JP2006074052A - 電磁波遮蔽フィルム及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 輝度を向上させる電磁波遮蔽フィルムを提供する。
【解決手段】 透明基板２６０と、透明基板２６０の一面に形成された粘着剤２７０と、この粘着剤２７０を介して透明基板２６０上に形成された、透明基板２６０に対向する面が黒化処理された電磁波遮蔽膜パターン２５０と、電磁波遮蔽膜パターン２５０上に形成された第２シード層２４０と、第２シード層２４０上に形成された黒色導電膜パターン２３０と、黒色導電膜パターン２３０上に形成された第１シード膜を備える。
【選択図】 図１１Ｂ

Description

本発明は、電磁波遮蔽フィルム、そのプラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ：ＰＤＰ）フィルタ、それを含むＰＤＰ装置及び電磁波遮蔽フィルムの製造方法に係り、より詳細には、可視光線に対する反射率の高い電磁波遮蔽フィルムに対してユーザ側だけでなく、その反対側にも黒化処理を行って輝度を改善し、外観品質を向上させることが可能な電磁波遮蔽フィルム、その製造方法及びそのフィルムを用いたＰＤＰフィルタ及びＰＤＰ装置に関する。

現代社会が高度に情報化されるにつれて、光エレクトロニクス（Ｐｈｏｔｏ ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）関連部品及び機器が顕著に進歩して普及してきている。その中、画像を表示するディスプレイ装置は、テレビ用、パソコンのモニター用として顕著に普及しており、また、このようなディスプレイの大型化と同時に薄型化が進行しつつある。

一般的に、ＰＤＰ装置は、既存のディスプレイ装置を代表するＣＲＴに比べて、大型化及び薄型化を同時に満足できて、次世代ディスプレイ装置として脚光を浴びている。このようなＰＤＰ装置は、ガス放電現象を用いて画像を表示するものであって、表示容量、輝度、コントラスト、残像、視野角などの各種表示能力に優れている。そして、ＰＤＰ装置は、他の表示装置より大型化が容易であり、薄型の発光型表示装置であって、今後高品質のデジタルテレビとして最も適した特性を有しているものと評価されて、ＣＲＴを代替するディスプレイ装置として脚光を浴びている。

ＰＤＰ装置は、電極に印加する直流または交流電圧によって電極間のガスから放電が発生し、ここで伴われる紫外線の放射によって蛍光体を励起させて発光するようになっている。

しかし、ＰＤＰ装置は、その駆動特性上、電磁波及び近赤外線の放出量が多く、蛍光体の表面反射が高いだけでなく、封入ガスであるヘリウム（Ｈｅ）やキセノン（Ｘｅ）から放出されるオレンジ光により色純度が陰極線管に比べて落ちるという短所がある。

したがって、ＰＤＰ装置から発生する電磁波及び近赤外線により人体に有害な影響を与えるとともに無線電話機やリモコンなどの精密機器の誤動作を誘発することもある。このようなＰＤＰ装置を使用するためには、ＰＤＰ装置から放出される電磁波と近赤外線の放出とを所定値以下に抑制することが要求されている。このために、電磁波及び近赤外線を遮蔽すると同時に、反射光を減少させて色純度を向上させるために電磁波遮蔽、近赤外線遮蔽、光表面反射防止、色純度改善などの機能を有するＰＤＰフィルタを採用している。

したがって、ＰＤＰ装置は、ガス放電現象が起こる放電セルを含むパネルアセンブリと、電磁波及び近赤外線を遮蔽するＰＤＰフィルタとで構成されている。

また、このようなＰＤＰフィルタは、パネルアセンブリの前面部に装着されるために透明性も同時に有さなければならない。

一方、ＰＤＰ装置において駆動回路及び交流電流電極に流れる電流と、プラズマ放電のための電極間にかかる高電圧は、電磁波発生の主原因となる。この時、発生する主な電磁波の周波数領域は、３０ないし２００ＭＨｚであり、このような電磁波を遮蔽するための電磁波遮蔽層として、可視光線に対する高透過率及び低反射率特性を維持する透明導電膜や導電性メッシュが主に使われる。

導電性メッシュで構成された電磁波遮蔽層の場合、電磁波の遮蔽には抜群の特性を表す。そして、ＩＴＯに代表される透明導電膜で構成された電磁波遮蔽層の場合、一般的に金属薄膜と高屈折透明薄膜とが交互にコーティングされる多層薄膜形態により構成される。この金属薄膜として、銀（Ａｇ）または銀を主成分とする合金が主に利用される。

以下、図１Ａないし図１Ｃを参照して、従来の技術による導電性メッシュを含む電磁波遮蔽フィルムの製造方法を説明する。図１Ａないし図１Ｃは従来の技術による電磁波遮蔽フィルムの製造方法を順次に示す断面図である。

図１Ａに示すように、適切な粘度を有する接着剤２０を用いて金属薄膜３０をラミネート法により透明基板１０上に接合する。ここで、透明基板１０は、一般的にＰＥＴ（Ｐｏｌｙ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）フィルムを使用する。

図１Ｂに示すように、金属薄膜３０上にフォトレジストを塗布した後、写真工程（露光工程及び現像工程）を通じてフォトレジストをパターニングしてフォトレジストパターン４０を形成する。

