KR20060126162A - 전도성 고분자 필름층을 포함하는 ｐｄｐ 필터 및 이를포함하는 ｐｄｐ 장치 - Google Patents

전도성 고분자 필름층을 포함하는 ｐｄｐ 필터 및 이를포함하는 ｐｄｐ 장치 Download PDF

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KR20060126162A KR1020050047866A KR20050047866A KR20060126162A KR 20060126162 A KR20060126162 A KR 20060126162A KR 1020050047866 A KR1020050047866 A KR 1020050047866A KR 20050047866 A KR20050047866 A KR 20050047866A KR 20060126162 A KR20060126162 A KR 20060126162A
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Abstract

전도성 고분자 필름층을 포함하는 PDP 필터 및 이를 포함하는 PDP 장치를 제공한다. PDP 필터는 기판 및 기판의 일면에 전도성 고분자 필름층을 포함한다.
PDP, 필터, 전도성 고분자 필름층, 투명 적층체

Description

전도성 고분자 필름층을 포함하는 ＰＤＰ 필터 및 이를 포함하는 ＰＤＰ 장치{PDP filter comprising conductive polymer film and PDP apparatus employing the same}
도 1 내지 도 6은 각각 본 발명의 제 1 내지 제 6 실시예에 따른 PDP 필터의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 장치를 나타내는 분해사시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 장치를 나타내는 사시도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10, 20, 30, 40, 50, 60: PDP 필터 110: 기판
120, 120', 120'': 투명 적층체 121: 제 1 금속 산화물층
122: 금속층 123: 제 1 보호층
124: 제 2 보호층 130: 제 2 금속 산화물층
140: 전도성 고분자 필름층 150: 네온광 차폐층
500: PDP 장치
본 발명은 PDP 필터 및 이를 포함하는 PDP 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전도성 고분자 필름층을 포함하는 PDP 필터 및 이를 포함하는 PDP 장치에 관한 것이다.
현대의 고도 정보화시대에 있어서 광일렉트로닉스(photoelectronics) 관련 부품 및 기기가 현저하게 진보하고 보급되고 있다. 그 중에서, 화상을 표시하는 디스플레이 장치는 텔레비전 장치용, 퍼스널 컴퓨터의 모니터 장치용 등으로서 널리 보급되고 있으며, 또한 이러한 디스플레이의 대형화와 동시에 박형화가 진행되고 있다.
일반적으로 PDP(Plasma Display Panel) 장치는 기존의 디스플레이 장치를 대표하는 CRT(Cathode Ray Tube)에 비해 대형화 및 박형화를 동시에 만족시킬 수 있어 차세대 디스플레이 장치로서 각광받고 있다.
이러한 PDP 장치는 가스에 높은 전압을 가하였을 때 발생하는 가스 방전 현상을 이용하여 화상을 표시하는 것으로서, 높은 전압이 인가됨으로 인해 인체에 유해한 전자파(ElectroMagnetic Interference; EMI) 및 리모컨 등의 오작동을 일으키는 근적외선(Near Infrared Ray; NIR) 및 오렌지색 광으로 색 순도에 나쁜 영향을 미치는 네온광 등을 발생시킨다.
따라서, PDP 장치는 전자파, 근적외선, 네온광 등을 차폐(shield)하기 위한 PDP 필터를 채용하고 있다. 이러한 PDP 필터는 전자파 차폐층, 근적외선 차폐층, 네온광 차폐층과 같이 수개의 기능성 막들을 접착제 또는 점착제에 의해 적층하여 제조하는데, 이중 전자파 차폐층은 금속 메쉬를 이용한 메쉬 타입과 전도성막을 이 용한 전도막 타입이 있다. 이들 중 전도막 타입은 금속으로 된 금속층과 고굴절률을 가진 투명층을 적층하여 제조되는데, 전자파 차폐 효율을 높이기 위해서는 금속층을 3 내지 6회 적층하여 형성하는 것이 일반적이다. 그러나 전도막 타입의 전자파 차폐층을 제조하기 위한 금속층을 적층하는 공정은 박막 증착 공정으로서, 매우 오랜 시간을 요구하고 공정을 거듭할수록 전체 막의 가시광 투과율이 감소하게 된다.
따라서, 일정 두께 이상을 가지면서도, 전자파 차폐 효율도 높일 수 있는 동시에 막의 가시광 투과율도 높일 수 있는 전자파 차폐층을 포함하는 PDP 필터의 개발이 필요하다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 전자파 차폐 효율과 가시광 투과율이 우수할 뿐만 아니라 제조 공정도 비교적 용이한 PDP 필터를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기한 바와 같은 PDP 필터를 포함하는 PDP 장치를 제공하고자 하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 필터 는 기판 및 상기 기판의 일면에 전도성 고분자 필름층을 포함한다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 실시예에 따른 PDP 필터는 기판, 상기 기판의 일면에 제 1 금속 산화물층과 금속층을 포함하는 투명 적층체, 상기 투명 적층체 상에 형성된 제 2 금속 산화물층 및 상기 제 2 금속 산화물층 상에 형성된 전도성 고분자 필름층을 포함한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 PDP 필터는 기판, 상기 기판의 일면에 제 1 금속 산화물층과 금속층을 포함하고 상기 금속층의 양면 중 적어도 일면에 보호층을 포함하는 투명 적층체, 상기 투명 적층체 상에 형성된 제 2 금속 산화물층 및 상기 제 2 금속 산화물층 상에 형성된 전도성 고분자 필름층을 포함한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 PDP 장치는 상기한 바와 같은 PDP 필터를 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 첨부 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명 세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 PDP 필터의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 PDP 필터(10)는 기판(110), 투명 적층체(120), 금속 산화물층(130) 및 전도성 고분자 필름층(140)을 포함한다.
본 발명의 제 1 실시예에 있어서 기판(110)은 특별히 한정되지는 않지만, 예를 들면 폴리에틸렌텔레프탈레이트(Poly(ethylene terephthalate); PET) 등의 플라스틱 필름층, 아크릴 수지 등으로 만들어진 플라스틱 시트 또는 디스플레이용으로 사용되는 유리, 플라스틱 필름층 및 플라스틱 시트 등이 될 수 있다. 특히 투명한 기판 일 수 있다.
