KR100769781B1 - 비휘발성 메모리 장치의 스텝-업 전압 발생 회로 - Google Patents
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- 고전압 전달 스위치;클럭신호에 응답하여 고전압을 펌핑해서 상기 고전압 전달 스위치를 스위칭시키는 고전압 스위칭부;상기 고전압 전달 스위치의 출력신호를 분배하여 발생되는 피드백 전압과 가변 기준전압을 비교한 후에 상기 비교결과와 클럭신호를 이용해서 내부클럭신호를 발생시키고, 상기 비교결과에 응답하여 상기 고전압 전달 스위치의 스위칭을 제어하는 고전압 스위칭 제어부; 및상기 내부클럭신호와 복수개의 스텝-업 기준전압에 응답하여 상기 고전압을 펌핑해서 내부 스텝-업 전압을 발생시키는 스텝-업 전압 발생부를 포함하고,상기 고전압 전달 스위치는 상기 고전압 스위칭부의 출력신호에 응답하여 상기 내부 스텝-업 전압을 출력하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 스텝-업 전압 발생회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 복수개의 스텝-업 기준전압과 밴드갭 기준전압을 이용해서 상기 가변 기준전압을 발생시키는 가변 기준전압 발생부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 스텝-업 전압 발생회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 고전압 스위칭부 및 상기 스텝-업 전압 발생부는 상기 고전압의 펌핑을 제한하기 위해서 전원전압보다 강하된 전압을 전원으로 이용하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 스텝-업 전압 발생회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 고전압 스위칭 제어부는 상기 피드백 전압이 상기 기준전압보다 크면 상기 스텝-업 전압 발생부와 상기 고전압 전달 스위치를 동작시키지 않고, 상기 피드백 전압이 상기 기준전압보다 작으면 상기 스텝-업 전압 발생부와 상기 고전압 전달 스위치를 동작시키는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 스텝-업 전압 발생회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 고전압 스위칭 제어부는, 상기 고전압 전달 스위치의 출력신호를 분배하여 상기 피드백 전압을 발생시키는 전압분배부;상기 피드백 전압과 상기 가변 기준전압을 비교하는 비교기;상기 비교기의 출력신호에 응답하여 상기 고전압 전달 스위치의 구동노드를 접지와 접속/비접속시키는 디스챠지부; 및상기 비교기의 출력신호와 상기 클럭신호를 조합하여 상기 내부클럭신호를 발생시키는 클럭 발생부를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 스텝-업 전압 발생회로.
- 제 5 항에 있어서,상기 디스챠지부는 1V미만의 전압을 입력받아 상기 구동노드의 전압을 천천히 접지로 디스챠지시키는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 스텝-업 전압 발생회로.
- 제 6 항에 있어서,상기 1V미만의 전압은 상기 비교기의 NMOS 트랜지스터가 포화영역에서 동작하도록 하기 위해서 게이트에 인가되는 최소 전압인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 스텝-업 전압 발생회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 스텝-업 전압 발생부는, 상기 복수개의 스텝-업 기준전압을 이용해서 고전압 스위칭 제어신호들을 발생시키는 고전압 스위칭 구동부;상기 내부클럭신호가 토글링하면, 상기 고전압 스위칭 제어신호들 각각에 응답하여 상기 고전압을 펌핑해서 상기 내부 스텝-업 전압을 발생시키는 고전압 스위칭부들;상기 고전압을 분배하여 분배전압들을 발생시키는 고전압 분배부; 및상기 고전압 스위칭부들의 출력신호들 각각에 응답하여 상기 고전압 분배부로부터 출력되는 상기 분배전압들 각각을 선택적으로 전달하여 상기 내부 스텝-업 전압을 생성하는 고전압 전달 스위치들을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 스텝-업 전압 발생회로.
- 제 8 항에 있어서,상기 고전압 스위칭부들은 상기 고전압의 펌핑을 제한하기 위해서 전원전압보다 강하된 전압을 전원으로 이용하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 장치의 스텝-업 전압 발생회로.
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