KR100756395B1

KR100756395B1 - 전자파 차폐막의 제조방법 및 이에 사용되는 전자파차폐용 몰드기판의 제조방법 및 그 전자파 차폐용 몰드기판

Info

Publication number: KR100756395B1
Application number: KR1020040059885A
Authority: KR
Inventors: 최용원; 조성님; 정준희; 최왕규
Original assignee: 삼성코닝 주식회사
Priority date: 2004-07-29
Filing date: 2004-07-29
Publication date: 2007-09-10
Also published as: KR20060011185A

Abstract

균일한 품질의 전자파 차폐막을 간단한 제조공정을 통하여 계속 반복적으로 생산할 수 있는 전자파 차폐막의 제조방법 및 이에 사용되는 전자파 차폐용 몰드기판의 제조방법 및 그 전자파 차폐용 몰드기판이 제공된다. 이 전자파 차폐막의 제조방법은 (a) 도전기판과, 도전기판 상에 형성되고 전자파 차폐막이 형성될 영역을 노출하는 몰드패턴을 포함하는 몰드기판을 제공하는 단계와, (b) 몰드패턴에 의해 노출된 도전기판 상에 몰드패턴 사이를 매립하는 전자파 차폐막을 형성하는 단계와, (c) 점착제가 도포된 분리기판을 이용하여 전자파 차폐막을 도전기판으로부터 분리하는 단계를 포함한다.

전자파 차폐막, 전해도금, 기판

Description

전자파 차폐막의 제조방법 및 이에 사용되는 전자파 차폐용 몰드기판의 제조방법 및 그 전자파 차폐용 몰드기판{Method for manufacturing electromagnetics shielding layer, method for manufacturing mold substrate for the same, and mold substrate for the same}

도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 의한 전자파 차폐막의 제조방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.

도 2 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 몰드기판의 제조과정은 순차적으로 나타낸 단면도들이다.

도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 몰드기판을 나타낸 사시도이다.

도 8 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 의한 전자파 차폐막의 제조과정을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.

(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)

200: 도전기판 210: 몰드베이스패턴용막

212: 몰드베이스패턴 220: 비도전성막

222: 비도전성막 230: 포토레지스트 패턴

240: 시드층 250: 전자파 차폐막

260: 몰드기판 300: 분리기판

310: 점착제

본 발명은 전자파 차폐막의 제조방법 및 이에 사용되는 몰드기판의 제조방법 및 그 몰드기판에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 포토레지스트를 사용하지 않고 반영구적으로 손상없이 재사용이 가능한 전자파 차폐막의 제조방법 및 이에 사용되는 몰드기판의 제조방법 및 그 몰드기판에 관한 것이다.

현대 사회가 고도로 정보화 되어감에 따라서 광일렉트로닉스 (Photoelectronics) 관련부품 및 기기가 현저하게 진보하고 보급되고 있다. 그 중에서, 화상을 표시하는 디스플레이장치는 텔레비전 장치용, 퍼스널컴퓨터의 모니터장치용 등으로서 현저하게 보급되고 있으며, 또한 이러한 디스플레이의 대형화와 동시에 박형화가 진행되고 있다.

일반적으로 PDP 장치는 기존의 디스플레이장치를 대표하는 CRT에 비해 대형화 및 박형화를 동시에 만족할 수 있어 차세대 디스플레이 장치로서 각광받고 있다. 이러한 PDP 장치는 가스방전현상을 이용하여 화상을 표시하는 것으로서, 표시용량, 휘도, 콘트라스트, 잔상, 시야각 등의 각종 표시능력이 우수하다. 그리고, PDP 장치는 다른 표시장치보다 대형화가 용이하고, 박형의 발광형 표시장치로써 향후 고품질 디지털 텔레비젼으로서 가장 적합한 특성을 갖추고 있는 것으로 평가되고 있어 CRT를 대체할 수 있는 디스플레이 장치로 각광받고 있다.