이러한 기판(110)의 일면에는 투명 적층체(120)가 형성되어 있다. 투명 적층체(120)는 금속 산화물층(121) 및 금속층(122)의 순서로 형성된 층들을 포함한다.
투명 적층체(120) 중의 금속 산화물층(121, 이하 제 1 금속 산화물층이라 함)은 가시광에 대해서 투명성을 가지고, 금속층과의 굴절률의 차에 의해서, 금속층의 가시 영역의 광 반사를 방지하는 효과를 가진 것이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 가시 광선에 대한 굴절률이 1.6 이상, 예를 들면 1.7 이상의 굴절률이 높은 재료가 사용된다. 이와 같은 제 1 금속 산화물충(121)을 형성하는 재료로서는 인듐, 티탄, 지르코늄, 알루미늄, 비스무스, 주석, 아연, 안티몬, 니오브, 탄탈, 세륨, 네오듐, 란탄, 토륨, 마그네슘, 칼륨 등의 금속 산화물 또는 이들 금속 산화물의 혼합물 등을 들 수 있다. 이들 금속 산화물은 금속과 산소의 화학양론적인 조성에 편차가 있어도, 광학 특성을 크게 바꾸지 않는 범위이면 지장 없다. 그 중에 서도 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물(이하, ITO라 함) 또는 산화 알루미늄 또는 산화 아연의 혼합물(이하, AZO라 함)은 투명성, 굴절률에 더하여, 성막 속도가 빠르고 금속층과의 밀착성 등이 양호하므로 바람직하게 사용할 수 있다. 또, ITO 또는 AZO와 같은 비교적 높은 도전성을 가진 금속 산화물을 사용함으로써 제 1 금속 산화물층(121)의 전자파의 흡수를 증가시키고, 도전성을 높일 수 있다.
제 1 금속 산화물층(121)의 두께는 기판의 광학 특성, 금속층(122)의 두께, 광학 특성 및 제 1 금속 산화물층(121)의 굴절률 등으로부터 광학 설계적으로 또는 실험적으로 구해진다. 특별히 한정되는 것은 아니지만 예를 들면 5㎛ 이상, 200㎛ 이하일 수 있고, 또한 10㎛ 이상, 100㎛ 이하일 수 있다. 이러한 제 1 금속 산화물층(121)은 스퍼터링, 이온 플레이팅, 이온빔 어시스트, 진공 증착, 습식 도공 등의 어떠한 방법에 의해서도 형성될 수 있다.
계속해서, 제 1 금속 산화물층(121) 상에는 금속층(122)이 형성되어 있다. 금속층(122)은 은 또는 은을 함유한 합금으로 이루어진 박막층이다. 그 중에서도 은은 전도성, 적외선 반사성 및 가시광 투과성이 우수하다. 그러나 은은 화학적, 물리적 안정성이 결여되고, 환경 중의 오염 물질, 수증기, 열, 광 등에 의해서 열악화하기 때문에, 은에 금, 백금, 팔라듐, 구리, 인듐, 주석 등의 환경에 안정적인 금속을 1종 이상 함유한 합금을 사용할 수 있다. 여기서 은을 함유한 합금의 은의 함유율은 특별히 한정되는 것은 아니지만 은으로 이루어진 금속층(122)의 전도성, 광학 특성과 크게 다르지 않은 것이 좋고, 예를 들면 50중량% 이상 100중량% 미만 정도로 함유할 수 있다.
이어서, 제 1 금속 산화물층(121)과 금속층(122)을 포함하는 투명 적층체(120) 상에 금속 산화물층(130, 이하 제 2 금속 산화물층이라 함)이 형성되어 있다. 상기한 바와 같은 투명 적층체(120)는 내찰상성, 내환경성을 보충하기 위해, 투명 적층체(120) 상에 제 2 금속 산화물층(130)을 적층함으로써 투명 적층체(120)를 보호할 수 있다. 이러한 제 2 금속 산화물층(130)으로서는 가시광 영역에 있어서 투명하고, 투명 적층체(120)를 보호하는 기능을 가진 것이라면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 인듐, 티탄, 지르코늄, 알루미늄, 비스무스, 주석, 아연, 안티몬, 니오브, 탄탈, 세륨, 네오듐, 란탄, 토륨, 마그네슘, 칼륨 등의 금속 산화물 또는 이들 금속 산화물의 혼합물 등을 들 수 있다. 또한, 제 2 금속 산화물층(130)은 스퍼터링, 이온 플레이팅, 이온빔 어시스트, 진공 증착, 습식 도공 등의 어떠한 방법에 의해서도 형성될 수 있을 뿐만 아니라 두께도 특별히 한정되지 않는다.
계속해서, 제 2 금속 산화물층(130) 상에는 전도성 고분자 필름층(140)이 형성되어 있다.
투명 적층체(120) 중의 금속층(122)의 두께가 너무 두꺼울 경우, 전도성은 높아지지만, 그 형성 공정이 매우 복잡해지고 가시광 투과율이 떨어지게 된다. 즉, 전자파 차폐율을 높이기 위해서는 소정 두께 이상으로 금속층(122)을 형성하여야 하는데, 금속층(122)을 두껍게 형성하기 위해서는 증착 공정을 되풀이하여 다층(multi-layer)으로 형성하는 것이 일반적인 바, 이러한 다층 증착 공정은 그 증착 시간이 오래 걸릴 뿐만 아니라 공정이 복잡하여 원가 상승 및 생산성이 크게 떨어진다.
