CN110769673B - 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及电子技术领域，公开了一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法，其中，电磁屏蔽膜包括依次层叠设置的第一屏蔽层、绝缘层、第二屏蔽层和胶膜层，第二屏蔽层靠近胶膜层的一面为非平整表面，通过在第一屏蔽层和第二屏蔽层之间设置绝缘层，以实现对电磁屏蔽膜两侧的干扰信号的多层屏蔽，从而有效地衰弱了电磁屏蔽膜两侧的干扰信号，从而提高了屏蔽效能。
Description
技术领域
本发明涉及电子技术领域，特别是涉及一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法。
背景技术
随着电子工业的迅速发展，电子产品进一步向小型化，轻量化，组装高密度化发展，极大地推动挠性电路板的发展，从而实现元件装置和导线连接一体化。挠性电路板可广泛应用于手机、液晶显示、通信和航天等行业。
在国际市场的推动下，功能挠性电路板在挠性电路板市场中占主导地位，而评价功能挠性电路板性能的一项重要指标是电磁屏蔽(Electromagnetic InterferenceShielding，简称EMI Shielding)。随着手机等通讯设备功能的整合，其内部组件急剧高频高速化。例如：手机功能除了原有的音频传播功能外，照相功能已成为必要功能，且WLAN(Wireless Local Area Networks，无线局域网)、GPS(Global Positioning System，全球定位系统)以及上网功能已普及，再加上未来的感测组件的整合，组件急剧高频高速化的趋势更加不可避免。在高频及高速化的驱动下所引发的组件内部及外部的电磁干扰、信号在传输中衰减以及插入损耗和抖动问题逐渐严重。
目前，现有线路板常用的电磁屏蔽膜包括屏蔽层和胶膜层，通过胶膜层将屏蔽层与线路板的地层连接，进而将干扰电荷导入线路板的地层，从而实现屏蔽。上述结构的电磁屏蔽膜的屏蔽效能较低，导致在高频及高速化的信号传输中仍然存在电磁干扰的问题。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法，其能够有效地提高电磁屏蔽膜的屏蔽效能。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种电磁屏蔽膜，包括第一屏蔽层、绝缘层、第二屏蔽层和胶膜层，所述第一屏蔽层、所述绝缘层、所述第二屏蔽层和所述胶膜层依次层叠设置，所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面为非平整表面。
作为优选方案，所述屏蔽层靠近所述胶膜层的一面包括多个凸部和多个凹陷部，多个所述凸部和多个所述凹陷部间隔设置。
作为优选方案，所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面上设有凸状的导体颗粒。
作为优选方案，所述第一屏蔽层的厚度为0.1μm-45μm，所述第二屏蔽层的厚度为0.1μm-45μm，所述绝缘层的厚度为1μm-80μm，所述胶膜层的厚度为1μm-80μm。
作为优选方案，所述胶膜层包括含有导电粒子的黏着层；或，所述胶膜层包括不含导电粒子的黏着层。
作为优选方案，所述电磁屏蔽膜还包括保护膜层，所述保护膜层设于所述第一屏蔽层远离所述胶膜层的一面上。
为了解决相同的技术问题，本发明实施例还提供一种线路板，包括线路板本体以及所述的电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜通过所述胶膜层与所述线路板本体相压合；所述第二屏蔽层刺穿所述胶膜层并与所述线路板本体的地层电连接。
本发明实施例提供一种电磁屏蔽膜和线路板，其中，电磁屏蔽膜包括依次层叠设置的第一屏蔽层、绝缘层、第二屏蔽层和胶膜层，第二屏蔽层靠近胶膜层的一面为非平整表面，第二屏蔽层的非平整表面在电磁屏蔽膜与线路板压合时能够刺穿胶膜层并与线路板的地层连接，从而确保了电磁屏蔽膜与线路板的地层连接；此外，通过在第一屏蔽层和第二屏蔽层之间设置绝缘层，以实现对电磁屏蔽膜两侧的干扰信号的多层屏蔽，从而有效地衰弱了电磁屏蔽膜两侧的干扰信号，从而提高了屏蔽效能；此外，通过在第一屏蔽层和第二屏蔽层之间设置绝缘层，有效地增加了电磁屏蔽膜的弯折性；另外，第二屏蔽层的非平整表面能够增强第二屏蔽层与线路板之间的结合力，使得电磁屏蔽膜不容易发生起泡分层；此外，在电磁屏蔽膜与线路板压合时，构成胶膜层的胶类物质被挤压到第二屏蔽层的凹陷位置中，以增大容胶量，从而不容易出现爆板现象，避免了现有的电磁屏蔽膜由于容胶量不足导致高温爆板的问题，进而有效地保证了电磁屏蔽膜接地，从而将干扰电荷导出。
