为用于保持树脂薄膜层51与金属薄膜层52的层叠体的间隔件(spacer)而发挥功能的锥形形成构件/材料3。关于锥形形成构件/材料3详情将后述。
接着,以使树脂薄膜层51为位于上侧的方式,将已熔接有树脂薄膜层51与金属薄膜层52的层叠体的金属框架53及锥形形成构件/材料3载置于基台2之上。其次,以使与树脂薄膜层51呈相对向的方式,将激光光源6、集光透镜4、及激光加工用掩模5配置在树脂薄膜层51的上方,并经由该激光加工用掩模5及金属薄膜层52的开口而将激光7照射在树脂薄膜层51上。激光7所照射的部分的树脂因烧蚀而分解飞散,由此在树脂薄膜层51形成规定图案的贯通孔,从而蒸镀掩模50的制造完成。
其次,一边参照图2,一边说明树脂薄膜层51上形成贯通孔的工序及锥形形成构件/材料3的结构及功能。在图2中,(a)为表示在树脂薄膜层51上未形成贯通孔的状态;(b)为表示在树脂薄膜层51形成有贯通孔51a的状态;(c)为表示在树脂薄膜层51的贯通孔51a的周围形成有使金属薄膜层52侧的尺寸变大的锥形51b的状态。在图2中,如向下的箭头所示,照射在树脂薄膜层51的上表面的激光为了方便而描绘成垂直照射,但如图1所示,被集光透镜4集光而附有角度。此外,在金属薄膜层52上首先形成一个或多个开口52a。锥形形成构件/材料3是由例如折射率不同的材料所形成的2层或3层来构成,位于上侧位置的第一层3a使激光透射;在该第一层与位于下侧位置的第二层3b之间的界面形成有反射激光的反射面3c。如图所示,反射面3c可以是金字塔状与半圆状等的规则物体;也可以是不规则形状以使激光散射。金字塔的大小优选为大于激光波长的尺寸,例如使用波长355nm的YAG激光时,优选为大于约0.36μm。此外,反射面3c的凹凸高度优选为0.05μm以上,但也可以是随着从反射面3c至树脂薄膜层51为止的距离、树脂薄膜层51的厚度等而适当地变更。此外,也可以是蒸镀金属膜来作为反射面3c。
如图2(a)所示,将激光7照射于树脂薄膜层51的上表面。如此,在构成树脂薄膜层51的高分子材料的结构分子内的化学键被光能切断,因烧蚀现象而使得被激光7照射的部分的树脂材料一瞬间分解飞散。如图2(b)所示,在树脂薄膜层51上形成贯通孔51a的阶段中,由于如上述的激光7具有角度,因此所形成的贯通孔51a成为其在金属薄膜层52侧的尺寸小的倒锥形。然而,如图2(c)所示,由于以与树脂薄膜层51的下表面呈相对向的方式设置有锥形形成构件/材料3的反射面3c,因此通过贯通孔51a的激光7被反射面3c反射,反射光的一部分再度照射于树脂薄膜层51的贯通孔51a的周围。因此,贯通孔51a的周围的部分的树脂材料被分解飞散,且在贯通孔51a的周围形成有在金属薄膜层52侧的尺寸大的锥形51b。
激光加工用掩模5的大小为例如40mm×40mm。在树脂薄膜层51所形成的贯通孔51a的大小为例如5.5英寸的全HD(每英寸的画素:400ppi)的情况下,贯通孔51a为30μm×30μm左右的矩形。此外,在相同的5.5英寸的4K(800ppi)的情况下,贯通孔51a则成为15μm×15μm左右的矩形。此外,当集光透镜4的倍率为例如10倍时,激光加工用掩模5的激光加工用开口的大小为例如150μm×150μm。用于在树脂薄膜层51形成贯通孔51a而使用的激光为例如波长266nm或波长355nm、能量密度为0.1~0.5J/cm2,并与1次的开口形成工序相关联,且照射10~200发左右的这样的激光脉冲。
其次,在图3及图4中表示蒸镀掩模的制造方法及制造装置的第一变形例的结构。在该第一变形例中,将例如氩或氙等的气体的等离子产生材料用作锥形形成构件/材料3,在树脂薄膜层51形成贯通孔51a之后,再使透过贯通孔51a的激光与等离子产生材料起反应,以产生等离子作为物理现象。一般而言,已知:对气体、固体或凝胶状体等各种的物质,一旦照射比该物质的固有阈値还高的强度的激光时就会产生等离子。在等离子产生材料为气体的情况下,通过将介电击穿作为示例来解释该现象。当通过透镜将超过引起介电击穿的阈值的强度的激光集光并照射于气体时,在该焦点附近产生介电击穿,气体被电离并产生等离子。被等离子化的气体进一步使该周围的气体电离,从而等离子慢慢地扩散。产生介电击穿的激光功率的阈値根据气体的种类或压力等而不同。已知随着气体压力的上升,产生该介电击穿的激光功率的阈値降低。在使用氩、氙等的气体作为锥形形成构件/材料3的情况,在以1气压以上的压力将这些气体充填在以金属框架53与基台2所形成的空间中。由于被等离子化的气体因温度上升而变轻,进而向上方即贯通孔51a侧移动。然后,等离子与树脂薄膜层51的树脂材料产生作用,在贯通孔51a的周围形成锥形51b。
其次,在图5及图6中表示蒸镀掩模的制造方法及制造装置的第二变形例的结构。在该变形例中,将例如金属等的固体的等离子产生材料作为锥形形成构件/材料3,在树脂薄膜层51形成贯通孔51a之后,使透过贯通孔51a的激光与等离子产生材料起反应,以产生等离子作为物理现象。当激光照射在金属等的固体上时,激光的大部分被反射,但一部分的激光被固体表面所吸收而加热固体。被加热的固体通过熔融气化而被加工,但与此同时,与气体的介电击穿同样地被电离而产生等离子。当平板状的等离子产生材料的表面产生等离子时,等离子因该压力而向几乎垂直于表面的方向喷出。其结果,树脂薄膜层51的树脂材料与等离子产生作用,树脂材料于是熔融气化而在贯通孔51a的周围形成锥形51b。
其次,在图7及图8中表示蒸镀掩模的制造方法及制造装置的第三变形例的结构。在该变形例中,作为锥形形成构件/材料3,使用含有例如碳奈米管、金属奈米粒子等的树脂薄膜等使用吸收激光的能量而转换成热能的光热转换材料,作为物理现象,吸收激光的能量而转换成热能,光热转换材料本身熔融气化,进而加热存在于周围的气体。因激光的照射而产生的高温的气体与树脂薄膜层51的树脂材料产生作用,树脂材料熔融气化且在贯通孔51a的周围形成锥形51b。在该情况下,关于所照射的激光的强度无需高于产生介电击穿的阈値。