따라서, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 PDP 필터(10)에 포함되는 전도성 고분자 필름층(140)은 금속층(122)의 기능을 보조하기 위한 것으로, 금속층(122)의 두께가 얇게 형성되어 있는 경우라도, 전도성 고분자 필름층(140)에 의해 면저항 및 전자파 차폐 효과를 얻을 수 있어 PDP 필터(10)의 전자파 차폐율이 향상된다. 상기한 바와 같은 전도성 고분자 필름층(140)은 예를 들어 폴리에틸렌텔테레프탈레이트(PET) 또는 폴리카보네이트(PC) 필름과 같은 지지체의 일면에 금속층(122)의 기능을 보조하기 위한 폴리티오펜(polythiophene), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 폴리(3-알킬티오펜(poly(3-alkylthiophene)), 폴리이소티아나프텐(polyisothianaphthene), 폴리(p-페닐렌비닐렌)(poly(p-phenylenevinylene)), 폴리(p-페닐렌)(poly(p-phenylene)) 및 이의 유도체들 중에서 적어도 하나 선택된 고분자 매트릭스에 탄소 나노 튜브 또는/및 금속 분말이 분산되어 있는 전도성 고분자층을 포함하고, 지지체의 타면에는 전도성 고분자 필름층(140)을 고정하기 위한 점착제층, 예를 들어 감압성 점착제(pressure sensitive adhesive; PSA)층을 포함하는 형태를 갖는다. 또한, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 PDP 필터(100)는 네온광 차폐층(150), 근적외선 차폐층(160), 반사 방지층(170)을 포함할 수 있다. 경우에 따라서 근적외선 차폐층(150)은 생략될 수도 있고, 네온광 차폐 기능, 근적외선 차폐 기능 및/또는 반사 방지 기능의 조합 기능을 가진 층을 포함할 수도 있으며, 적층 순서 또한 상기한 바에 의해서 한정되지 않는다.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 PDP 필터의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 PDP 필터(20)는 기판(110), 제 1 금속 산화물층(121)과 금속층(122)을 포함하는 투명 적층체(120), 제 2 금속 산화물층(130) 및 전도성 고분자 필름층(140)을 포함한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 PDP 필터(20)는 금속 산화물층(121) 및 금속층(122)의 순서로 형성된 층들을 포함하는 투명 적층체(120)가 2회 반복하여 적층된다는 것을 제외하고는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 PDP 필터(10)의 구성과 동일하다.
금속층(122)을 두껍게 형성하게 되면 가시광 투과율도 낮아지고, 얇게 하면 전자파 차폐율과 근적외선의 반사가 약해진다. 따라서, 소정 두께의 금속층(122)을 제 1 금속 산화물층(121) 사이에 삽입한 투명 적층체(120)를 2회 적층함으로써 가시광 투과율을 높게 하면서도, 전체적인 금속층(122)의 두께를 증가시킬 수 있어 가시광 투과율, 전자파 차폐율과 근적외선의 투과율 등을 제어할 수 있다.
도 3은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 PDP 필터의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 제 3 실시예에 따른 PDP 필터(30)는 기판(110), 제 1 금속 산화물층(121), 제 1 보호층(123)과 금속층(122)을 포함하는 투명 적층체(120'), 제 2 금속 산화물층(130) 및 전도성 고분자 필름층(140)을 포함한다.
본 발명의 제 3 실시예에 따른 PDP 필터(30)는 투명 적층체(120')가 금속 산화물층(121), 제 1 보호층(123) 및 금속층(122)의 순서로 형성된 층들을 포함한다는 것을 제외하고는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 PDP 필터(10)의 구성과 동일하다.
투명 적층체(120') 중에 포함되는 제 1 보호층(123)은 제 1 보호층(123) 상에 형성되는 금속층(122)을 보호하여 금속층(122)의 내구성을 향상시키는 역할을 한다. 즉, 제 1 보호층(123)을 사용함으로써, 전도성, 적외선 반사성 및 가시광 투과성이 우수하지만, 물리적, 화학적 안정성이 결여되고, 환경 중의 오염 물질, 수증기, 열, 광 등에 의해서 열악화하기 쉬운 특성으로 인하여 그 사용에 있어 제한이 있는 은의 경우라도, 합금이 아닌 은 자체만으로 금속층(122)을 구성하게 할 수 있다.
또한, 제 1 보호층(123)은 금속층(122)에 의해 나타나는 전기 전도성을 증진시켜 전자파 차폐 성능을 향상시킨다. 뿐만 아니라, 제 1 보호층(123)은 금속층(122) 및 금속 산화물층(121) 사이의 계면에서 발생하는 표면 플라즈몬의 형성을 억제하여 표면 플라즈몬에 의한 광흡수로 인해 발생하는 투명 적층체(120') 내의 가시광 손실을 감소시킨다. 동시에, 가시광 반사율을 감소시키고 저반사율이 얻어질 수 있는 파장 대역을 증가시키는 역할을 하게 된다.
상기한 바와 같은 기능을 갖는 제 1 보호층(123)은 인듐, 티탄, 지르코늄, 비스무스, 주석, 아연, 안티몬, 탄탈, 세륨, 네오듐, 란탄, 토륨, 마그네슘, 칼륨 등의 산화물, 이들 산화물의 혼합물 또는 황화 아연 등으로 구성될 수 있다. 이들 산화물 또는 황화물은 금속과 산소 또는 황과 화학양론적인 조성에 편차가 있어도, 광학 특성을 크게 바꾸지 않는 범위이면 지장 없다. 제 1 보호층(123)은 예를 들면 ITO 또는 AZO로 구성될 수 있으며, ITO 또는 AZO는 투명성이 좋고, 성막 속도가 빠르며, 금속층과의 밀착성 등이 양호하다. 또한, ITO 또는 AZO와 같은 비교적 높은 전도성을 갖는 산화물을 제 1 보호층(123)으로 사용함으로써, 전자파의 흡수를 증가시키고, 또 투명 적층체(120')의 전도성을 높일 수 있다.
상기한 바와 같이 투명 적층체(120') 중에 보호층(123)을 포함하는 경우, 제 1 금속 산화물층(121)은 예를 들면 산화 니오브로 이루어질 수 있는데, 산화 니오브 만으로 제 1 금속 산화물층(121)을 구성할 수도 있고, 니오브 이외의 다른 원소 성분이 소량 함유할 수도 있다. 다른 원소 성분으로는, 예를 들면, 티타늄, 크롬 또는 아연 등을 사용할 수 있다.