PDP 장치는 전극에 인가되는 직류 또는 교류 전압에 의하여 전극 사이의 가스에서 방전이 발생하고, 여기에서 수반되는 자외선의 방사에 의하여 형광체를 여기시켜 발광하게 된다. 그러나, PDP 장치는 그 구동 특성상 전자파의 방출량이 많고, 이러한 PDP 장치에서 발생되는 전자파에 의해 인체에 유해한 영향을 미치고 무선 전화기나 리모콘 등의 정밀기기의 오동작을 유발할 수도 있다. 이러한 PDP 장치를 사용하기 위해서는, PDP 장치로부터 방출되는 유해파 중 특히 전자파의 방출을 소정치 이하로 억제하는 전자파 차폐의 기능을 갖는 PDP 필터를 채용하고 있다.

PDP 장치는 가스방전현상이 일어나는 방전셀을 포함하는 패널 어셈블리와, 전자파 및 근적외선을 차폐하는 PDP 필터로 구성되어 있다. 따라서, 이러한 PDP 필터는 패널 어셈블리의 전면부에 장착되기 때문에 투명성도 동시에 만족해야 한다.

한편, PDP 장치에 있어서 구동회로 및 교류 전류 전극에 흐르는 전류와, 플라즈마 방전을 위한 전극 사이게 걸리는 고전압은 전자파 발생의 주원인이 된다. 이때 발생하는 주된 전자파의 주파수 영역은 30 내지 200MHz이며, 이러한 전자파를 차폐하기 위한 전자파 차폐막으로서, 가시광선에 대한 고투과율 및 저반사율 특성을 유지하는 투명 도전막이나 도전성 메쉬가 주로 사용된다.

먼저, ITO로 대표되는 투명 도전막으로 구성된 전자파 차폐막의 경우, 도전성이 낮기 때문에 전자파 차폐 능력이 떨어지는 단점이 있다. 한편, 도전성 메쉬로 구성된 전자파 차폐막의 경우, 전자파를 차폐하는 데는 뛰어난 특성을 나타낸다.

이하, 도 1a 내지 도 1c를 참조하여, 종래 기술에 의한 도전성 메쉬로 구성된 전자파 차폐막의 제조방법을 설명한다. 도 1a 내지 도 1c는 종래 기술에 의한 전자파 차폐막의 제조방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.

우선 도 1a에 도시된 바와 같이, 적절한 점도를 가지는 접착제(110)를 이용하여 금속박막(120)을 라이네이팅(Laminating)법에 의해 기판(100) 상에 접합한다.

도 1b에 도시된 바와 같이, 금속박막(120) 상에 포토레지스트를 도포한 후, 사진공정(노광 공정 및 현상 공정)을 통하여 포토레지스트를 패터닝(Patterning)하여 포토레지스트 패턴(130)을 형성한다.

도 1c를 참조하면, 포토레지스트 패턴(130)를 식각마스크로 하여 금속박막(120)을 식각하여 전자파 차폐막(122)을 형성한다.

이와 같이 종래 기술에 의한 도전성 메쉬로 구성된 전자파 차폐막(122)의 경우, 전자파 차폐막(122) 형성할 때마다 금속박막(120) 상에 포토레지스트를 도포하고 노광 공정 및 현상 공정을 이용하여 포토레지스트 패턴(130)을 형성한 후 식각 공정을 수행해야 한다.

종래 기술의 전자파 차폐막(122)의 제조방법을 이용하면 포토레지스트와 같은 소모품의 사용량이 많으므로 제조 원가가 상승하고, 노광 공정과 현상 공정과 같은 정밀도를 요구하기 공정때문에 제조시간이 많이 들고 따라서 공정 수율이 낮아지는 문제점들이 발생한다.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 균일한 품질의 전자파 차폐막을 간단한 제조공정을 통하여 계속 반복적으로 생산할 수 있는 전자파 차폐막의 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 이러한 제조방법에 사용되는 반영구적으로 재사용이 가능한 몰드기판의 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.

본 발명이 이루고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 이러한 몰드기판의 제조방법에 의해 제조된 몰드기판을 제공하고자 하는 것이다.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐막의 제조방법은 (a) 도전기판과, 상기 도전기판 상에 형성되고 전자파 차폐막이 형성될 영역을 노출하는 몰드패턴을 포함하는 몰드기판을 제공하는 단계와, (b) 상기 몰드패턴에 의해 노출된 상기 도전기판 상에 상기 몰드패턴 사이를 매립하는 전자파 차폐막을 형성하는 단계와, (c) 점착제가 도포된 분리기판을 이용하여 상기 전자파 차폐막을 상기 도전기판으로부터 분리하는 단계를 포함한다.