为了解决相同的技术问题，本发明实施例还提供一种电磁屏蔽膜的制备方法，包括以下步骤：
形成第一屏蔽层；
在所述第一屏蔽层上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成第二屏蔽层；
在所述第二屏蔽层上形成胶膜层；
其中，所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面为非平整表面。
作为优选方案，所述形成第一屏蔽层，具体包括：
在载体膜上形成保护膜层；
在所述保护膜层上形成第一屏蔽层；或，
在带载体的可剥离层表面形成第一屏蔽层；
在所述第一屏蔽层上形成保护膜层；
将所述带载体的可剥离层剥离。
作为优选方案，在所述绝缘层上形成第二屏蔽层，具体包括：
通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺在所述绝缘层上形成第二屏蔽层。
作为优选方案，在所述绝缘层上形成第二屏蔽层后还包括：
在所述第二屏蔽层上形成凸状的导体颗粒。
作为优选方案，在所述第二屏蔽层上形成凸状的导体颗粒，具体包括：
通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺在所述第二屏蔽层上形成凸状的导体颗粒。
作为优选方案，在所述第二屏蔽层上形成胶膜层，具体为：
在离型膜上涂布胶膜层；
将所述胶膜层压合转移至所述第二屏蔽层上；或，
在所述第二屏蔽层上涂布胶膜层。
本发明实施例提供一种电磁屏蔽膜的制备方法，首先，形成第一屏蔽层，然后，在第一屏蔽层上形成绝缘层，接着，在绝缘层上形成第二屏蔽层，最后在第二屏蔽层上形成胶膜层；其中，第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面为非平整表面，以使得制备后的电磁屏蔽膜包括依次层叠设置的第一屏蔽层、绝缘层、第二屏蔽层和胶膜层，第二屏蔽层靠近胶膜层的一面为非平整表面，第二屏蔽层的非平整表面在电磁屏蔽膜与线路板压合时能够刺穿胶膜层并与线路板的地层连接，从而确保了电磁屏蔽膜与线路板的地层连接；此外，通过在第一屏蔽层和第二屏蔽层之间设置绝缘层，以实现对电磁屏蔽膜两侧的干扰信号的多层屏蔽，从而有效地衰弱了电磁屏蔽膜两侧的干扰信号，从而提高了屏蔽效能；此外，通过在第一屏蔽层和第二屏蔽层之间设置绝缘层，以增加电磁屏蔽膜的弯折性；另外，第二屏蔽层的非平整表面能够增强第二屏蔽层与线路板之间的结合力，使得电磁屏蔽膜不容易发生起泡分层；此外，在电磁屏蔽膜与线路板压合时，构成胶膜层的胶类物质被挤压到第二屏蔽层的凹陷位置中，以增大容胶量，从而不容易出现爆板现象，避免了现有的电磁屏蔽膜由于容胶量不足导致高温爆板的问题，进而有效地保证了电磁屏蔽膜接地，从而将干扰电荷导出。
附图说明
图1是本发明实施例中的电磁屏蔽膜的结构示意图；
图2是本发明实施例中的电磁屏蔽膜的另一实施方式的结构示意图；
图3是本发明实施例中的线路板的结构示意图；
图4是本发明实施例中的电磁屏蔽膜的制备方法的流程示意图；
其中，1、第一屏蔽层；2、绝缘层；3、第二屏蔽层；31、凸部；32、凹陷部；33、导体颗粒；4、胶膜层；5、保护膜层；7、线路板本体。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1所示，本发明优选实施例的一种电磁屏蔽膜，包括第一屏蔽层1、绝缘层2、第二屏蔽层3和胶膜层4，所述第一屏蔽层1、所述绝缘层2、所述第二屏蔽层3和所述胶膜层4依次层叠设置，所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面为非平整表面。
在本发明实施例中，通过将第一屏蔽层1、绝缘层2、第二屏蔽层3和胶膜层4依次层叠设置，第二屏蔽层3靠近胶膜层4的一面为非平整表面，第二屏蔽层3的非平整表面在电磁屏蔽膜与线路板压合时能够刺穿胶膜层4并与线路板的地层连接，从而确保了电磁屏蔽膜与线路板的地层连接；此外，通过在第一屏蔽层1和第二屏蔽层3之间设置绝缘层2，以实现对电磁屏蔽膜两侧的干扰信号的多层屏蔽，从而有效地衰弱了电磁屏蔽膜两侧的干扰信号，从而提高了屏蔽效能；此外，通过在第一屏蔽层1和第二屏蔽层3之间设置绝缘层2，有效地增加了电磁屏蔽膜的弯折性；另外，第二屏蔽层3的非平整表面能够增强第二屏蔽层3与线路板之间的结合力，使得电磁屏蔽膜不容易发生起泡分层；此外，在电磁屏蔽膜与线路板压合时，构成胶膜层4的胶类物质被挤压到第二屏蔽层3的凹陷位置中，以增大容胶量，从而不容易出现爆板现象，避免了现有的电磁屏蔽膜由于容胶量不足导致高温爆板的问题，进而有效地保证了电磁屏蔽膜接地，从而将干扰电荷导出。
