JP2019046980A - 電磁波シールドフィルム及びその製造方法、並びに電磁波シールドフィルム付きプリント配線板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】絶縁樹脂層と導電層との接着力を十分に高くでき、且つ、誘電率が低い電磁波シールドフィルムを提供する。【解決手段】本発明の電磁波シールドフィルム１は、絶縁樹脂層１０と、絶縁樹脂層１０に隣接する導電層２０とを有し、絶縁樹脂層１０が芳香族ポリエーテルケトンを含有する発泡層であり、導電層２０が、少なくとも、金属を含む導電性接着剤層を有する。前記芳香族ポリエーテルケトンはポリエーテルエーテルケトン及びポリエーテルケトンケトンの少なくとも一方であってもよい。【選択図】図１
Description
本発明は、電磁波シールドフィルム及びその製造方法、並びに電磁波シールドフィルム付きプリント配線板及びその製造方法に関する。
外部からの電磁波ノイズを遮蔽し、また、プリント配線板から発生する電磁波ノイズの漏洩を防ぐために、絶縁樹脂層と導電層とを有する電磁波シールドフィルムを、絶縁フィルム（カバーレイフィルム）を介してプリント配線板の表面に設けることがある（例えば、特許文献１参照）。
電磁波シールドフィルムは、例えば、キャリアフィルムの片面に、熱硬化性樹脂と硬化剤と溶剤とを含む塗料を塗布し、乾燥させて絶縁樹脂層を形成し、絶縁樹脂層の表面に導電層を設けることによって製造される。導電層としては、電磁波を遮蔽するための金属薄膜層及び導電性接着剤層の少なくとも一方とを備えるものが使用されることがある。
電磁波シールドフィルムは、例えば、キャリアフィルムの片面に、熱硬化性樹脂と硬化剤と溶剤とを含む塗料を塗布し、乾燥させて絶縁樹脂層を形成し、絶縁樹脂層の表面に導電層を設けることによって製造される。導電層としては、電磁波を遮蔽するための金属薄膜層及び導電性接着剤層の少なくとも一方とを備えるものが使用されることがある。
熱硬化性樹脂から形成する従来の絶縁樹脂層においては、金属を含む導電層に対する接着性が低かった。とりわけ、導電層が金属薄膜層を有し、金属薄膜層と絶縁樹脂層とが接する場合には、接着性が特に低かった。そのため、従来の電磁波シールドフィルムにおいては、絶縁樹脂層と導電層との接着力が弱く、電磁波シールドフィルムを取り扱っている最中に層間剥離することがあった。例えば、キャリアフィルムを絶縁樹脂層から剥離した際に、キャリアフィルムと共に絶縁樹脂層が導電層から剥離してしまうことがあった。
ところで、プリント配線板においては、回路の信号伝播速度が速いものがよい。プリント配線板の信号伝播速度は、ｋ×Ｃ×εｒ １／２の式で求められる（ｋ：定数、Ｃ：真空中の光速［ｍ／ｓ］、εｒ：プリント配線板の比誘電率）。したがって、信号伝播速度を速くするためには、プリント配線板の誘電率を低くすればよい。
プリント配線板と同様の理由から、プリント配線板に設けられる電磁波シールドフィルムについても誘電率が低いものがよい。
しかし、これまでに、導電層と絶縁樹脂層との接着力を十分に高くできると共に誘電率が低い電磁波シールドフィルムは知られていなかった。
プリント配線板と同様の理由から、プリント配線板に設けられる電磁波シールドフィルムについても誘電率が低いものがよい。
しかし、これまでに、導電層と絶縁樹脂層との接着力を十分に高くできると共に誘電率が低い電磁波シールドフィルムは知られていなかった。
本発明は、金属を含む導電層と絶縁樹脂層との接着力を十分に高くでき、また、誘電率が低い電磁波シールドフィルム及びその製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、金属を含む導電層と絶縁樹脂層との接着力が十分に高く、また、信号伝播速度を速くできる電磁波シールドフィルム付きプリント配線板及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、以下の態様を包含する。
［１］絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に隣接する導電層とを有し、前記絶縁樹脂層が芳香族ポリエーテルケトンを含有する発泡層であり、前記導電層が、金属を含む導電性接着剤層を少なくとも有する、電磁波シールドフィルム。
［２］前記芳香族ポリエーテルケトンがポリエーテルエーテルケトン及びポリエーテルケトンケトンの少なくとも一方である、［１］に記載の電磁波シールドフィルム。
［３］前記導電層が、前記絶縁樹脂層側に設けられた金属薄膜層と、前記金属薄膜層の前記絶縁樹脂層とは反対側に設けられた導電性接着剤層とを有する、［１］又は［２］に記載の電磁波シールドフィルム。
［４］前記金属薄膜層が金属蒸着層である、［３］に記載の電磁波シールドフィルム。
［５］前記金属蒸着層が銀蒸着層又は銅蒸着層である、［４］に記載の電磁波シールドフィルム。
［６］前記導電層が、前記金属薄膜層の前記絶縁樹脂層側の面に黒化層をさらに有する、［３］〜［５］のいずれか一に記載の電磁波シールドフィルム。
［７］前記絶縁樹脂層の前記導電層とは反対側の面に、キャリアフィルムをさらに有する、［１］〜［６］のいずれか一に記載の電磁波シールドフィルム。
［８］基板の少なくとも片面にプリント回路が設けられたプリント配線板と、前記プリント配線板の前記プリント回路が設けられた側の面に隣接する絶縁フィルムと、前記導電性接着剤層が前記絶縁フィルムに隣接するように設けられた［１］〜［７］のいずれか一に記載の電磁波シールドフィルムと、を有する、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板。
［１］絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に隣接する導電層とを有し、前記絶縁樹脂層が芳香族ポリエーテルケトンを含有する発泡層であり、前記導電層が、金属を含む導電性接着剤層を少なくとも有する、電磁波シールドフィルム。
［２］前記芳香族ポリエーテルケトンがポリエーテルエーテルケトン及びポリエーテルケトンケトンの少なくとも一方である、［１］に記載の電磁波シールドフィルム。
［３］前記導電層が、前記絶縁樹脂層側に設けられた金属薄膜層と、前記金属薄膜層の前記絶縁樹脂層とは反対側に設けられた導電性接着剤層とを有する、［１］又は［２］に記載の電磁波シールドフィルム。
［４］前記金属薄膜層が金属蒸着層である、［３］に記載の電磁波シールドフィルム。
［５］前記金属蒸着層が銀蒸着層又は銅蒸着層である、［４］に記載の電磁波シールドフィルム。
［６］前記導電層が、前記金属薄膜層の前記絶縁樹脂層側の面に黒化層をさらに有する、［３］〜［５］のいずれか一に記載の電磁波シールドフィルム。
［７］前記絶縁樹脂層の前記導電層とは反対側の面に、キャリアフィルムをさらに有する、［１］〜［６］のいずれか一に記載の電磁波シールドフィルム。
［８］基板の少なくとも片面にプリント回路が設けられたプリント配線板と、前記プリント配線板の前記プリント回路が設けられた側の面に隣接する絶縁フィルムと、前記導電性接着剤層が前記絶縁フィルムに隣接するように設けられた［１］〜［７］のいずれか一に記載の電磁波シールドフィルムと、を有する、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板。
［９］フィルム状に成形され且つ発泡された芳香族ポリエーテルケトンからなる絶縁樹脂層を形成する工程と、前記絶縁樹脂層の一方の面側に、金属を含む導電性接着剤層を少なくとも有する導電層を形成する工程と、を有する、電磁波シールドフィルムの製造方法。
［１０］基板の少なくとも片面にプリント回路が設けられたプリント配線板と、［１］〜［７］のいずれか一に記載の電磁波シールドフィルムとを、絶縁フィルムを介して圧着する工程を有し、圧着する際には、前記絶縁フィルムを、前記プリント配線板の前記プリント回路が設けられた側の面に密着させると共に、前記電磁波シールドフィルムの前記導電性接着剤層に密着させる、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の製造方法。
［１０］基板の少なくとも片面にプリント回路が設けられたプリント配線板と、［１］〜［７］のいずれか一に記載の電磁波シールドフィルムとを、絶縁フィルムを介して圧着する工程を有し、圧着する際には、前記絶縁フィルムを、前記プリント配線板の前記プリント回路が設けられた側の面に密着させると共に、前記電磁波シールドフィルムの前記導電性接着剤層に密着させる、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の製造方法。
本発明の電磁波シールドフィルムは、金属を含む導電層と絶縁樹脂層との接着力を十分に高くでき、また、誘電率が低い。
本発明の電磁波シールドフィルムの製造方法によれば、上記の電磁波シールドフィルムを容易に製造できる。
本発明の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板は、金属を含む導電層と絶縁樹脂層との接着力が十分に高く、また、信号伝播速度を速くできる。
本発明の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の製造方法によれば、上記の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板を容易に製造できる。
本発明の電磁波シールドフィルムの製造方法によれば、上記の電磁波シールドフィルムを容易に製造できる。
本発明の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板は、金属を含む導電層と絶縁樹脂層との接着力が十分に高く、また、信号伝播速度を速くできる。
本発明の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の製造方法によれば、上記の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板を容易に製造できる。
以下の用語の定義は、本明細書及び特許請求の範囲にわたって適用される。
「等方導電性接着剤層」とは、厚さ方向及び面方向に導電性を有する導電性接着剤層を意味する。
「異方導電性接着剤層」とは、厚さ方向に導電性を有し、面方向に導電性を有しない導電性接着剤層を意味する。
「面方向に導電性を有しない導電性接着剤層」とは、表面抵抗が１×１０４Ω以上である導電性接着剤層を意味する。
粒子の平均粒子径は、粒子の顕微鏡像から３０個の粒子を無作為に選び、それぞれの粒子について、最小径及び最大径を測定し、最小径と最大径との中央値を一粒子の粒子径とし、測定した３０個の粒子の粒子径を算術平均して得た値である。導電性粒子の平均粒子径も同様である。
フィルム（離型フィルム、絶縁フィルム等）、塗膜（導電性接着剤層等）、金属薄膜層等の厚さは、顕微鏡を用いて測定対象の断面を観察し、５箇所の厚さを測定し、平均した値である。
貯蔵弾性率は、測定対象に与えた応力と検出した歪から算出され、温度又は時間の関数として出力する動的粘弾性測定装置を用いて、粘弾性特性の一つとして測定される。
導電性粒子の１０％圧縮強度は、微小圧縮試験機を用いた測定結果から、下記式（α）によって求める。
Ｃ（ｘ）＝２．４８Ｐ／πｄ２ （α）
ただし、Ｃ（ｘ）は１０％圧縮強度（ＭＰａ）であり、Ｐは粒子径の１０％変位時の試験力（Ｎ）であり、ｄは粒子径（ｍｍ）である。
表面抵抗は、石英ガラス上に金を蒸着して形成した、２本の薄膜金属電極（長さ１０ｍｍ、幅５ｍｍ、電極間距離１０ｍｍ）を用い、この電極上に被測定物を置き、被測定物上から、被測定物の１０ｍｍ×２０ｍｍの領域を０．０４９Ｎの荷重で押し付け、１ｍＡ以下の測定電流で測定される電極間の抵抗である。
図１〜図５における寸法比は、説明の便宜上、実際のものとは異なったものである。
「等方導電性接着剤層」とは、厚さ方向及び面方向に導電性を有する導電性接着剤層を意味する。
「異方導電性接着剤層」とは、厚さ方向に導電性を有し、面方向に導電性を有しない導電性接着剤層を意味する。
「面方向に導電性を有しない導電性接着剤層」とは、表面抵抗が１×１０４Ω以上である導電性接着剤層を意味する。
粒子の平均粒子径は、粒子の顕微鏡像から３０個の粒子を無作為に選び、それぞれの粒子について、最小径及び最大径を測定し、最小径と最大径との中央値を一粒子の粒子径とし、測定した３０個の粒子の粒子径を算術平均して得た値である。導電性粒子の平均粒子径も同様である。
フィルム（離型フィルム、絶縁フィルム等）、塗膜（導電性接着剤層等）、金属薄膜層等の厚さは、顕微鏡を用いて測定対象の断面を観察し、５箇所の厚さを測定し、平均した値である。
貯蔵弾性率は、測定対象に与えた応力と検出した歪から算出され、温度又は時間の関数として出力する動的粘弾性測定装置を用いて、粘弾性特性の一つとして測定される。
導電性粒子の１０％圧縮強度は、微小圧縮試験機を用いた測定結果から、下記式（α）によって求める。
Ｃ（ｘ）＝２．４８Ｐ／πｄ２ （α）
ただし、Ｃ（ｘ）は１０％圧縮強度（ＭＰａ）であり、Ｐは粒子径の１０％変位時の試験力（Ｎ）であり、ｄは粒子径（ｍｍ）である。
表面抵抗は、石英ガラス上に金を蒸着して形成した、２本の薄膜金属電極（長さ１０ｍｍ、幅５ｍｍ、電極間距離１０ｍｍ）を用い、この電極上に被測定物を置き、被測定物上から、被測定物の１０ｍｍ×２０ｍｍの領域を０．０４９Ｎの荷重で押し付け、１ｍＡ以下の測定電流で測定される電極間の抵抗である。
図１〜図５における寸法比は、説明の便宜上、実際のものとは異なったものである。
＜電磁波シールドフィルム＞
本発明の第一態様は、絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に隣接する導電層とを有し、前記絶縁樹脂層が芳香族ポリエーテルケトンを含有する発泡層であり、前記導電層が、金属を含む導電性接着剤層を少なくとも有する電磁波シールドフィルムである。
本発明の第一態様は、絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に隣接する導電層とを有し、前記絶縁樹脂層が芳香族ポリエーテルケトンを含有する発泡層であり、前記導電層が、金属を含む導電性接着剤層を少なくとも有する電磁波シールドフィルムである。
図１は、第一実施形態の電磁波シールドフィルム１を示す断面図であり、図２は、第二実施形態の電磁波シールドフィルム１を示す断面図であり、図３は、第三実施形態の電磁波シールドフィルム１を示す断面図である。
第一実施形態、第二実施形態及び第三実施形態の電磁波シールドフィルム１はいずれも、絶縁樹脂層１０と、絶縁樹脂層１０に隣接する導電層２０と、絶縁樹脂層１０の導電層２０とは反対側に隣接するキャリアフィルム３０と、導電層２０の絶縁樹脂層１０とは反対側に隣接する離型フィルム４０とを有する。
第一実施形態の電磁波シールドフィルム１は、導電層２０が、絶縁樹脂層１０に隣接する金属薄膜層２２と、離型フィルム４０に隣接する異方導電性接着剤層２４とを有する。
第二実施形態の電磁波シールドフィルム１は、導電層２０が、絶縁樹脂層１０に隣接する金属薄膜層２２と、離型フィルム４０に隣接する等方導電性接着剤層２６とを有する。
第三実施形態の電磁波シールドフィルム１は、導電層２０が等方導電性接着剤層２６からなる。
第一実施形態、第二実施形態及び第三実施形態の電磁波シールドフィルム１はいずれも、絶縁樹脂層１０と、絶縁樹脂層１０に隣接する導電層２０と、絶縁樹脂層１０の導電層２０とは反対側に隣接するキャリアフィルム３０と、導電層２０の絶縁樹脂層１０とは反対側に隣接する離型フィルム４０とを有する。
第一実施形態の電磁波シールドフィルム１は、導電層２０が、絶縁樹脂層１０に隣接する金属薄膜層２２と、離型フィルム４０に隣接する異方導電性接着剤層２４とを有する。
第二実施形態の電磁波シールドフィルム１は、導電層２０が、絶縁樹脂層１０に隣接する金属薄膜層２２と、離型フィルム４０に隣接する等方導電性接着剤層２６とを有する。
第三実施形態の電磁波シールドフィルム１は、導電層２０が等方導電性接着剤層２６からなる。
（絶縁樹脂層）
絶縁樹脂層１０は、電磁波シールドフィルム１をフレキシブルプリント配線板の表面に設けられた絶縁フィルムの表面に貼着し、キャリアフィルム３０を剥離した後には、導電層２０の保護層となる。
絶縁樹脂層１０は、電磁波シールドフィルム１をフレキシブルプリント配線板の表面に設けられた絶縁フィルムの表面に貼着し、キャリアフィルム３０を剥離した後には、導電層２０の保護層となる。
絶縁樹脂層１０は、芳香族ポリエーテルケトンを含有する発泡層である。
芳香族ポリエーテルケトンは、エーテル結合を介してベンゼン環同士を結合した構造と、ケトン基を介してベンゼン環同士を結合した構造とを有するポリマーである。
芳香族ポリエーテルケトンとしては、例えば、化学式（１）で表される化学構造を有するポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、化学式（２）で表される化学構造を有するポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、化学式（３）で表される化学構造を有するポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）、化学式（４）で表される化学構造を有するポリエーテルエーテルケトンケトン（ＰＥＥＫＫ）、化学式（５）で表される化学構造を有するポリエーテルケトンエーテルケトンケトン（ＰＥＫＥＫＫ）が挙げられる。絶縁樹脂層１０に含まれる芳香族ポリエーテルケトンは１種単独でもよいし、２種以上でもよい。
また、芳香族ポリエーテルケトンは、化学式（１）〜（５）で表される化学構造を２つ以上有する共重合体であってもよい。
なお、芳香族ポリエーテルケトンの両末端は水素原子となっている。
芳香族ポリエーテルケトンは、エーテル結合を介してベンゼン環同士を結合した構造と、ケトン基を介してベンゼン環同士を結合した構造とを有するポリマーである。
芳香族ポリエーテルケトンとしては、例えば、化学式（１）で表される化学構造を有するポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、化学式（２）で表される化学構造を有するポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、化学式（３）で表される化学構造を有するポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）、化学式（４）で表される化学構造を有するポリエーテルエーテルケトンケトン（ＰＥＥＫＫ）、化学式（５）で表される化学構造を有するポリエーテルケトンエーテルケトンケトン（ＰＥＫＥＫＫ）が挙げられる。絶縁樹脂層１０に含まれる芳香族ポリエーテルケトンは１種単独でもよいし、２種以上でもよい。
また、芳香族ポリエーテルケトンは、化学式（１）〜（５）で表される化学構造を２つ以上有する共重合体であってもよい。
なお、芳香族ポリエーテルケトンの両末端は水素原子となっている。
前記芳香族ポリエーテルケトンのなかでも、発泡した絶縁樹脂層１０を形成しやすい点では、ポリエーテルエーテルケトン及びポリエーテルケトンケトンの少なくとも一方が好ましい。
ポリエーテルエーテルケトンは樹脂の中では耐熱性が高いものであるが、電磁波シールドフィルム１により高い耐熱性が求められる場合には、芳香族ポリエーテルケトンのなかでも、ポリエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、ポリエーテルケトンエーテルケトンケトンが好ましい。ポリエーテルケトンのガラス転移点（以下、「Ｔｇ」という。）は１５２℃、ポリエーテルケトンケトンのＴｇは１５４℃、ポリエーテルケトンエーテルケトンケトンのＴｇは１６２℃であり、いずれも、ポリエーテルエーテルケトンのＴｇ１４３℃以上１５１℃以下より高い。そのため、耐熱性が求められる用途に適している。樹脂のＴｇは、示差熱走査熱量測定（ＤＳＣ）又は動的粘弾性測定によって求められる。
前記耐熱性に優れる芳香族ポリエーテルケトンのうち、ポリエーテルケトンケトンは耐熱性に優れるのみならず、成形性にも優れることから、より好ましい。