도 4는 본 발명의 제 4 실시예에 따른 PDP 필터의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제 4 실시예에 따른 PDP 필터(40)는 기판(110), 제 1 금속 산화물층(121), 제 1 보호층(123) 및 금속층(122)을 포함하는 투명 적층체(120'), 금속 산화물층(130) 및 전도성 고분자 필름층(140)을 포함한다.
본 발명의 제 4 실시예에 따른 PDP 필터(40)는 금속 산화물층(121), 제 1 보호층(123) 및 금속층(122)의 순서로 형성된 층들을 포함하는 투명 적층체(120')가 2회 반복하여 적층된다는 것을 제외하고는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 PDP 필터(10)의 구성과 동일하다.
도 5는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 PDP 필터의 단면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 제 5 실시예에 따른 PDP 필터(50)는 기판(110), 제 1 금속 산화물층(121), 제 1 보호층(123), 금속층(122) 및 제 2 보호층(124)을 포함하는 투명 적층체(120''), 금속 산화물층(130) 및 전도성 고분자 필름층(140)을 포함한다.
본 발명의 제 5 실시예에 따른 PDP 필터(50)는 투명 적층체(120'')가 금속 산화물층(121), 제 1 보호층(123), 금속층(122) 및 제 2 보호층(124)의 순서로 형성된 층들을 포함한다는 것을 제외하고는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 PDP 필터(10)의 구성과 동일하다. 즉, 금속층(122) 상에 제 2 보호층(124)이 더 형성되어 있다. 여기서의 제 2 보호층(124)은 투명 적층체(120'') 상에 형성되는 제 2 금속 산화물층(130)을 형성하는 과정에서 산소 플라즈마로 인하여 금속층(122)의 전기 전도성이 소멸되는 것을 방지하기 위한 일종의 블로커(blocker)로서의 역할을 한다. 즉, 금속층(122)을 형성한 후에 제 2 금속 산화물층(130)을 형성하기 위하여 직류 스퍼터링 방법으로 사용하게 되면, 산소 플라즈마에 의해 이전에 형성된 금속층(122)이 손상될 수 있다. 따라서, 이를 방지하기 위하여 제 2 보호층(124)이 금속층(122) 상에 형성될 수 있다.
또한, 제 2 보호층(124)은 금속층(122) 및 제 2 금속 산화물층(130) 사이의 계면에서 발생되는 표면 플라즈몬의 형성을 억제하여 표면 플라즈몬에 의한 광흡수로 인해 발생하는 투명 적층체(120'') 내의 가시광 손실을 감소시킨다. 동시에, 가시광 반사율을 감소시키고 저반사율이 얻어질 수 있는 파장 대역을 증가시키는 역할을 하게 된다.
상기한 바와 같은 제 2 보호층(124)은 인듐, 티탄, 지르코늄, 비스무스, 주석, 아연, 안티몬, 탄탈, 세륨, 네오듐, 란탄, 토륨, 마그네슘, 칼륨 등의 산화물, 이들 산화물의 혼합물 또는 황화 아연 등으로 구성될 수 있다. 예를 들면, 제 2 보호층(124)은 ITO 또는 AZO로 구성될 수 있다. 이때, 제 2 보호층(124)의 조성은 제 1 보호층(123)의 조성과 동일 조성을 갖는 층일 수도 있고, 다른 조성을 갖는 층일 수도 있다.
도 6은 본 발명의 제 6 실시예에 따른 PDP 필터의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 제 6 실시예에 따른 PDP 필터(60)는 기판(110), 제 1 금속 산화물층(121), 제 1 보호층(123), 금속층(122) 및 제 2 보호층(124)을 포함하는 투명 적층체(120''), 금속 산화물층(130) 및 전도성 고분자 필름층(140)을 포함한다.
본 발명의 제 6 실시예에 따른 PDP 필터(60)는 제 1 금속 산화물층(121), 제 1 보호층(123), 금속층(122) 및 제 2 보호층(124)의 순서로 형성된 층들을 포함하는 투명 적층체(120'')가 2회 반복하여 적층된다는 것을 제외하고는 본 발명의 제 5 실시예에 따른 PDP 필터(10)의 구성과 동일하다.
이하 본 발명의 실시예들에 따른 PDP 필터의 제조 방법을 본 발명의 제 2 실시예 및 제 6 실시예에 따른 PDP 필터(20, 60)를 예시하여 설명하도록 한다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 PDP 필터(20)의 제조 방법은 다음과 같다.
도 2를 참조하면, 먼저 기판(110) 상에 투명 적층체(120'')를 형성한다.
기판(110) 상에 투명 적층체(120'')를 형성하기 위하여 우선 제 1 금속 산화물층(121)을 형성한다. 제 1 금속 산화물층(121)은 예를 들면 ITO로 이루어질 수 있다.
투명 적층체(120'') 중의 제 1 금속 산화물층(121)이 ITO로 이루어진 경우를 예시하여 설명하면, 인듐을 주성분으로 하는 금속 타겟 또는 산화 인듐을 주성분으 로 하는 소결체 타겟을 사용한 반응성 스퍼터링을 행한다. 반응성 스퍼터링 방법에 있어서는, 스퍼터 가스에는 아르곤(Ar) 등의 불활성 가스, 반응성 가스에는 산소를 사용하고, 통상 압력 0.1 내지 20mTorr, 직류(DC) 또는 고주파(RF) 마그네트론 스퍼터링 방법 등을 이용할 수 있다. 산소 가스 유량은 얻어지는 성막 속도 등으로부터 실험적으로 구해지고, 투명성을 가진 제 1 금속 산화물층(121)이 형성되도록 제어한다.
계속해서, 제 1 금속 산화물층(121) 상에 금속층(122)을 형성한다.