図１Ｃを参照すれば、フォトレジストパターン４０をエッチングマスクとして金属薄膜３０をエッチングして電磁波遮蔽膜パターン３２を形成する。エッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン４０を除去した後、透明基板１０上の電磁波遮蔽膜パターン３２を黒化処理する。ここで、電磁波遮蔽膜パターン３２は、人体に有害な電磁波を遮蔽する役割を担う。電磁波遮蔽膜パターン３２は、電磁波遮蔽率の高い金属薄膜を使用することが一般的である。但し、金属薄膜を用いて電磁波遮蔽膜パターン３２を形成する場合、金属薄膜が一般的に有する特性である高い可視光線反射率が問題となる。特に、電磁波遮蔽膜パターン３２として広く使われる銅の場合、可視光線に対して６０％以上の反射率を有するが、このような電磁波遮蔽膜パターン３２を含むＰＤＰフィルタをＰＤＰ装置に装着する場合、輝度が顕著に落ちる。したがって、このような金属の反射率を減らすために、電磁波遮蔽膜パターン３２を黒化処理する。

図１Ｃに示すように、従来の技術による電磁波遮蔽膜パターン３２は、透明基板１０との対向面を除いた３面が黒化処理される。一般的に、電磁波遮蔽膜パターン３２の黒化処理された部分がユーザ（または視聴者）方向に向かうようにする。したがって、ユーザが見る方向からはＰＤＰ装置の可視光線に対する反射率を低める効果がある。

しかし、電磁波遮蔽膜パターン３２の透明基板１０との対向面（パネルアセンブリ側）は黒化処理が行われていないために、ＰＤＰ装置の高輝度化を達成し難い問題がある。すなわち、ＰＤＰ装置のパネルアセンブリから発生した光が電磁波遮蔽膜パターン３２により反射されて、再びパネルアセンブリに入射されることによって、光の重畳が発生する。その結果、輝度が低まり、ＰＤＰ装置の画面表示能力が劣る問題点がある。

また、電磁波遮蔽膜パターンを備えたＰＤＰフィルタについての他の従来の技術としては、特許文献１に記載の技術がある。
この特許文献１に開示されている電磁波遮蔽板の場合も、ユーザの視聴面のみが黒化処理された電磁波遮蔽板の構造を有する。したがって、図１Ａないし図１Ｃで説明した従来の技術と同様に、パネルアセンブリから発生した光が電磁波遮蔽板により反射されて、再びパネルアセンブリに入射して、ＰＤＰ装置の輝度の性能が低下する問題点を有している。
特開平１１−１１９６７５号公報

本発明が解決しようとする技術的課題は、電磁波遮蔽フィルムの構造を改善して輝度を向上させることが可能な電磁波遮蔽フィルムを提供することである。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、このような電磁波遮蔽フィルムを用いたＰＤＰフィルタを提供することである。

本発明が解決しようとするさらに他の技術的課題は、このような電磁波遮蔽フィルムを用いたＰＤＰ装置を提供することである。
本発明が解決しようとするさらに他の技術的課題は、このような電磁波遮蔽フィルムの製造方法を提供することである。

本発明の目的は、前記で言及した目的に限定されず、言及しなかったさらに他の目的は後述の記載から当業者ならば明確に理解できる。

前記技術的課題を達成するための電磁波遮蔽フィルムは、透明基板と、前記透明基板上に形成され、前記透明基板に対向する面が黒化処理された電磁波遮蔽膜パターンと、前記電磁波遮蔽膜パターン上に形成された黒色導電膜パターンと、を含む。

前記他の技術的課題を達成するためのＰＤＰフィルタは、このような電磁波遮蔽フィルムを含む。
前記さらに他の技術的課題を達成するためのＰＤＰ装置はこのようなＰＤＰフィルタを含む。

前記さらに他の技術的課題を達成するための電磁波遮蔽フィルムの製造方法は、（ａ）導電基板上に非導電膜を形成する段階と、（ｂ）前記非導電膜をパターニングして非導電膜パターンを形成する段階と、（ｃ）前記非導電膜パターンにより露出された前記導電基板上に黒色導電膜パターンを形成する段階と、（ｄ）前記黒色導電膜パターン上に電磁波遮蔽膜パターンを形成する段階と、（ｅ）前記電磁波遮蔽膜パターンを酸化して黒化処理する段階と、（ｆ）一面に粘着剤が形成された透明基板を用いて前記黒色導電膜パターン及び電磁波遮蔽膜パターンを前記導電基板から分離する段階と、を含む。
その他の実施形態の具体的な事項は詳細な説明及び図面に含まれている。

本発明に係る電磁波遮蔽フィルム、ＰＤＰフィルタ、ＰＤＰ装置及び電磁波遮蔽フィルムの製造方法によれば、可視光線に対する反射率の高い電磁波遮蔽フィルムに対してユーザ側だけでなく、その反対側にも黒化処理を行って輝度を改善し、外観品質を向上させることが可能である。すなわち、電磁波遮蔽フィルムを構成する電磁波遮蔽膜パターンの周面を黒化処理して２面または４面が黒化処理された電磁波遮蔽フィルムによってＰＤＰ装置の輝度性能を向上させることが可能である。

以下図面を参照して実施形態について説明するが、本発明の技術的範囲は実施形態に記載の技術に限定されるのではなく、特許請求の範囲に基づいて定めなければならないことは言うまでもない。
なお、明細書全体に亙って同一な符号は同一な構成要素を示す。