ポリエーテルエーテルケトンは樹脂の中では耐熱性が高いものであるが、電磁波シールドフィルム１により高い耐熱性が求められる場合には、芳香族ポリエーテルケトンのなかでも、ポリエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、ポリエーテルケトンエーテルケトンケトンが好ましい。ポリエーテルケトンのガラス転移点（以下、「Ｔｇ」という。）は１５２℃、ポリエーテルケトンケトンのＴｇは１５４℃、ポリエーテルケトンエーテルケトンケトンのＴｇは１６２℃であり、いずれも、ポリエーテルエーテルケトンのＴｇ１４３℃以上１５１℃以下より高い。そのため、耐熱性が求められる用途に適している。樹脂のＴｇは、示差熱走査熱量測定（ＤＳＣ）又は動的粘弾性測定によって求められる。
前記耐熱性に優れる芳香族ポリエーテルケトンのうち、ポリエーテルケトンケトンは耐熱性に優れるのみならず、成形性にも優れることから、より好ましい。
前記化学式（１）〜（５）の各々のｎは、機械的特性の観点から、１０以上が好ましく、２０以上がより好ましい。一方、芳香族ポリエーテルケトンを容易に製造できる点では、ｎは５０００以下であることが好ましく、１０００以下であることがより好ましい。すなわち、ｎは１０以上５０００以下が好ましく、２０以上１０００以下がより好ましい。
芳香族ポリエーテルケトンは、本発明の効果を損なわない範囲において、エーテルサルホン等の他の共重合可能な単量体とのブロック共重合体、ランダム共重合体又は変性体であってもよい。
芳香族ポリエーテルケトンは、前記化学式（１）〜（５）のいずれかで表されるポリエーテルケトン単位の割合が、芳香族ポリエーテルケトン１００モル％に対し、５０モル％以上１００モル％以下であることが好ましく、７０モル％以上１００モル％以下であることがより好ましく、８０モル％以上１００モル％以下であることがさらに好ましく、１００モル％であることが最も好ましい。芳香族ポリエーテルケトンにおいて前記芳香族ポリエーテルケトン単位の割合が前記下限値以上であれば、絶縁樹脂層１０と導電層２０との接着力をより強くできる。
芳香族ポリエーテルケトンは、本発明の効果を損なわない範囲において、エーテルサルホン等の他の共重合可能な単量体とのブロック共重合体、ランダム共重合体又は変性体であってもよい。
芳香族ポリエーテルケトンは、前記化学式（１）〜（５）のいずれかで表されるポリエーテルケトン単位の割合が、芳香族ポリエーテルケトン１００モル％に対し、５０モル％以上１００モル％以下であることが好ましく、７０モル％以上１００モル％以下であることがより好ましく、８０モル％以上１００モル％以下であることがさらに好ましく、１００モル％であることが最も好ましい。芳香族ポリエーテルケトンにおいて前記芳香族ポリエーテルケトン単位の割合が前記下限値以上であれば、絶縁樹脂層１０と導電層２０との接着力をより強くできる。
芳香族ポリエーテルケトンの製造方法、とりわけポリエーテルエーテルケトンの製造方法としては、例えば、特開昭５０−２７８９７号公報、特開昭５１−１１９７９７号公報、特開昭５２−３８０００号公報、特開昭５４−９０２９６号公報、特公昭５５−２３５７４号公報、特公昭５６−２０９１号公報に開示されている。
ポリエーテルケトンケトンの製造方法としては、例えば米国特許第３，５１６，９６６号、米国特許第３，６３７，５９２号、米国特許第３，４４１，５３８号、特公平４−６３９００号公報、特公平６−１０２５８号公報等に開示されている。
ポリエーテルケトンケトンの製造方法としては、例えば米国特許第３，５１６，９６６号、米国特許第３，６３７，５９２号、米国特許第３，４４１，５３８号、特公平４−６３９００号公報、特公平６−１０２５８号公報等に開示されている。
絶縁樹脂層１０には、芳香族ポリエーテルケトン以外に他の樹脂が含まれてもよい。他の樹脂としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリフェニレンサルホン、ポリフェニレンサルフィド、ポリフェニレンサルフィドサルホン、ポリフェニレンサルフィドケトン等が挙げられる。
絶縁樹脂層１０に含まれる全樹脂に対する芳香族ポリエーテルケトンの含有量は５０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、７０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることがさらに好ましい。絶縁樹脂層１０に含まれる樹脂が芳香族ポリエーテルケトンのみからなってもよい。絶縁樹脂層１０に含まれる全樹脂に対する芳香族ポリエーテルケトンの含有量が前記下限値以上であれば、導電層２０に対する絶縁樹脂層１０の接着力をより強くすることができる。
絶縁樹脂層１０に含まれる全樹脂に対する芳香族ポリエーテルケトンの含有量は５０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、７０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることがさらに好ましい。絶縁樹脂層１０に含まれる樹脂が芳香族ポリエーテルケトンのみからなってもよい。絶縁樹脂層１０に含まれる全樹脂に対する芳香族ポリエーテルケトンの含有量が前記下限値以上であれば、導電層２０に対する絶縁樹脂層１０の接着力をより強くすることができる。
絶縁樹脂層１０における発泡は独立発泡でもよいし、連続発泡でもよい。
絶縁樹脂層１０の発泡倍率は、１倍超１０倍以下であることが好ましく、１．１倍以上５倍以下であることがより好ましい。絶縁樹脂層１０の発泡倍率が前記下限値以上であれば、絶縁樹脂層１０の誘電率をより低くすることができ、その結果、電磁波シールドフィルム１全体の誘電率もより低くすることができる。絶縁樹脂層１０の発泡倍率が前記上限値以下であれば、発泡した絶縁樹脂層１０を容易に形成できる。
絶縁樹脂層１０の発泡倍率［倍］は、下記式により求められる。
発泡倍率＝発泡前の絶縁樹脂層１０の比重（ρ０）／絶縁樹脂層１０の比重（ρｆ）
前記比重ρ０，ρｆは、ＪＩＳ Ｋ７１１２：１９９９におけるＡ法に従い、温度２３℃で測定した値である。
前記発泡倍率は、芳香族ポリエーテルケトンの種類及び平均分子量、発泡剤の種類、発泡剤の添加量、発泡剤の添加方法、発泡させる際の温度及び圧力、発泡させる際に使用する型の大きさ等の発泡条件によって調整できる。
絶縁樹脂層１０の発泡倍率は、１倍超１０倍以下であることが好ましく、１．１倍以上５倍以下であることがより好ましい。絶縁樹脂層１０の発泡倍率が前記下限値以上であれば、絶縁樹脂層１０の誘電率をより低くすることができ、その結果、電磁波シールドフィルム１全体の誘電率もより低くすることができる。絶縁樹脂層１０の発泡倍率が前記上限値以下であれば、発泡した絶縁樹脂層１０を容易に形成できる。
絶縁樹脂層１０の発泡倍率［倍］は、下記式により求められる。
発泡倍率＝発泡前の絶縁樹脂層１０の比重（ρ０）／絶縁樹脂層１０の比重（ρｆ）
前記比重ρ０，ρｆは、ＪＩＳ Ｋ７１１２：１９９９におけるＡ法に従い、温度２３℃で測定した値である。
前記発泡倍率は、芳香族ポリエーテルケトンの種類及び平均分子量、発泡剤の種類、発泡剤の添加量、発泡剤の添加方法、発泡させる際の温度及び圧力、発泡させる際に使用する型の大きさ等の発泡条件によって調整できる。
絶縁樹脂層１０に含まれる気泡の平均気泡径は、０．１μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることがより好ましく、１μｍ以上５μｍ以下であることがさらに好ましい。絶縁樹脂層１０における平均気泡径が前記下限値以上であれば、絶縁樹脂層１０の誘電率をより低くすることができ、その結果、電磁波シールドフィルム１全体の誘電率もより低くすることができる。絶縁樹脂層１０における平均気泡径が前記上限値以下であれば、絶縁樹脂層１０の変形を防止できる。
絶縁樹脂層１０における平均気泡径［μｍ］は、下記の方法により測定される。
走査型電子顕微鏡を用いて絶縁樹脂層１０の断面を撮影し、得られた画像を画像処理し、１００個の気泡について直径を測定する。ここで、気泡の直径は、気泡の最大長径とする。１００個の気泡の直径より平均直径を算出し、得られた値を平均気泡径とする。
前記平均気泡径についても、発泡倍率と同様に前記発泡条件を適宜調整することによって前記範囲にできる。
絶縁樹脂層１０における平均気泡径［μｍ］は、下記の方法により測定される。
走査型電子顕微鏡を用いて絶縁樹脂層１０の断面を撮影し、得られた画像を画像処理し、１００個の気泡について直径を測定する。ここで、気泡の直径は、気泡の最大長径とする。１００個の気泡の直径より平均直径を算出し、得られた値を平均気泡径とする。
前記平均気泡径についても、発泡倍率と同様に前記発泡条件を適宜調整することによって前記範囲にできる。
絶縁樹脂層１０の気泡密度は、１．０×１０７個／ｃｍ３以上１．０×１０１３個／ｃｍ３以下であることが好ましく、１．０×１０８個／ｃｍ３以上１．０×１０１２個／ｃｍ３以下であることがより好ましく、１．０×１０１０個／ｃｍ３以上１．０×１０１１個／ｃｍ３以下であることがさらに好ましい。絶縁樹脂層１０の気泡密度が前記下限値以上であれば、絶縁樹脂層１０の誘電率をより低くすることができ、その結果、電磁波シールドフィルム１全体の誘電率もより低くすることができる。絶縁樹脂層１０の気泡密度が前記上限値以下であれば、絶縁樹脂層１０の変形を防止できる。
絶縁樹脂層の気泡密度［個／ｃｍ３］は、前記の比重ρ０，ρｆ、平均気泡径Ｄを用い、下記式により求められる。
気泡密度＝６｛（ρ０／ρｆ）−１｝／（πＤ３）
前記気泡密度についても、発泡倍率と同様に前記発泡条件を適宜調整することによって前記範囲にできる。
絶縁樹脂層の気泡密度［個／ｃｍ３］は、前記の比重ρ０，ρｆ、平均気泡径Ｄを用い、下記式により求められる。
気泡密度＝６｛（ρ０／ρｆ）−１｝／（πＤ３）
前記気泡密度についても、発泡倍率と同様に前記発泡条件を適宜調整することによって前記範囲にできる。
絶縁樹脂層１０の相対結晶化度は８０％以上１００％以下であることが好ましく、９０％以上１００％以下であることがより好ましい。絶縁樹脂層１０の相対結晶化度が前記下限値以上であれば、絶縁樹脂層１０の耐熱性及び機械的強度を向上させることができ、その結果、電磁波シールドフィルム１全体の耐熱性及び機械的強度も向上させることができる。
絶縁樹脂層１０の相対結晶化度は、下記の方法により求められる。
示差走査熱量計を用い、絶縁樹脂層１０から切り出した試料について、昇温速度１０℃／分で昇温した際の再結晶化ピークの熱量ΔＨｃ［Ｊ／ｇ］及び結晶融解ピークの熱量ΔＨｍ［Ｊ／ｇ］を測定する。
得られたΔＨｃ，ΔＨｍ及び下記式により、相対結晶化度［％］が求められる。
相対結晶化度＝｛１−（ΔＨｃ／ΔＨｍ）｝×１００
相対結晶化度は、絶縁樹脂層１０を形成する際の発泡工程及びその後の加熱処理の加熱温度及び加熱時間によって調整することができる。加熱温度が高い程、加熱時間が長い程、相対結晶化度が高くなる。
絶縁樹脂層１０の相対結晶化度は、下記の方法により求められる。
示差走査熱量計を用い、絶縁樹脂層１０から切り出した試料について、昇温速度１０℃／分で昇温した際の再結晶化ピークの熱量ΔＨｃ［Ｊ／ｇ］及び結晶融解ピークの熱量ΔＨｍ［Ｊ／ｇ］を測定する。
得られたΔＨｃ，ΔＨｍ及び下記式により、相対結晶化度［％］が求められる。
相対結晶化度＝｛１−（ΔＨｃ／ΔＨｍ）｝×１００
相対結晶化度は、絶縁樹脂層１０を形成する際の発泡工程及びその後の加熱処理の加熱温度及び加熱時間によって調整することができる。加熱温度が高い程、加熱時間が長い程、相対結晶化度が高くなる。
絶縁樹脂層１０の比誘電率は、１．５以上３．３以下であることが好ましく、１．８以上３．０以下であることが好ましい。ここで、比誘電率とは、絶縁樹脂層１０の誘電率ε／真空の誘電率ε０のことであり、単位がない無次元量である。ε０は定数（８．８５４１８７・・・×１０−１２［Ｆ／ｍ］）である。
絶縁樹脂層１０の比誘電率が前記下限値以上であれば、容易に実現でき、前記上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１の信号伝播速度を十分に速くできる。
絶縁樹脂層１０の誘電率は、誘電率を測定可能な装置を用い、周波数１ＧＨｚで測定した値である。
芳香族ポリエーテルケトンは誘電率が低めの材料であるが、絶縁樹脂層１０を芳香族ポリエーテルケトンで構成するだけでは誘電率は十分に低くならない。絶縁樹脂層１０の発泡倍率を高くすることによって、容易に比誘電率を前記範囲にすることができる。
絶縁樹脂層１０の比誘電率が前記下限値以上であれば、容易に実現でき、前記上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１の信号伝播速度を十分に速くできる。
絶縁樹脂層１０の誘電率は、誘電率を測定可能な装置を用い、周波数１ＧＨｚで測定した値である。
芳香族ポリエーテルケトンは誘電率が低めの材料であるが、絶縁樹脂層１０を芳香族ポリエーテルケトンで構成するだけでは誘電率は十分に低くならない。絶縁樹脂層１０の発泡倍率を高くすることによって、容易に比誘電率を前記範囲にすることができる。
絶縁樹脂層１０は、プリント配線板のプリント回路を隠蔽したり、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板に意匠性を付与したりするために、着色剤（顔料、染料等）及びフィラーのいずれか一方又は両方を含んでいてもよい。
着色剤及びフィラーのいずれか一方又は両方としては、耐候性、耐熱性、隠蔽性の点から、顔料又はフィラーが好ましく、プリント回路の隠蔽性、意匠性の点から、黒色顔料、又は黒色顔料と他の顔料もしくはフィラーとの組み合わせがより好ましい。
絶縁樹脂層１０は、本発明の特性を損なわない範囲で、酸化防止剤、光安定剤、紫外線安定剤、可塑剤、滑剤、難燃剤、帯電防止剤、耐熱向上剤、無機充填剤、有機充填剤等の添加剤が含まれてもよい。
着色剤及びフィラーのいずれか一方又は両方としては、耐候性、耐熱性、隠蔽性の点から、顔料又はフィラーが好ましく、プリント回路の隠蔽性、意匠性の点から、黒色顔料、又は黒色顔料と他の顔料もしくはフィラーとの組み合わせがより好ましい。
絶縁樹脂層１０は、本発明の特性を損なわない範囲で、酸化防止剤、光安定剤、紫外線安定剤、可塑剤、滑剤、難燃剤、帯電防止剤、耐熱向上剤、無機充填剤、有機充填剤等の添加剤が含まれてもよい。
絶縁樹脂層１０の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、１×１０６Ω以上が好ましい。
絶縁樹脂層１０の表面抵抗は、実用上の点から、１×１０１９Ω以下が好ましい。
絶縁樹脂層１０の厚さは、３μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、５μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上２０μｍ以下であることがさらに好ましい。絶縁樹脂層１０の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、絶縁樹脂層１０が保護層としての機能を十分に発揮できる。絶縁樹脂層１０の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１を薄くできる。
絶縁樹脂層１０の表面抵抗は、実用上の点から、１×１０１９Ω以下が好ましい。
絶縁樹脂層１０の厚さは、３μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、５μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましく、５μｍ以上２０μｍ以下であることがさらに好ましい。絶縁樹脂層１０の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、絶縁樹脂層１０が保護層としての機能を十分に発揮できる。絶縁樹脂層１０の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１を薄くできる。
（導電層）
導電層は、金属を含む導電性接着剤層を少なくとも有する。金属は、薄膜状でもよいし、粒子状でもよいし、その他の形状でもよい。
具体的には、上述したように、第一実施形態における導電層２０は、絶縁樹脂層１０に隣接する金属薄膜層２２と、離型フィルム４０に隣接する異方導電性接着剤層２４とを有する。
第二実施形態における導電層２０は、絶縁樹脂層１０に隣接する金属薄膜層２２と、離型フィルム４０に隣接する等方導電性接着剤層２６とを有する。
第三実施形態における導電層２０は、等方導電性接着剤層２６からなる。
導電層２０としては、電磁波遮蔽性が十分に高くなることから、金属薄膜層２２と、異方導電性接着剤層２４又は等方導電性接着剤層２６とを有することが好ましい。すなわち、導電層２０は、金属薄膜層と導電性接着剤層の２層を有することが好ましい。
導電層は、金属を含む導電性接着剤層を少なくとも有する。金属は、薄膜状でもよいし、粒子状でもよいし、その他の形状でもよい。
具体的には、上述したように、第一実施形態における導電層２０は、絶縁樹脂層１０に隣接する金属薄膜層２２と、離型フィルム４０に隣接する異方導電性接着剤層２４とを有する。
第二実施形態における導電層２０は、絶縁樹脂層１０に隣接する金属薄膜層２２と、離型フィルム４０に隣接する等方導電性接着剤層２６とを有する。
第三実施形態における導電層２０は、等方導電性接着剤層２６からなる。
導電層２０としては、電磁波遮蔽性が十分に高くなることから、金属薄膜層２２と、異方導電性接着剤層２４又は等方導電性接着剤層２６とを有することが好ましい。すなわち、導電層２０は、金属薄膜層と導電性接着剤層の２層を有することが好ましい。
［金属薄膜層］
金属薄膜層２２は、金属の薄膜からなる層である。金属薄膜層２２は、面方向に広がるように形成されていることから、面方向に導電性を有し、電磁波シールド層等として機能する。
金属薄膜層２２は、金属の薄膜からなる層である。金属薄膜層２２は、面方向に広がるように形成されていることから、面方向に導電性を有し、電磁波シールド層等として機能する。
金属薄膜層２２としては、物理蒸着（真空蒸着、スパッタリング、イオンビーム蒸着、電子ビーム蒸着等）又は化学蒸着によって形成された蒸着膜、めっきによって形成されためっき膜、金属箔等が挙げられる。面方向の導電性に優れる点では、導電層２０は、蒸着膜、めっき膜が好ましい。導電層２０を薄くでき、かつ厚さが薄くても面方向の導電性に優れ、ドライプロセスにて簡便に形成できる点では、導電層２０は蒸着膜がより好ましく、物理蒸着による蒸着膜がさらに好ましい。
金属薄膜層２２を構成する金属としては、アルミニウム、銀、銅、金、導電性セラミックス等が挙げられ、電気伝導度の点からは、銀又は銅が好ましい。
金属薄膜層２２のなかでも、電磁波遮蔽性が高く、しかも金属薄膜層を容易に形成しやすいことから、金属蒸着層が好ましく、銀蒸着層又は銅蒸着層がより好ましい。
金属薄膜層２２のなかでも、電磁波遮蔽性が高く、しかも金属薄膜層を容易に形成しやすいことから、金属蒸着層が好ましく、銀蒸着層又は銅蒸着層がより好ましい。
金属薄膜層２２の表面抵抗は、０．００１Ω以上１Ω以下が好ましく、０．００１Ω以上０．５Ω以下がより好ましい。金属薄膜層２２の表面抵抗が前記範囲の下限値以上であれば、金属薄膜層２２を十分に薄くできる。金属薄膜層２２の表面抵抗が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールド層として十分に機能できる。
金属薄膜層２２の厚さは、０．０１μｍ以上５μｍ以下が好ましく、０．０５μｍ以上３μｍ以下がより好ましい。金属薄膜層２２の厚さが０．０１μｍ以上であれば、面方向の導電性がさらに良好になる。金属薄膜層２２の厚さが０．０５μｍ以上であれば、電磁波ノイズの遮蔽効果がさらに良好になる。金属薄膜層２２の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１を薄くできる。また、電磁波シールドフィルム１の生産性、可とう性がよくなる。
［黒化層］
銀蒸着層及び銅蒸着層等の金属薄膜層２２は、光反射性が高く、金属光沢を有する。その金属光沢を抑制するために、導電層２０は、金属薄膜層２２の絶縁樹脂層１０側の面に黒化層を有してもよい。例えば、電磁波シールドフィルム１をディスプレイ用のフレキシブルプリント配線板に使用する場合には、金属薄膜層２２の光沢がディスプレイの視認性に影響を与えることを防ぐために、金属薄膜層２２と絶縁樹脂層１０との間に黒化層を設けることが好ましい。