또한, 상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐막용 몰드기판의 제조방법은, (a) 도전기판을 제공하는 단계와, (b) 상기 도전기판 상에 전자파 차폐막이 형성될 영역을 노출하는 몰드패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

아울러, 상기 또 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐막용 몰드기판은, 도전기판과, 상기 도전기판 상에 형성되고 전자 파 차폐막이 형성될 영역을 노출하는 몰드패턴을 포함한다.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

이하, 본 발명의 일 실시예를 도 2 내지 도 11를 참조하여 설명한다. 도 2 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 몰드기판의 제조과정은 순차적으로 나타낸 단면도들이다. 그리고, 도 8 내지 도 11은 본 발명의 일 실시예에 의한 전자파 차폐막의 제조과정을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.

우선, 도 2 내지 도 6을 참조하여 몰드기판의 제조과정을 설명한다.

도 2에 도시된 바와 같이, 몰드베이스패턴용막(210)이 형성된 도전기판(200)을 준비한다.

여기서, 도전기판(200)은 후속하는 전해도금 공정에서 전류가 흐르는 전극 역할을 한다. 예를 들어, 도전기판(200)으로는 스테인리스 재질(SUS 304 혹은 SUS 430 재질) 또는 철재에 Cu 도금 등 특수 처리를 가한 기판 등을 사용할 수 있다. 이러한 도전기판(200)은 전기가 흐를 수 있으면 그 기능을 만족하게 되므로, 도전기판(200)을 얇게 제작할 수 있다. 따라서, 도전기판(200)의 두께가 100 ~ 200 ㎛ 정도일 경우, 이러한 도전기판(200)의 강도를 보강하기 위해 도전기판(200)의 일면에 투명기판(미도시)를 접합할 수 있다. 여기서, 도전기판(200)과 유리기판(미도시)은 적절한 점도를 가지는 접착제를 이용하여 라미네이팅(Laminating)법으로 접합할 수 있다. 그리고, 본 발명의 일 실시예에서 투명기판(미도시)이란, 유리기판이나 고분자 기판 등이 사용될 수 있다. 고분자 기판으로서는 아크릴(Acryl)이나 폴리카보네이트(Polycarbonate)가 전형적으로 사용될 수 있지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니다. 또는 투명기판(미도시)으로서 기판에 필름을 겹쳐 바른 적층체 또는 고분자의 필름을 사용할 수도 있다. 여기서, 투명한 고분자 필름은 적당한 내열성과 투명성을 갖고 있는 것이 바람직하고, 유리 전위 온도가 적어도 40℃ 이상인 내열성과 550nm의 파장의 투과율이 적어도 80% 이상인 투명성을 가지는 것이 바람직하다.

그리고, 이러한 도전기판(200) 상에 몰드베이스패턴용막(210)을 형성한다. 여기서, 몰드베이스패턴용막(210)으로는 Cr, Ni, Ti, Al, Ta, W 및 Mo으로 이루어진 그룹에서 선택된 물질뿐만 아니라 대부분의 금속이 가능하며 후속하는 산화공정(도 3 및 도 6 참조)에서 연속적으로 산화막이 형성될 수 있는 금속이면 그 적용이 가능하다. 몰드베이스패턴용막(210)과 도전기판(200)의 접합력을 고려하여 몰드베이스패턴용막(210)으로 Cr, Ni, Ti을 사용하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 Cr을 사용할 수 있다. 몰드베이스패턴용막(210)은 전해도금법(Electroplating) 이나 스퍼터링(Sputtering), 진공증착법(Evaporation) 등으로 형성할 수 있다. 바람직하게는 몰드베이스패턴용막(210)의 형성 속도나 균일한 막질을 얻기 위해서 전해도금법이나 스퍼터링법을 사용할 수 있다. 이러한 몰드베이스패턴용막(210)은 10∼15 ㎛의 두께로 형성할 수 있고, 바람직하게는 15 ㎛ 이하의 두께로 형성할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 있어서 도전기판(200)으로 SUS 304를 사용할 수 있고, 몰드베이스패턴용막(210)으로 Cr을 사용할 수 있다. 즉, SUS 304로 구성된 도전기판(200) 위에 Cr 타겟(Target)을 이용하여 스퍼터링법으로 10 ㎛의 두께의 몰드베이스패턴용막(210)을 형성할 수 있다. 여기서, 본 발명의 일 실시예에 의한 몰드베이스패턴용막(210)을 형성하기 위한 스퍼터링의 공정조건은 다음과 같다. 몰드베이스패턴용막(210)의 성막 속도를 높여 주기 위해 성막 온도는 약 150도로 유지고, Ar은 300sccm로 공정챔버 내로 유입될 수 있다. Cr 타겟은 4N 순크롬 타겟을 사용하고, 약 15kW의 성막 파워로 스퍼터링을 할 수 있다.

그리고, 도 3에 도시된 바와 같이, 몰드베이스패턴용막(210) 상에 비도전성막(220)을 선택적으로 형성할 수 있다. 여기서, 비도전성막(220)은 산화막을 사용할 수 있다. 후속공정(도 6 참조)에서도 몰드베이스패턴용막(210)을 감싸는 비도전성막(220)을 형성하는 공정이 있으므로 도 3의 비도전성막(220) 형성공정은 작업요건에 따라서 선택적으로 생략할 수 있다. 도 3의 비도전성막(220) 형성공정은 후속하는 몰드베이스패턴용막(210)의 식각공정(도 5 참조)에서 몰드베이스패턴용막(210)을 표면을 더욱 보호하기 위해 선택적으로 형성할 수 있다.

이와 같은 비도전성막(220)은 Ar 가스와 O2 가스에 의한 플라즈마에 의해 몰드베이스패턴용막의 물질을 포함하는 타켓을 스퍼터링하여 형성할 수 있다. 또한, 비도전성막(220)은 O2 가스 또는 CO2 가스 플라즈마에 의한 표면산화반응으로써 형성될 수도 있다. 또한, 비도전성막(220)은 자연산화에 의한 산화막일 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 의한 비도전성막(220)은, 몰드베이스패턴용막(210) 형성을 위한 스퍼터링을 수행한 후 성막 파워 및 성막 온도를 동일하게 유지하면서 Ar 가스와 O2 가스의 압력을 조절하여 증착하거나 Ar 가스 없이 O2 가스 또는 CO2 가스의 압력을 조절하여 형성할 수 있다. 이러한 비도전성막(220)은 1㎛ 이하, 바람직하게는 0.5 ㎛ 이하의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.

도 4에 도시된 바와 같이, 비도전성막(220) 전면에 포토레지스트를 도포한 후 사진공정(노광/현상)을 거쳐서 포토레지스트를 패터닝하여 포토레지스트 패턴(230)을 형성한다.

여기서, 포토레지스트는 스핀코팅법(Spin-coating), 롤코팅법(Roll-coating), 슬릿다이법(Slit-die or slot die)법에 의해 형성될 수 있으며, 기판의 대형화를 감안하면 롤코팅법이나 슬릿다이법을 사용하는 것이 바람직하다. 포토레지스트는 정확한 패턴 형성을 위해 파지티브(Positive) 포토레지스트를 사용하는 것이 바람직하고, 포토레지스트의 도포두께는 포토레지스트의 특성에 따라 변할 수 있다. 포토레지스트가 형성된 후에는 솔벤트(Solvent) 성분을 제거하고 포토레지스트를 핫 플레이트(Hot plate)에서 소프트 베이크(Soft bake)를 수행하여 경화한다. 경화된 포토레지스트는 UV와 패턴이 형성되어 있는 마스크(Mask)를 이용하여 선택 적으로 노광 공정을 수행하고, UV가 조사된 영역과 조사되지 않은 영역을 구별하기 위하여 핫 플레이트에서 하드 베이크(Hard bake)를 수행하여 열경화한다.

도 5에 도시된 바와 같이, 몰드베이스패턴용막(210)을 원하는 형태로 패터닝하기 위해 식각마스크로서 포토레지스트 패턴(230)을 사용한다. 즉, 포토레지스트 패턴(230)을 식각마스크로 사용하여 몰드베이스패턴용막(210)을 식각하여 몰드베이스패턴(212)을 얻는다. 몰드베이스패턴용막(210)의 식각은 습식식각 또는 건식식각을 사용할 수 있다. 공정비용과 공정편의성 등을 감안하여 습식식각을 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같이 포토레지스트 패턴(230)을 형성한 후 몰드베이스패턴용막(210)을 식각하기 위한 식각용액에 침지하여 식각을 수행하면 포토레지스트 패턴(230)과 동일한 형태의 몰드베이스패턴(212)을 형성할 수 있다.