在本发明实施例中，所述非平整表面为规则的非平整表面或不规则的非平整表面。具体地，当所述非平整表面为规则的非平整表面时，所述非平整表面为周期性起伏变化的结构，所述非平整表面上起伏的幅度以及起伏的间隔相同；当所述非平整表面为不规则的非平整表面时，所述非平整表面为非周期性起伏变化的结构，所述非平整表面上起伏的幅度和/或起伏的间隔不同。
结合图1至图3所示，为了使得所述第二屏蔽层3在压合过程中更容易刺穿所述胶膜层4，本实施例中的所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面包括多个凸部31和多个凹陷部32，多个所述凸部31和多个所述凹陷部32间隔设置。通过在所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面设置多个凸部31和多个凹陷部32，并且多个所述凸部31和多个所述凹陷部32间隔设置，以使得所述第二屏蔽层3在压合过程中更容易刺穿所述胶膜层4，从而确保了所述第二屏蔽层3与线路板的地层之间连接的可靠性，进而提高所述电磁屏蔽的质量；此外，在电磁屏蔽膜与线路板压合时，构成胶膜层4的胶类物质被挤压到所述凹陷部32中，以增大容胶量，从而不容易出现爆板现象，避免了现有的电磁屏蔽膜由于容胶量不足导致高温爆板的问题，进而有效地保证了电磁屏蔽膜接地，从而将干扰电荷导出。此外，所述多个所述凸部31可与所述胶膜层4的外表面存在一定的距离，也可与所述胶膜层4的外表面相接触或延伸出所述胶膜层4的外表面。
请参阅图1所示，为了进一步确保接地的可靠性，同时提高导电效率，本实施例中的每一所述凸部31与相邻的所述凹陷部32之间的间距相同。通过每一所述凸部31与相邻的所述凹陷部32之间的间距设置为相同，以使得多个所述凸部31能够均匀地刺穿所述胶膜层4，从而进一步确保第二屏蔽层3与线路板的地层之间连接的可靠性，同时提高了导电效率。优选地，每一所述凸部31的形状均相同；每一所述凹陷部32的形状均相同；其中，每一所述凸部31均为轴对称结构；每一所述凹陷部32均为轴对称结构；当然，每一所述凸部31还可以是非轴对称结构，每一所述凹陷部32还可以是非轴对称结构。由于每一所述凸部31与相邻的所述凹陷部32之间的间距相同，并且每一所述凸部31的形状均相同，每一所述凹陷部32的形状均相同，以使得第二屏蔽层3表面的容胶量比较均匀，从而进一步避免了爆板，进而进一步保证了电磁屏蔽膜接地，从而将干扰电荷导出。
请参阅图1所示，为了进一步确保所述电磁屏蔽膜与线路板的地层电连接，本实施例中的所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上设有凸状的导体颗粒33。通过在所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上设有凸状的导体颗粒33，以便于刺穿所述胶膜层4，从而进一步确保所述电磁屏蔽膜与线路板的地层电连接。优选地，所述导体颗粒33集中分布于所述凸部31上，以使得所述第二屏蔽层3在压合过程中更容易刺穿所述胶膜层4，从而实现接地，提高电磁屏蔽的质量。当然，所述凹陷部32也可以有导体颗粒33分布。此外，所述导体颗粒33还可以分布于所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的其他位置上，而不仅分布于所述凸部31的表面，如图1至图3所示。当然，所述导体颗粒33还可以仅分布于所述凸部31的表面。
在本发明实施例中，所述导体颗粒33可以包括多个，多个所述导体颗粒33可以规则或不规则地分布在所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上；其中，多个所述导体颗粒33规则地分布在所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上是指多个所述导体颗粒33的形状相同且均匀地分布在所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上；多个所述导体颗粒33不规则地分布在所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上是指多个所述导体颗粒33的形状各异且无序地分布在所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上。