这样,只要根据本发明设计的蒸镀掩模的制造方法及制造装置,在制造具备有树脂薄膜层51和金属薄膜层52的混合型的蒸镀掩模50时,将树脂薄膜层51设为外侧,从树脂薄膜层51侧照射激光7而形成依规定的图案配置的多个贯通孔51a,并且使被配置在金属薄膜52侧的锥形形成构件/材料3与通过贯通孔51a的激光7产生反应,作为物理现象,利用激光7的反射、因激光7引起的物质的等离子化、因激光7的吸收引起的发热等,并可以从金属薄膜层52侧开始在树脂薄膜层51的贯通孔51a的周围形成锥形51b。因此,能够以与其使用时相同的方向或放置方向来制造蒸镀掩模50,并且能够防止相对于有机发光二极管的基板的被蒸镀面所形成的TFT,蒸镀掩模50的位置对准精度的降低,特别是能够高效地制造高精细的有机发光二极管。
附图标记说明
1 蒸镀掩模的制造装置
2 基台
3 锥形形成构件/材料
4 集光透镜
5 激光加工用掩模
6 激光光源
7 激光
50 蒸镀掩模
51 树脂薄膜层
51a 贯通孔
51b 锥形
52 金属薄膜层
52a 开口
53 金属框架
Claims (3)
1.一种蒸镀掩模的制造方法,其特征在于,包括:
在规定的位置上形成有一个或多个开口的金属薄膜层的一侧的表面,形成配置有树脂薄膜层的蒸镀掩模材料的工序;
相对于所述蒸镀掩模材料,在规定的方向施加规定的张力的状态下,将所述树脂薄膜层设为外侧,将所述金属薄膜层熔接于金属框架的工序;
在与所述金属框架的内侧的所述金属薄膜层呈相对向的位置上,在所述树脂薄膜层所形成的贯通孔的周围,配置以在所述金属薄膜层的侧的尺寸变大的方式来形成锥形的锥形形成构件/材料的工序;
在所述树脂薄膜层的上方配置用于形成所述贯通孔的激光加工用掩模的工序;及
经由所述激光加工用掩模,在所述树脂薄膜层照射激光且在所述树脂薄膜层形成所述贯通孔的工序,
通过将所述激光照射于所述树脂薄膜层而在所述树脂薄膜层形成所述贯通孔之后,使通过所述贯通孔的激光与所述锥形形成构件/材料产生反应,且通过所产生的物理现象而在所述贯通孔的周围形成锥形,
所述锥形形成构件/材料为以下任一种:包括将通过所述贯通孔的激光反射到所述树脂薄膜层的侧的散射反射面;是将通过所述贯通孔的激光转换成热的光热转换材料;是经由通过所述贯通孔的激光而使等离子产生的等离子产生材料。
2.一种蒸镀掩模的制造装置,其特征在于,包括:
基台,其为用于保持金属框架,所述金属框架用于使在规定的位置形成有一个或多个开口的金属薄膜层的一侧的表面上配置有树脂薄膜层的蒸镀掩模材料,在将所述树脂薄膜层设为外侧且在规定的方向施加规定的张力的状态下被熔接;
锥形形成构件/材料,其配置在与所述金属框架的内侧的所述金属薄膜层呈相对向的位置,并用于在所述树脂薄膜层形成的贯通孔的周围形成:大于所述金属薄膜层的侧的尺寸的锥形;
激光加工用掩模,其配置在所述树脂薄膜层的上方,并用于形成所述贯通孔;及
激光光源,其用于经由所述激光加工用掩模,将激光照射于所述树脂薄膜层,并在所述树脂薄膜层形成所述贯通孔,
在通过将所述激光照射于所述树脂薄膜层而在所述树脂薄膜层形成所述贯通孔之后,再使通过所述贯通孔的激光与所述锥形形成构件/材料引起反应,通过因此产生的物理现象而在所述贯通孔的周围形成锥形,
所述锥形形成构件/材料为以下任一种:包括将通过所述贯通孔的激光反射到所述树脂薄膜层的侧的散射反射面;是将通过所述贯通孔的激光转换成热的光热转换材料;是经由通过所述贯通孔的激光而使等离子产生的等离子产生材料。
3.一种有机发光二极管的制造方法,其特征在于,
使用如权利要求项1所述的蒸镀掩模的制造方法或者使用根据如权利要求项2所述的蒸镀掩模的制造装置所制造而得的蒸镀掩模。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016064415 | 2016-03-28 | ||
JP2016-064415 | 2016-03-28 | ||
PCT/JP2016/072172 WO2017168774A1 (ja) | 2016-03-28 | 2016-07-28 | 蒸着マスクの製造方法及び製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109315043A CN109315043A (zh) | 2019-02-05 |
CN109315043B true CN109315043B (zh) | 2020-10-30 |
Family
ID=59963870
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201680083951.7A Active CN109315043B (zh) | 2016-03-28 | 2016-07-28 | 蒸镀掩模的制造方法及制造装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10886128B2 (zh) |
JP (1) | JP6449521B2 (zh) |
CN (1) | CN109315043B (zh) |
TW (1) | TWI682044B (zh) |
WO (1) | WO2017168774A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200056525A (ko) * | 2018-11-14 | 2020-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 및 마스크 제조 방법 |
