JP4214140B2 - 電磁波遮蔽フィルム及びその製造方法 - Google Patents
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Description
この特許文献1に開示されている電磁波遮蔽板の場合も、ユーザの視聴面のみが黒化処理された電磁波遮蔽板の構造を有する。したがって、図1Aないし図1Cで説明した従来の技術と同様に、パネルアセンブリから発生した光が電磁波遮蔽板により反射されて、再びパネルアセンブリに入射して、PDP装置の輝度の性能が低下する問題点を有している。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、このような電磁波遮蔽フィルムを用いたPDPフィルタを提供することである。
本発明が解決しようとするさらに他の技術的課題は、このような電磁波遮蔽フィルムの製造方法を提供することである。
前記さらに他の技術的課題を達成するためのPDP装置はこのようなPDPフィルタを含む。
その他の実施形態の具体的な事項は詳細な説明及び図面に含まれている。
なお、明細書全体に亙って同一な符号は同一な構成要素を示す。
図2は、本実施形態によるPDP装置を示す分解斜視図である。本実施形態によるPDP装置160の構造は、図2に示したように、ケース110と、ケース110の上部を覆うカバー150と、ケース110内に収容される駆動回路基板120、ガス放電現象が起こる放電セルを含むパネルアセンブリ130及びPDPフィルタ140で構成される。PDPフィルタ140は、透明基板260(図10参照)上に導電性に優れた材料で形成された導電層が備えられ、この導電層は、カバー150を通じてケース110に接地される。すなわち、パネルアセンブリ130から発生した電磁波がユーザに到達する前に、それをPDPフィルタ140の導電層を通じてカバー150とケース110とに接地させる。
図3ないし図11Bは、本実施形態による電磁波遮蔽フィルムの製造過程を順次に表した断面図である。
ここで、導電基板200は、後続する電解メッキ工程で電流が流れる電極の役割を担う。例えば、導電基板200としては、ステンレス(SUS304あるいはSUS430)基板、ニッケル基板または銅基板を使用することができる。導電基板200は、シート形態やPDPフィルタ140の製造工程の連続性を考慮してフープ形態として使用できる。
ここで、非導電膜210としては、後続する電磁波遮蔽膜パターン250を形成するための電解メッキ工程(図5ないし図8を参照)で導電基板200に流れる電流を妨害して導電基板200上へのメッキを防止する役割を果たせる絶縁物質であれば、その適用が可能である。非導電膜210と導電基板200との接着力及び非導電膜210に対するパターニングの便利性などを考慮して、非導電膜210としては、フォトレジストなどを使用することが望ましい。非導電膜210は、無電解メッキ法(Electroless plating)、スパッタリング法、真空蒸着法、スピンコーティング法、ロールコーティング法、スリットダイ法(Slit−die or slot die)などで形成できる。本実施形態において非導電膜210としてフォトレジストを使用する場合、非導電膜210は、スピンコーティング法、ロールコーティング法、スリットダイ法により形成でき、基板の大型化を勘案すれば、ロールコーティング法やスリットダイ法を使用することがさらに望ましい。ここで、スリットダイ法はダイの終端と導電基板200とのギャップを一定の間隔に保持した状態で塗布ダイが定速に走行しつつ、供給された塗布液を、スリットダイを用いて基板上に一定量を均一に塗布する方式である。
図4Bは、本実施形態による非導電膜パターンを示す斜視図である。図4Bの非導電膜パターン212は、メッシュタイプの電磁波遮蔽膜パターン250を形成するための形状である。非導電膜パターン212は、電磁波遮蔽膜パターン250を形成するための電解メッキ工程(図5ないし図8参照)で電磁波遮蔽膜パターン250を形成するためのモールドとして使われる。したがって、非導電膜パターン212の形状は、電磁波遮蔽膜パターン250の形状によって変わる。例えば、メッシュタイプ、ラインタイプなどの電磁波遮蔽膜パターン250の形状によって非導電膜パターン212の形状も変化する。
透明基板260の一面には、粘着剤270が形成されていて、このような粘着剤270が形成された透明基板260を用いて黒色導電膜パターン230が形成された電磁波遮蔽膜パターン250を導電基板200から分離する。したがって、導電基板200上に形成された電磁波遮蔽膜パターン250は透明基板260に転写されて接合するようになる。電解メッキ法により導電基板200上に形成された電磁波遮蔽膜パターン250と導電基板200との結合力が、透明基板260に形成された粘着剤270との結合力より一般的に小さいために、黒色導電膜パターン230が形成された電磁波遮蔽膜パターン250を導電基板200から容易に分離できる。