在本实施例中，所述导体颗粒33的形状相同，和/或，所述导体颗粒33的间距相同。优选地，多个所述导体颗粒33的形状相同，多个所述导体颗粒33均匀分布在所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上。此外，所述第二屏蔽层3远离所述胶膜层4的一面可以是任何形状的表面，例如，可以是平整表面，也可以是起伏状的非平整表面，或者其他粗糙面。本发明附图仅以所述第二屏蔽层3远离所述胶膜层4的一面为平整表面进行举例说明，但其他任何形状都在本发明的保护范围之内。
在具体实施当中，可以先形成第二屏蔽层3，然后再通过其他工艺在所述第二屏蔽层3上形成导体颗粒33。当然，所述第二屏蔽层3和所述导体颗粒33还可以是通过一次成型工艺形成的整体结构。
优选地，所述导体颗粒33的高度为0.1μm-30μm；所述导体颗粒33可与所述胶膜层4的外表面存在一定的距离，也可与所述胶膜层4的外表面相接触或延伸出所述胶膜层4的外表面。此外，所述胶膜层4的外表面可以为无起伏的平整表面，也可以是平缓起伏的不平整表面。
需要说明的是，图1至图3中的所述导体颗粒33的形状仅仅是示例性的，由于工艺手段及参数上的差异，所述导体颗粒33还可以为团簇状、挂冰状、钟乳石状、树枝状等其他形状。此外，本发明实施例中的导体颗粒33并不受图示及上述形状的限制，只要是具有刺穿及导电功能的导体颗粒33，均在本发明的保护范围之内。
优选地，所述第一屏蔽层1的厚度为0.1μm-45μm，所述第二屏蔽层3的厚度为0.1μm-45μm，所述绝缘层2的厚度为1μm-80μm，所述胶膜层4的厚度为1μm-80μm。所述胶膜层4所用材料选自以下几种：改性环氧树脂类、丙烯酸类、改性橡胶类、改性热塑性聚酰亚胺类。可以理解的，为了保证所述第一屏蔽层1和所述第二屏蔽层3具有良好的导电性，所述第一屏蔽层1和所述第二屏蔽层3分别包括金属屏蔽层、碳纳米管屏蔽层、铁氧体屏蔽层和石墨烯屏蔽层中的一种或多种。其中，所述金属屏蔽层包括单金属屏蔽层和/或合金屏蔽层；其中，所述单金属屏蔽层由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种材料制成，所述合金屏蔽层由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意两种或两种以上的材料制成。
优选地，所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的起伏度(即所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的最高点和最低点之间的距离)为0.1μm-30μm，将所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的起伏度设定在上述范围内，可增强所述第二屏蔽层3的刺穿功能，从而保证所述第一屏蔽层1和所述第二屏蔽层3中的干扰电荷顺利导入地中，进而避免了干扰电荷的积聚而形成干扰源。
优选地，所述胶膜层4的厚度与所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的起伏度和所述导体颗粒33的高度的和满足比例关系0.5～2，以保证足够的刺穿强度和容胶量，具体体现为：一方面防止所述胶膜层4的厚度相对于所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的起伏度和所述导体颗粒33的高度的和过小导致容胶量不足造成爆板现象，另一方面防止所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面的起伏度和所述导体颗粒33的高度的和相对于所述胶膜层4的厚度过小导致刺穿强度不足造成接地失效。
在本发明实施例中，所述导体颗粒33包括金属颗粒、碳纳米管颗粒和铁氧体颗粒中的一种或多种。此外，所述金属颗粒包括单金属颗粒和/或合金颗粒；其中，所述单金属颗粒由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意一种材料制成，所述合金颗粒由铝、钛、锌、铁、镍、铬、钴、铜、银和金中的任意两种或两种以上的材料制成。需要说明的是，所述导体颗粒33可以与所述第一屏蔽层1或第二屏蔽层3的材料相同，也可以不相同。