以下、本実施形態を図２ないし図１１Ｂを参照して説明する。
図２は、本実施形態によるＰＤＰ装置を示す分解斜視図である。本実施形態によるＰＤＰ装置１６０の構造は、図２に示したように、ケース１１０と、ケース１１０の上部を覆うカバー１５０と、ケース１１０内に収容される駆動回路基板１２０、ガス放電現象が起こる放電セルを含むパネルアセンブリ１３０及びＰＤＰフィルタ１４０で構成される。ＰＤＰフィルタ１４０は、透明基板２６０（図１０参照）上に導電性に優れた材料で形成された導電層が備えられ、この導電層は、カバー１５０を通じてケース１１０に接地される。すなわち、パネルアセンブリ１３０から発生した電磁波がユーザに到達する前に、それをＰＤＰフィルタ１４０の導電層を通じてカバー１５０とケース１１０とに接地させる。

以下、このようなＰＤＰフィルタ１４０に使われる電磁波を遮蔽する電磁波遮蔽フィルム３００の製造方法を説明する。
図３ないし図１１Ｂは、本実施形態による電磁波遮蔽フィルムの製造過程を順次に表した断面図である。

図３に示すように、導電基板２００上に非導電膜２１０を形成する。
ここで、導電基板２００は、後続する電解メッキ工程で電流が流れる電極の役割を担う。例えば、導電基板２００としては、ステンレス（ＳＵＳ３０４あるいはＳＵＳ４３０）基板、ニッケル基板または銅基板を使用することができる。導電基板２００は、シート形態やＰＤＰフィルタ１４０の製造工程の連続性を考慮してフープ形態として使用できる。

このような導電基板２００は、電気を流すことができればよいので、導電基板２００を薄く製作できる。したがって、導電基板２００の厚さが１００〜２００μｍ程度である場合、このような導電基板２００の強度を補強するために、導電基板２００の一面に補助基板（図示せず）を接合することもある。ここで、導電基板２００と補助基板とは、適切な粘度を有する接着剤を用いてラミネート法で接合する。そして、本実施形態で使用する補助基板（図示せず）は、適当な耐熱性を有すると同時に、導電基板２００の形態を保持できるガラス基板やその他の高分子基板などを用いる。

このような導電基板２００に対してアルカリ洗浄を実施する。アルカリ洗浄液としては、例えば、約２０％に希釈したＫＯＨ溶液を使用できる。アルカリ洗浄は、導電基板２００に残留する有機物を除去するために行う。アルカリ洗浄済の導電基板２００は、水洗槽で約１〜２分間水洗浄を実施する。その後、導電基板２００に対して酸洗浄を実施する。酸洗浄液は、約１０％に希釈した硫酸溶液を使用できる。酸洗浄済の導電基板２００は、水洗槽で水洗浄を実施した後、圧縮空気で乾燥させてから自然乾燥する。

そして、このような導電基板２００上に非導電膜２１０を形成する。
ここで、非導電膜２１０としては、後続する電磁波遮蔽膜パターン２５０を形成するための電解メッキ工程（図５ないし図８を参照）で導電基板２００に流れる電流を妨害して導電基板２００上へのメッキを防止する役割を果たせる絶縁物質であれば、その適用が可能である。非導電膜２１０と導電基板２００との接着力及び非導電膜２１０に対するパターニングの便利性などを考慮して、非導電膜２１０としては、フォトレジストなどを使用することが望ましい。非導電膜２１０は、無電解メッキ法（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ ｐｌａｔｉｎｇ）、スパッタリング法、真空蒸着法、スピンコーティング法、ロールコーティング法、スリットダイ法（Ｓｌｉｔ−ｄｉｅ ｏｒ ｓｌｏｔ ｄｉｅ）などで形成できる。本実施形態において非導電膜２１０としてフォトレジストを使用する場合、非導電膜２１０は、スピンコーティング法、ロールコーティング法、スリットダイ法により形成でき、基板の大型化を勘案すれば、ロールコーティング法やスリットダイ法を使用することがさらに望ましい。ここで、スリットダイ法はダイの終端と導電基板２００とのギャップを一定の間隔に保持した状態で塗布ダイが定速に走行しつつ、供給された塗布液を、スリットダイを用いて基板上に一定量を均一に塗布する方式である。

フォトレジストは、ポジティブフォトレジストまたはネガティブフォトレジストを使用でき、フォトレジストの塗布厚さはフォトレジストの特性によって変わる。フォトレジストが形成された後には、ソルベント成分を除去するためにフォトレジストを、ホットプレートでソフトベークを行って硬化させる。硬化されたフォトレジストは、ＵＶとパターンとが形成されているマスクを用いて選択的に露光工程を行い、ＵＶが照射された領域と照射されていない領域とを区別するために、ホットプレートでハードベークを行って熱硬化させる。最終的に形成された非導電膜２１０は、１５μｍ以下の厚さに形成し、望ましくは３〜１５μｍの厚さに形成する。

図４Ａに示すように、非導電膜２１０を導電基板２００上に形成した後、写真工程（露光／現像）を経て非導電膜２１０をパターニングして非導電膜パターン２１２を形成する。
図４Ｂは、本実施形態による非導電膜パターンを示す斜視図である。図４Ｂの非導電膜パターン２１２は、メッシュタイプの電磁波遮蔽膜パターン２５０を形成するための形状である。非導電膜パターン２１２は、電磁波遮蔽膜パターン２５０を形成するための電解メッキ工程（図５ないし図８参照）で電磁波遮蔽膜パターン２５０を形成するためのモールドとして使われる。したがって、非導電膜パターン２１２の形状は、電磁波遮蔽膜パターン２５０の形状によって変わる。例えば、メッシュタイプ、ラインタイプなどの電磁波遮蔽膜パターン２５０の形状によって非導電膜パターン２１２の形状も変化する。