금속층(122)은 은 또는 은을 주성분으로 하는 합금 성분으로 형성될 수 있고, 금속층(122)의 형성 방법은 예를 들면 스퍼터링 방법, CVD 방법 또는 기상 증착 방법 등에 의해 수행될 수 있다. 막 형성 속도가 빠르고 대면적에 균일한 특성을 갖는 층을 형성하기 위해, 직류 스퍼터링 방법에 의해 금속층(122)을 형성할 수 있다.
상기한 방법에 의해 상기한 바와 동일한 순서로 제 1 금속 산화물층(121) 및 금속층(122)으로 이루어진 투명 적층체(120)를 2회 반복하여 적층한다.
계속해서, 투명 적층체(120'') 상에 제 2 금속 산화물층(130)을 형성한다. 제 2 금속 산화물층(130)은 상술한 제 1 금속 산화물층(121)의 형성 방법과 동일하므로, 그 설명을 생략하기로 한다.
이어서, 제 2 금속 산화물층(130) 상에 전도성 고분자 필름층(140)을 형성한다.
전도성 고분자 필름층(140)은 예를 들어 폴리에틸렌텔레프탈레이트(PET) 또 는 폴리카보네이트(PC) 필름과 같은 지지체의 일면에 금속층(122)의 기능을 보조하기 위한 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리(3-알킬티오펜), 폴리이소-티아나프텐, 폴리(p-페틸렌비닐렌, 폴리(p-페닐렌) 및 이의 유도체중에서 적어도 하나 선택된 고분자 매트릭스에 탄소 나노 튜브 또는/및 금속 분말이 분산되어 있는 전도성 고분자층을 포함하고, 지지체의 타면에 전도성 고분자 필름층(140)을 고정하기 위한 점착제층, 예를 들어 감압성 점착제(PSA)층을 포함하는 형태를 갖는다. 이러한 전도성 고분자 필름층(140)의 점착제층을 통해 제 2 금속 산화물층(130) 상에 전도성 고분자 필름층(140)을 고정한다.
이러한 전도성 고분자 필름층(140)에 포함되는 전도성 고분자층을 제조하기 위하여, 상기한 바와 같은 고분자를 유기 용매에 용해시켜 형성된 고분자 용액에 금속 분말 또는 탄소 나노 튜브를 분산시킨 분산액을 준비하고, 이를 폴리에틸렌텔레프탈레이트(PET) 또는 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC) 등과 같은 지지체 위에 습식 코팅(wet coating)을 하여 전도성 고분자층 형태로 가공한다. 전도성 고분자층 가공 방법으로는 슬릿 다이(slit die), 콤마, 마이크로그라비아 등의 방법이 있으며, 이에 한정되지 않는다.
계속해서, 본 발명의 제 6 실시예에 따른 PDP 필터(60)의 제조 방법을 설명하도록 한다.
도 6을 참조하면, 먼저 기판(110) 상에 투명 적층체(120'')를 형성한다. 기판(110) 상에 투명 적층체(120'')를 형성하기 위하여 우선 제 1 금속 산화물층(121)을 형성한다. 제 1 금속 산화물층(121)은 예를 들면 산화 니오브로 이루어질 수 있다.
투명 적층체(120'') 중의 제 1 금속 산화물층(121)이 산화 니오브로 이루어진 경우를 예시하여 설명하면, 산화 니오브층의 형성은 예를 들면 전기 전도성이 우수한 산화 니오브 타겟을 사용하는 직류 스퍼터링 방법에 의해 형성하는 방법, 반응성 스퍼터링 방법, 이온 플레이팅 방법, 기상 증착 방법 또는 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition; CVD) 방법에 의해서 수행될 수 있다. 이들 중에서, 대면적에 빠른 속도로 균일한 형성을 수행할 수 있는 직류 스퍼터링 방법에 의해 산화 니오브층을 형성할 수 있다.
산화 니오브 타겟은 산화 니오브의 화학양론적인 조성에 대해 산소를 부족하게 하거나 다른 물질을 첨가하여 직류 스퍼터링에 충분히 사용할 수 있을 정도의 전기 전도성을 갖도록 만든 타겟이다. 산화 니오브 타겟을 사용하는 경우, 스퍼터링 기체로서 0.1 내지 10 부피%의 산화성 기체를 함유한 불활성 기체를 사용하는 것이 바람직하다. 스퍼터링 기체로서 이러한 범위 내의 농도로 산화성 기체를 함유한 불활성 기체를 사용하면, 산화 니오브층이 형성될 때 생기는 산화성 플라즈마에 의한 금속층의 산화를 억제하는 데 효과적이고, 낮은 방사율 및 높은 전기 전도성을 갖는 투명 적층체를 제조하는 데 효과적이다. 특히, 0.1 내지 5 부피%의 산화성 기체를 함유하는 불활성 기체를 사용하는 것이 바람직하다.
산화성 기체로서, 산소 기체가 일반적으로 사용될 수도 있고, 일산화질소, 이산화질소, 일산화탄소, 이산화탄소 또는 오존이 사용될 수도 있다.
계속해서, 제 1 금속 산화물층(121) 상에 제 1 보호층(123)을 형성한다.
제 1 보호층(123)의 형성 방법은 형성될 층의 조성에 따라 적절히 선택된 방법에 의해 수행될 수 있다. 예를 들면, 스퍼터링 방법, CVD 방법 또는 기상 증착 방법 등으로 수행될 수 있다.
제 1 보호층(123)은 인듐, 티탄, 지르코늄, 비스무스, 주석, 아연, 안티몬, 탄탈, 세륨, 네오듐, 란탄, 토륨, 마그네슘, 칼륨 등의 산화물, 이들 산화물의 혼합물 또는 황화 아연 등으로 구성될 수 있고, 예를 들면 ITO 또는 AZO로 구성될 수 있다. 제 1 보호층(123)이 AZO로 이루어진 경우를 예시하여 설명하면, 산화 아연(ZnO)에 산화 알루미늄(Al2O3)이 소량 혼입되어 있는 타겟을 사용하여 산화성 기체의 공급 없이 불활성 기체의 공급 만에 의해 스퍼터링 방법에 의하여 제 1 보호층(123)을 형성하게 된다. AZO의 경우 산화성 기체가 공급되지 않아도 제 1 보호층(123)에 투명성이 저하되는 문제가 발생하지 않으므로, O2와 같은 산화성 기체의 공급이 불필요하다. 따라서, 후술하는 금속층(122)의 형성시 산화성 기체에 의한 금속층(122)의 산화 문제가 발생하지 않게 된다.