在本发明实施例中，为了进一步确保所述电磁屏蔽膜与线路板的地层连接，本实施例中的所述胶膜层4包括含有导电粒子的黏着层。通过所述胶膜层4包括含有导电粒子的黏着层，以提高所述胶膜层4的导电能力，从而进一步确保了所述电磁屏蔽膜与线路板的地层连接。当然，所述胶膜层4可以包括不含导电粒子的黏着层，以降低带有所述电磁屏蔽膜的线路板的插入损耗，从而在提高屏蔽效能的同时改善线路板的弯折性。
需要说明的是，所述导电粒子可以为相互分离的导电粒子，也可以为团聚而成的大颗粒导电粒子；当所述导电粒子为相互分离的导电粒子时，可进一步提高所述胶膜层4的接地导通性；而当所述导电粒子为团聚而成的大颗粒导电粒子时，可增加刺穿强度。
请参阅图2所示，本实施例中的所述电磁屏蔽膜还包括保护膜层5，所述保护膜层5设于所述第一屏蔽层1远离所述胶膜层4的一面上。由于所述保护膜层5具有隔绝作用，因此保证了所述第一屏蔽层1和所述第二屏蔽层3的屏蔽效能；此外，所述保护膜层5还具有保护作用，以保证所述第一屏蔽层1在使用过程中不被划伤破损，从而维持所述第一屏蔽层1的高屏蔽效能。所述保护膜层5包括PPS薄膜层、PEN薄膜层、聚酯薄膜层、聚酰亚胺薄膜层、环氧树脂油墨固化后形成的膜层、聚氨酯油墨固化后形成的膜层、改性丙烯酸树脂固化后形成的膜层或聚酰亚胺树脂固化后形成的膜层。其中，所述保护膜层5远离所述第一屏蔽层1的一面上还可以设有载体膜，所述载体膜对保护膜层5起支撑作用，有利于后续加工。
需要说明的是，本实施例的所述第一屏蔽层1和所述第二屏蔽层3可分别为单层结构或多层结构。当所述第一屏蔽层1为单层或多层时，每一层所述第一屏蔽层1靠近所述胶膜层4的一面上可以设有凸状的导体颗粒33；当所述第二屏蔽层3为多层时，每一层所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面上还可以设有凸状的导体颗粒33。另外，根据实际生产和应用的需要，本实施例的第一屏蔽层1和所述第二屏蔽层3可设置为网格状、发泡状等。
请参阅图3所示，为了解决相同的技术问题，本发明实施例还提供一种线路板，包括线路板本体7以及所述的电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜通过所述胶膜层4与所述线路板本体7相压合；所述第二屏蔽层3刺穿所述胶膜层4并与所述线路板本体7的地层电连接。
在本发明实施例中，所述第二屏蔽层3的非平整表面在所述电磁屏蔽膜与所述线路板本体7压合时能够刺穿所述胶膜层4并与线路板本体7的地层连接，从而确保了所述第一屏蔽层1和所述第二屏蔽层3与线路板本体7的地层连接，从而实现将所述第一屏蔽层1和所述第二屏蔽层3中的干扰电荷导入地中，避免了干扰电荷的积聚而形成干扰源影响线路板的正常工作。
优选地，所述线路板本体7为挠性单面、挠性双面、挠性多层板、刚挠结合板中的一种。
请参阅图4，为了解决相同的技术问题，本发明实施例还提供一种电磁屏蔽膜的制备方法，包括以下步骤：
S11，形成第一屏蔽层1；
S12，在所述第一屏蔽层1上形成绝缘层2；
S13，在所述绝缘层2上形成第二屏蔽层3；
S14，在所述第二屏蔽层3上形成胶膜层4；
其中，所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面为非平整表面。
结合图1至图3所示，为了使得所述第二屏蔽层3在压合过程中更容易刺穿所述胶膜层4，本实施例中的所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面包括多个凸部31和多个凹陷部32，多个所述凸部31和多个所述凹陷部32间隔设置。通过在所述第二屏蔽层3靠近所述胶膜层4的一面设置多个凸部31和多个凹陷部32，并且多个所述凸部31和多个所述凹陷部32间隔设置，以使得所述第二屏蔽层3在压合过程中更容易刺穿所述胶膜层4，从而确保了所述第二屏蔽层3与线路板的地层之间连接的可靠性，进而提高所述电磁屏蔽的质量；此外，在电磁屏蔽膜与线路板压合时，构成胶膜层4的胶类物质被挤压到所述凹陷部32中，以增大容胶量，从而不容易出现爆板现象，避免了现有的电磁屏蔽膜由于容胶量不足导致高温爆板的问题，进而有效地保证了电磁屏蔽膜接地，从而将干扰电荷导出。