図５に示すように、非導電膜パターン２１２により露出された導電基板２００上に第１シード層２２０を形成する。ここで、第１シード層２２０は、後続工程で形成される黒色導電膜パターン２３０と導電基板２００との接触力を向上させる役割を担う（図６参照）。第１シード層２２０としては、ニッケル、クロム、鉄、銅などの金属物質と、酸化インジウム、酸化クロム、酸化錫、酸化銀、酸化コバルト、酸化水銀、酸化イリジウムなどの酸化系列の金属物質と、硫化クロム、硫化パラジウム、硫化ニッケル、硫化銅、硫化コバルト、硫化鉄、硫化タンタル、硫化チタンなどの金属硫化物を使用することが可能である。後続する黒色導電膜パターン２３０との接触力及び導電性を考慮して、本実施形態では第１シード層２２０としてニッケル金属を使用する。このような第１シード層２２０は、純水、塩化ニッケル及び塩酸を含むメッキ液を用いて電解メッキにより形成できる（ニッケル電解メッキ法）。第１シード層２２０は、約５００Å以下の厚さに、望ましくは、約１００Å以下の厚さに形成する。

図６に示すように、非導電膜パターン２１２間に形成された第１シード層２２０上に黒色導電膜パターン２３０を形成する。ここで、黒色導電膜パターン２３０は、可視光線の電磁波遮蔽フィルム３００に対する反射率を低める役割だけでなく、導電性物質よりなっているため、電磁波を遮蔽する役割をも担う。黒色導電膜パターン２３０としては、ニッケル、コバルト、クロムなどの系列の金属を使用できる。本実施形態では工程の便宜性、黒化処理の効果、電磁波遮蔽機能などを考慮して、黒色導電膜パターン２３０として黒色ニッケルを使用することが望ましい。

本実施形態による黒色導電膜パターン２３０のうち、黒色ニッケルを形成するために電解メッキ法（黒色ニッケル）を使用できる。このような電解メッキに使われるメッキ液として、硫酸ニッケル、硫酸ニッケルアンモニウム、硫酸亜鉛、チオシアン酸ナトリウムなどを混合した混合液を使用できる。この場合メッキ液は、ｐＨを５．６ないし５．９に保持することが望ましい。黒色ニッケルは、常温だけでなく、約５０〜５５℃の高温でもメッキを行える。このようなメッキ液からの析出物である黒色ニッケルは、黒色を表し、ニッケルと亜鉛との合金に多量の硫黄を含有させた硫化ニッケルの混合物質で構成される。

また、他の実施形態による黒色ニッケルは、無電解メッキ法によって形成できる。このような無電解メッキ液としては、塩化ニッケルとＮｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂなどの混合剤を混ぜたメッキ液を使用できる。一般的に、無電解メッキに比べて電解メッキの方が、反応速度が速いため、電解メッキにより黒色ニッケルを形成することがさらに望ましい。

本実施形態で第１シード層２２０は、黒色導電膜パターン２３０を電解メッキするためにあらかじめ形成する層として使われるだけでなく、導電基板２００と黒色導電膜パターン２３０との結合力を高める役割を担う。したがって、導電基板２００をなす物質と黒色導電膜パターン２３０をなす物質が電解メッキによって一定の結合力を有することができるならば、第１シード層２２０を形成せずに、直接導電基板２００上に黒色導電膜パターン２３０を形成することもできる。本実施形態において、導電基板２００としてステンレス（ＳＵＳ３０４）を使用し、黒色導電膜パターン２３０として黒色ニッケルを使用する場合、ステンレス（ＳＵＳ３０４）と黒色ニッケルは、結合力が弱いために第１シード層２２０を用いることが望ましい。

次いで、図７に示すように、非導電膜パターン２１２間に形成された黒色導電膜パターン２３０上に第２シード層２４０を形成する。ここで、第２シード層２４０は、後続工程で形成される電磁波遮蔽膜パターン２５０と導電基板２００または黒色導電膜パターン２３０との接触力を向上させる役割を担う（図８参照）。第２シード層２４０としては、ニッケル、クロム、鉄、銅などの金属物質と、酸化インジウム、酸化クロム、酸化錫、酸化銀、酸化コバルト、酸化水銀、酸化イリジウムなどの酸化系列の金属物質と、硫化クロム、硫化パラジウム、硫化ニッケル、硫化銅、硫化コバルト、硫化鉄、硫化タンタル、硫化チタンなどの金属硫化物を使用できる。後続する電磁波遮蔽膜パターン２５０との接触力及び導電性を考慮して、本実施形態では第２シード層２４０としてニッケル金属を使用することが望ましい。このような第２シード層２４０は、純水、塩化ニッケル及び塩酸を含むメッキ液を用いて電解メッキにより形成できる（ニッケル電解メッキ法）。第２シード層２４０は、約５００Å以下の厚さに、望ましくは約１００Å以下の厚さに形成する。