黒化層は、光吸収性の材料から構成されて光の反射防止性を有する黒色の層である。黒化層は、具体的には、ＪＩＳ Ｚ８７８１−５において規定される明度Ｌ＊が５以下であることが好ましい。明度Ｌ＊の値が小さい程、黒色度が大きくなり、光の反射を抑制できる傾向にある。
銀蒸着層及び銅蒸着層等の金属薄膜層２２は、光反射性が高く、金属光沢を有する。その金属光沢を抑制するために、導電層２０は、金属薄膜層２２の絶縁樹脂層１０側の面に黒化層を有してもよい。例えば、電磁波シールドフィルム１をディスプレイ用のフレキシブルプリント配線板に使用する場合には、金属薄膜層２２の光沢がディスプレイの視認性に影響を与えることを防ぐために、金属薄膜層２２と絶縁樹脂層１０との間に黒化層を設けることが好ましい。
黒化層は、光吸収性の材料から構成されて光の反射防止性を有する黒色の層である。黒化層は、具体的には、ＪＩＳ Ｚ８７８１−５において規定される明度Ｌ＊が５以下であることが好ましい。明度Ｌ＊の値が小さい程、黒色度が大きくなり、光の反射を抑制できる傾向にある。
黒化層は、例えば、下記（ｉ）〜（iii）のいずれかの光吸収性材料から構成される。
（ｉ）銀の酸化物又は銅の酸化物
（ii）窒化銅、酸化銅、窒化ニッケル及び酸化ニッケルよりなる群から選ばれる少なくとも１種
（iii）亜鉛、銅と亜鉛の合金、銀と亜鉛の合金のいずれか１種
黒化層が前記（ｉ）から構成される場合には、銀の酸化物又は銅の酸化物からなる層を、蒸着又はめっきにより形成する方法が挙げられる。蒸着法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等の公知の蒸着法を適用できる。
黒化層が前記（ii）から構成される場合には、窒化銅、酸化銅、窒化ニッケル及び酸化ニッケルよりなる群から選ばれる少なくとも１種からなる層を、蒸着又はめっきにより形成する方法が挙げられる。
黒化層が前記（iii）から構成される場合には、亜鉛、銅と亜鉛の合金、銀と亜鉛の合金のいずれか１種からなる層を、蒸着又はめっきにより形成する方法が挙げられる。
黒化層の厚さとしては特に制限されないが、５ｎｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上１μｍ以下であることがより好ましい。黒化層の厚さが前記下限値以上であれば、光の反射を充分に抑制でき、前記上限値以下であれば、黒化層を容易に形成できる。
（ｉ）銀の酸化物又は銅の酸化物
（ii）窒化銅、酸化銅、窒化ニッケル及び酸化ニッケルよりなる群から選ばれる少なくとも１種
（iii）亜鉛、銅と亜鉛の合金、銀と亜鉛の合金のいずれか１種
黒化層が前記（ｉ）から構成される場合には、銀の酸化物又は銅の酸化物からなる層を、蒸着又はめっきにより形成する方法が挙げられる。蒸着法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等の公知の蒸着法を適用できる。
黒化層が前記（ii）から構成される場合には、窒化銅、酸化銅、窒化ニッケル及び酸化ニッケルよりなる群から選ばれる少なくとも１種からなる層を、蒸着又はめっきにより形成する方法が挙げられる。
黒化層が前記（iii）から構成される場合には、亜鉛、銅と亜鉛の合金、銀と亜鉛の合金のいずれか１種からなる層を、蒸着又はめっきにより形成する方法が挙げられる。
黒化層の厚さとしては特に制限されないが、５ｎｍ以上２０μｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上１μｍ以下であることがより好ましい。黒化層の厚さが前記下限値以上であれば、光の反射を充分に抑制でき、前記上限値以下であれば、黒化層を容易に形成できる。
［異方導電性接着剤層］
第一実施形態における異方導電性接着剤層２４は、厚さ方向に導電性を有し、面方向には導電性を有さず、かつ、接着性を有する。
異方導電性接着剤層２４は、導電性接着剤層を容易に薄くでき、後述する導電性粒子の量を少なくでき、その結果、電磁波シールドフィルム１を薄くでき、電磁波シールドフィルム１の可とう性が高くなる利点を有する。
第一実施形態における異方導電性接着剤層２４は、厚さ方向に導電性を有し、面方向には導電性を有さず、かつ、接着性を有する。
異方導電性接着剤層２４は、導電性接着剤層を容易に薄くでき、後述する導電性粒子の量を少なくでき、その結果、電磁波シールドフィルム１を薄くでき、電磁波シールドフィルム１の可とう性が高くなる利点を有する。
異方導電性接着剤層２４としては、硬化後に耐熱性を発揮できる点から、熱硬化性の導電性接着剤層が好ましい。熱硬化性の異方導電性接着剤層２４は、未硬化の状態であってもよく、Ｂステージ化された状態であってもよい。
熱硬化性の異方導電性接着剤層２４は、例えば、熱硬化性接着剤２４ａと導電性粒子２４ｂとを含む。熱硬化性の異方導電性接着剤層２４は、必要に応じて難燃剤を含んでいてもよい。
熱硬化性の異方導電性接着剤層２４は、例えば、熱硬化性接着剤２４ａと導電性粒子２４ｂとを含む。熱硬化性の異方導電性接着剤層２４は、必要に応じて難燃剤を含んでいてもよい。
熱硬化性接着剤２４ａとしては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、アルキッド樹脂、ウレタン樹脂、合成ゴム、紫外線硬化アクリレート樹脂等が挙げられる。耐熱性に優れる点から、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、可とう性付与のためのゴム成分（カルボキシ変性ニトリルゴム、アクリルゴム等）、粘着付与剤等を含んでいてもよい。
熱硬化性接着剤２４ａは、異方導電性接着剤層２４の強度を高め、打ち抜き特性を向上させるために、セルロース樹脂、ミクロフィブリル（ガラス繊維等）を含んでいてもよい。前記熱硬化性接着剤は、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。
熱硬化性接着剤２４ａは、異方導電性接着剤層２４の強度を高め、打ち抜き特性を向上させるために、セルロース樹脂、ミクロフィブリル（ガラス繊維等）を含んでいてもよい。前記熱硬化性接着剤は、本発明の効果を損なわない範囲において、必要に応じて他の成分を含んでいてもよい。
導電性粒子２４ｂとしては、金属（銀、白金、金、銅、ニッケル、パラジウム、アルミニウム、ハンダ等）の粒子、黒鉛粉、焼成カーボン粒子、めっきされた焼成カーボン粒子等が挙げられる。導電性粒子２４ｂとしては、異方導電性接着剤層２４がさらに適度の硬さを有するようになり、熱プレスの際の異方導電性接着剤層２４における圧力損失をさらに低減できる点からは、金属粒子が好ましく、銅粒子がより好ましい。
導電性粒子２４ｂの１０％圧縮強度は、３０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下が好ましく、５０ＭＰａ以上１５０ＭＰａ以下がより好ましく、７０ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下がさらに好ましい。導電性粒子の１０％圧縮強度が前記範囲の下限値以上であれば、熱プレスの際に金属薄膜層２２にかけられた圧力を大きく損失することなく、異方導電性接着剤層２４が絶縁フィルムの貫通孔を通ってプリント配線板のプリント回路により確実に電気的に接続される。導電性粒子２４ｂの１０％圧縮強度が前記範囲の上限値以下であれば、金属薄膜層２２との接触がよくなり、電気的接続が確実になる。
異方導電性接着剤層２４における導電性粒子２４ｂの平均粒子径は、２μｍ以上２６μｍ以下が好ましく、４μｍ以上１６μｍ以下がより好ましい。導電性粒子２４ｂの平均粒子径が前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層２４の厚さを確保することができ、十分な接着強度を得ることができる。導電性粒子２４ｂの平均粒子径が前記範囲の上限値以下であれば、異方導電性接着剤層２４の流動性を確保でき、後述するように異方導電性接着剤層２４を絶縁フィルムの貫通孔に押し込んだ際に絶縁フィルムの貫通孔内を導電性接着剤で十分に埋めることができる。
異方導電性接着剤層２４における導電性粒子２４ｂの割合は、異方導電性接着剤層２４の１００体積％のうち、１体積％以上３０体積％以下が好ましく、２体積％以上１５体積％以下がより好ましい。導電性粒子２４ｂの割合が前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層２４の導電性が良好になる。導電性粒子２４ｂの割合が前記範囲の上限値以下であれば、異方導電性接着剤層２４の接着性、流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）が良好になる。また、電磁波シールドフィルム１の可とう性がよくなる。
異方導電性接着剤層２４の１８０℃における貯蔵弾性率は、１×１０３Ｐａ以上５×１０７Ｐａ以下が好ましく、５×１０３Ｐａ以上１×１０７Ｐａ以下がより好ましい。異方導電性接着剤層２４の１８０℃における貯蔵弾性率が前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層２４がさらに適度の硬さを有するようになり、熱プレスの際の導電性接着剤層における圧力損失を低減できる。その結果、導電性接着剤層とプリント配線板のプリント回路とが十分に接着され、異方導電性接着剤層２４が絶縁フィルムの貫通孔を通ってプリント配線板のプリント回路により確実に電気的に接続される。導電性接着剤層の１８０℃における貯蔵弾性率が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１の可とう性がよくなる。その結果、電磁波シールドフィルム１が絶縁フィルムの貫通孔内に沈み込みやすくなり、異方導電性接着剤層２４が絶縁フィルムの貫通孔を通ってプリント配線板のプリント回路により確実に電気的に接続される。
異方導電性接着剤層２４の表面抵抗は、１×１０４Ω以上１×１０１６Ω以下が好ましく、１×１０６Ω以上１×１０１４Ω以下がより好ましい。異方導電性接着剤層２４の表面抵抗が前記範囲の下限値以上であれば、導電性粒子２４ｂの含有量が低く抑えられる。異方導電性接着剤層２４の表面抵抗が前記範囲の上限値以下であれば、実用上、異方性に問題がない。
異方導電性接着剤層２４の厚さは、３μｍ以上２５μｍ以下が好ましく、５μｍ以上１５μｍ以下がより好ましい。異方導電性接着剤層２４の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層２４の流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）を確保でき、絶縁フィルムの貫通孔内を導電性接着剤で十分に埋めることができる。異方導電性接着剤層２４の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１を薄くできる。また、電磁波シールドフィルム１の可とう性がよくなる。
［等方導電性接着剤層］
第二実施形態又は第三実施形態における等方導電性接着剤層２６は、厚さ方向及び面方向に導電性を有し、かつ、接着性を有する。
等方導電性接着剤層２６は、電磁波シールドフィルム１の電磁波遮蔽性をより高くできる利点を有する。
第二実施形態又は第三実施形態における等方導電性接着剤層２６は、厚さ方向及び面方向に導電性を有し、かつ、接着性を有する。
等方導電性接着剤層２６は、電磁波シールドフィルム１の電磁波遮蔽性をより高くできる利点を有する。
等方導電性接着剤層２６としては、硬化後に耐熱性を発揮できる点から、熱硬化性の導電性接着剤層が好ましい。熱硬化性の等方導電性接着剤層２６は、未硬化の状態であってもよく、Ｂステージ化された状態であってもよい。
熱硬化性の等方導電性接着剤層２６は、例えば、熱硬化性接着剤２６ａと導電性粒子２６ｂとを含む。熱硬化性の等方導電性接着剤層２６は、必要に応じて難燃剤を含んでいてもよい。
等方導電性接着剤層２６に含まれる熱硬化性接着剤２６ａの成分及び導電性粒子２６ｂの材質は、異方導電性接着剤層２４に含まれる熱硬化性接着剤２４ａの成分及び導電性粒子２４ｂの材質と同様である。
熱硬化性の等方導電性接着剤層２６は、例えば、熱硬化性接着剤２６ａと導電性粒子２６ｂとを含む。熱硬化性の等方導電性接着剤層２６は、必要に応じて難燃剤を含んでいてもよい。
等方導電性接着剤層２６に含まれる熱硬化性接着剤２６ａの成分及び導電性粒子２６ｂの材質は、異方導電性接着剤層２４に含まれる熱硬化性接着剤２４ａの成分及び導電性粒子２４ｂの材質と同様である。
等方導電性接着剤層２６における導電性粒子２６ｂの平均粒子径は、０．１μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、０．２μｍ以上１μｍ以下がより好ましい。導電性粒子２６ｂの平均粒子径が前記範囲の下限値以上であれば、導電性粒子２６ｂの接触点数が増えることになり、３次元方向の導通性を安定的に高めることができる。導電性粒子２６ｂの平均粒子径が前記範囲の上限値以下であれば、等方導電性接着剤層２６の流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）を確保でき、絶縁フィルムの貫通孔内を導電性接着剤で十分に埋めることができる。
等方導電性接着剤層２６における導電性粒子２６ｂの割合は、等方導電性接着剤層２６の１００体積％のうち、５０体積％以上８０体積％以下が好ましく、６０体積％以上７０体積％以下がより好ましい。導電性粒子２６ｂの割合が前記範囲の下限値以上であれば、等方導電性接着剤層２６の導電性が良好になる。導電性粒子２６ｂの割合が前記範囲の上限値以下であれば、等方導電性接着剤層２６の接着性、流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）が良好になる。また、電磁波シールドフィルム１の可とう性がよくなる。
等方導電性接着剤層２６の１８０℃における貯蔵弾性率は、１×１０３Ｐａ以上５×１０７Ｐａ以下が好ましく、５×１０３Ｐａ以上１×１０７Ｐａ以下がより好ましい。前記範囲が好ましい理由は、異方導電性接着剤層２４と同様である。
等方導電性接着剤層２６の表面抵抗は、０．０５Ω以上２．０Ω以下が好ましく、０．１Ω以上１．０Ω以下がより好ましい。等方導電性接着剤層２６の表面抵抗が前記範囲の下限値以上であれば、導電性粒子２６ｂの含有量が低く抑えられ、導電性接着剤の粘度が高くなりすぎず、塗布性がさらに良好となる。また、等方導電性接着剤層２６の流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）をさらに確保できる。等方導電性接着剤層２６の表面抵抗が前記範囲の上限値以下であれば、等方導電性接着剤層２６の全面が均一な導電性を有するものとなる。
等方導電性接着剤層２６の厚さは、５μｍ以上２０μｍ以下が好ましく、７μｍ以上１７μｍ以下がより好ましい。等方導電性接着剤層２６の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、等方導電性接着剤層２６の導電性が良好になり、電磁波シールド層として十分に機能できる。また、等方導電性接着剤層２６の流動性（絶縁フィルムの貫通孔の形状への追随性）を確保でき、絶縁フィルムの貫通孔内を導電性接着剤で十分に埋めることができ、耐折性も確保でき繰り返し折り曲げても等方導電性接着剤層２６が断裂することはない。
等方導電性接着剤層２６の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１を薄くできる。また、電磁波シールドフィルム１の可とう性がよくなる。
等方導電性接着剤層２６の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１を薄くできる。また、電磁波シールドフィルム１の可とう性がよくなる。
（キャリアフィルム）
キャリアフィルム３０は、絶縁樹脂層１０及び導電層２０を補強及び保護する支持体であり、電磁波シールドフィルム１のハンドリング性を良好にする。特に、絶縁樹脂層１０として、薄いフィルム、具体的には厚さ２０μｍ以下のフィルムを用いた場合には、キャリアフィルム３０を有することによって、絶縁樹脂層１０の破断を防ぐことができる。
キャリアフィルム３０は、電磁波シールドフィルム１をプリント配線板等に貼り付けた後には、絶縁樹脂層１０から剥離される。
キャリアフィルム３０は、絶縁樹脂層１０及び導電層２０を補強及び保護する支持体であり、電磁波シールドフィルム１のハンドリング性を良好にする。特に、絶縁樹脂層１０として、薄いフィルム、具体的には厚さ２０μｍ以下のフィルムを用いた場合には、キャリアフィルム３０を有することによって、絶縁樹脂層１０の破断を防ぐことができる。
キャリアフィルム３０は、電磁波シールドフィルム１をプリント配線板等に貼り付けた後には、絶縁樹脂層１０から剥離される。
本実施形態において使用されるキャリアフィルム３０は、キャリアフィルム本体３２と、キャリアフィルム本体３２の絶縁樹脂層１０側の表面に設けられた粘着剤層３４とを有する。
キャリアフィルム本体３２の樹脂材料としては、ポリエチレンテレフタレート（以下、「ＰＥＴ」ということもある。）、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリアセテート、ポリカーボネート、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミド、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、合成ゴム、液晶ポリマー等が挙げられる。樹脂材料としては、電磁波シールドフィルム１を製造する際の耐熱性（寸法安定性）及び価格の点から、ＰＥＴが好ましい。
キャリアフィルム本体３２は、着色剤（顔料、染料等）及びフィラーのいずれか一方又は両方を含んでいてもよい。
着色剤及びフィラーのいずれか一方又は両方としては、絶縁樹脂層１０と明確に区別でき、熱プレスした後にキャリアフィルム３０の剥がし残しに気が付きやすい点から、絶縁樹脂層１０とは異なる色のものが好ましく、白色顔料、フィラー、又は白色顔料と他の顔料もしくはフィラーとの組み合わせがより好ましい。
着色剤及びフィラーのいずれか一方又は両方としては、絶縁樹脂層１０と明確に区別でき、熱プレスした後にキャリアフィルム３０の剥がし残しに気が付きやすい点から、絶縁樹脂層１０とは異なる色のものが好ましく、白色顔料、フィラー、又は白色顔料と他の顔料もしくはフィラーとの組み合わせがより好ましい。
キャリアフィルム本体３２の１８０℃における貯蔵弾性率は、８×１０７Ｐａ以上５×１０９Ｐａが好ましく、１×１０８Ｐａ以上８×１０８Ｐａがより好ましい。キャリアフィルム本体３２の１８０℃における貯蔵弾性率が前記範囲の下限値以上であれば、キャリアフィルム３０が適度の硬さを有するようになり、熱プレスの際のキャリアフィルム３０における圧力損失を低減できる。キャリアフィルム本体３２の１８０℃における貯蔵弾性率が前記範囲の上限値以下であれば、キャリアフィルム３０の柔軟性が良好となる。
キャリアフィルム本体３２の厚さは、３μｍ以上７５μｍ以下が好ましく、１２μｍ以上５０μｍ以下がより好ましい。キャリアフィルム本体３２の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、電磁波シールドフィルム１のハンドリング性が良好となる。キャリアフィルム本体３２の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、絶縁フィルムの表面に電磁波シールドフィルム１の導電性接着剤層（異方導電性接着剤層２４又は等方導電性接着剤層２６）を熱プレスする際に導電性接着剤層に熱が伝わりやすい。
粘着剤層３４は、例えば、キャリアフィルム本体３２の表面に粘着剤を含む粘着剤組成物を塗布して形成される。キャリアフィルム３０が粘着剤層３４を有することによって、離型フィルム４０を導電性接着剤層から剥離する際や電磁波シールドフィルム１をプリント配線板等に熱プレスによって貼り付ける際に、キャリアフィルム３０が絶縁樹脂層１０から剥離することが抑えられる。そのため、キャリアフィルム３０が保護フィルムとしての役割を十分に果たすことができる。