请参阅图1所示，为了进一步确保接地的可靠性，同时提高导电效率，本实施例中的每一所述凸部31与相邻的所述凹陷部32之间的间距相同。通过每一所述凸部31与相邻的所述凹陷部32之间的间距设置为相同，以使得多个所述凸部31能够均匀地刺穿所述胶膜层4，从而进一步确保第二屏蔽层3与线路板的地层之间连接的可靠性，同时提高了导电效率。优选地，每一所述凸部31的形状均相同；每一所述凹陷部32的形状均相同；其中，每一所述凸部31均为轴对称结构；每一所述凹陷部32均为轴对称结构；当然，每一所述凸部31还可以是非轴对称结构，每一所述凹陷部32还可以是非轴对称结构。由于每一所述凸部31与相邻的所述凹陷部32之间的间距相同，并且每一所述凸部31的形状均相同，每一所述凹陷部32的形状均相同，以使得第二屏蔽层3表面的容胶量比较均匀，从而进一步避免了爆板，进而进一步保证了电磁屏蔽膜接地，从而将干扰电荷导出。
在步骤S11中，所述形成第一屏蔽层1具体包括：
在载体膜上形成保护膜层5；
在所述保护膜层5上形成第一屏蔽层1；其中，可以通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺在所述保护膜层5上形成第一屏蔽层1；或，
在带载体的可剥离层表面形成第一屏蔽层1；
在所述第一屏蔽层1上形成保护膜层5；
将所述带载体的可剥离层剥离；
其中，可以通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺在所述带载体的可剥离层表面上形成第一屏蔽层1。
在所述步骤S12中，在所述第一屏蔽层1上形成绝缘层2，具体为：在所述第一屏蔽层1上涂布油墨，可以静置涂布油墨后的所述第一屏蔽层1，以使所述第一屏蔽层1上的油墨固化，从而形成绝缘层2；优选地，所述绝缘层2的厚度为1μm-80μm。此外，所述绝缘层2还可以采用PPS、PEN或者聚酰亚胺薄膜等材料，由于绝缘层2采用油墨、PPS、PEN或者聚酰亚胺薄膜等弹性材料，因此通过设置具有弹性的绝缘层2能够提高电磁屏蔽膜的弯折性。
在步骤S13中，在所述绝缘层2上形成第二屏蔽层3，具体包括：
通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺在所述绝缘层2上形成第二屏蔽层3。
在本发明实施例中，在所述绝缘层2上形成第二屏蔽层3后还包括：在所述第二屏蔽层3上形成凸状的导体颗粒33。在所述第二屏蔽层3上形成凸状的导体颗粒33，具体包括：通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺在所述第二屏蔽层3上形成凸状的导体颗粒33。
在步骤S14中，可以直接在所述第二屏蔽层3上涂布胶膜层4，还可以先在离型膜上涂布胶膜层4，然后将所述胶膜层4压合转移至所述第二屏蔽层3上，从而在所述第二屏蔽层3形成胶膜层4。
综上，本发明实施例提供一种电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法，其中，所述电磁屏蔽膜包括通过依次层叠设置的第一屏蔽层1、绝缘层2、第二屏蔽层3和胶膜层4，第二屏蔽层3靠近胶膜层4的一面为非平整表面，第二屏蔽层3的非平整表面在电磁屏蔽膜与线路板压合时能够刺穿胶膜层4并与线路板的地层连接，从而确保了电磁屏蔽膜与线路板的地层连接；此外，通过在第一屏蔽层1和第二屏蔽层3之间设置绝缘层2，以实现对电磁屏蔽膜两侧的干扰信号的多层屏蔽，从而有效地衰弱了电磁屏蔽膜两侧的干扰信号，从而提高了屏蔽效能；此外，通过在第一屏蔽层1和第二屏蔽层3之间设置绝缘层2，有效地增加了电磁屏蔽膜的弯折性；另外，第二屏蔽层3的非平整表面能够增强第二屏蔽层3与线路板之间的结合力，使得电磁屏蔽膜不容易发生起泡分层；此外，在电磁屏蔽膜与线路板压合时，构成胶膜层4的胶类物质被挤压到第二屏蔽层3的凹陷位置中，以增大容胶量，从而不容易出现爆板现象，避免了现有的电磁屏蔽膜由于容胶量不足导致高温爆板的问题，进而有效地保证了电磁屏蔽膜接地，从而将干扰电荷导出。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
Claims (12)
1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，包括第一屏蔽层、绝缘层、第二屏蔽层和胶膜层，所述第一屏蔽层、所述绝缘层、所述第二屏蔽层和所述胶膜层依次层叠设置，所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面为非平整表面；
所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面包括多个凸部和多个凹陷部，多个所述凸部和多个所述凹陷部间隔设置；每一所述凸部与相邻的所述凹陷部之间的间距相同，每一所述凸部的形状均相同，每一所述凹陷部的形状均相同。