이어서, 제 1 보호층(123) 상에 금속층(122)을 형성한다. 금속층(122)은 은 또는 은을 주성분으로 하는 합금 성분으로 형성될 수 있고, 금속층(122)의 형성 방법은 예를 들면 스퍼터링 방법, CVD 방법 또는 기상 증착 방법 등에 의해 수행될 수 있다. 막형성 속도가 빠르고 대면적에 균일한 특성을 갖는 층을 형성하기 위해, 직류 스퍼터링 방법에 의해 금속층(122)을 형성할 수 있다.
계속해서, 금속층(122) 상에 제 2 보호층(124)을 형성한다. 제 2 보호층 (124)은 ITO 또는 AZO 성분으로 형성될 수 있고, 제 2 보호층(124)의 형성 방법은 형성될 층의 조성에 따라 적절히 선택된 방법에 의해 수행될 수 있다. 예를 들면, 스퍼터링 방법, CVD 방법 또는 기상증착 방법 등으로 수행될 수 있다.
상기한 방법에 의해 상기한 바와 동일한 순서로 금속 산화물층(121), 제 1 보호층, 금속층(122) 및 제 2 보호층(124)으로 이루어진 투명 적층체(120'')를 2회 반복하여 적층한다.
계속해서, 투명 적층체(120'') 상에 제 2 금속 산화물층(130)을 형성한다. 제 2 금속 산화물층(130)은 상술한 제 1 금속 산화물층(121)의 형성 방법과 동일하므로, 그 설명을 생략하기로 한다.
이어서, 제 2 금속 산화물층(130) 상에 전도성 고분자 필름층(140)을 형성한다.
전도성 고분자 필름층(140)의 형성 방법은 제 2 실시예에 따른 PDP 필터(20) 제조 방법에서와 동일하므로 그 설명을 생략하기로 한다.
계속해서 본 발명의 실시예들에 따른 PDP 필터를 포함하는 PDP 장치에 대하여 설명하기로 한다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 장치를 나타내는 분해사시도이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 PDP 장치(500)의 구조는 도 5에 도시된 바와 같이, 케이스(510), 케이스(510)의 상부를 덮는 커버(540), 케이스(510) 내에 수용되는 구동 회로 기판(520), 가스방전현상이 일어나는 방전셀을 포함하는 패널 어셈블리(Panel assembly)(530) 및 본 발명의 실시예들에 따른 PDP 필터(100, 100', 100'' 또는 100''')로 구성된다.
PDP 필터(10, 20, 30, 40, 50, 60)는 전도성이 우수한 재료로 형성된 금속층과 전도성 고분자 필름층을 포함하고 있으며, 이 금속층과 전도성 고분자 필름층은 커버(540)를 통하여 케이스(510)로 접지된다. 즉, 패널 어셈블리(530)로부터 발생된 전자파가 사용자에게 도달하기 전에, 이를 PDP 필터(10, 20, 30, 40, 50, 60)의 전도층을 통해서 커버(540)와 케이스(510)로 접지시키는 것이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 PDP 장치를 나타낸 사시도이다.
도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 의한 PDP 장치(500)는 PDP 필터(10, 20, 30, 40, 50, 60)와 패널 어셈블리(530)를 포함한다. PDP 필터(10, 20, 30, 40, 50, 60)는 상술한 바와 같이 기판 상에 제 1 금속 산화물층과 금속층, 제 1 금속 산화물층, 제 1 보호층과 금속층, 또는 제 1 금속 산화물층, 제 1 보호층, 금속층과 제 2 보호층을 포함하는 투명 적층체를 2회 이하로 적층하고, 이러한 투명 적층체 상에 형성되어 있는 제 2 금속 산화물층과 전도성 고분자 필름층을 포함한다. 이러한 PDP 필터(10, 20, 30, 40, 50, 60)에는 네온광 차폐층, 근적외선 차폐층 및 반사 방지층, 또는 네온광 차폐 기능, 근적외선 차폐 기능 및/또는 반사 방지 기능의 조합 기능을 가진 층을 더 부착할 수 있다.
이하 패널 어셈블리(530)에 대해 자세히 설명한다.
도 8에 도시된 바와 같이, 전면기판 (611)의 표면 상에는 복수의 유지 전극(Sustain electrode)(612)이 스트라이프 형상으로 배치되어 있다. 각 유지 전극(612)에는 신호 지연을 줄이기 위해 버스 전극(613)이 형성되어 있다. 유지 전극 (612)이 배치된 면의 위에는 전체를 덮도록 유전체층(614)이 형성되어 있다. 또, 유전체층(614)의 면 상에는 유전체 보호막(615)이 형성되어 있다. 예를 들면, 유전체 보호막(615)은 스퍼터링법 등을 이용하여 유전체층(614)의 표면 상을 MgO의 박막으로 덮음으로써 형성할 수 있다.
한편, 배면 기판(621)의 상기 전면 기판(611)과 대향하는 면에는 다수의 어드레스 전극(622)이 스트라이프 형상으로 배치되어 있다. 어드레스 전극(622)의 배치 방향은 전면 기판(611)과 배면 기판(621)을 대향 배치할 때에 유지 전극(612)과 교차하는 방향이다. 어드레스 전극(622)이 배치된 면의 위에는 전체를 덮도록 유전체층(623)이 형성되어 있다. 또, 유전체층(623)의 면 상에는 어드레스 전극(622)과 평행하면서 전면 기판(611) 쪽으로 향한 다수의 격벽(624)이 돌출 설치되어 있다. 격벽(624)은 이웃하는 어드레스 전극(622)과 어드레스 전극(622)과의 사이의 영역에 배치되어 있다.
이웃하는 격벽(624)과 격벽(624) 및 유전체층(623)으로 형성되는 홈 부분의 측면에는 형광체층(625)이 배치되어 있다. 형광체층(625)은 격벽(624)으로 구획되는 홈 부분마다 적색 형광체층(625R), 녹색 형광체층(625G), 청색 형광체층(625B)이 배치되어 있다. 이들 형광체층(625)은 스크린 인쇄법, 잉크젯법 또는 포토레지스트 필름층법 등의 후막 형성법을 이용하여 형성된 형광체 입자군으로 이루어지는 층이다. 이러한 형광체층(625)의 재질로는, 예를 들면 적색 형광체로서 (Y, Gd)BO3 : Eu, 녹색 형광체로서 Zn2SiO4 : Mn, 청색 형광체로서 BaMgAl10O17 : Eu를 사용할 수 있다.
이러한 구조를 갖는 전면 기판(611)과 배면 기판(621)을 대향 배치했을 때에 상기 홈 부분과 유전체 보호막(615)으로 형성되는 방전셀(626)에는 방전 가스가 봉입되어 있다. 즉, 방전셀(626)은 패널 어셈블리(530)에서는 전면 기판(611)과 배면 기판(621) 사이에서의 유지 전극(612)과 어드레스 전극(622)이 교차하는 각각의 부분에 형성된다. 방전 가스로는 예를 들면, Ne-Xe계 가스, He-Xe계 가스 등을 사용할 수 있다.
이상의 구조를 갖는 패널 어셈블리(530)는 기본적으로 형광등과 같은 발광 원리를 갖고, 방전셀(626)의 내부에서의 방전에 따라 방전 가스로부터 방출된 자외선이 형광체층(625)을 여기 발광시켜 가시광으로 변환된다.
다만, 패널 어셈블리(530)에 이용하는 각 색의 형광체층(625R, 625G, 625B)에는 각각 다른 가시광으로의 변환 효율을 갖는 형광체 재료가 사용되고 있다. 그 때문에, 패널 어셈블리(530)에서 화상을 표시할 때는 일반적으로 각 형광체층(625R, 625G, 625B)의 휘도를 조정함으로써, 색 밸런스의 조정이 이루어지고 있다. 구체적으로는, 휘도가 가장 낮은 색의 형광체층을 기준으로 하여, 다른 형광체층의 휘도를 색마다 지정된 비율로 저하시키고 있다.
이러한 패널 어셈블리(530)의 구동은 크게 어드레스 방전을 위한 구동과 유지 방전을 위한 구동으로 나뉜다. 어드레스 방전은 어드레스 전극(622)과 하나의 유지 전극(612) 사이에서 일어나며, 이 때 벽전하(wall charge)가 형성된다. 유지 방전은 벽전하가 형성된 방전셀(626)에 위치하는 두개의 유지 전극들(612) 사이의 전위차에 의해서 일어난다. 이 유지 방전시에 방전 가스로부터 발생되는 자외선에 의해 해당 방전셀(626)의 형광체층(625)이 여기 되어 가시광이 발산되며, 이 가시광이 전면 기판(611)을 통해 출사되면서 사용자가 인식할 수 있는 화상을 형성하게 된다.
이하, 실험예들 및 비교 실험예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 하기 실험예들은 본 발명을 예시하기 위한 것으로서 본 발명이 하기 실험예들에 의하여 한정되는 것은 아님이 이해되어야 한다.
실험예 1
투명 기판의 일면에 직류 스퍼터링 방법에 의해 산화 니오브층, AZO층, 은 박막층, AZO층의 순서로 적층하여 투명 적층체를 형성하고, 이러한 투명 적층체 상에 산화 니오브층을 적층한 후 전도성 고분자 필름층을 일면에 형성하고, 타면에 네온광 차폐층 및 근적외선 차폐층을 형성하여 PDP 필터를 제조하였다.
AZO막의 성막에는 산화 아연(ZnO)에 산화 알루미늄(Al2O3)이 소량 혼입되어 있는 타겟을 사용하여 스퍼터 가스로는 아르곤 가스를 사용하였다. 은박막의 성막에는 타겟으로서 은을 사용하고 스퍼터 가스에는 아르곤 가스를 사용했다.
실험예 2
투명 적층체를 2회 연속하여 적층한다는 것을 제외하고는 실험예 1과 동일하게 PDP 필터를 제조하였다.
비교 실험예 1
전도성 고분자 필름층이 없다는 점을 제외하고는 실험예 2와 동일하게 PDP 필터를 제조하였다. 즉, 투명 기판의 일면에 직류 스퍼터링 방법에 의해 산화 니오브층, AZO층, 은 박막층, AZO층의 순서로 적층하여 투명 적층체를 형성하고, 이러한 투명 적층체를 연속해서 2회 반복하여 적층한 후, 이러한 적층체 상에 산화 니오브층을 적층하고, 타면에 네온광 차폐층 및 근적외선 차폐층을 형성하여 PDP 필터를 제조하였다.
AZO막의 성막에는 산화 아연(ZnO)에 산화 알루미늄(Al2O3)이 소량 혼입되어 있는 타겟을 사용하여 스퍼터 가스로는 아르곤 가스를 사용하였다. 또한, 은박막의 성막에는 타겟으로서 은을 사용하고 스퍼터 가스에는 아르곤 가스를 사용했다.
비교 실험예 2
투명 적층체를 3회 연속해서 적층하였다는 점과, 근적외선 차폐층이 없다는 점을 제외하고는 비교 실험예 1과 동일하게 제조하였다.
상기한 바와 같이 제조된 실험예 1 및 2와 비교 실험예 1 및 2의 PDP 필터에 대해서 전자파 차폐율 및 근적외선 평균 투과율을 하기의 방법으로 평가하였다. 실험예 1 및 2와 비교 실험예 1 및 2의 가시광 투과율은 D65 표준 광원의 380 내지 780㎚ 사이의 파장 범위에서 평균 시감 투과율이 50%가 되도록 조절하였다.