粘着剤は、熱プレス前にはキャリアフィルム３０が絶縁樹脂層１０から容易に剥離することなく、熱プレス後にはキャリアフィルム３０を絶縁樹脂層１０から剥離できる程度の適度な粘着性を粘着剤層３４に付与するものであることが好ましい。
粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤等が挙げられる。
粘着剤のＴｇは、−１００℃以上６０℃以下が好ましく、−６０℃以上４０℃以下がより好ましい。
粘着剤としては、アクリル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤等が挙げられる。
粘着剤のＴｇは、−１００℃以上６０℃以下が好ましく、−６０℃以上４０℃以下がより好ましい。
キャリアフィルム３０の厚さは、２５μｍ以上１２５μｍ以下が好ましく、３８μｍ以上１００μｍ以下がより好ましい。キャリアフィルム３０の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、電磁波シールドフィルム１のハンドリング性が良好となる。キャリアフィルム３０の厚さが前記範囲の上限値以下であれば、絶縁フィルムの表面に電磁波シールドフィルム１の導電性接着剤層を熱プレスする際に導電性接着剤層に熱が伝わりやすい。
（離型フィルム）
離型フィルム４０は、導電性接着剤層を保護するものであり、電磁波シールドフィルム１のハンドリング性を良好にする。離型フィルム４０は、電磁波シールドフィルム１をプリント配線板等に貼り付ける前に、導電性接着剤層（異方導電性接着剤層２４又は等方導電性接着剤層２６）から剥離される。
離型フィルム４０は、導電性接着剤層を保護するものであり、電磁波シールドフィルム１のハンドリング性を良好にする。離型フィルム４０は、電磁波シールドフィルム１をプリント配線板等に貼り付ける前に、導電性接着剤層（異方導電性接着剤層２４又は等方導電性接着剤層２６）から剥離される。
離型フィルム４０は、例えば、離型フィルム本体４２と、離型フィルム本体４２の導電性接着剤層側の表面に設けられた離型剤層４４とを有する。
離型フィルム本体４２の樹脂材料としては、キャリアフィルム本体３２の樹脂材料と同様なものが挙げられる。
離型フィルム本体４２は、着色剤、フィラー等を含んでいてもよい。
離型フィルム本体４２の厚さは、５μｍ以上５００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上１５０μｍ以下がより好ましく、２５μｍ以上１００μｍ以下がさらに好ましい。
離型フィルム本体４２は、着色剤、フィラー等を含んでいてもよい。
離型フィルム本体４２の厚さは、５μｍ以上５００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以上１５０μｍ以下がより好ましく、２５μｍ以上１００μｍ以下がさらに好ましい。
離型剤層４４は、離型フィルム本体４２の表面を離型剤で処理して形成される。離型フィルム４０が離型剤層４４を有することによって、離型フィルム４０を導電性接着剤層から剥離する際に、離型フィルム４０を剥離しやすく、導電性接着剤層が破断しにくくなる。
離型剤としては、公知の離型剤を用いればよい。
離型剤としては、公知の離型剤を用いればよい。
離型剤層４４の厚さは、０．０５μｍ以上３０μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上２０μｍ以下がより好ましい。離型剤層４４の厚さが前記範囲内であれば、離型フィルム４０をさらに剥離しやすくなる。
（電磁波シールドフィルムの厚さ）
電磁波シールドフィルム１の厚さ（キャリアフィルム３０及び離型フィルム４０を除く）は、３μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、５μｍ以上３０μｍ以下がより好ましい。キャリアフィルム３０及び離型フィルム４０を含まない電磁波シールドフィルム１の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、キャリアフィルム３０を剥離する際に破断しにくく、前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板を薄くできる。
電磁波シールドフィルム１の厚さ（キャリアフィルム３０及び離型フィルム４０を除く）は、３μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、５μｍ以上３０μｍ以下がより好ましい。キャリアフィルム３０及び離型フィルム４０を含まない電磁波シールドフィルム１の厚さが前記範囲の下限値以上であれば、キャリアフィルム３０を剥離する際に破断しにくく、前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板を薄くできる。
＜電磁波シールドフィルムの製造方法＞
本発明の第二態様は、フィルム状に成形され且つ発泡された芳香族ポリエーテルケトンからなる絶縁樹脂層を形成する工程と、前記絶縁樹脂層の一方の面に導電層を形成する工程とを有する、電磁波シールドフィルムの製造方法である。
具体的に、第一実施形態の電磁波シールドフィルムを製造する方法として、下記の方法（Ａ１）、方法（Ａ２）が挙げられる。第二実施形態の電磁波シールドフィルムを製造する方法として、下記の方法（Ｂ１）、方法（Ｂ２）が挙げられる。第三実施形態の電磁波シールドフィルムを製造する方法として、下記の方法（Ｃ１）、方法（Ｃ２）が挙げられる。
本発明の第二態様は、フィルム状に成形され且つ発泡された芳香族ポリエーテルケトンからなる絶縁樹脂層を形成する工程と、前記絶縁樹脂層の一方の面に導電層を形成する工程とを有する、電磁波シールドフィルムの製造方法である。
具体的に、第一実施形態の電磁波シールドフィルムを製造する方法として、下記の方法（Ａ１）、方法（Ａ２）が挙げられる。第二実施形態の電磁波シールドフィルムを製造する方法として、下記の方法（Ｂ１）、方法（Ｂ２）が挙げられる。第三実施形態の電磁波シールドフィルムを製造する方法として、下記の方法（Ｃ１）、方法（Ｃ２）が挙げられる。
方法（Ａ１）は、下記の工程（Ａ１−１）〜（Ａ１−５）を有する方法である。
工程（Ａ１−１）：フィルム状に成形され且つ発泡された芳香族ポリエーテルケトンからなる絶縁樹脂層１０を形成する工程。
工程（Ａ１−２）：絶縁樹脂層１０をキャリアフィルム３０に積層する工程。
工程（Ａ１−３）：絶縁樹脂層１０のキャリアフィルム３０とは反対側の面に金属薄膜層２２を形成する工程。
工程（Ａ１−４）：金属薄膜層２２の絶縁樹脂層１０とは反対側の面に異方導電性接着剤層２４を形成する工程。
工程（Ａ１−５）：異方導電性接着剤層２４の金属薄膜層２２とは反対側の面に離型フィルム４０を積層する工程。
以下、方法（Ａ１）の各工程について詳細に説明する。
工程（Ａ１−１）：フィルム状に成形され且つ発泡された芳香族ポリエーテルケトンからなる絶縁樹脂層１０を形成する工程。
工程（Ａ１−２）：絶縁樹脂層１０をキャリアフィルム３０に積層する工程。
工程（Ａ１−３）：絶縁樹脂層１０のキャリアフィルム３０とは反対側の面に金属薄膜層２２を形成する工程。
工程（Ａ１−４）：金属薄膜層２２の絶縁樹脂層１０とは反対側の面に異方導電性接着剤層２４を形成する工程。
工程（Ａ１−５）：異方導電性接着剤層２４の金属薄膜層２２とは反対側の面に離型フィルム４０を積層する工程。
以下、方法（Ａ１）の各工程について詳細に説明する。
工程（Ａ１−１）においては、芳香族ポリエーテルケトンをフィルム状に成形した後に発泡させてもよいし、芳香族ポリエーテルケトンをフィルム状に成形すると同時に発泡させてもよい。皺又は変形の発生を防止しつつ比誘電率が低い絶縁樹脂層１０を低コストで製造できる点では、芳香族ポリエーテルケトンをフィルム状に成形した後に発泡させることが好ましい。
芳香族ポリエーテルケトンをフィルム状に成形した後に発泡させる方法の一例としては、芳香族ポリエーテルケトンを、押出成形機を用いて溶融混練し、溶融物を発泡用芳香族ポリエーテルケトンフィルム（以下、「発泡用フィルム」と略す。）に成形する工程と、前記発泡用フィルムに発泡剤を含有させる工程と、発泡剤を含有させた発泡用フィルムを加熱して発泡させる工程とを有する方法が挙げられる。
押出成形機としては、例えば、多軸押出成形機（二軸押出成形機、三軸押出成形機、四軸押出成形機、八軸押出成形機等）、単軸押出成形機、ミキシングロール、加圧ニーダー、バンバリーミキサー等が挙げられる。
溶融混練の温度は、芳香族ポリエーテルケトンを溶融混練可能で且つ芳香族ポリエーテルケトンが分解しない温度であれば特に制限されない。具体的に溶融混練温度は、芳香族ポリエーテルケトンの融点以上熱分解温度未満にすることが好ましく、３２０℃以上４５０℃以下にすることがより好ましく、３６０℃以上４２０℃にすることがさらに好ましく、３８０℃以上４００℃以下にすることが特に好ましい。溶融混練温度が前記下限値以上であれば、芳香族ポリエーテルケトンを容易に溶融押出成形でき、前記上限値以下であれば、芳香族ポリエーテルケトンの分解を防ぐことができる。
溶融混練の温度は、芳香族ポリエーテルケトンを溶融混練可能で且つ芳香族ポリエーテルケトンが分解しない温度であれば特に制限されない。具体的に溶融混練温度は、芳香族ポリエーテルケトンの融点以上熱分解温度未満にすることが好ましく、３２０℃以上４５０℃以下にすることがより好ましく、３６０℃以上４２０℃にすることがさらに好ましく、３８０℃以上４００℃以下にすることが特に好ましい。溶融混練温度が前記下限値以上であれば、芳香族ポリエーテルケトンを容易に溶融押出成形でき、前記上限値以下であれば、芳香族ポリエーテルケトンの分解を防ぐことができる。
押出成形機に供する芳香族ポリエーテルケトンの含水率は、０ｐｐｍ以上２０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、０ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下であることがより好ましく、１００ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。芳香族ポリエーテルケトンの含水率が前記上限値以下であれば、発泡剤により発泡させる前の不必要な発泡を防ぐことができる。
溶融混練機の原料投入口は、溶融混練時の芳香族ポリエーテルケトンの酸化劣化及び酸素架橋を防止するために、不活性ガス雰囲気にすることが好ましい。不活性ガスとしては、例えば、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガス、窒素ガス、二酸化炭素ガス等が用いられる。
また、溶融混練の際には、真空ポンプ等を用いて溶融混練機内を減圧して、芳香族ポリエーテルケトンに含まれている水分及び低分子化合物等を揮発させて除去してもよい。
溶融混練機の原料投入口は、溶融混練時の芳香族ポリエーテルケトンの酸化劣化及び酸素架橋を防止するために、不活性ガス雰囲気にすることが好ましい。不活性ガスとしては、例えば、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、クリプトンガス、窒素ガス、二酸化炭素ガス等が用いられる。
また、溶融混練の際には、真空ポンプ等を用いて溶融混練機内を減圧して、芳香族ポリエーテルケトンに含まれている水分及び低分子化合物等を揮発させて除去してもよい。
溶融物をフィルム状に成形する際には、芳香族ポリエーテルケトンを押出成形機内で溶融させて得た溶融物を、押出成形機の先端部に設けられたＴダイスから連続的に帯状に押し出す。これにより、発泡用フィルムを得る。
Ｔダイスの温度は、芳香族ポリエーテルケトンの融点以上熱分解温度未満にすることが好ましく、３２０℃以上４５０℃以下にすることがより好ましく、３６０℃以上４２０℃にすることがさらに好ましく、３８０℃以上４００℃以下にすることが特に好ましい。Ｔダイスの温度が前記下限値以上であれば、芳香族ポリエーテルケトンを容易に溶融押出成形でき、前記上限値以下であれば、芳香族ポリエーテルケトンの分解を防ぐことができる。
溶融押出成形機とＴダイスとの間には、ギヤポンプ及びフィルタが取り付けられていることが好ましい。ギヤポンプを用いることによって、溶融押出成形機にて溶融した混合物を容易に一定流量でＴダイスに供給することができ、安定してフィルム状にできる。フィルタを用いることによって、溶融した混合物に含まれるゲル化物等の異物を除去でき、フィルムの品質を向上させることができる。
Ｔダイスから押し出された溶融状態のフィルムは、冷却ロールに密着させて冷却することが好ましい。
前記冷却ロールには、圧着ロールが少なくとも１個以上接していることが好ましい。冷却ロールと圧着ロールとで溶融状態のフィルムを挟み、圧着ロールによって冷却ロールの方向に押圧することにより、フィルムを確実に冷却ロールに密着させて冷却することができる。
圧着ロールとしては、金属製のロール本体の周面にゴム層が被覆されたものを使用することが好ましい。ゴム層を構成するゴムとしては、例えば、シリコーンゴム、フッ素ゴム、天然ゴム、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、ノルボルネンゴム、ニトリルゴム、ウレタンゴム等が挙げられる。これらゴムのなかでも、耐熱性が高いことから、シリコーンゴム、フッ素ゴムが好ましい。
前記冷却ロールには、圧着ロールが少なくとも１個以上接していることが好ましい。冷却ロールと圧着ロールとで溶融状態のフィルムを挟み、圧着ロールによって冷却ロールの方向に押圧することにより、フィルムを確実に冷却ロールに密着させて冷却することができる。
圧着ロールとしては、金属製のロール本体の周面にゴム層が被覆されたものを使用することが好ましい。ゴム層を構成するゴムとしては、例えば、シリコーンゴム、フッ素ゴム、天然ゴム、イソプレンゴム、ブタジエンゴム、ノルボルネンゴム、ニトリルゴム、ウレタンゴム等が挙げられる。これらゴムのなかでも、耐熱性が高いことから、シリコーンゴム、フッ素ゴムが好ましい。
冷却ロールの温度は、芳香族ポリエーテルケトンの（Ｔｇ＋２０）℃以下にすることが好ましく、（Ｔｇ−１０）℃以下にすることがより好ましく、５０℃以上（Ｔｇ−２０）℃以下にすることがさらに好ましい。
圧着ロールの温度は、芳香族ポリエーテルケトンの（Ｔｇ＋２０）℃以下にすることが好ましく、Ｔｇ℃以下にすることがより好ましく、５０℃以上（Ｔｇ−１０）℃以下にすることがさらに好ましい。
冷却ロールの温度及び圧着ロールの温度が前記上限値以下であれば、発泡用フィルムの相対結晶化度及び貯蔵弾性率を容易に後述するものにできる。そのため、発泡剤を含有させやすくなり、発泡性を向上させることができる。
圧着ロールの温度は、芳香族ポリエーテルケトンの（Ｔｇ＋２０）℃以下にすることが好ましく、Ｔｇ℃以下にすることがより好ましく、５０℃以上（Ｔｇ−１０）℃以下にすることがさらに好ましい。
冷却ロールの温度及び圧着ロールの温度が前記上限値以下であれば、発泡用フィルムの相対結晶化度及び貯蔵弾性率を容易に後述するものにできる。そのため、発泡剤を含有させやすくなり、発泡性を向上させることができる。
冷却ロールに溶融状態のフィルムを密着させる密着時間は、０．１秒以上１２０秒以下であることが好ましく、０．５秒以上６０秒以下であることがより好ましく、１秒以上３０秒以下であることがさらに好ましい。密着時間が前記範囲内であれば、容易に後述する貯蔵弾性率及び前記相対結晶化度にすることができる。
上記のようにして得る発泡用フィルムは、容易に発泡できる点から、特定の弾性率を有するものが好ましい。具体的には、発泡用フィルムについて、動的粘弾性測定装置を用いて、少なくとも−６０℃以上３６０℃以下の範囲で温度を変化させながら動的粘弾性を測定した際に、（Ｔｇ−１０）℃以上（Ｔｇ＋５０）℃以下の範囲で貯蔵弾性率が２×１０８Ｐａ以下に低下して極小値を有するものが好ましい。
発泡用フィルムの貯蔵弾性率は、発泡時の気泡の合一又は破泡を容易に防止できる点で、３００℃以下の範囲において１×１０５Ｐａ以上であることが好ましい。
発泡用フィルムの貯蔵弾性率は、発泡時の気泡の合一又は破泡を容易に防止できる点で、３００℃以下の範囲において１×１０５Ｐａ以上であることが好ましい。
発泡用フィルムの相対結晶化度は８０％以下であることが好ましく、５０％以下であることがより好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。発泡用フィルムの相対結晶化度が前記上限値以下であれば、上記のような特定範囲で貯蔵弾性率に極小値を有するものになり、発泡成形性が高くなる。
また、発泡用フィルムの相対結晶化度は、実用上の点から、５％以上であることが好ましい。
発泡用フィルムの相対結晶化度は、示差走査熱量計を用いて１０℃／分の昇温速度で昇温させた際の熱分析結果に基づき、下記の式より求められる。
相対結晶化度＝｛１−（ΔＨｃ／ΔＨｍ）｝×１００
ここで、ΔＨｍは結晶融解ピークの熱量（Ｊ／ｇ）であり、ΔＨｃは再結晶化ピークの熱量（Ｊ／ｇ）である。
また、発泡用フィルムの相対結晶化度は、実用上の点から、５％以上であることが好ましい。
発泡用フィルムの相対結晶化度は、示差走査熱量計を用いて１０℃／分の昇温速度で昇温させた際の熱分析結果に基づき、下記の式より求められる。
相対結晶化度＝｛１−（ΔＨｃ／ΔＨｍ）｝×１００
ここで、ΔＨｍは結晶融解ピークの熱量（Ｊ／ｇ）であり、ΔＨｃは再結晶化ピークの熱量（Ｊ／ｇ）である。
発泡用フィルムの厚さは２μｍ以上１００μｍ以下にすることが好ましく、５μｍ以上９０μｍ以下にすることがより好ましい。発泡用フィルムの厚さが前記下限値以上であれば、発泡用フィルムに発泡剤を含ませやすくなるから、発泡フィルムを容易に形成できる。また、発泡用フィルムの内部まで発泡剤を十分に含有させることができ、均一に発泡させやすい。
前記発泡用フィルムに発泡剤を含有させる工程において使用される発泡剤としては、熱分解型の発泡剤、有機溶剤、不活性ガス、不活性ガスを圧縮して得た液体や超臨界流体等を使用できる。熱分解型の発泡剤は、有機系発泡剤、無機系発泡剤に分類できる。
有機系発泡剤としては、例えば、アゾ化合物、ニトロソ化合物、ヒドラジン化合物、ヒドラジド化合物等が挙げられる。これら化合物はいずれも、加熱された際に窒素ガスを発生する。
アゾ化合物としては、例えば、アゾジカルボンアミド、バリウムアゾカルボキシレート、アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。ニトロソ化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジニトロソペンタメチレンテトラミン等が挙げられる。ヒドラジン化合物としては、例えば、ヒドラゾカルボンアミド等が挙げられる。ヒドラジド化合物としては、例えば、ｐ−トルエンスルホニルヒドラジド、ｐ，ｐ’−オキシ−ビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）等が挙げられる。
無機系化合物としては、例えば、炭酸水素ナトリウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム等が挙げられる。これら化合物はいずれも、加熱された際に炭酸ガスを発生する。
有機溶剤としては、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、アルコール、ケトン等が挙げられる。
炭化水素としては、例えば、プロパン、ｎ−ブタン、ｉ−ブタン、ｎ−ペンタン、ｉ−ペンタン、ヘキサン等の低級脂肪族炭化水素化合物；シクロブタン、シクロペンタン等の脂環式炭化水素化合物；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素化合物等が挙げられる。
ハロゲン化炭化水素化合物としては、例えば、クロロメチル、クロロエチル、１−クロロ−１，１−ジフルオロエタン等が挙げられる。
アルコール化合物としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール等が挙げられる。
ケトン化合物としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン等が挙げられる。
不活性ガスとしては、二酸化炭素ガス（炭酸ガス）、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス、フロンガス等が挙げられる。
これらの発泡剤の中でも、不活性ガス、液化した不活性ガス、又は超臨界状態の不活性ガスが好ましく、発泡フィルムへの浸透性が高く、取り扱い性に優れることから、超臨界状態の二酸化炭素（液化二酸化炭素）がより好ましい。
有機系発泡剤としては、例えば、アゾ化合物、ニトロソ化合物、ヒドラジン化合物、ヒドラジド化合物等が挙げられる。これら化合物はいずれも、加熱された際に窒素ガスを発生する。
アゾ化合物としては、例えば、アゾジカルボンアミド、バリウムアゾカルボキシレート、アゾビスイソブチロニトリル等が挙げられる。ニトロソ化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジニトロソペンタメチレンテトラミン等が挙げられる。ヒドラジン化合物としては、例えば、ヒドラゾカルボンアミド等が挙げられる。ヒドラジド化合物としては、例えば、ｐ−トルエンスルホニルヒドラジド、ｐ，ｐ’−オキシ−ビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）等が挙げられる。
無機系化合物としては、例えば、炭酸水素ナトリウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム等が挙げられる。これら化合物はいずれも、加熱された際に炭酸ガスを発生する。
有機溶剤としては、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、アルコール、ケトン等が挙げられる。
炭化水素としては、例えば、プロパン、ｎ−ブタン、ｉ−ブタン、ｎ−ペンタン、ｉ−ペンタン、ヘキサン等の低級脂肪族炭化水素化合物；シクロブタン、シクロペンタン等の脂環式炭化水素化合物；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素化合物等が挙げられる。
ハロゲン化炭化水素化合物としては、例えば、クロロメチル、クロロエチル、１−クロロ−１，１−ジフルオロエタン等が挙げられる。
アルコール化合物としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール等が挙げられる。
ケトン化合物としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン等が挙げられる。
不活性ガスとしては、二酸化炭素ガス（炭酸ガス）、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス、フロンガス等が挙げられる。
これらの発泡剤の中でも、不活性ガス、液化した不活性ガス、又は超臨界状態の不活性ガスが好ましく、発泡フィルムへの浸透性が高く、取り扱い性に優れることから、超臨界状態の二酸化炭素（液化二酸化炭素）がより好ましい。
以下、発泡剤として、不活性ガス、液化した不活性ガス、又は超臨界状態の不活性ガス（以下、「不活性ガス系発泡剤」という。）を用いて、発泡した絶縁樹脂層１０を形成する方法について説明する。
発泡剤が不活性ガス系発泡剤である場合には、発泡用フィルムに不活性ガス系発泡剤を含浸させる工程（含浸工程）を有する。
発泡用フィルムに不活性ガス系発泡剤を含浸させる際には、通気性基材を発泡用フィルムに重ねて巻き回して巻物とし、その巻物の周囲から不活性ガス系発泡剤を供給することが好ましい。前記巻物に不活性ガス系発泡剤を供給すれば、発泡用フィルムに不活性ガス系発泡剤を十分に含浸させることができる。
通気性基材としては、例えば、紙、不織布、合成繊維混抄紙、金属網、樹脂網等の、一方の面から他方の面に空気が透過する空隙が形成されたものが挙げられる。
発泡剤が不活性ガス系発泡剤である場合には、発泡用フィルムに不活性ガス系発泡剤を含浸させる工程（含浸工程）を有する。
発泡用フィルムに不活性ガス系発泡剤を含浸させる際には、通気性基材を発泡用フィルムに重ねて巻き回して巻物とし、その巻物の周囲から不活性ガス系発泡剤を供給することが好ましい。前記巻物に不活性ガス系発泡剤を供給すれば、発泡用フィルムに不活性ガス系発泡剤を十分に含浸させることができる。
通気性基材としては、例えば、紙、不織布、合成繊維混抄紙、金属網、樹脂網等の、一方の面から他方の面に空気が透過する空隙が形成されたものが挙げられる。
不活性ガス系発泡剤の含浸圧力（ゲージ圧）は、常圧以上であることが好ましく、５ＭＰａ以上３０ＭＰａ以下であることがより好ましい。含浸圧力が前記下限値以上であれば、不活性ガス系発泡剤を発泡用フィルムに十分に含浸させることができ、前記上限値以下であれば、含浸工程における設備を簡略化できる。
不活性ガス系発泡剤の含浸温度は、１５℃以上発泡フィルムのＴｇ℃未満であることが好ましく、２５℃以上（Ｔｇ−５０）℃以下であることがより好ましく、４０℃以上（Ｔｇ−７０）℃以下であることがさらに好ましい。含浸温度が前記下限値以上であれば、不活性ガス系発泡剤を発泡用フィルムに容易に含浸させることができ、前記上限値以下であれば、発泡用フィルムの結晶化を防ぎ、発泡剤の含浸阻害を抑制できる。
不活性ガスの含浸時間は、含浸圧力及び含浸温度を勘案して適宜調整され、例えば、３０分以上９６時間の範囲内である。
不活性ガス系発泡剤の含浸温度は、１５℃以上発泡フィルムのＴｇ℃未満であることが好ましく、２５℃以上（Ｔｇ−５０）℃以下であることがより好ましく、４０℃以上（Ｔｇ−７０）℃以下であることがさらに好ましい。含浸温度が前記下限値以上であれば、不活性ガス系発泡剤を発泡用フィルムに容易に含浸させることができ、前記上限値以下であれば、発泡用フィルムの結晶化を防ぎ、発泡剤の含浸阻害を抑制できる。
不活性ガスの含浸時間は、含浸圧力及び含浸温度を勘案して適宜調整され、例えば、３０分以上９６時間の範囲内である。
不活性ガスとして二酸化炭素を用いる場合、含浸圧力を７．４ＭＰａ以上にし且つ含浸温度を３１℃以上にして、二酸化炭素を超臨界状態にすることが好ましい。超臨界状態の二酸化炭素を発泡剤として用いると、発泡用フィルムへの含浸速度が速く、含浸時間の調整によって容易に発泡倍率又は発泡状態を制御することができる。
発泡用フィルムに不活性ガス系発泡剤を含浸させた後には、発泡用フィルムへの不活性ガス系発泡剤の供給を停止し、圧力を開放する（圧力開放工程）。その際、圧力は急激に開放することが好ましく、具体的には１ＭＰａ／秒以上の速度で圧力を開放することが好ましい。圧力の開放速度は速い程よい。前記速度で圧力を開放すれば、熱力学的不安定性の誘発により発泡用フィルムの内部に発泡核を容易に形成できる。そのため、十分な量の発泡核を形成でき、発泡後の気泡径を均一に且つ適切範囲にできる。
不活性ガス系発泡剤を含浸させた発泡用フィルムはＴｇが低下する傾向にある。
不活性ガス系発泡剤を含浸させた発泡用フィルムはＴｇが低下する傾向にある。
発泡フィルム内に発泡核を形成した後には、発泡用フィルムを加熱し、発泡核内のガスを膨張させて発泡させる（発泡工程）。これにより、発泡層からなる絶縁樹脂層１０を形成する。
発泡用フィルムの加熱温度は、発泡用フィルムの（Ｔｇ−６０）℃以上（Ｔｇ＋７０）℃以下であることが好ましく、発泡用フィルムの（Ｔｇ−６０）℃以上（Ｔｇ＋６０）℃以下であることがより好ましく、発泡用フィルムの（Ｔｇ−５０）℃以上（Ｔｇ＋５０）℃以下であることがさらに好ましい。加熱温度が前記下限値以上であれば、発泡用フィルムを十分に軟化でき、容易に発泡させることができ、前記上限値以下であれば、気泡の合一化及び破泡を防止でき、また、得られる発泡フィルムの反り、撓み、皺、膨れ等の変形を防止できる。
発泡用フィルムの加熱方法としては、例えば、加熱した金型内で発泡用フィルムを加熱する方法や、熱風加熱法、熱水浴加熱法、オイルバス加熱法、熱板接触加熱法、スチーム加熱法、過熱蒸気加熱法等を適用することができる。
発泡用フィルムの加熱温度は、発泡用フィルムの（Ｔｇ−６０）℃以上（Ｔｇ＋７０）℃以下であることが好ましく、発泡用フィルムの（Ｔｇ−６０）℃以上（Ｔｇ＋６０）℃以下であることがより好ましく、発泡用フィルムの（Ｔｇ−５０）℃以上（Ｔｇ＋５０）℃以下であることがさらに好ましい。加熱温度が前記下限値以上であれば、発泡用フィルムを十分に軟化でき、容易に発泡させることができ、前記上限値以下であれば、気泡の合一化及び破泡を防止でき、また、得られる発泡フィルムの反り、撓み、皺、膨れ等の変形を防止できる。
発泡用フィルムの加熱方法としては、例えば、加熱した金型内で発泡用フィルムを加熱する方法や、熱風加熱法、熱水浴加熱法、オイルバス加熱法、熱板接触加熱法、スチーム加熱法、過熱蒸気加熱法等を適用することができる。
発泡倍率を高める場合には、前記含浸工程と前記圧力開放工程と前記発泡工程とからなる一連の工程を複数回繰り返すとよい。但し、２回目以降の発泡工程における加熱温度は、（Ｔｇ−６０）℃以上Ｔｇ℃未満とすることが好ましい。
上記のようにして得た発泡フィルム状の絶縁樹脂層１０の相対結晶化度が低い場合には、さらに加熱処理を施すとよい。加熱処理によって、相対結晶化度が高くなり、絶縁樹脂層１０の耐熱性及び機械的強度がより高くなる。
その加熱処理の際の加熱温度は、Ｔｇ℃以上融点未満にすることが好ましく、（Ｔｇ＋２０）℃以上（融点−５０）℃以下であることがより好ましい。加熱温度がＴｇ℃以上であれば、容易に結晶化度を高めることができ、融点未満であれば、気泡の合一又は破泡を防止し、また、フィルム状の形状を十分に維持できる。
その加熱処理の際の加熱温度は、Ｔｇ℃以上融点未満にすることが好ましく、（Ｔｇ＋２０）℃以上（融点−５０）℃以下であることがより好ましい。加熱温度がＴｇ℃以上であれば、容易に結晶化度を高めることができ、融点未満であれば、気泡の合一又は破泡を防止し、また、フィルム状の形状を十分に維持できる。
上記の方法以外の方法によっても、フィルム状に成形され且つ発泡された芳香族ポリエーテルケトンからなる絶縁樹脂層１０を形成することは可能である。
例えば、絶縁樹脂層１０を形成する他の方法としては、芳香族ポリエーテルケトンと発泡剤とを含む混合物を、押出成形機を用いて溶融混練した後、溶融物をＴダイスから吐出することで、フィルム状にすると共に発泡させる方法が挙げられる。前記溶融物をＴダイスから吐出した際、発泡剤由来のガスが膨張するため、芳香族ポリエーテルケトンを発泡させることができる。
また、絶縁樹脂層１０を形成する他の方法としては、芳香族ポリエーテルケトンを、押出機を用いて溶融すると共に押出機内に加圧した不活性ガスを導入し、押出機内で芳香族ポリエーテルケトンと不活性ガスを混練した後、溶融物をＴダイスから吐出することでフィルム状にすると共に発泡させる方法が挙げられる。
例えば、絶縁樹脂層１０を形成する他の方法としては、芳香族ポリエーテルケトンと発泡剤とを含む混合物を、押出成形機を用いて溶融混練した後、溶融物をＴダイスから吐出することで、フィルム状にすると共に発泡させる方法が挙げられる。前記溶融物をＴダイスから吐出した際、発泡剤由来のガスが膨張するため、芳香族ポリエーテルケトンを発泡させることができる。
また、絶縁樹脂層１０を形成する他の方法としては、芳香族ポリエーテルケトンを、押出機を用いて溶融すると共に押出機内に加圧した不活性ガスを導入し、押出機内で芳香族ポリエーテルケトンと不活性ガスを混練した後、溶融物をＴダイスから吐出することでフィルム状にすると共に発泡させる方法が挙げられる。
工程（Ａ１−２）では、上記のようにして得た発泡フィルム状の絶縁樹脂層１０を、キャリアフィルム３０の粘着剤層３４が設けられた面に積層する。発泡フィルム状にした直後の絶縁樹脂層１０をそのままキャリアフィルム３０に積層してもよいし、発泡フィルム状にした絶縁樹脂層１０を一旦巻き取ってロール状にした後、そのロールから発泡フィルム状の絶縁樹脂層１０を送出してキャリアフィルム３０に積層してもよい。
工程（Ａ１−３）における金属薄膜層２２の形成方法としては、物理蒸着、ＣＶＤ（化学気相蒸着）によって蒸着膜を形成する方法、めっきによってめっき膜を形成する方法、金属箔を貼り付ける方法等が挙げられる。面方向の導電性に優れる金属薄膜層２２を形成できる点から、物理蒸着、ＣＶＤによって蒸着膜を形成する方法、又はめっきによってめっき膜を形成する方法が好ましい。金属薄膜層２２の厚さを薄くでき、かつ厚さが薄くても面方向の導電性に優れる金属薄膜層２２を形成でき、ドライプロセスにて簡便に金属薄膜層２２を形成できる点から、物理蒸着、ＣＶＤによって蒸着膜を形成する方法がより好ましく、物理蒸着によって蒸着膜を形成する方法がさらに好ましい。
工程（Ａ１−４）では、金属薄膜層２２の絶縁樹脂層１０とは反対側の面に、導電性接着剤塗料を塗布する。導電性接着剤塗料は、熱硬化性接着剤２４ａと導電性粒子２４ｂと溶剤とを含有する。塗布した導電性接着剤塗料より溶剤を揮発させることにより、異方導電性接着剤層２４を形成する。
導電性接着剤塗料に含まれる溶剤としては、例えば、エステル（酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸イソプロピル、エチレングリコールモノアセテート等）、ケトン（メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等）、アルコール（メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、プロピレングリールモノメチルエーテル、プロピレングルコール等）等が挙げられる。
導電性接着剤の塗布方法としては、例えば、ダイコーター、グラビアコーター、ロールコーター、カーテンフローコーター、スピンコーター、バーコーター、リバースコーター、キスコーター、ファウンテンコーター、ロッドコーター、エアドクターコーター、ナイフコーター、ブレードコーター、キャストコーター、スクリーンコーター等の各種コーターを用いた方法を適用することができる。
導電性接着剤塗料に含まれる溶剤としては、例えば、エステル（酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸イソプロピル、エチレングリコールモノアセテート等）、ケトン（メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等）、アルコール（メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、プロピレングリールモノメチルエーテル、プロピレングルコール等）等が挙げられる。
導電性接着剤の塗布方法としては、例えば、ダイコーター、グラビアコーター、ロールコーター、カーテンフローコーター、スピンコーター、バーコーター、リバースコーター、キスコーター、ファウンテンコーター、ロッドコーター、エアドクターコーター、ナイフコーター、ブレードコーター、キャストコーター、スクリーンコーター等の各種コーターを用いた方法を適用することができる。
工程（Ａ１−５）では、離型フィルム４０を、異方導電性接着剤層２４の金属薄膜層２２とは反対側の面に、離型剤層４４が異方導電性接着剤層２４に接するように積層する。
離型フィルム４０を異方導電性接着剤層２４に積層した後には、キャリアフィルム３０、絶縁樹脂層１０、金属薄膜層２２、異方導電性接着剤層２４及び離型フィルム４０からなる積層体に、各層同士の密着性を高めるための加圧処理を施してもよい。
加圧処理における圧力としては、０．１ｋＰａ以上１００ｋＰａ以下が好ましく、０．１ｋＰａ以上２０ｋＰａ以下がより好ましく、１ｋＰａ以上１０ｋＰａ以下がさらに好ましい。
加圧処理と同時に加熱してもよい。その際の加熱温度としては５０℃以上１００℃以下が好ましい。
離型フィルム４０を異方導電性接着剤層２４に積層した後には、キャリアフィルム３０、絶縁樹脂層１０、金属薄膜層２２、異方導電性接着剤層２４及び離型フィルム４０からなる積層体に、各層同士の密着性を高めるための加圧処理を施してもよい。
加圧処理における圧力としては、０．１ｋＰａ以上１００ｋＰａ以下が好ましく、０．１ｋＰａ以上２０ｋＰａ以下がより好ましく、１ｋＰａ以上１０ｋＰａ以下がさらに好ましい。
加圧処理と同時に加熱してもよい。その際の加熱温度としては５０℃以上１００℃以下が好ましい。
方法（Ａ２）は、下記の工程（Ａ２−１）〜（Ａ２−５）を有する方法である。
工程（Ａ２−１）：フィルム状に成形され且つ発泡された芳香族ポリエーテルケトンからなる絶縁樹脂層１０を形成する工程。
工程（Ａ２−２）：得られた絶縁樹脂層１０をキャリアフィルム３０に積層する工程。
工程（Ａ２−３）：絶縁樹脂層１０のキャリアフィルム３０とは反対側の面に金属薄膜層２２を形成して積層体（Ｉ）を形成する工程。
工程（Ａ２−４）：離型フィルム４０に異方導電性接着剤層２４を形成して積層体（II）を形成する工程。
工程（Ａ２−５）：積層体（Ｉ）と積層体（II）とを、積層体（Ｉ）の金属薄膜層２２と積層体（II）の異方導電性接着剤層２４とが接するように貼り合せる工程。
工程（Ａ２−１）：フィルム状に成形され且つ発泡された芳香族ポリエーテルケトンからなる絶縁樹脂層１０を形成する工程。
工程（Ａ２−２）：得られた絶縁樹脂層１０をキャリアフィルム３０に積層する工程。
工程（Ａ２−３）：絶縁樹脂層１０のキャリアフィルム３０とは反対側の面に金属薄膜層２２を形成して積層体（Ｉ）を形成する工程。
工程（Ａ２−４）：離型フィルム４０に異方導電性接着剤層２４を形成して積層体（II）を形成する工程。
工程（Ａ２−５）：積層体（Ｉ）と積層体（II）とを、積層体（Ｉ）の金属薄膜層２２と積層体（II）の異方導電性接着剤層２４とが接するように貼り合せる工程。
工程（Ａ２−１）、工程（Ａ２−２）及び工程（Ａ２−３）は、前記方法（Ａ１）における工程（Ａ１−１）、工程（Ａ１−２）及び工程（Ａ１−３）と同様である。
工程（Ａ２−４）では、離型フィルム４０の離型剤層４４が設けられた面に導電性接着剤塗料を塗布する。塗布した導電性接着剤塗料より溶剤を揮発させることにより、異方導電性接着剤層２４を形成する。導電性接着剤塗料及び塗布方法は、前記方法（Ａ）における工程（Ａ１−４）と同様である。
工程（Ａ２−５）では、積層体（Ｉ）と積層体（II）との貼り合せでは、積層体（Ｉ）と積層体（II）との密着性を高めるための加圧処理を施してもよい。加圧条件は、工程（Ａ１−５）における加圧処理と同様である。また、工程（Ａ２−５）においても、工程（Ａ１−５）と同様に加熱してもよい。
方法（Ｂ１）は、導電性接着剤塗料を熱硬化性接着剤２６ａと導電性粒子２６ｂと溶剤とを含有する塗料に変更して等方導電性接着剤層２６を形成したこと以外は方法（Ａ１）と同様の方法である。
方法（Ｂ２）は、導電性接着剤塗料を熱硬化性接着剤２６ａと導電性粒子２６ｂと溶剤とを含有する塗料に変更して等方導電性接着剤層２６を形成したこと以外は方法（Ａ２）と同様の方法である。
方法（Ｂ２）は、導電性接着剤塗料を熱硬化性接着剤２６ａと導電性粒子２６ｂと溶剤とを含有する塗料に変更して等方導電性接着剤層２６を形成したこと以外は方法（Ａ２）と同様の方法である。
方法（Ｃ１）は、下記の工程（Ｃ１−１）〜（Ｃ１−４）を有する方法である。
工程（Ｃ１−１）：フィルム状に成形され且つ発泡された芳香族ポリエーテルケトンからなる絶縁樹脂層１０を形成する工程。
工程（Ｃ１−２）：絶縁樹脂層１０をキャリアフィルム３０に積層する工程。
工程（Ｃ１−３）：絶縁樹脂層１０のキャリアフィルム３０とは反対側の面に等方導電性接着剤層２６を形成する工程。
工程（Ｃ１−４）：等方導電性接着剤層２６の絶縁樹脂層１０とは反対側の面に離型フィルム４０を積層する工程。
方法（Ｃ１）は、金属薄膜層の形成を省略し、導電性接着剤として等方導電性接着剤を用い、絶縁樹脂層１０に等方導電性接着剤層２６を直接形成したこと以外は方法（Ａ１）と同様の方法である。
工程（Ｃ１−１）：フィルム状に成形され且つ発泡された芳香族ポリエーテルケトンからなる絶縁樹脂層１０を形成する工程。
工程（Ｃ１−２）：絶縁樹脂層１０をキャリアフィルム３０に積層する工程。
工程（Ｃ１−３）：絶縁樹脂層１０のキャリアフィルム３０とは反対側の面に等方導電性接着剤層２６を形成する工程。
工程（Ｃ１−４）：等方導電性接着剤層２６の絶縁樹脂層１０とは反対側の面に離型フィルム４０を積層する工程。
方法（Ｃ１）は、金属薄膜層の形成を省略し、導電性接着剤として等方導電性接着剤を用い、絶縁樹脂層１０に等方導電性接着剤層２６を直接形成したこと以外は方法（Ａ１）と同様の方法である。
方法（Ｃ２）は、下記の工程（Ｃ２−１）〜（Ｃ２−４）を有する方法である。
工程（Ｃ２−１）：フィルム状に成形され且つ発泡された芳香族ポリエーテルケトンからなる絶縁樹脂層１０を形成する工程。
工程（Ｃ２−２）：絶縁樹脂層１０をキャリアフィルム３０に積層して積層体（Ｉ）を形成する工程。
工程（Ｃ２−３）：離型フィルム４０に等方導電性接着剤層２６を形成して積層体（II）を形成する工程。
工程（Ｃ２−４）：積層体（Ｉ）と積層体（II）とを、積層体（Ｉ）の絶縁樹脂層１０と積層体（II）の等方導電性接着剤層２６とが接するように貼り合せる工程。
方法（Ｃ２）は、金属薄膜層の形成を省略し、導電性接着剤として等方導電性接着剤を用い、絶縁樹脂層１０に等方導電性接着剤層２６を貼り合せたこと以外は方法（Ａ２）と同様の方法である。
工程（Ｃ２−１）：フィルム状に成形され且つ発泡された芳香族ポリエーテルケトンからなる絶縁樹脂層１０を形成する工程。
工程（Ｃ２−２）：絶縁樹脂層１０をキャリアフィルム３０に積層して積層体（Ｉ）を形成する工程。
工程（Ｃ２−３）：離型フィルム４０に等方導電性接着剤層２６を形成して積層体（II）を形成する工程。
工程（Ｃ２−４）：積層体（Ｉ）と積層体（II）とを、積層体（Ｉ）の絶縁樹脂層１０と積層体（II）の等方導電性接着剤層２６とが接するように貼り合せる工程。
方法（Ｃ２）は、金属薄膜層の形成を省略し、導電性接着剤として等方導電性接着剤を用い、絶縁樹脂層１０に等方導電性接着剤層２６を貼り合せたこと以外は方法（Ａ２）と同様の方法である。
（作用効果）
絶縁樹脂層１０が芳香族ポリエーテルケトンを含有する本態様の電磁波シールドフィルム１によれば、金属を含む導電層２０に対する絶縁樹脂層１０の接着力を高めることができる。そのため、電磁波シールドフィルム１の取り扱い中に絶縁樹脂層１０と導電層２０との層間剥離が起きることを防止できる。この効果は、導電層２０が金属薄膜層２２を有する場合に特に発揮され、金属薄膜層２２に対して、芳香族ポリエーテルケトンを含 有する絶縁樹脂層１０は高い接着力で接着する。
また、絶縁樹脂層１０は、芳香族ポリエーテルケトンの発泡層からなるため、誘電率が低い。そのため、本態様の電磁波シールドフィルム１の全体においても誘電率が低くなっている。したがって、本態様の電磁波シールドフィルム１を設けたプリント配線板は、回路の信号伝播速度を速くできる。
また、絶縁樹脂層１０が芳香族ポリエーテルケトンを含有する発泡層であることにより、熱伝導性が低くなっている。したがって、本態様の電磁波シールドフィルム１の熱伝導性も低くなっている。
また、芳香族ポリエーテルケトンはＴｇが高く、耐熱性が高い樹脂であるから、芳香族ポリエーテルケトンを含有する絶縁樹脂層１０を有する電磁波シールドフィルム１は耐熱性が高い。
絶縁樹脂層１０が芳香族ポリエーテルケトンを含有する本態様の電磁波シールドフィルム１によれば、金属を含む導電層２０に対する絶縁樹脂層１０の接着力を高めることができる。そのため、電磁波シールドフィルム１の取り扱い中に絶縁樹脂層１０と導電層２０との層間剥離が起きることを防止できる。この効果は、導電層２０が金属薄膜層２２を有する場合に特に発揮され、金属薄膜層２２に対して、芳香族ポリエーテルケトンを含 有する絶縁樹脂層１０は高い接着力で接着する。
また、絶縁樹脂層１０は、芳香族ポリエーテルケトンの発泡層からなるため、誘電率が低い。そのため、本態様の電磁波シールドフィルム１の全体においても誘電率が低くなっている。したがって、本態様の電磁波シールドフィルム１を設けたプリント配線板は、回路の信号伝播速度を速くできる。
また、絶縁樹脂層１０が芳香族ポリエーテルケトンを含有する発泡層であることにより、熱伝導性が低くなっている。したがって、本態様の電磁波シールドフィルム１の熱伝導性も低くなっている。
また、芳香族ポリエーテルケトンはＴｇが高く、耐熱性が高い樹脂であるから、芳香族ポリエーテルケトンを含有する絶縁樹脂層１０を有する電磁波シールドフィルム１は耐熱性が高い。
（他の実施形態）
本態様の電磁波シールドフィルムは、上記実施形態に限定されない。
例えば、異方導電性接着剤層２４又は等方導電性接着剤層２６の表面の粘着力が小さい場合には、離型フィルム４０を省略しても構わない。
絶縁樹脂層１０が十分な柔軟性や強度を有する場合は、キャリアフィルム３０を省略しても構わない。
キャリアフィルム３０は、キャリアフィルム本体３２が自己粘着性を有するフィルムである場合には、粘着剤層３４を有しなくてもよい。
離型フィルム４０は、離型フィルム本体４２のみで十分な離型性を有する場合は、離型剤層４４を有しなくてもよい。
本態様の電磁波シールドフィルムは、上記実施形態に限定されない。
例えば、異方導電性接着剤層２４又は等方導電性接着剤層２６の表面の粘着力が小さい場合には、離型フィルム４０を省略しても構わない。
絶縁樹脂層１０が十分な柔軟性や強度を有する場合は、キャリアフィルム３０を省略しても構わない。
キャリアフィルム３０は、キャリアフィルム本体３２が自己粘着性を有するフィルムである場合には、粘着剤層３４を有しなくてもよい。
離型フィルム４０は、離型フィルム本体４２のみで十分な離型性を有する場合は、離型剤層４４を有しなくてもよい。
＜電磁波シールドフィルム付きプリント配線板＞
本発明の第三態様は、基板の少なくとも片面にプリント回路が設けられたプリント配線板と、前記プリント配線板の前記プリント回路が設けられた側の表面に隣接する絶縁フィルムと、前記接着剤層が前記絶縁フィルムに隣接するように設けられた前記態様の電磁波シールドフィルムと、を有する電磁波シールドフィルム付きプリント配線板である。
本発明の第三態様は、基板の少なくとも片面にプリント回路が設けられたプリント配線板と、前記プリント配線板の前記プリント回路が設けられた側の表面に隣接する絶縁フィルムと、前記接着剤層が前記絶縁フィルムに隣接するように設けられた前記態様の電磁波シールドフィルムと、を有する電磁波シールドフィルム付きプリント配線板である。
図４は、本態様の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の一実施形態を示す断面図である。
電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２は、フレキシブルプリント配線板５０と、絶縁フィルム６０と、第一実施形態の電磁波シールドフィルム１とを備える。
フレキシブルプリント配線板５０は、ベースフィルム５２の少なくとも片面にプリント回路５４が設けられたものである。
絶縁フィルム６０は、フレキシブルプリント配線板５０のプリント回路５４が設けられた側の表面に設けられる。
電磁波シールドフィルム１の異方導電性接着剤層２４は、絶縁フィルム６０の表面に接着され、かつ硬化されている。また、異方導電性接着剤層２４は、絶縁フィルム６０に形成された貫通孔（図示略）を通ってプリント回路５４に電気的に接続されている。
電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２においては、離型フィルムは、異方導電性接着剤層２４から剥離されている。
電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２は、フレキシブルプリント配線板５０と、絶縁フィルム６０と、第一実施形態の電磁波シールドフィルム１とを備える。
フレキシブルプリント配線板５０は、ベースフィルム５２の少なくとも片面にプリント回路５４が設けられたものである。
絶縁フィルム６０は、フレキシブルプリント配線板５０のプリント回路５４が設けられた側の表面に設けられる。
電磁波シールドフィルム１の異方導電性接着剤層２４は、絶縁フィルム６０の表面に接着され、かつ硬化されている。また、異方導電性接着剤層２４は、絶縁フィルム６０に形成された貫通孔（図示略）を通ってプリント回路５４に電気的に接続されている。
電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２においては、離型フィルムは、異方導電性接着剤層２４から剥離されている。
電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２においてキャリアフィルム３０が不要になった際には、キャリアフィルム３０は絶縁樹脂層１０から剥離される。
貫通孔のある部分を除くプリント回路５４（信号回路、グランド回路、グランド層等）の近傍には、電磁波シールドフィルム１の金属薄膜層２２が、絶縁フィルム６０及び異方導電性接着剤層２４を介して離間して対向配置される。
貫通孔のある部分を除くプリント回路５４と金属薄膜層２２との離間距離は、絶縁フィルム６０の厚さと異方導電性接着剤層２４の厚さの総和とほぼ等しい。離間距離は、３０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、６０μｍ以上２００μｍ以下がより好ましい。離間距離が３０μｍより小さいと、信号回路のインピーダンスが低くなるため、１００Ω等の特性インピーダンスを有するためには、信号回路の線幅を小さくしなければならず、線幅のバラツキが特性インピーダンスのバラツキとなって、インピーダンスのミスマッチによる反射共鳴ノイズが電気信号に乗りやすくなる。離間距離が２００μｍより大きいと、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２が厚くなり、可とう性が不足する。
貫通孔のある部分を除くプリント回路５４と金属薄膜層２２との離間距離は、絶縁フィルム６０の厚さと異方導電性接着剤層２４の厚さの総和とほぼ等しい。離間距離は、３０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、６０μｍ以上２００μｍ以下がより好ましい。離間距離が３０μｍより小さいと、信号回路のインピーダンスが低くなるため、１００Ω等の特性インピーダンスを有するためには、信号回路の線幅を小さくしなければならず、線幅のバラツキが特性インピーダンスのバラツキとなって、インピーダンスのミスマッチによる反射共鳴ノイズが電気信号に乗りやすくなる。離間距離が２００μｍより大きいと、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２が厚くなり、可とう性が不足する。
（フレキシブルプリント配線板）
フレキシブルプリント配線板５０は、銅張積層板の銅箔を公知のエッチング法により所望のパターンに加工してプリント回路５４としたものである。
銅張積層板としては、ベースフィルム５２の片面又は両面に接着剤層（図示略）を介して銅箔を貼り付けたもの；銅箔の表面にベースフィルム５２を形成する樹脂溶液等をキャストしたもの等が挙げられる。
接着剤層の材料としては、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。
接着剤層の厚さは、０．５μｍ以上３０μｍ以下が好ましい。
フレキシブルプリント配線板５０は、銅張積層板の銅箔を公知のエッチング法により所望のパターンに加工してプリント回路５４としたものである。
銅張積層板としては、ベースフィルム５２の片面又は両面に接着剤層（図示略）を介して銅箔を貼り付けたもの；銅箔の表面にベースフィルム５２を形成する樹脂溶液等をキャストしたもの等が挙げられる。
接着剤層の材料としては、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂等が挙げられる。
接着剤層の厚さは、０．５μｍ以上３０μｍ以下が好ましい。
［ベースフィルム］
ベースフィルム５２としては、耐熱性を有するフィルムが好ましく、ポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルムがより好ましく、ポリイミドフィルムがさらに好ましい。
ベースフィルム５２の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、１×１０６Ω以上が好ましい。ベースフィルム５２の表面抵抗は、実用上の点から、１×１０１９Ω以下が好ましい。
ベースフィルム５２の厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、屈曲性の点から、６μｍ以上５０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上２５μｍ以下がより好ましい。
ベースフィルム５２としては、耐熱性を有するフィルムが好ましく、ポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルムがより好ましく、ポリイミドフィルムがさらに好ましい。
ベースフィルム５２の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、１×１０６Ω以上が好ましい。ベースフィルム５２の表面抵抗は、実用上の点から、１×１０１９Ω以下が好ましい。
ベースフィルム５２の厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、屈曲性の点から、６μｍ以上５０μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以上２５μｍ以下がより好ましい。
［プリント回路］
プリント回路５４を構成する銅箔としては、圧延銅箔、電解銅箔等が挙げられ、屈曲性の点から、圧延銅箔が好ましい。プリント回路５４は、例えば、信号回路、グランド回路、グランド層等として使用される。
銅箔の厚さは、１μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、１８μｍ以上３５μｍ以下がより好ましい。
プリント回路５４の長さ方向の端部（端子）は、ハンダ接続、コネクター接続、部品搭載等のため、絶縁フィルム６０や電磁波シールドフィルム１に覆われず、露出している。
プリント回路５４を構成する銅箔としては、圧延銅箔、電解銅箔等が挙げられ、屈曲性の点から、圧延銅箔が好ましい。プリント回路５４は、例えば、信号回路、グランド回路、グランド層等として使用される。
銅箔の厚さは、１μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、１８μｍ以上３５μｍ以下がより好ましい。
プリント回路５４の長さ方向の端部（端子）は、ハンダ接続、コネクター接続、部品搭載等のため、絶縁フィルム６０や電磁波シールドフィルム１に覆われず、露出している。
（絶縁フィルム）
絶縁フィルム６０（カバーレイフィルム）は、絶縁フィルム本体（図示略）の片面に、接着剤の塗布、接着剤シートの貼り付け等によって接着剤層（図示略）を形成したものである。
絶縁フィルム本体の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、１×１０６Ω以上が好ましい。絶縁フィルム本体の表面抵抗は、実用上の点から、１×１０１９Ω以下が好ましい。
絶縁フィルム本体としては、耐熱性を有するフィルムが好ましく、ポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルムがより好ましく、ポリイミドフィルムがさらに好ましい。
絶縁フィルム本体の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、可とう性の点から、３μｍ以上２５μｍ以下がより好ましい。
接着剤層の材料としては、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン等が挙げられる。エポキシ樹脂は、可とう性付与のためのゴム成分（カルボキシ変性ニトリルゴム等）を含んでいてもよい。
接着剤層の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、１．５μｍ以上６０μｍ以下がより好ましい。
絶縁フィルム６０（カバーレイフィルム）は、絶縁フィルム本体（図示略）の片面に、接着剤の塗布、接着剤シートの貼り付け等によって接着剤層（図示略）を形成したものである。
絶縁フィルム本体の表面抵抗は、電気的絶縁性の点から、１×１０６Ω以上が好ましい。絶縁フィルム本体の表面抵抗は、実用上の点から、１×１０１９Ω以下が好ましい。
絶縁フィルム本体としては、耐熱性を有するフィルムが好ましく、ポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルムがより好ましく、ポリイミドフィルムがさらに好ましい。
絶縁フィルム本体の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、可とう性の点から、３μｍ以上２５μｍ以下がより好ましい。
接着剤層の材料としては、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリスチレン、ポリオレフィン等が挙げられる。エポキシ樹脂は、可とう性付与のためのゴム成分（カルボキシ変性ニトリルゴム等）を含んでいてもよい。
接着剤層の厚さは、１μｍ以上１００μｍ以下が好ましく、１．５μｍ以上６０μｍ以下がより好ましい。
絶縁フィルム６０に形成される貫通孔の開口部の形状は、特に限定されない。貫通孔の開口部の形状としては、例えば、円形、楕円形、四角形等が挙げられる。
＜電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の製造方法＞
本発明の第四態様の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の製造方法は、基板の少なくとも片面にプリント回路が設けられたプリント配線板と、前記態様の電磁波シールドフィルムとを、絶縁フィルムを介して圧着する工程を有し、圧着する際には、前記絶縁フィルムを、前記プリント配線板の前記プリント回路が設けられた側の面に密着させると共に、前記電磁波シールドフィルムの前記導電性接着剤層に密着させる、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の製造方法、である。
本発明の第四態様の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の製造方法は、基板の少なくとも片面にプリント回路が設けられたプリント配線板と、前記態様の電磁波シールドフィルムとを、絶縁フィルムを介して圧着する工程を有し、圧着する際には、前記絶縁フィルムを、前記プリント配線板の前記プリント回路が設けられた側の面に密着させると共に、前記電磁波シールドフィルムの前記導電性接着剤層に密着させる、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の製造方法、である。
前記実施形態の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２は、例えば、下記の工程（ａ）〜（ｄ）を有する方法によって製造できる（図５参照）。
工程（ａ）：フレキシブルプリント配線板５０のプリント回路５４が設けられた側の表面に、プリント回路５４に対応する位置に貫通孔６２が形成された絶縁フィルム６０を設け、絶縁フィルム付きプリント配線板３を得る工程。
工程（ｂ）：工程（ａ）の後、絶縁フィルム付きプリント配線板３と、離型フィルム４０を剥離した電磁波シールドフィルム１とを、絶縁フィルム６０の表面に異方導電性接着剤層２４が接触するように重ね、これらを圧着する工程。
工程（ｃ）：工程（ｂ）の後、キャリアフィルム３０が不要になった際にキャリアフィルム３０を剥離する工程。
工程（ｄ）：必要に応じて、工程（ａ）と工程（ｂ）との間、又は工程（ｃ）の後に異方導電性接着剤層２４を本硬化させる工程。
以下、各工程について、図５を参照しながら詳細に説明する。
工程（ａ）：フレキシブルプリント配線板５０のプリント回路５４が設けられた側の表面に、プリント回路５４に対応する位置に貫通孔６２が形成された絶縁フィルム６０を設け、絶縁フィルム付きプリント配線板３を得る工程。
工程（ｂ）：工程（ａ）の後、絶縁フィルム付きプリント配線板３と、離型フィルム４０を剥離した電磁波シールドフィルム１とを、絶縁フィルム６０の表面に異方導電性接着剤層２４が接触するように重ね、これらを圧着する工程。
工程（ｃ）：工程（ｂ）の後、キャリアフィルム３０が不要になった際にキャリアフィルム３０を剥離する工程。
工程（ｄ）：必要に応じて、工程（ａ）と工程（ｂ）との間、又は工程（ｃ）の後に異方導電性接着剤層２４を本硬化させる工程。
以下、各工程について、図５を参照しながら詳細に説明する。
（工程（ａ））
工程（ａ）は、フレキシブルプリント配線板５０に絶縁フィルム６０を積層して、絶縁フィルム付きプリント配線板３を得る工程である。
具体的には、まず、フレキシブルプリント配線板５０に、プリント回路５４に対応する位置に貫通孔６２が形成された絶縁フィルム６０を重ねる。次いで、フレキシブルプリント配線板５０の表面に絶縁フィルム６０の接着剤層（図示略）を接着し、接着剤層を硬化させることによって、絶縁フィルム付きプリント配線板３を得る。フレキシブルプリント配線板５０の表面に絶縁フィルム６０の接着剤層を仮接着し、工程（ｄ）にて接着剤層を本硬化させてもよい。
接着剤層の接着及び硬化は、例えば、プレス機（図示略）等による熱プレスによって行う。
工程（ａ）は、フレキシブルプリント配線板５０に絶縁フィルム６０を積層して、絶縁フィルム付きプリント配線板３を得る工程である。
具体的には、まず、フレキシブルプリント配線板５０に、プリント回路５４に対応する位置に貫通孔６２が形成された絶縁フィルム６０を重ねる。次いで、フレキシブルプリント配線板５０の表面に絶縁フィルム６０の接着剤層（図示略）を接着し、接着剤層を硬化させることによって、絶縁フィルム付きプリント配線板３を得る。フレキシブルプリント配線板５０の表面に絶縁フィルム６０の接着剤層を仮接着し、工程（ｄ）にて接着剤層を本硬化させてもよい。
接着剤層の接着及び硬化は、例えば、プレス機（図示略）等による熱プレスによって行う。
（工程（ｂ））
工程（ｂ）は、絶縁フィルム付きプリント配線板３に電磁波シールドフィルム１を圧着する工程である。
具体的には、絶縁フィルム付きプリント配線板３に、離型フィルム４０を剥離した電磁波シールドフィルム１を重ね、熱プレス等により圧着する。これにより、絶縁フィルム６０の表面に異方導電性接着剤層２４を接着すると共に、異方導電性接着剤層２４を貫通孔６２内に押し込み、貫通孔６２内を埋めてプリント回路５４に電気的に接続する。これにより、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２を得る。
工程（ｂ）は、絶縁フィルム付きプリント配線板３に電磁波シールドフィルム１を圧着する工程である。
具体的には、絶縁フィルム付きプリント配線板３に、離型フィルム４０を剥離した電磁波シールドフィルム１を重ね、熱プレス等により圧着する。これにより、絶縁フィルム６０の表面に異方導電性接着剤層２４を接着すると共に、異方導電性接着剤層２４を貫通孔６２内に押し込み、貫通孔６２内を埋めてプリント回路５４に電気的に接続する。これにより、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２を得る。
異方導電性接着剤層２４の接着及び硬化は、例えば、プレス機（図示略）等による熱プレスによって行う。
熱プレスの時間は、２０秒以上６０分以下が好ましく、３０秒以上３０分以下がより好ましい。熱プレスの時間が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム６０の表面に異方導電性接着剤層２４を容易に接着できる。熱プレスの時間が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２の製造時間を短縮できる。
熱プレスの時間は、２０秒以上６０分以下が好ましく、３０秒以上３０分以下がより好ましい。熱プレスの時間が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム６０の表面に異方導電性接着剤層２４を容易に接着できる。熱プレスの時間が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２の製造時間を短縮できる。
熱プレスの温度（プレス機の熱盤の温度）は、１４０℃以上１９０℃以下が好ましく、１５０℃以上１７５℃以下がより好ましい。熱プレスの温度が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム６０の表面に異方導電性接着剤層２４を容易に接着できる。また、熱プレスの時間を短縮できる。熱プレスの温度が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１、フレキシブルプリント配線板５０等の劣化等を容易に抑えることができる。
熱プレスの圧力は、０．５ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下が好ましく、１ＭＰａ以上１６ＭＰａ以下がより好ましい。熱プレスの圧力が前記範囲の下限値以上であれば、絶縁フィルム６０の表面に異方導電性接着剤層２４が接着される。また、熱プレスの時間を短縮できる。熱プレスの圧力が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１、フレキシブルプリント配線板５０等の破損等を抑えることができる。
（工程（ｃ））
工程（ｃ）は、キャリアフィルム３０を剥離する工程である。
具体的には、キャリアフィルムが不要になった際に、絶縁樹脂層１０からキャリアフィルム３０を剥離する。
工程（ｃ）は、キャリアフィルム３０を剥離する工程である。
具体的には、キャリアフィルムが不要になった際に、絶縁樹脂層１０からキャリアフィルム３０を剥離する。
（工程（ｄ））
工程（ｄ）は、異方導電性接着剤層２４を本硬化させる工程である。
工程（ｂ）における熱プレスの時間が２０秒以上１０分以下の短時間である場合、工程（ｂ）と工程（ｃ）との間、又は工程（ｃ）の後に異方導電性接着剤層２４の本硬化を行うことが好ましい。
異方導電性接着剤層２４の本硬化は、例えば、オーブン等の加熱装置を用いて行う。
加熱時間は、１５分以上１２０分以下であり、３０分以上６０分以下がより好ましい。加熱時間が前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層２４を十分に硬化できる。加熱時間が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２の製造時間を短縮できる。
加熱温度（オーブン中の雰囲気温度）は、１２０℃以上１８０℃以下が好ましく、１２０℃以上１５０℃以下がより好ましい。加熱温度が前記範囲の下限値以上であれば、加熱時間を短縮できる。加熱温度が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１、フレキシブルプリント配線板５０等の劣化等を抑えることができる。
工程（ｄ）は、異方導電性接着剤層２４を本硬化させる工程である。
工程（ｂ）における熱プレスの時間が２０秒以上１０分以下の短時間である場合、工程（ｂ）と工程（ｃ）との間、又は工程（ｃ）の後に異方導電性接着剤層２４の本硬化を行うことが好ましい。
異方導電性接着剤層２４の本硬化は、例えば、オーブン等の加熱装置を用いて行う。
加熱時間は、１５分以上１２０分以下であり、３０分以上６０分以下がより好ましい。加熱時間が前記範囲の下限値以上であれば、異方導電性接着剤層２４を十分に硬化できる。加熱時間が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２の製造時間を短縮できる。
加熱温度（オーブン中の雰囲気温度）は、１２０℃以上１８０℃以下が好ましく、１２０℃以上１５０℃以下がより好ましい。加熱温度が前記範囲の下限値以上であれば、加熱時間を短縮できる。加熱温度が前記範囲の上限値以下であれば、電磁波シールドフィルム１、フレキシブルプリント配線板５０等の劣化等を抑えることができる。
（作用効果）
本態様の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２は、上記電磁波シールドフィルム１を用いるものであるから、絶縁樹脂層１０と金属を含む導電層２０との接着力が十分に高い。そのため、絶縁樹脂層１０と導電層２０との間の層間剥離を防ぐことができる。
また、本態様の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２は、上記の誘電率が低い電磁波シールドフィルム１を用いるものであるから、フレキシブルプリント配線板５０に形成された回路における信号伝播速度が速い。
本態様の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２は、上記電磁波シールドフィルム１を用いるものであるから、絶縁樹脂層１０と金属を含む導電層２０との接着力が十分に高い。そのため、絶縁樹脂層１０と導電層２０との間の層間剥離を防ぐことができる。
また、本態様の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板２は、上記の誘電率が低い電磁波シールドフィルム１を用いるものであるから、フレキシブルプリント配線板５０に形成された回路における信号伝播速度が速い。
（他の実施形態）
本態様の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板は、上記の実施形態に限定されない。
例えば、フレキシブルプリント配線板５０は、裏面側にグランド層を有するものであってもよい。また、フレキシブルプリント配線板５０は、両面にプリント回路５４を有し、両面に絶縁フィルム６０及び電磁波シールドフィルム１が貼り付けられたものであってもよい。
フレキシブルプリント配線板５０の代わりに、柔軟性のないリジッドプリント基板を用いてもよい。
第一実施形態の電磁波シールドフィルム１の代わりに、第二実施形態の電磁波シールドフィルム１又は第三実施形態の電磁波シールドフィルム１を用いてもよい。
本態様の電磁波シールドフィルム付きプリント配線板は、上記の実施形態に限定されない。
例えば、フレキシブルプリント配線板５０は、裏面側にグランド層を有するものであってもよい。また、フレキシブルプリント配線板５０は、両面にプリント回路５４を有し、両面に絶縁フィルム６０及び電磁波シールドフィルム１が貼り付けられたものであってもよい。
フレキシブルプリント配線板５０の代わりに、柔軟性のないリジッドプリント基板を用いてもよい。
第一実施形態の電磁波シールドフィルム１の代わりに、第二実施形態の電磁波シールドフィルム１又は第三実施形態の電磁波シールドフィルム１を用いてもよい。
（製造例１）
ポリエーテルエーテルケトン（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製、製品名：キータスパイアポリエーテルエーテルケトングレード：ＫＴ−８５１ＮＬ ＳＰ）を、１６０℃に加熱した除湿熱風乾燥機（松井製作所社製、製品名：マルチジェットＭＪ３）を用い、１２時間乾燥させた。これにより、ポリエーテルエーテルケトンの含水率を３００ｐｐｍ以下にした。前記含水率は、微量水分測定装置（三菱化学社製、ＣＡ−１００型）を用い、カールフィッシャー滴定法により測定した値である。
次いで、乾燥したペレットを、幅４００ｍｍのＴダイスを備えた単軸押出成形機（スクリュータイプ：フルフライトスクリュー、スクリュー直径：４０ｍｍ、Ｌ／Ｄ：３２、圧縮比：２．５）に投入し、溶融した。その際、単軸押出成形機のペレット投入口には、窒素ガスを１８Ｌ／分の流量で供給して窒素雰囲気とした。また、単軸押出成形機のシリンダー温度を投入口側で３８０℃とすると共にダイス側で４００℃とし、ダイス温度を４００℃とした。また、単軸押出成形機とＴダイスとを連結する連結管の温度を４００℃に調整した。
前記押出成形機にて溶融した溶融物をＴダイスから連続的に押し出し、帯形に押出成形して、溶融状のフィルムを得た。Ｔダイス出口から吐出した直後の溶融物の温度を測定したところ、３９７℃であった。
溶融状のフィルムを、シリコーンゴム製の圧着ロールと、周面に凹凸を備えた１３０℃の金属ロールとで挟んで冷却して、ポリエーテルエーテルケトンフィルム（以下、「ＰＥＥＫフィルム」という。）を得た。その際、圧着ロールの周面温度を、非接触式温度計を用いて測定したところ、１３１℃であった。
次いで、得られたＰＥＥＫフィルムの幅方向の両端部を、幅が３００ｍｍになるようにスリット刃で裁断し、直径３インチ（７．６２ｍｍ）の巻取管で巻き取った。
得られたＰＥＥＫフィルムの厚さ、比重、相対結晶化度及びＴｇを、後述する方法により測定した。結果を表１に示す。
また、製造例１のＰＥＥＫフィルムについて、後述する方法により貯蔵弾性率を測定したところ、（Ｔｇ−１０）℃以上（Ｔｇ＋５０）℃以下（Ｔｇの測定結果より、１４５℃以上１７６℃以下）の温度範囲で、貯蔵弾性率が２×１０８以下に低下する極小値を有していた。
ポリエーテルエーテルケトン（ソルベイスペシャルティポリマーズ社製、製品名：キータスパイアポリエーテルエーテルケトングレード：ＫＴ−８５１ＮＬ ＳＰ）を、１６０℃に加熱した除湿熱風乾燥機（松井製作所社製、製品名：マルチジェットＭＪ３）を用い、１２時間乾燥させた。これにより、ポリエーテルエーテルケトンの含水率を３００ｐｐｍ以下にした。前記含水率は、微量水分測定装置（三菱化学社製、ＣＡ−１００型）を用い、カールフィッシャー滴定法により測定した値である。
次いで、乾燥したペレットを、幅４００ｍｍのＴダイスを備えた単軸押出成形機（スクリュータイプ：フルフライトスクリュー、スクリュー直径：４０ｍｍ、Ｌ／Ｄ：３２、圧縮比：２．５）に投入し、溶融した。その際、単軸押出成形機のペレット投入口には、窒素ガスを１８Ｌ／分の流量で供給して窒素雰囲気とした。また、単軸押出成形機のシリンダー温度を投入口側で３８０℃とすると共にダイス側で４００℃とし、ダイス温度を４００℃とした。また、単軸押出成形機とＴダイスとを連結する連結管の温度を４００℃に調整した。
前記押出成形機にて溶融した溶融物をＴダイスから連続的に押し出し、帯形に押出成形して、溶融状のフィルムを得た。Ｔダイス出口から吐出した直後の溶融物の温度を測定したところ、３９７℃であった。
溶融状のフィルムを、シリコーンゴム製の圧着ロールと、周面に凹凸を備えた１３０℃の金属ロールとで挟んで冷却して、ポリエーテルエーテルケトンフィルム（以下、「ＰＥＥＫフィルム」という。）を得た。その際、圧着ロールの周面温度を、非接触式温度計を用いて測定したところ、１３１℃であった。
次いで、得られたＰＥＥＫフィルムの幅方向の両端部を、幅が３００ｍｍになるようにスリット刃で裁断し、直径３インチ（７．６２ｍｍ）の巻取管で巻き取った。
得られたＰＥＥＫフィルムの厚さ、比重、相対結晶化度及びＴｇを、後述する方法により測定した。結果を表１に示す。
また、製造例１のＰＥＥＫフィルムについて、後述する方法により貯蔵弾性率を測定したところ、（Ｔｇ−１０）℃以上（Ｔｇ＋５０）℃以下（Ｔｇの測定結果より、１４５℃以上１７６℃以下）の温度範囲で、貯蔵弾性率が２×１０８以下に低下する極小値を有していた。
次いで、得られたＰＥＥＫフィルムを、押出成形時の押出方向に２０ｃｍ、幅方向に２０ｃｍのサイズに切り出した。その切り出したＰＥＥＫフィルムを金属製の耐圧容器に封入した後、その耐圧容器内に液化二酸化炭素を導入し、４０℃及び８．４ＭＰａ（ゲージ圧）の超臨界状態の条件で２４時間静置して、ＰＥＥＫフィルムに二酸化炭素を含浸させた。液化二酸化炭素を耐圧容器に流入する際には、二酸化炭素の導入と放出の操作を３回繰り返した後に、ＰＥＥＫフィルムに含浸させる二酸化炭素を導入し、前記条件で静置した。
上記のようにＰＥＥＫフィルムに二酸化炭素を含浸させた後、耐圧容器の圧力を２ＭＰａ／秒の速度で開放して大気圧に戻して、二酸化炭素を含浸させたＰＥＥＫフィルム（以下、「ＣＯ２含浸ＰＥＥＫフィルム」という。）を耐圧容器から取り出した。その後、速やかに、ＣＯ２含浸ＰＥＥＫフィルムを、１９０℃に加熱した金型内に入れた。金型としては、縦３０ｃｍ、横３０ｃｍ、厚さ５０μｍの空間が形成されるものを使用した。その金型において厚さ方向の空間は、厚さ５０μｍの真鍮製スペーサを用いて形成した。
ＣＯ２含浸ＰＥＥＫシートを金型内で１分間加熱することにより、発泡ＰＥＥＫフィルムを得た。
得られた発泡ＰＥＥＫフィルムの比重、発泡倍率、平均気泡径、気泡密度、相対結晶化度、比誘電率、熱伝導率及びハンダ耐熱性を、後述する方法により測定又は評価した。結果を表１に示す。
上記のようにＰＥＥＫフィルムに二酸化炭素を含浸させた後、耐圧容器の圧力を２ＭＰａ／秒の速度で開放して大気圧に戻して、二酸化炭素を含浸させたＰＥＥＫフィルム（以下、「ＣＯ２含浸ＰＥＥＫフィルム」という。）を耐圧容器から取り出した。その後、速やかに、ＣＯ２含浸ＰＥＥＫフィルムを、１９０℃に加熱した金型内に入れた。金型としては、縦３０ｃｍ、横３０ｃｍ、厚さ５０μｍの空間が形成されるものを使用した。その金型において厚さ方向の空間は、厚さ５０μｍの真鍮製スペーサを用いて形成した。
ＣＯ２含浸ＰＥＥＫシートを金型内で１分間加熱することにより、発泡ＰＥＥＫフィルムを得た。
得られた発泡ＰＥＥＫフィルムの比重、発泡倍率、平均気泡径、気泡密度、相対結晶化度、比誘電率、熱伝導率及びハンダ耐熱性を、後述する方法により測定又は評価した。結果を表１に示す。
［厚さ］
マイクロメータ（ミツトヨ社製、製品名：クーラントプルーフマイクロメータ、ＭＤＣ−２５ＰＪ）を使用して測定した。測定に際しては、ＰＥＥＫフィルムの幅方向の任意の５か所を測定し、その平均値をＰＥＥＫフィルムの厚さ（単位：μｍ）とした。
マイクロメータ（ミツトヨ社製、製品名：クーラントプルーフマイクロメータ、ＭＤＣ−２５ＰＪ）を使用して測定した。測定に際しては、ＰＥＥＫフィルムの幅方向の任意の５か所を測定し、その平均値をＰＥＥＫフィルムの厚さ（単位：μｍ）とした。
［比重及び発泡倍率］
ＪＩＳ Ｋ７１１２に規定のＡ法に従い、温度２３℃の条件で比重（単位なし）を測定した。
発泡する前のＰＥＥＫフィルムの比重をρ０、発泡ＰＥＥＫフィルムの比重をρｆとした際、発泡倍率（単位：倍）は、ρ０／ρｆの式より求められる。
ＪＩＳ Ｋ７１１２に規定のＡ法に従い、温度２３℃の条件で比重（単位なし）を測定した。
発泡する前のＰＥＥＫフィルムの比重をρ０、発泡ＰＥＥＫフィルムの比重をρｆとした際、発泡倍率（単位：倍）は、ρ０／ρｆの式より求められる。
［相対結晶化度］
下記の相対結晶化度の測定方法は、発泡する前のＰＥＥＫフィルム、発泡ＰＥＥＫフィルムの両方に対して適用される。
示差走査熱量計（エスアイアイ・ナノテクノロジーズ社製、製品名：ＥＸＳＴＡＲ７０００シリーズ Ｘ−ＤＳＣ７０００）を使用し、フィルムから採取した試験片を１０℃／分の昇温速度で加熱した。これにより、結晶融解ピークの熱量ΔＨｍ（単位：Ｊ／ｇ）と再結晶化ピークの熱量ΔＨｃ（単位：Ｊ／ｇ）を測定した。
測定されたΔＨｃ、ΔＨｍを下記式に代入して相対結晶化度（単位：％）を求めた。
相対結晶化度＝｛１−（ΔＨｃ／ΔＨｍ）｝×１００
下記の相対結晶化度の測定方法は、発泡する前のＰＥＥＫフィルム、発泡ＰＥＥＫフィルムの両方に対して適用される。
示差走査熱量計（エスアイアイ・ナノテクノロジーズ社製、製品名：ＥＸＳＴＡＲ７０００シリーズ Ｘ−ＤＳＣ７０００）を使用し、フィルムから採取した試験片を１０℃／分の昇温速度で加熱した。これにより、結晶融解ピークの熱量ΔＨｍ（単位：Ｊ／ｇ）と再結晶化ピークの熱量ΔＨｃ（単位：Ｊ／ｇ）を測定した。
測定されたΔＨｃ、ΔＨｍを下記式に代入して相対結晶化度（単位：％）を求めた。
相対結晶化度＝｛１−（ΔＨｃ／ΔＨｍ）｝×１００
［Ｔｇ］
温度を変化させながら動的粘弾性を測定した際、損失弾性率の値が極大になった温度をＴｇ（単位：℃）とした。
具体的には、Ｔｇを測定するフィルムを、押出成形時の押出方向において６０ｍｍ、押出方向と垂直な方向において６ｍｍの大きさに切り出して試験片を作製した。その試験片について、粘弾性スペクトロメータ（ティー・エス・インスツルメント・ジャパン社製、製品名：ＲＳＡ−Ｇ２）を用いた引張モードにより、周波数１Ｈｚ、歪み０．１％、昇温速度３℃／分、測定温度範囲−６０℃以上３６０℃以下、チャック間距離２１ｍｍの条件で、損失弾性率（単位：Ｐａ）を測定した。
温度を変化させながら動的粘弾性を測定した際、損失弾性率の値が極大になった温度をＴｇ（単位：℃）とした。