KR20200081609A (ko) * | 2018-12-27 | 2020-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 마스크 및 증착 마스크의 제조 방법 |
JP6801130B1 (ja) * | 2019-03-27 | 2020-12-16 | 堺ディスプレイプロダクト株式会社 | 微細パターンを有する樹脂フィルムの製造方法及び有機el表示装置の製造方法並びに微細パターン形成用基材フィルム、及びサポート部材付き樹脂フィルム |
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Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012001636A1 (de) | 2012-01-30 | 2013-08-01 | Heraeus Medical Gmbh | Pastenförmiger Knochenzement |
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JP6035548B2 (ja) * | 2013-04-11 | 2016-11-30 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスク |
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JP6160356B2 (ja) * | 2013-08-14 | 2017-07-12 | ソニー株式会社 | 蒸着用マスクおよび表示装置の製造方法 |
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KR102354386B1 (ko) * | 2015-04-07 | 2022-01-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치용 증착 장치와, 이를 이용한 증착 방법 |
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KR102404575B1 (ko) * | 2015-10-12 | 2022-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치와 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
JP6430668B2 (ja) * | 2016-02-10 | 2018-11-28 | 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法 |
US10501841B2 (en) * | 2016-02-23 | 2019-12-10 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Deposition mask, method for manufacturing the same, and method for manufacturing organic EL display apparatus |
JP2017150017A (ja) * | 2016-02-23 | 2017-08-31 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスクの製造方法及び有機elディスプレイの製造方法 |
-
2016
- 2016-07-28 CN CN201680083951.7A patent/CN109315043B/zh active Active
- 2016-07-28 JP JP2018508354A patent/JP6449521B2/ja active Active
- 2016-07-28 WO PCT/JP2016/072172 patent/WO2017168774A1/ja active Application Filing
- 2016-07-28 US US16/089,399 patent/US10886128B2/en active Active
- 2016-07-29 TW TW105123974A patent/TWI682044B/zh active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2015168848A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 大日本印刷株式会社 | 基板付蒸着マスク装置の製造方法、基板付蒸着マスクおよびレジストパターン付基板 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2017168774A1 (ja) | 2017-10-05 |
CN109315043A (zh) | 2019-02-05 |
JP6449521B2 (ja) | 2019-01-09 |
US10886128B2 (en) | 2021-01-05 |
TWI682044B (zh) | 2020-01-11 |
JPWO2017168774A1 (ja) | 2018-11-01 |
TW201734234A (zh) | 2017-10-01 |
US20200303179A1 (en) | 2020-09-24 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |