JP2006074993A - リップル−フリー内部電圧を発生する半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体装置は、第1の電源ラインと第2の電源ラインとの間に連結されたPMOSトランジスタと、第1の電源ラインに高電圧を供給する高電圧発生回路と、第1の電源ラインから第2の電源ラインに電流を供給する電流バイパス回路と、そして第2の電源ラインの電圧に応答してPMOSトランジスタの電流駆動能力を制御する制御器と、を含む。これにより、電圧レギュレータ回路を用いて充電電流を段階的に制御することによって安定された調整電圧を得ることができる。
【選択図】図4
Description
110 高電圧発生回路
120 電圧レギュレータ回路
130 内部回路
Claims (17)
- 第1の電源ラインと第2の電源ラインとの間に連結された第1のPMOSトランジスタと、
前記第1の電源ラインに高電圧を供給する高電圧発生回路と、
前記第1の電源ラインから前記第2の電源ラインに電流を供給する電流バイパス回路と
前記第2の電源ラインの電圧に応答して前記第1のPMOSトランジスタの電流駆動能力を制御する制御器とを含み、
前記高電圧が第1の目標電圧に到達するとき、前記電流バイパス回路の電流供給が遮断される反面に、前記第2の電源ラインの電圧が前記第1の目標電圧より低い第2の目標電圧に到達するときまで前記第2の電源ラインへの電流供給は、前記第1のPMOSトランジスタを通じて行われることを特徴とする半導体装置。 - 前記電流バイパス回路は、ダイオードとして動作するように前記第1及び第2の電源ラインの間に直列連結された第1及び第2のNMOSトランジスタを含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2の電源ラインの間の電圧差は、前記第1及び第2のNMOSトランジスタのスレッショルド電圧の和と同じか、或いは該スレッショルド電圧の和より小さいことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2の電源ラインの間の電圧差は、前記PMOSトランジスタのブレイクダウン電圧より小さいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1のPMOSトランジスタと前記第1及び第2のNMOSトランジスタは、高電圧トランジスタであることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記高電圧が前記第1の目標電圧に到達した後、前記第2の電源ラインの電圧は、前記第1のPMOSトランジスタを通じて供給される電流によって安定化されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1のPMOSトランジスタ、前記電流バイパス回路、そして前記制御器は、前記高電圧を調整して前記第2の電源ラインに調整電圧を出力する電圧レギュレータ回路を構成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記制御器は、
電流源と、
前記第1の電源ラインに連結され、前記第1のPMOSトランジスタと電流ミラーとを構成する第2のPMOSトランジスタと、
前記第2のPMOSトランジスタのドレーンと前記電流源との間に連結されたNMOSトランジスタと、
前記第2の電源ラインの電圧を分配して分配電圧を発生する電圧分配部と、
前記分配電圧が基準電圧より低いかの可否によって前記NMOSトランジスタのゲート電圧を制御する比較部と
を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 第1の電源ラインに伝達される高電圧を発生する高電圧発生回路と、
前記高電圧を調整して調整電圧を第2の電源ラインに出力する電圧レギュレータ回路と、
前記調整電圧に応答して動作する内部回路とを含み、
前記電圧レギュレータ回路は、
前記第1及び第2の電源ラインの間に連結された第1のPMOSトランジスタと、
前記第1の電源ラインから前記第2の電源ラインに電流を供給する電流バイパス回路と、
前記第2の電源ラインの電圧に応答して前記第1のPMOSトランジスタの電流駆動能力を制御する制御器とを含むことを特徴とする半導体装置。 - 前記電流バイパス回路は、ダイオードとして動作するように前記第1及び第の電源ラインの間に直列連結された第1及び第2のNMOSトランジスタを含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2の電源ラインの間の電圧差は、前記第1及び第2のNMOSトランジスタのスレッショルド電圧の和と同じか、或いは該スレッショルド電圧の和より小さいことを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 前記第1及び第2の電源ラインの間の電圧差は、前記第1のPMOSトランジスタのブレイクダウン電圧より小さいことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
- 前記第1のPMOSトランジスタと前記第1及び第2のNMOSトランジスタは、高電圧トランジスタであることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 前記高電圧が目標電圧に到達した後、前記第2の電源ラインの電圧は、前記第1のPMOSトランジスタを通じて供給される電流によって安定化されることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
- 前記制御器は、
電流源と、
前記第1の電源ラインに連結され、前記第1のPMOSトランジスタと電流ミラーとを構成する第2のPMOSトランジスタと、
前記第2のPMOSトランジスタのドレーンと前記電流源との間に連結されたNMOSトランジスタと、
前記第2の電源ラインの電圧を分配して分配電圧を発生する電圧分配部と、
前記分配電圧が基準電圧より低いかの可否によって前記NMOSトランジスタのゲート電圧を制御する比較部と
を含むことを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。 - 前記高電圧が第1の目標電圧に到達するとき、前記電流バイパス回路の電流供給は、遮断される反面に、前記第2の電源ラインが前記第1の目標電圧より低い第2の目標電圧に到達するときまで前記第2の電源ラインへの電流供給は、前記第1のPMOSトランジスタを通じて行われることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
- 第1の電源ラインに高電圧を出力する高電圧発生回路と、
前記第1の電源ラインと第2の電源ラインとの間に連結された第1及び第2のダイオード−連結されたNMOSトランジスタと、
前記第1及び第2の電源ラインの間に連結された第1のPMOSトランジスタと、
前記第1の電源ラインに連結され、前記第1のPMOSトランジスタと電流ミラーとを構成する第2のPMOSトランジスタと、
前記第2のPMOSトランジスタのドレーンと電流源との間に連結されたNMOSトランジスタと、
前記第2の電源ラインの電圧を分配して分配電圧を発生する電圧分配部と、
前記分配電圧が基準電圧より低いかの可否にとって前記NMOSトランジスタのゲート電圧を制御する比較部と
を含むことを特徴とする半導体装置。
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