図８に示すように、導電基板２００に電気を流して電解メッキにより電磁波遮蔽膜パターン２５０を形成する。電磁波遮蔽膜パターン２５０は、第２シード層２４０により非導電膜パターン２１２が形成されていない導電基板２００に形成する。したがって、非導電膜パターン２１２により形成されたパターン状と同じ電磁波遮蔽膜パターン２５０が形成される。ここで、電磁波遮蔽膜パターン２５０としては、電磁波を遮蔽できる導電性物質を使用する。例えば、電磁波遮蔽膜パターン２５０としては、銅、クロム、ニッケル、銀、モリブデン、タングステン、アルミニウム、鉄など導電性に優れ、加工性のある金属であれば、何れも使用できる。その中で、コスト、導電性、加工性面で銅、ニッケルを使用することが望ましい。さらに望ましくは、銅を使用する。この際、電磁波遮蔽膜パターン２５０の均一なパターン状を形成するために電磁波遮蔽膜パターン２５０の厚さは周囲に形成された非導電膜パターン２１２の厚さより薄いことが望ましい。このような電磁波遮蔽膜パターン２５０の厚さは、０．５〜４０μｍが望ましく、より望ましくは、３〜１０μｍである。これより薄いものは、電磁波遮蔽能力が落ち、これより厚い場合には、製造時間が長くなる。パネルアセンブリ１３０から発生する電磁波を全部吸収するためには、導電性の電磁波遮蔽膜パターン２５０が所定値以上の厚さを必要とするが、導電性金属薄膜の厚さが厚くなるほど可視光線透過率が低くなるので、これを勘案して適切な厚さに形成することが望ましい。本実施形態において、電磁波遮蔽膜パターン２５０として銅を使用する場合、硫酸銅、硫酸、塩化ナトリウムなどを混合したメッキ液を使用できる。

本実施形態で第２シード層２４０は、電磁波遮蔽膜パターン２５０を電解メッキするためにあらかじめ形成する層として使われるだけでなく、黒色導電膜パターン２３０と電磁波遮蔽膜パターン２５０との結合力を高める役割を果たせる。したがって、黒色導電膜パターン２３０をなす物質と電磁波遮蔽膜パターン２５０をなす物質とが電解メッキによって一定の結合力を有することができるならば、第２シード層２４０を形成せずに、直接黒色導電膜パターン２３０上に電磁波遮蔽膜パターン２５０を形成することもできる。本実施形態において、黒色導電膜パターン２３０として黒色ニッケルを使用し、電磁波遮蔽膜パターン２５０としてＣｕを使用する場合、黒色ニッケルとＣｕは、結合力が弱いために第２シード層２４０を用いることが望ましい。

次いで、導電基板２００上に残留するメッキ液を完全に除去するために純水を用いて導電基板２００上の結果物を十分に洗浄する。そして、図９に示すように、非導電膜パターン２１２を除去する。非導電膜パターン２１２を除去するために、湿式エッチングまたは乾式エッチングを使用できるが、非導電膜パターン２１２と電磁波遮蔽膜パターン２５０に対して選択比の高いエッチング方法を使用することが望ましい。本実施形態において、非導電膜パターン２１２としてフォトレジストを使用し、電磁波遮蔽膜パターン２５０として導電性物質を使用する場合、通常のフォトレジストストライプ（Ｓｔｒｉｐｅ）工程などを通じて非導電膜パターン２１２を除去できる。

このような図３ないし図９の工程を経れば、導電基板２００上に第１シード層２２０、黒色導電膜パターン２３０、第２シード層２４０及び電磁波遮蔽膜パターン２５０が順次に形成される。導電基板２００上に形成された電磁波遮蔽膜パターン２５０に対して黒化処理を実施することが望ましい。黒化処理は、電磁波遮蔽膜パターン２５０の表面反射を防止する役割を担う。このように、電磁波遮蔽膜パターン２５０に対して黒化処理を行えば、電磁波遮蔽膜パターン２５０のうち、導電基板２００に対向する面を除いて側壁を含んで３面が黒化処理される。電磁波遮蔽膜パターン２５０で導電基板２００に対向する面には黒色導電膜パターン２３０が位置するので、結果的に電磁波遮蔽膜パターン２５０に対して４面が何れも黒化処理されるものと見なすことができる。以上では非導電膜パターン２１２を導電基板２００から除去した後、電磁波遮蔽膜パターン２５０を黒化処理する場合を説明した。但し、本発明において黒化処理は、これに限定されず、導電基板２００上に非導電膜パターン２１２を除去していない状態で電磁波遮蔽膜パターン２５０を黒化処理した後、非導電膜パターン２１２を除去しても良い。この場合、電磁波遮蔽膜パターン２５０の側壁は黒化処理が行われないので、結果的に電磁波遮蔽膜パターン２５０でユーザ側に対向する面とパネルアセンブリ１３０に対向する面に対して２面が黒化処理されるものと見なすことができる。本発明は、可視光線に対する反射率の低い電磁波遮蔽フィルム３００を形成することを目的とする。そのためには、少なくとも電磁波遮蔽フィルム３００のユーザ側に対向する面とパネルアセンブリ１３０に対向する面とを黒化処理することが必要である。本実施形態において、４面黒化処理または２面黒化処理は何れも本発明の目的を達成するのに適している。

以下では、説明の便宜上、銅を含む電磁波遮蔽膜パターン２５０を使用する場合の黒化処理について説明する。もちろん、電磁波遮蔽膜パターン２５０を構成する物質によって黒化処理方法が変わる。本実施形態において、黒化処理は銅の表面を酸化させてＣｕ₂ＯあるいはＣｕＯに酸化させる工程である。黒化処理の目的は２つに大別される。第１に、電磁波遮蔽膜パターン２５０の非活性表面に酸化層を提供することである。銅表面は、高い温度で大気及びその他の構成要素と容易に反応して水を生成する問題、腐食する問題、弱い境界層を形成して密着力が低下する問題が発生する。この際、境界層に残った水分によって電磁波遮蔽膜パターン２５０がデラミネーション（ｄｅｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）される。この場合、黒化処理により形成される酸化層はこのような水分の形成や腐食を防止する役割を担う。第２に、銅が有する可視光線に対する反射率を低めることである。銅は、通常、可視光線領域で６０％以上の反射率を有するので、外部光源による反射現象により視聴者側で眩しさが発生するか、輝度が減少するので、電磁波遮蔽膜パターン２５０を黒色処理して外光が反射されず、吸収されるようにする。本実施形態による黒化処理液はＣｕ Ｂｌａｃｋ Ｎｏ．４４４^TM（韓国、ジュウアムトヨン社製）の原液を使用する。

図１０に示すように、黒色導電膜パターン２３０が形成された電磁波遮蔽膜パターン２５０を導電基板２００から分離するための透明基板２６０を準備する。
透明基板２６０の一面には、粘着剤２７０が形成されていて、このような粘着剤２７０が形成された透明基板２６０を用いて黒色導電膜パターン２３０が形成された電磁波遮蔽膜パターン２５０を導電基板２００から分離する。したがって、導電基板２００上に形成された電磁波遮蔽膜パターン２５０は透明基板２６０に転写されて接合するようになる。電解メッキ法により導電基板２００上に形成された電磁波遮蔽膜パターン２５０と導電基板２００との結合力が、透明基板２６０に形成された粘着剤２７０との結合力より一般的に小さいために、黒色導電膜パターン２３０が形成された電磁波遮蔽膜パターン２５０を導電基板２００から容易に分離できる。

ここで、透明基板２６０として、一般的に厚さが１００ないし２００μｍである強化または半強化ガラスまたはアクリルのような透明プラスチック材料を使用して製造する。ガラスは比重が２．６でフィルタ製造時に軽量化が難しく、かつ厚くてプラズマディスプレイパネルセットへの装着時、セットの全体が重くなるという短所はあるが、飛散性の向上に大きな役割を担う。

本実施形態において、透明基板２６０としては、ガラス、石英などの無機化合物成形物と透明な有機高分子成形物を挙げられるが、有機高分子成形物は軽くて、割れにくいので、透明基板２６０としてさらに望ましい。

透明基板２６０としては、アクリルやポリカーボネートが一般的に使われるが、本発明はこのような実施形態に限定されるものではない。透明基板２６０は、高透明性と耐熱性とを有することが望ましく、高分子成形物及び高分子成形物の積層体を透明基板２６０として使用できる。透明基板２６０の透明性については、８０％以上の可視光線透過率を有するものが望ましく、耐熱性については、６０℃以上のガラス転移温度を有するものが望ましい。高分子成形物は、可視波長領域において透明であればよく、その種類を具体的に挙げれば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリスルホン（ＰＳ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリスチレン、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリイミド、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などを挙げられるが、これらに限定されるものではない。その中、コスト、耐熱性、透明性面でポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が望ましい。

したがって、図１１Ａに示すように、結果的に透明基板２６０上に黒化処理された電磁波遮蔽膜パターン２５０と黒色導電膜パターン２３０とが形成された電磁波遮蔽フィルム３００が完成する。以上で説明した製造方法により完成された電磁波遮蔽フィルム３００の構造を説明すれば次の通りである。電磁波遮蔽フィルム３００は、透明基板２６０、透明基板２６０の一面に形成された粘着剤２７０、黒化処理された電磁波遮蔽膜パターン２５０、第２シード層２４０、黒色導電膜パターン２３０及び第１シード層２２０が順次に積層された構造を有する。ここで、最外郭に位置した第１シード層２２０は、望ましくは約１００Å以下の厚さに形成するので、後続する洗浄工程によって電磁波遮蔽フィルム３００から除去される。したがって、最終の電磁波遮蔽フィルム３００の構造で第１シード層２２０は部分的に除去されるか、完全に除去される。図１１Ｂは、図１１Ａの電磁波遮蔽フィルムを示す斜視図である。

このような電磁波遮蔽フィルム３００に色補正膜、近赤外線遮蔽膜及び反射防止膜などを結合することによって、ＰＤＰフィルタ１４０が完成される。
ここで、ＰＤＰフィルタ１４０は電磁波遮蔽フィルム３００、色補正膜、近赤外線遮蔽膜及び反射防止膜が順序に関係なく積層されて形成される。以下、本実施形態では、ネオン光遮蔽機能、近赤外線遮蔽機能、反射防止機能に対応する層を各々別個のものとして分離して説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、各機能を組合せた１つまたはそれ以上の層より構成される。

本実施形態によるＰＤＰフィルタ１４０は、透明基板２６０の一面に電磁波遮蔽膜パターン２５０が形成された電磁波遮蔽フィルム３００と、透明基板２６０の他面に形成された色補正膜、近赤外線遮蔽膜及び反射防止膜で構成される。