1) 전자파 차폐율은 실험예들 및 비교실험예들의 PDP 필터를 패널 어셈블리에 장착한 상태에서 전자파 측정설비 표준인 "ANSI C63.4 1992"를 충족하는 쉴드룸에서 Class B 규정에 따라 측정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 표시한다.
2) 근적외선 투과율은 850 및 950㎚에서 각각 측정하였다. 그 결과를 표 1에 표시한다.
Figure 112005029777089-PAT00001
상기 표 1에 기재되어 있는 바와 같이, 실시예 1 및 2의 전자파 차폐율 각각 15㎶/m로, 비교 실험예 2와 동일한 전자파 차폐율을 갖고, 비교 실험예 1에 비해서는 좀더 우수한 전자파 차폐율을 갖는다. 또한, 실험예 1 및 2의 근적외선 투과율도 정도 차이는 있지만, 모두 PDP 필터의 근적외선 차폐에 대한 표준 스펙에서 허용되는 범위의 값을 갖는다. 즉, 본 발명의 실시예들에 따라 제조된 실험예 1 및 실험예 2의 PDP 필터는 종래 전자파 차폐율 및 근적외선 차폐율 등을 높이기 위해 복잡할 뿐만 아니라, 원가 상승 요인이 되었던 다층 증착 공정을 사용하여 소정 두께 이상의 금속층을 형성하는 공정 없이, 전도성 고분자 필름을 사용함으로써 충분한 전자파 차폐 및 근적외선 차폐의 효과를 얻을 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 전도성 고분자 필름층을 포함하는 PDP 필터에 의하면 전자파 차폐 효율도 높고 가시광선 투과율도 좋을 뿐만 아니라 제조도 비교적 용이한 PDP 장치를 제조할 수 있게 된다.

Claims (19)

  1. 기판; 및
    상기 기판의 일면에 전도성 고분자 필름층을 포함하는 PDP 필터.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전도성 고분자 필름층은 지지체의 일면에 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리(3-알킬티오펜), 폴리이소-티아나프텐, 폴리(p-페틸렌비닐렌), 폴리(p-페닐렌) 및 이의 유도체들 중에서 적어도 하나 선택된 고분자 매트릭스에 탄소 나노 튜브 또는/및 금속 분말이 분산되어 있는 전도성 고분자층 및 상기 지지체의 타면에 형성되어 있는 점착제층을 포함하는 PDP 필터.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판과 상기 고분자 필름층 사이에 제 1 금속 산화물층과 금속층을 포함하는 투명 적층체를 더 포함하는 PDP 필터.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 투명 적층체는 적어도 1회 적층되는 PDP 필터.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 투명 적층체는 상기 금속층의 양면 중 적어도 일면에 보호층을 더 포함하는 PDP 필터.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 고분자 필름층과 상기 투명 적층체 사이에 제 2 금속 산화물층을 더 포함하는 PDP 필터.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판의 일면 또는 타면에 근적외선 차폐층, 네온광 차폐층 및 반사 방지층, 또는 네온광 차폐 기능, 근적외선 차폐 기능 및/또는 반사 방지 기능의 조합 기능을 가진 층을 더 포함하는 PDP 필터.
  8. 기판;
    상기 기판의 일면에 제 1 금속 산화물층과 금속층을 포함하는 투명 적층체;
    상기 투명 적층체 상에 형성된 제 2 금속 산화물층; 및
    상기 제 2 금속 산화물층 상에 형성된 전도성 고분자 필름층을 포함하는 PDP 필터.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 전도성 고분자 필름층은 지지체의 일면에 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리(3-알킬티오펜), 폴리이소-티아나프텐, 폴리(p-페틸렌비닐렌), 폴리(p-페닐렌) 및 이의 유도체들 중에서 적어도 하나 선택된 고분자 매트릭스에 탄소 나노 튜브 또는/및 금속 분말이 분산되어 있는 전도성 고분자층 및 상기 지지체의 타면에 형성되어 있는 점착제층을 포함하는 PDP 필터.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 금속 산화물층은 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물 또는 산화 알루미늄과 산화 아연의 혼합물인 PDP 필터.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 투명 적층체는 2회 이하로 적층되는 PDP 필터.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 기판의 일면 또는 타면에 근적외선 차폐층, 네온광 차폐층 및 반사 방지층, 또는 네온광 차폐 기능, 근적외선 차폐 기능 및/또는 반사 방지 기능의 조합 기능을 가진 층을 더 포함하는 PDP 필터.
  13. 기판;
    상기 기판의 일면에 제 1 금속 산화물층과 금속층을 포함하고, 상기 금속층의 양면 중 적어도 일면에 보호층을 포함하는 투명 적층체;
    상기 투명 적층체 상에 형성된 제 2 금속 산화물층; 및
    상기 제 2 금속 산화물층 상에 형성된 전도성 고분자 필름층을 포함하는 PDP 필터.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 전도성 고분자 필름층은 지지체의 일면에 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 폴리(3-알킬티오펜), 폴리이소-티아나프텐, 폴리(p-페틸렌비닐렌), 폴리(p-페닐렌) 및 이의 유도체들 중에서 적어도 하나 선택된 고분자 매트릭스에 탄소 나노 튜브 또는/및 금속 분말이 분산되어 있는 전도성 고분자층 및 상기 지지체의 타면에 형성되어 있는 점착제층을 포함하는 PDP 필터.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 1 금속 산화물층은 산화 니오브인 PDP 필터.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 보호층은 산화 인듐과 산화 주석의 혼합물 또는 산화 알루미늄과 산화 아연의 혼합물인 PDP 필터.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 투명 적층체는 2회 이하로 적층되는 PDP 필터.
  18. 제 13 항에 있어서,
    상기 기판의 일면 또는 타면에 근적외선 차폐층, 네온광 차폐층 및 반사 방지층, 또는 네온광 차폐 기능, 근적외선 차폐 기능 및/또는 반사 방지 기능의 조합 기능을 가진 층을 더 포함하는 PDP 필터.
  19. 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 하나의 항에 따른 PDP 필터를 포함하는 PDP 장치.
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