2.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面上设有凸状的导体颗粒，所述导体颗粒设于所述凸部上，或，所述导体颗粒设于所述凸部和所述凹陷部上。
3.如权利要求1-2任一项所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一屏蔽层的厚度为0.1μm-45μm，所述第二屏蔽层的厚度为0.1μm-45μm，所述绝缘层的厚度为1μm-80μm，所述胶膜层的厚度为1μm-80μm。
4.如权利要求1-2任一项所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述胶膜层包括含有导电粒子的黏着层；或，所述胶膜层包括不含导电粒子的黏着层。
5.如权利要求1-2任一项所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述电磁屏蔽膜还包括保护膜层，所述保护膜层设于所述第一屏蔽层远离所述胶膜层的一面上。
6.一种线路板，其特征在于，包括线路板本体以及如权利要求1-5任一项所述的电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜通过所述胶膜层与所述线路板本体相压合；所述第二屏蔽层刺穿所述胶膜层并与所述线路板本体的地层电连接。
7.一种电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
形成第一屏蔽层；
在所述第一屏蔽层上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成第二屏蔽层；
在所述第二屏蔽层上形成胶膜层；
其中，所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面为非平整表面；所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面包括多个凸部和多个凹陷部，多个所述凸部和多个所述凹陷部间隔设置，每一所述凸部与相邻的所述凹陷部之间的间距相同，每一所述凸部的形状均相同，每一所述凹陷部的形状均相同。
8.如权利要求7所述的电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，所述形成第一屏蔽层，具体包括：
在载体膜上形成保护膜层；
在所述保护膜层上形成第一屏蔽层；或，
在带载体的可剥离层表面形成第一屏蔽层；
在所述第一屏蔽层上形成保护膜层；
将所述带载体的可剥离层剥离。
9.如权利要求7所述的电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，在所述绝缘层上形成第二屏蔽层，具体包括：
通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺在所述绝缘层上形成第二屏蔽层。
10.如权利要求7-9任一项所述的电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，在所述绝缘层上形成第二屏蔽层后还包括：
在所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面上形成凸状的导体颗粒，所述导体颗粒设于所述凸部上，或，所述导体颗粒设于所述凸部和所述凹陷部上。
11.如权利要求10所述的电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，在所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面上形成凸状的导体颗粒，具体包括：
通过物理打毛、化学镀、物理气相沉积、化学气相沉积、蒸发镀、溅射镀、电镀和混合镀中的一种或多种工艺在所述第二屏蔽层靠近所述胶膜层的一面上形成凸状的导体颗粒。
12.如权利要求7-9任一项所述的电磁屏蔽膜的制备方法，其特征在于，在所述第二屏蔽层上形成胶膜层，具体为：
在离型膜上涂布胶膜层；
将所述胶膜层压合转移至所述第二屏蔽层上；或，
在所述第二屏蔽层上涂布胶膜层。
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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