도 5에 도시된 식각공정에서 비도전성막(220)과 몰드베이스패턴용막(210)을 순차적으로 식각하는 것이 바람직하다. 식각용액으로는 비도전성막(220)과 몰드베이스패턴용막(210)을 구성하는 물질에 따라 당업자에게 널리 알려진 식각용액을 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 선택적으로 도 3의 비도전성막(220)을 형성하지 않는 경우에는 몰드베이스패턴용막(210)만을 식각하는 것으로써 몰드베이스패턴(212)을 형성할 수도 있다. 이러한 식각공정이 끝나면 스트립(Stripe) 공정 등을 통하여 포토레지스트 패턴(230)을 제거한다.

도 6에 도시된 바와 같이, 도전기판(200) 상에 형성된 몰드베이스패턴(212) 상에 비도전성막(222)을 형성하여 몰드패턴(225)를 완성한다. 특히, 비도전성막(222)는 몰드베이스패턴(212)의 측면에 형성되어 몰드베이스패턴(212)의 측면이 손 상되는 것을 방지하는 역할을 한다. 또한, 비도전성막(220)은 도 3의 과정에서 이미 몰드베이스패턴(212)의 상면에 형성되어 있으므로 몰드베이스패턴(212)의 상면이 손상되는 것을 방지하는 역할을 한다. 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 선택적으로 도 3의 비도전성막(220)을 형성하지 않는 경우에는 도 6의 비도전성막 형성 공정을 통하여 동시에 몰드베이스패턴(212)의 상면과 측면에 비도전성막(220, 222)을 형성할 수 있다.

여기서, 비도전성막(220, 222)는 몰드베이스패턴(212)이 산화되어 손상되는 것을 방지하고, 후속하는 전해도금에 의한 전자파 차폐막 형성공정(도 8 및 도 9 참조)에서 금속성 몰드베이스패턴(212)에 도금되는 것을 방지하는 역할을 한다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 있어서, 몰드베이스패턴(212)이 산화에 의한 손상이 발생하지 않고 또한 후속하는 전자파 차폐막 형성을 위한 전해도금공정(도 8 및 도 9 참조)에서 도금되지 않는 비도전성물질로 이루어지는 경우, 몰드베이스패턴(212) 상에 비도전성막(220, 222)을 형성하지 않을 수도 있다.

이와 같은 비도전성막(222)은 Ar 가스와 O2 가스에 의한 플라즈마에 의해 몰드베이스패턴용막의 물질을 포함하는 타켓을 스퍼터링하여 형성할 수 있다. 또한, 비도전성막(222)은 O2 가스 또는 CO2 가스 플라즈마에 의한 표면산화반응으로써 형성될 수도 있다. 이러한 비도전성막(222)은 0.5 ㎛ 이하의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.

이와 같이, 도 2 내지 도 6의 과정을 통하여 전자파 차폐막용 몰드기판(260)이 형성된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 몰드기판(260)은 도전기판(200)과, 도전기 판(200) 상에 패턴되어 형성된 몰드패턴(225)을 포함한다. 몰드패턴(225)는 금속성 몰드베이스패턴(212)과 비도전성막(220, 222)로 구성될 수 있다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 몰드기판(260)을 나타낸 사시도이다. 도 7에서는 메쉬타입의 전자파 차폐막을 형성하기 위한 몰드기판을 설명하였으나, 본 발명은 이러한 몰드기판의 형상에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 몰드기판(260)의 형상은 전자파 차폐막의 형상에 따라 변할 수 있다. 예를 들어, 메쉬타입, 라인타입 등의 전자파 차폐막의 형상에 따라 몰드기판의 형상도 변화할 수 있다.

이하, 도 8 내지 도 11을 참조하여 몰드기판(260)을 이용한 전자파 차폐막의 제조방법을 설명한다.