ここで、PDPフィルタ140は電磁波遮蔽フィルム300、色補正膜、近赤外線遮蔽膜及び反射防止膜が順序に関係なく積層されて形成される。以下、本実施形態では、ネオン光遮蔽機能、近赤外線遮蔽機能、反射防止機能に対応する層を各々別個のものとして分離して説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、各機能を組合せた1つまたはそれ以上の層より構成される。
120 駆動回路基板
130 パネルアセンブリ
140 PDPフィルタ
150 カバー
160 PDP装置
200 導電基板
210 非導電膜
212 非導電膜パターン
220 第1シード層
230 黒色導電膜パターン
240 第2シード層
250 電磁波遮蔽膜パターン
260 透明基板
270 粘着剤
300 電磁波遮蔽フィルム
Claims (12)
- 透明基板と、
前記透明基板上に形成され、前記透明基板に対向する面が黒化処理された電磁波遮蔽膜パターンと、
前記電磁波遮蔽膜パターン上に形成された黒色導電膜パターンと、
を備え、
前記黒色導電膜パターン上に形成された第1シード層と、
前記電磁波遮蔽膜パターンと前記黒色導電膜パターンとの間に形成された第2シード層と、
をさらに備えることを特徴とする電磁波遮蔽フィルム。 - 前記黒色導電膜パターンは、黒色ニッケルを含むことを特徴とする請求項1に記載の電磁波遮蔽フィルム。
- 前記電磁波遮蔽膜パターンは、銅を含むことを特徴とする請求項1に記載の電磁波遮蔽フィルム。
- 前記第1シード層及び前記第2シード層は、ニッケルよりなることを特徴とする請求項1に記載の電磁波遮蔽フィルム。
- 前記電磁波遮蔽膜パターンは、前記透明基板に対向する面と側壁とが黒化処理されたことを特徴とする請求項1に記載の電磁波遮蔽フィルム。
- 請求項1ないし請求項5のうち何れか1項に記載の電磁波遮蔽フィルムを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルフィルタ。
- 請求項6に記載のプラズマディスプレイパネルフィルタを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル装置。
- (a)導電基板上に非導電膜を形成する段階と、
(b)前記非導電膜をパターニングして非導電膜パターンを形成する段階と、
(c)前記非導電膜パターンにより露出された導電基板上に黒色導電膜パターンを形成する段階と、
(d)前記黒色導電膜パターン上に電磁波遮蔽膜パターンを形成する段階と、
(e)前記電磁波遮蔽膜パターンを酸化して黒化処理する段階と、
(f)一面に粘着剤が形成された透明基板を用いて前記黒色導電膜パターン及び前記電磁波遮蔽膜パターンを前記導電基板から分離する段階と、
を含み、
前記(c)段階の前に前記非導電膜パターンにより露出された前記導電基板上に第1シード層を形成する段階と、
前記(d)段階の前に前記黒化された導電膜パターン上に第2シード層を形成する段階と、
をさらに含み、
前記(c)段階は、前記第1シード層上に黒色導電膜パターンを形成する段階であり、前記(d)段階は、前記第2シード層上に電磁波遮蔽膜パターンを形成する段階であることを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。 - 前記(c)段階は、黒色ニッケル電解メッキ法で前記黒色導電膜パターンを形成する段階であることを特徴とする請求項8に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
- 前記黒色ニッケル電解メッキ法は、硫酸ニッケル、硫酸ニッケルアンモニウム、硫酸亜鉛及びチオシアン酸ナトリウムを含む混合液をメッキ液として使用することを特徴とする請求項9に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
- 前記第1シード層及び前記第2シード層は、ニッケル電解メッキ法で形成することを特徴とする請求項8に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
- 前記(d)段階の後、前記非導電膜パターンを除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
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