具体的には、Ｔｇを測定するフィルムを、押出成形時の押出方向において６０ｍｍ、押出方向と垂直な方向において６ｍｍの大きさに切り出して試験片を作製した。その試験片について、粘弾性スペクトロメータ（ティー・エス・インスツルメント・ジャパン社製、製品名：ＲＳＡ−Ｇ２）を用いた引張モードにより、周波数１Ｈｚ、歪み０．１％、昇温速度３℃／分、測定温度範囲−６０℃以上３６０℃以下、チャック間距離２１ｍｍの条件で、損失弾性率（単位：Ｐａ）を測定した。
［貯蔵弾性率］
前記Ｔｇを求める際の動的粘弾性測定により損失弾性率と共に貯蔵弾性率（単位：Ｐａ）も測定した。
前記Ｔｇを求める際の動的粘弾性測定により損失弾性率と共に貯蔵弾性率（単位：Ｐａ）も測定した。
［平均気泡径］
走査型電子顕微鏡（日本電子社製、製品名：５３００ＬＶ）を用い、発泡ＰＥＥＫフィルムの断面を撮影し、Ｗｉｎｄｏｗｓ（登録商標）用の汎用画像処理パッケージ（三谷商事社製、製品名：ウィンルーフ）を用いて画像処理した。処理した画像を利用し、１００個の気泡について直径を測定し、それらの平均値を求め、その平均値を平均気泡径Ｄ（単位：μｍ）とした。なお、気泡の直径は気泡の最大長径とした。
走査型電子顕微鏡（日本電子社製、製品名：５３００ＬＶ）を用い、発泡ＰＥＥＫフィルムの断面を撮影し、Ｗｉｎｄｏｗｓ（登録商標）用の汎用画像処理パッケージ（三谷商事社製、製品名：ウィンルーフ）を用いて画像処理した。処理した画像を利用し、１００個の気泡について直径を測定し、それらの平均値を求め、その平均値を平均気泡径Ｄ（単位：μｍ）とした。なお、気泡の直径は気泡の最大長径とした。
［気泡密度］
気泡密度（単位：個／ｃｍ３）は、前記比重ρ０，ρｆと前記平均気泡径Ｄ、及び下記式により求めた。
気泡密度＝６｛（ρ０／ρｆ）−１｝／（πＤ３）
気泡密度（単位：個／ｃｍ３）は、前記比重ρ０，ρｆと前記平均気泡径Ｄ、及び下記式により求めた。
気泡密度＝６｛（ρ０／ρｆ）−１｝／（πＤ３）
［比誘電率］
ＲＦインピーダンスマテリアルアナライザー（ヒューレッドパッカード社製、製品名：ＨＰ４２９１Ａ）を用い、周波数１ＧＨｚの条件で発泡ＰＥＥＫフィルムの比誘電率（単位なし）を測定した。
ＲＦインピーダンスマテリアルアナライザー（ヒューレッドパッカード社製、製品名：ＨＰ４２９１Ａ）を用い、周波数１ＧＨｚの条件で発泡ＰＥＥＫフィルムの比誘電率（単位なし）を測定した。
［熱伝導率］
迅速熱伝導率計（京都電子工業社製、製品名：ＱＴＭ−５００）を用いて発泡ＰＥＥＫフィルムの熱伝導を測定し、基準物質との比較により熱伝導率（単位：Ｗ／ｍＫ）を求めた。基準物質としては、発泡ポリエチレン（熱伝導率：０．０３５７Ｗ／ｍＫ）、シリコーンゴム（熱伝導率：０．２３８Ｗ／ｍＫ）、及び石英ガラス（熱伝導率：１．４０９Ｗ／ｍＫ）の３種類を使用した。熱伝導率が小さい程、熱伝導性が低い。
迅速熱伝導率計（京都電子工業社製、製品名：ＱＴＭ−５００）を用いて発泡ＰＥＥＫフィルムの熱伝導を測定し、基準物質との比較により熱伝導率（単位：Ｗ／ｍＫ）を求めた。基準物質としては、発泡ポリエチレン（熱伝導率：０．０３５７Ｗ／ｍＫ）、シリコーンゴム（熱伝導率：０．２３８Ｗ／ｍＫ）、及び石英ガラス（熱伝導率：１．４０９Ｗ／ｍＫ）の３種類を使用した。熱伝導率が小さい程、熱伝導性が低い。
［ハンダ耐熱性］
発泡ＰＥＥＫフィルムを、２６０℃のハンダ浴中に１０秒間浸漬し、目視により変形度合いを観察し、下記基準でハンダ耐熱性を評価した。
Ａ：変形なし
Ｂ：変形あり
発泡ＰＥＥＫフィルムを、２６０℃のハンダ浴中に１０秒間浸漬し、目視により変形度合いを観察し、下記基準でハンダ耐熱性を評価した。
Ａ：変形なし
Ｂ：変形あり
（製造例２）
製造例１と同様にしてＰＥＥＫフィルムを得た後、そのＰＥＥＫフィルムを、押出成形時の押出方向に２０ｃｍ、幅方向に２０ｃｍのサイズに切り出した。その切り出したＰＥＥＫフィルムを金属製の耐圧容器に封入した後、その耐圧容器内に液化二酸化炭素を導入し、４０℃及び８．１ＭＰａ（ゲージ圧）の超臨界状態の条件で２４時間静置して、ＰＥＥＫフィルムに二酸化炭素を含浸させた。液化二酸化炭素を耐圧容器に流入する際には、二酸化炭素の導入と放出の操作を３回繰り返した後に、ＰＥＥＫフィルムに含浸させる二酸化炭素を導入し、前記条件で静置した。
上記のようにＰＥＥＫフィルムに二酸化炭素を含浸させた後、耐圧容器の圧力を２ＭＰａ／秒の速度で開放して大気圧に戻し、二酸化炭素を含浸させたＣＯ２含浸ＰＥＥＫフィルムを耐圧容器から取り出した。その後、速やかに、ＣＯ２含浸ＰＥＥＫフィルムを、７０℃に加熱したオイルバス内に入れ、１分間加熱することにより、発泡ＰＥＥＫフィルムを得た。
得られた発泡ＰＥＥＫフィルムの発泡倍率は１．０４倍であり、比誘電率は３．０であった。
製造例１と同様にしてＰＥＥＫフィルムを得た後、そのＰＥＥＫフィルムを、押出成形時の押出方向に２０ｃｍ、幅方向に２０ｃｍのサイズに切り出した。その切り出したＰＥＥＫフィルムを金属製の耐圧容器に封入した後、その耐圧容器内に液化二酸化炭素を導入し、４０℃及び８．１ＭＰａ（ゲージ圧）の超臨界状態の条件で２４時間静置して、ＰＥＥＫフィルムに二酸化炭素を含浸させた。液化二酸化炭素を耐圧容器に流入する際には、二酸化炭素の導入と放出の操作を３回繰り返した後に、ＰＥＥＫフィルムに含浸させる二酸化炭素を導入し、前記条件で静置した。
上記のようにＰＥＥＫフィルムに二酸化炭素を含浸させた後、耐圧容器の圧力を２ＭＰａ／秒の速度で開放して大気圧に戻し、二酸化炭素を含浸させたＣＯ２含浸ＰＥＥＫフィルムを耐圧容器から取り出した。その後、速やかに、ＣＯ２含浸ＰＥＥＫフィルムを、７０℃に加熱したオイルバス内に入れ、１分間加熱することにより、発泡ＰＥＥＫフィルムを得た。
得られた発泡ＰＥＥＫフィルムの発泡倍率は１．０４倍であり、比誘電率は３．０であった。
（実施例１）
アクリル系粘着剤からなる粘着剤層がＰＥＴフィルム（キャリアフィルム本体）の片面に設けられたキャリアフィルムを用意した。キャリアフィルムの粘着剤層表面に、製造例１で得た発泡ＰＥＥＫシートからなる絶縁樹脂層を貼り合せた。
次いで、前記絶縁樹脂層のキャリアフィルムとは反対側の面に、電子ビーム蒸着法により銅を物理的に蒸着させて、金属薄膜層（銅蒸着膜、厚さ０．０７μｍ、表面抵抗０．３Ω）を形成した。
エポキシ樹脂からなる熱硬化性接着剤（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−４８１６）１００質量部と、硬化剤（味の素ファインテクノ社製、ＰＮ−２３）２０質量部とを混合して、潜在硬化性エポキシ樹脂組成物を得た。
前記潜在硬化性エポキシ樹脂組成物と、銅粒子からなる導電性粒子（平均粒子径７．５μｍ）４０質量部とを、メチルエチルケトンからなる溶剤２００質量部に溶解又は分散させて、導電性接着剤塗料を得た。
次いで、前記導電性接着剤塗料を、前記金属薄膜層の絶縁樹脂層とは反対側の面に、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてＢステージ化することによって、異方導電性接着剤層（厚さ７μｍ、銅粒子４．５体積％）を形成した。
非シリコーン系離型剤からなる離型剤層（厚さ０．１μｍ）がＰＥＴフィルム（厚さ５０μｍ）の片面に設けられた離型フィルム（リンテック社製、Ｔ１５７）を用意した。
前記異方導電性接着剤層の金属薄膜層とは反対側の面に前記離型フィルムを、前記異方導電性接着剤層に前記離型剤層が接するように貼り付けて、実施例１の電磁波シールドフィルムを得た。
アクリル系粘着剤からなる粘着剤層がＰＥＴフィルム（キャリアフィルム本体）の片面に設けられたキャリアフィルムを用意した。キャリアフィルムの粘着剤層表面に、製造例１で得た発泡ＰＥＥＫシートからなる絶縁樹脂層を貼り合せた。
次いで、前記絶縁樹脂層のキャリアフィルムとは反対側の面に、電子ビーム蒸着法により銅を物理的に蒸着させて、金属薄膜層（銅蒸着膜、厚さ０．０７μｍ、表面抵抗０．３Ω）を形成した。
エポキシ樹脂からなる熱硬化性接着剤（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−４８１６）１００質量部と、硬化剤（味の素ファインテクノ社製、ＰＮ−２３）２０質量部とを混合して、潜在硬化性エポキシ樹脂組成物を得た。
前記潜在硬化性エポキシ樹脂組成物と、銅粒子からなる導電性粒子（平均粒子径７．５μｍ）４０質量部とを、メチルエチルケトンからなる溶剤２００質量部に溶解又は分散させて、導電性接着剤塗料を得た。
次いで、前記導電性接着剤塗料を、前記金属薄膜層の絶縁樹脂層とは反対側の面に、ダイコーターを用いて塗布し、溶剤を揮発させてＢステージ化することによって、異方導電性接着剤層（厚さ７μｍ、銅粒子４．５体積％）を形成した。
非シリコーン系離型剤からなる離型剤層（厚さ０．１μｍ）がＰＥＴフィルム（厚さ５０μｍ）の片面に設けられた離型フィルム（リンテック社製、Ｔ１５７）を用意した。
前記異方導電性接着剤層の金属薄膜層とは反対側の面に前記離型フィルムを、前記異方導電性接着剤層に前記離型剤層が接するように貼り付けて、実施例１の電磁波シールドフィルムを得た。
（比較例１）
絶縁樹脂層形成用塗料として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、エピクロン８４０−Ｓ）１００質量部と、硬化剤（三菱ケミカル社製、ＪＥＲキュア１１３）２０質量部と、２−エチル−４−メチルイミダゾール２質量部と、カーボンブラック２質量部とを、メチルエチルケトン２００質量部に溶解させた塗料を調製した。
前記絶縁樹脂層形成用塗料を、実施例１において使用したキャリアフィルムと同様のキャリアフィルムの粘着剤層表面に塗布し、６０℃、２分間加熱して乾燥させ、半硬化させて厚さ５μｍの絶縁樹脂層を形成した。この絶縁樹脂層には１個／ｍ２以上３個／ｍ２以下のピンホールが観察された。また、この絶縁樹脂層の比誘電率を測定したところ、３．５であった。
ピンホールのない領域を選択し、その選択された領域における絶縁樹脂層の表面に、電子ビーム蒸着法により銅を物理的に蒸着させて、金属薄膜層（銅蒸着膜、厚さ０．０７μｍ、表面抵抗０．３Ω）を形成した。
実施例１と同様に、金属薄膜層の絶縁樹脂層とは反対側の面に異方導電性接着剤層を形成し、異方導電性接着剤層に離型フィルムを貼り付けて、比較例１の電磁波シールドフィルムを得た。
絶縁樹脂層形成用塗料として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、エピクロン８４０−Ｓ）１００質量部と、硬化剤（三菱ケミカル社製、ＪＥＲキュア１１３）２０質量部と、２−エチル−４−メチルイミダゾール２質量部と、カーボンブラック２質量部とを、メチルエチルケトン２００質量部に溶解させた塗料を調製した。
前記絶縁樹脂層形成用塗料を、実施例１において使用したキャリアフィルムと同様のキャリアフィルムの粘着剤層表面に塗布し、６０℃、２分間加熱して乾燥させ、半硬化させて厚さ５μｍの絶縁樹脂層を形成した。この絶縁樹脂層には１個／ｍ２以上３個／ｍ２以下のピンホールが観察された。また、この絶縁樹脂層の比誘電率を測定したところ、３．５であった。
ピンホールのない領域を選択し、その選択された領域における絶縁樹脂層の表面に、電子ビーム蒸着法により銅を物理的に蒸着させて、金属薄膜層（銅蒸着膜、厚さ０．０７μｍ、表面抵抗０．３Ω）を形成した。
実施例１と同様に、金属薄膜層の絶縁樹脂層とは反対側の面に異方導電性接着剤層を形成し、異方導電性接着剤層に離型フィルムを貼り付けて、比較例１の電磁波シールドフィルムを得た。
［評価］
各例の電磁波シールドフィルムについて、下記の方法により、絶縁樹脂層と金属薄膜層との接着性を評価した。
厚さ２５μｍのポリイミドフィルムに、離型フィルムを剥離した電磁波シールドフィルムを重ね、ホットプレス装置（折原製作所社製、Ｇ−１２）を用い、熱盤温度：１８０℃、荷重：２ＭＰａで１２０秒間熱プレスした。次いで、キャリアフィルムを剥離した。これにより、絶縁フィルムの表面に異方導電性接着剤層を仮接着して、電磁波シールドフィルム付きポリイミドを得た。
前記電磁波シールドフィルム付きポリイミドフィルムを、高温槽（楠本化成社製、ＨＴ２１０）を用い、温度１６０℃、１時間加熱することにより、異方導電性接着剤層を本硬化させた。
次いで、電磁波シールドフィルムの絶縁樹脂層の表面に、ボンディングシート（デクセリアルズ社製、Ｄ３４１０）を介して、厚さ２５μｍのポリイミド補強板を熱圧着して、引張試験用試験片を作製した。
前記試験片のポリイミドフィルムとポリイミド補強板とに引張試験機のチャックを取り付け、ＪＩＳ Ｚ０２３７に従い、１８０°剥離方向、引張速度５０ｍｍ／分の条件で剥離試験をおこなった。
各例の電磁波シールドフィルムについて、下記の方法により、絶縁樹脂層と金属薄膜層との接着性を評価した。
厚さ２５μｍのポリイミドフィルムに、離型フィルムを剥離した電磁波シールドフィルムを重ね、ホットプレス装置（折原製作所社製、Ｇ−１２）を用い、熱盤温度：１８０℃、荷重：２ＭＰａで１２０秒間熱プレスした。次いで、キャリアフィルムを剥離した。これにより、絶縁フィルムの表面に異方導電性接着剤層を仮接着して、電磁波シールドフィルム付きポリイミドを得た。
前記電磁波シールドフィルム付きポリイミドフィルムを、高温槽（楠本化成社製、ＨＴ２１０）を用い、温度１６０℃、１時間加熱することにより、異方導電性接着剤層を本硬化させた。
次いで、電磁波シールドフィルムの絶縁樹脂層の表面に、ボンディングシート（デクセリアルズ社製、Ｄ３４１０）を介して、厚さ２５μｍのポリイミド補強板を熱圧着して、引張試験用試験片を作製した。
前記試験片のポリイミドフィルムとポリイミド補強板とに引張試験機のチャックを取り付け、ＪＩＳ Ｚ０２３７に従い、１８０°剥離方向、引張速度５０ｍｍ／分の条件で剥離試験をおこなった。
［結果］
実施例１の電磁波シールドフィルムを用いた試験片では、剥離強度が９．１Ｎ／ｃｍでボンディングシートの母材破壊が起こっており、絶縁樹脂層と金属薄膜層との接着は維持されていた。
比較例１の電磁波シールドフィルムを用いた試験片では、剥離強度３．５Ｎ／ｃｍで、絶縁樹脂層と金属薄膜層との間で層間剥離が生じていた。
これらの結果より、芳香族ポリエーテルケトンの発泡層である絶縁樹脂層は、従来使用されていた熱硬化性樹脂からなる絶縁樹脂層よりも金属薄膜層との接着力が強いことがわかった。
実施例１の電磁波シールドフィルムを用いた試験片では、剥離強度が９．１Ｎ／ｃｍでボンディングシートの母材破壊が起こっており、絶縁樹脂層と金属薄膜層との接着は維持されていた。
比較例１の電磁波シールドフィルムを用いた試験片では、剥離強度３．５Ｎ／ｃｍで、絶縁樹脂層と金属薄膜層との間で層間剥離が生じていた。
これらの結果より、芳香族ポリエーテルケトンの発泡層である絶縁樹脂層は、従来使用されていた熱硬化性樹脂からなる絶縁樹脂層よりも金属薄膜層との接着力が強いことがわかった。
実施例１における絶縁樹脂層は、製造例１の発泡ＰＥＥＫフィルムからなり、比誘電率が２．５であった。この比誘電率は、エポキシ樹脂の硬化物からなる比較例１における絶縁樹脂層の比誘電率３．５よりも小さく、また、殆ど発泡していない製造例２のＰＥＥＫフィルムの比誘電率３．０よりも小さかった。これより、芳香族ポリエーテルケトンの発泡層からなる実施例１における絶縁樹脂層は比誘電率が低いことがわかった。
比誘電率が低い絶縁樹脂層を有する実施例１の電磁波シールドフィルムは、電磁波シールドフィルム全体の比誘電率も低くなるから、実施例１の電磁波シールドフィルムが設けられたプリント配線板は、信号伝播速度が速いと推測される。
比誘電率が低い絶縁樹脂層を有する実施例１の電磁波シールドフィルムは、電磁波シールドフィルム全体の比誘電率も低くなるから、実施例１の電磁波シールドフィルムが設けられたプリント配線板は、信号伝播速度が速いと推測される。
表１に示すように、製造例１の発泡ＰＥＥＫフィルムは、殆ど発泡していない製造例２の発泡ＰＥＥＫフィルムに比べて熱伝導率が低い。これより、製造例１の発泡ＰＥＥＫフィルムを電磁波シールドフィルムの絶縁樹脂層として用いる実施例１のプリント配線板では、外部の熱がプリント配線板内部に伝わりにくい、又は、内部の熱がプリント配線板外部に伝わりにくいと推測できる。
また、絶縁樹脂層を芳香族ポリエーテルケトンにより構成することにより、ハンダ耐熱性が高くなることが示された。したがって、芳香族ポリエーテルケトンを含有する絶縁樹脂層を有する実施例１の電磁波シールドフィルムは、耐熱性が高いと推測できる。
また、絶縁樹脂層を芳香族ポリエーテルケトンにより構成することにより、ハンダ耐熱性が高くなることが示された。したがって、芳香族ポリエーテルケトンを含有する絶縁樹脂層を有する実施例１の電磁波シールドフィルムは、耐熱性が高いと推測できる。
１ 電磁波シールドフィルム
２ 電磁波シールドフィルム付きプリント配線板
３ 絶縁フィルム付きプリント配線板
１０ 絶縁樹脂層
２２ 金属薄膜層
２０ 導電層
２４ 異方導電性接着剤層
２４ａ 熱硬化性接着剤
２４ｂ 導電性粒子
２６ 等方導電性接着剤層
２６ａ 熱硬化性接着剤
２６ｂ 導電性粒子
３０ キャリアフィルム
３２ キャリアフィルム本体
３４ 粘着剤層
４０ 離型フィルム
４２ 離型フィルム本体
４４ 離型剤層
５０ フレキシブルプリント配線板
５２ ベースフィルム
５４ プリント回路
６０ 絶縁フィルム
６２ 貫通孔
２ 電磁波シールドフィルム付きプリント配線板
３ 絶縁フィルム付きプリント配線板
１０ 絶縁樹脂層
２２ 金属薄膜層
２０ 導電層
２４ 異方導電性接着剤層
２４ａ 熱硬化性接着剤
２４ｂ 導電性粒子
２６ 等方導電性接着剤層
２６ａ 熱硬化性接着剤
２６ｂ 導電性粒子
３０ キャリアフィルム
３２ キャリアフィルム本体
３４ 粘着剤層
４０ 離型フィルム
４２ 離型フィルム本体
４４ 離型剤層
５０ フレキシブルプリント配線板
５２ ベースフィルム
５４ プリント回路
６０ 絶縁フィルム
６２ 貫通孔
Claims (10)
- 絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に隣接する導電層とを有し、
前記絶縁樹脂層が芳香族ポリエーテルケトンを含有する発泡層であり、前記導電層が、金属を含む導電性接着剤層を少なくとも有する、電磁波シールドフィルム。 - 前記芳香族ポリエーテルケトンがポリエーテルエーテルケトン及びポリエーテルケトンケトンの少なくとも一方である、請求項１に記載の電磁波シールドフィルム。
- 前記導電層が、前記絶縁樹脂層側に設けられた金属薄膜層と、前記金属薄膜層の前記絶縁樹脂層とは反対側に設けられた導電性接着剤層とを有する、請求項１又は２に記載の電磁波シールドフィルム。
- 前記金属薄膜層が金属蒸着層である、請求項３に記載の電磁波シールドフィルム。
- 前記金属蒸着層が銀蒸着層又は銅蒸着層である、請求項４に記載の電磁波シールドフィルム。
- 前記導電層が、前記金属薄膜層の前記絶縁樹脂層側の面に黒化層をさらに有する、請求項３〜５のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
- 前記絶縁樹脂層の前記導電層とは反対側の面に、キャリアフィルムをさらに有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルム。
- 基板の少なくとも片面にプリント回路が設けられたプリント配線板と、
前記プリント配線板の前記プリント回路が設けられた側の面に隣接する絶縁フィルムと、
前記導電性接着剤層が前記絶縁フィルムに隣接するように設けられた請求項１〜７のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルムと、
を有する、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板。 - フィルム状に成形され且つ発泡された芳香族ポリエーテルケトンからなる絶縁樹脂層を形成する工程と、前記絶縁樹脂層の一方の面側に、金属を含む導電性接着剤層を少なくとも有する導電層を形成する工程と、を有する、電磁波シールドフィルムの製造方法。
- 基板の少なくとも片面にプリント回路が設けられたプリント配線板と、請求項１〜７のいずれか一項に記載の電磁波シールドフィルムとを、絶縁フィルムを介して圧着する工程を有し、
圧着する際には、前記絶縁フィルムを、前記プリント配線板の前記プリント回路が設けられた側の面に密着させると共に、前記電磁波シールドフィルムの前記導電性接着剤層に密着させる、電磁波シールドフィルム付きプリント配線板の製造方法。
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