一般的に、パネルアセンブリ１３０内のプラズマから発生する赤色の可視光線がオレンジ色として現れる傾向がある。色補正膜は、このようなオレンジ色を赤色に色補正する役割を担う。パネルアセンブリ１３０内のプラズマから発生する可視光線に対して近赤外線遮蔽膜を経て色補正膜で色補正することより、色補正膜でまず色補正することがさらに有利である。したがって、望ましくは、色補正膜をパネルアセンブリ１３０に近い側に配置することがさらに効率的である。本実施形態では、近赤外線遮蔽膜と色補正膜とを分離して説明したが、近赤外線遮蔽機能とネオン光遮蔽機能とを何れも有しているハイブリッドフィルムタイプを使用しても良い。

色補正膜は、ディスプレイの色再現範囲を増加させ、画面の鮮明度を向上させるために無駄に放出される５８０〜６００ｎｍ領域のオレンジ光を吸収するために選択吸収性を有する色素を使用する。このような色素としては、染料あるいは顔料を使用できる。色素の種類は、アントラキノン系、シアニン系、アゾ系、ストリル系、フタロシアニン系、メチン系などのネオン光遮蔽機能を有する有機色素がある。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。色素の種類と濃度は、色素の吸収波長、吸収係数、ディスプレイで要求される透過特性によって決定されるものであるために、特定数値に限定されて使われるものではない。

近赤外線遮蔽膜は、パネルアセンブリ１３０から発生して無線電話機やリモコンなどの電子機器の誤動作を起こす強力な近赤外線を遮蔽する役割を担う。近赤外線遮蔽膜は、パネルアセンブリ１３０から放出される近赤外線を遮蔽するために近赤外線領域の波長を吸収する近赤外線吸収色素を含有した高分子樹脂を使用できる。例えば、近赤外線吸収色素として、シアニン系、アントラキノン系、ナフトキノン系、フタロシアニン系、ナフタロシアニン系、ジイモニウム系、ニッケルジチオール系など多様な成分の有機染料を使用できる。ＰＤＰ装置１６０は、広い波長領域に亙って強力な近赤外線を発するために、広い波長領域に亙って近赤外線を吸収できる近赤外線遮蔽膜を使用する必要がある。

本実施形態による反射防止膜は、色補正膜及び近赤外線遮蔽膜の上部に形成するが、本発明はこのような積層順序に限定されるものではない。望ましくは、反射防止膜は、ＰＤＰフィルタ１４０がＰＤＰ装置１６０に装着されたとき、ユーザ側になる面、すなわち、パネルアセンブリ１３０側とは反対側面に形成されることが効率的である。このような反射防止膜は、外光の反射を減らして視認性を向上させる。

もちろん、反射防止膜をＰＤＰフィルタ１４０の周面のうち、パネルアセンブリ１３０側になる面にも形成することによって、ＰＤＰフィルタ１４０の外光反射をさらに減らすことができる。また、反射防止膜を形成してＰＤＰフィルタ１４０の外光反射を減らすことによって、パネルアセンブリ１３０からの可視光線透過率を向上させることができる。このような反射防止膜を形成するために基材に反射防止機能を有する膜を塗布、印刷、または公知の各種膜形成法により形成できる。また、反射防止機能を有する膜は、透明成形物または反射防止機能を有する透明成形物を任意の透明な粘着剤または接着剤を介在して接着することによって形成できる。

反射防止膜として具体的には、可視領域において屈折率が１．５以下、望ましくは１．４以下、ふっ素系透明高分子樹脂やフッ化マグネシウム、シリコン係樹脂や酸化ケイ素の薄膜などを例として挙げれば、１／４波長の光学膜厚さによって単一層を形成したものを使用できる。そして、反射防止膜として屈折率の異なる金属酸化物、フッ化物、硅化物、ホウ化物、炭化物、窒化物、硫化物などの無機化合物またはシリコン係樹脂やアクリル樹脂、フッ素係樹脂などの有機化合物の薄膜を２層以上多層積層したものを使用できる。

ここで、反射防止膜を単一層に形成したものは、製造は容易であるが、多層積層に比べて反射防止機能が低い。多層積層したものは、広い波長領域に亙って反射防止能を有する。このような無機化合物薄膜は、スパッタリング、イオンプレーティング、イオンビームアシスト、真空蒸着、湿式コーティングなど公知の方法により形成でき、有機化合物薄膜は、湿式コーティングなど公知の方法により形成できる。

例えば、本実施形態による反射防止膜は、ＳｉＯ₂のような低屈折率酸化膜とＴｉＯ₂またはＮｂ₂Ｏ₅のような高屈折率酸化膜とを交互に積層した構造を使用しても良い。このような酸化膜は、スパッタリングまたは湿式コーティングを用いて形成できる。

本発明の各層または膜を接着させるときには、透明な粘着剤または接着剤を使用できる。具体的な材料として、アクリル系接着剤、シリコン系接着剤、ウレタン系接着剤、ポリビニルブチラル接着剤（ＰＭＢ）、エチレン−酢酸ビニル系接着剤（ＥＶＡ）、ポリビニルエーテル、飽和無定形ポリエステル、メラミン樹脂などを挙げられる。

以上、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明したが、本発明が属する技術分野における当業者ならば本発明がその技術的思想や必須特徴を変更せずとも他の具体的な形態で実施できるということが理解できるであろう。したがって、前述した実施形態はすべての面で例示的なものであって、本発明の技術的範囲を限定するものと解してはならない。

本発明は、可視光線に対する反射率の高い電磁波遮蔽フィルムに対してユーザ側だけでなく、その反対側にも黒化処理を行って輝度を改善して外観品質を向上させる電磁波遮蔽フィルム、その製造方法及びそのフィルムを用いたＰＤＰフィルタ及びＰＤＰ装置に適用できる。

従来の技術による電磁波遮蔽フィルムの製造方法を順次に示す断面図である。 従来の技術による電磁波遮蔽フィルムの製造方法を順次に示す断面図である。 従来の技術による電磁波遮蔽フィルムの製造方法を順次に示す断面図である。 実施形態によるＰＤＰ装置を示す分解斜視図である。 実施形態によるＰＤＰフィルタの製造過程を順次に示す断面図である。 実施形態によるＰＤＰフィルタの製造過程を順次に示す断面図である。 実施形態によるＰＤＰフィルタの製造過程を順次に示す断面図である。 実施形態によるＰＤＰフィルタの製造過程を順次に示す断面図である。 実施形態によるＰＤＰフィルタの製造過程を順次に示す断面図である。 実施形態によるＰＤＰフィルタの製造過程を順次に示す断面図である。 実施形態によるＰＤＰフィルタの製造過程を順次に示す断面図である。 実施形態によるＰＤＰフィルタの製造過程を順次に示す断面図である。 実施形態によるＰＤＰフィルタの製造過程を順次に示す断面図である。 実施形態によるＰＤＰフィルタの製造過程を順次に示す断面図である。 実施形態によるＰＤＰフィルタの製造過程を順次に示す断面図である。

符号の説明

１１０ ケース
１２０ 駆動回路基板
１３０ パネルアセンブリ
１４０ ＰＤＰフィルタ
１５０ カバー
１６０ ＰＤＰ装置
２００ 導電基板
２１０ 非導電膜
２１２ 非導電膜パターン
２２０ 第１シード層
２３０ 黒色導電膜パターン
２４０ 第２シード層
２５０ 電磁波遮蔽膜パターン
２６０ 透明基板
２７０ 粘着剤
３００ 電磁波遮蔽フィルム

Claims (14)

1. 透明基板と、
   前記透明基板上に形成され、前記透明基板に対向する面が黒化処理された電磁波遮蔽膜パターンと、
   前記電磁波遮蔽膜パターン上に形成された黒色導電膜パターンと、
   を備えることを特徴とする電磁波遮蔽フィルム。
2. 前記黒色導電膜パターンは、黒色ニッケルを含むことを特徴とする請求項１に記載の電磁波遮蔽フィルム。
3. 前記電磁波遮蔽膜パターンは、銅を含むことを特徴とする請求項１に記載の電磁波遮蔽フィルム。
4. 前記黒色導電膜パターン上に形成された第１シード層と、
   前記電磁波遮蔽膜パターンと前記黒色導電膜パターンとの間に形成された第２シード層と、
   をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の電磁波遮蔽フィルム。
5. 前記第１シード層及び前記第２シード層は、ニッケルよりなることを特徴とする請求項４に記載の電磁波遮蔽フィルム。
6. 前記電磁波遮蔽膜パターンは、前記透明基板に対向する面と側壁とが黒化処理されたことを特徴とする請求項１に記載の電磁波遮蔽フィルム。
7. 請求項１ないし請求項６のうち何れか１項に記載の電磁波遮蔽フィルムを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルフィルタ。
8. 請求項７に記載のプラズマディスプレイパネルフィルタを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル装置。
9. （ａ）導電基板上に非導電膜を形成する段階と、
   （ｂ）前記非導電膜をパターニングして非導電膜パターンを形成する段階と、
   （ｃ）前記非導電膜パターンにより露出された導電基板上に黒色導電膜パターンを形成する段階と、
   （ｄ）前記黒色導電膜パターン上に電磁波遮蔽膜パターンを形成する段階と、
   （ｅ）前記電磁波遮蔽膜パターンを酸化して黒化処理する段階と、
   （ｆ）一面に粘着剤が形成された透明基板を用いて前記黒色導電膜パターン及び前記電磁波遮蔽膜パターンを前記導電基板から分離する段階と、
   を含むことを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
10. 前記（ｃ）段階は、黒色ニッケル電解メッキ法で前記黒色導電膜パターンを形成する段階であることを特徴とする請求項９に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
11. 前記黒色ニッケル電解メッキ法は、硫酸ニッケル、硫酸ニッケルアンモニウム、硫酸亜鉛及びチオシアン酸ナトリウムを含む混合液をメッキ液として使用することを特徴とする請求項１０に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
12. 前記（ｃ）段階の前に前記非導電膜パターンにより露出された前記導電基板上に第１シード層を形成する段階と、
    前記（ｄ）段階の前に前記黒化された導電膜パターン上に第２シード層を形成する段階と、
    をさらに含み、
    前記（ｃ）段階は、前記第１シード層上に黒色導電膜パターンを形成する段階であり、前記（ｄ）段階は、前記第２シード層上に電磁波遮蔽膜パターンを形成する段階であることを特徴とする請求項９に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
13. 前記第１シード層及び前記第２シード層は、ニッケル電解メッキ法で形成することを特徴とする請求項１２に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
14. 前記（ｄ）段階の後、前記非導電膜パターンを除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。

Images