도 8에 도시된 바와 같이, 몰드기판(260)에서 몰드패턴(225)에 의해 노출된 도전기판(200) 상에 전해도금을 위한 시드층(Seed layer)(240)를 형성한다. 시드층(240)으로는 Ni, Fe, Cu 등을, 바람직하게는 Ni를 사용 할 수 있고, 시드층(240)은 전해도금에 의해 형성할 수 있다. 시드층(240)은 약 500 Å 이하의 두께로 바람직하게는 약 100 Å 이하의 두께로 형성할 수 있다.

도 9에 도시된 바와 같이 시드층(240)에 전기를 흐르게 하여 전해도금에 의해 전자파 차폐막(250)을 형성한다. 전자파 차폐막(250)은 시드층(240)에 의해 몰드패턴(225)이 형성되지 않은 도전기판(200)에만 형성될 수 있다. 따라서, 몰드기판(260)을 반복적으로 사용하여 전자파 차폐막(250)을 형성하는 경우에도, 항상 몰드패턴(225)에 의해 형성된 패턴 모양과 동일한 전자파 차폐막(250)을 형성할 수 있다. 여기서 전자파 차폐막(250)으로는 전자파를 차폐할 수 있는 물질을 사용할 수 있고, 바람직하게는 Cu를 사용할 수 있다. 이 때 전자파 차폐막(250)의 균일한 패턴 모양을 형성하기 위해 전자파 차폐막(250)의 두께는 주위에 형성된 몰드패턴(225)의 두께보다 작은 것이 바람직하다.

도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 점착제(310)가 도포된 분리기판(300)을 이용하여 몰드기판(260)에 형성된 전자파 차폐막(250)을 도전기판(200)으로부터 분리한다. 전해도금법에 의해 도전기판(200) 상에 형성된 전자파 차폐막(250)과 도전기판(200)과의 접착력이 분리기판(300)에 도포된 점착제(310)의 접착력보다 일반적으로 작기 때문에, 전자파 차폐막(250)을 도전기판(200)으로부터 쉽게 분리될 수 있다.

그리고, 몰드베이스패턴(212) 상에는 비도전성막(220, 222)이 형성되어 있어서 몰드베이스패턴(212)이 외부의 산소 등과 결합하여 부식되는 것을 방지할 수 있고, 전자파 차폐막(250)을 형성하기 위한 전해도금을 할 때 도금액과 몰드베이스패턴(212)이 반응하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 몰드기판(260)을 반복적으로 사용하더라도 몰드패턴(225)은 그 형상을 그대로 유지할 수 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 전자파 차폐막의 제조방법 및 이에 사용되는 몰드기판의 제조방법 및 그 몰드기판에 의하면, 균일한 품질의 전자파 차폐막을 간단한 제조공정을 통하여 계속 반복적으로 생산할 수 있기 때문에 전자파 차폐막의 제조 수율이 향상되고 제조 원가가 절감될 수 있다.

Claims

(a) 도전기판과, 상기 도전기판 상에 형성되고 전자파 차폐막이 형성될 영역을 노출하는 몰드패턴을 포함하는 몰드기판을 제공하는 단계;

(b) 상기 몰드패턴에 의해 노출된 상기 도전기판 상에 상기 몰드패턴 사이를 매립하는 전자파 차폐막을 형성하는 단계; 및

(c) 점착제가 도포된 분리기판을 이용하여 상기 전자파 차폐막을 상기 도전기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 전자파 차폐막의 제조방법.
제 1항에 있어서, 상기 (a) 단계는,

도전기판 상에 몰드베이스패턴용막을 형성하는 단계;

상기 몰드베이스패턴용막을 패터닝하여 몰드베이스패턴을 형성하는 단계; 및

상기 몰드베이스패턴 상에 비도전성막을 형성하여 몰드패턴을 완성하는 단계를 포함하는 전자파 차폐막의 제조방법.
제 2항에 있어서,

상기 몰드베이스패턴용막은 금속막으로 형성하고, 상기 비도전성막은 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막의 제조방법.
제 3항에 있어서,

상기 전자파 차폐막은 Cu로 형성하고, 상기 몰드베이스패턴용막은 Cr, Ni, Ti, Al, Ta, W 및 Mo으로 이루어진 그룹에서 선택된 금속막인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막의 제조방법.
제 1항에 있어서,

상기 (b) 단계는 전해도금 방식으로 상기 전자파 차폐막을 상기 도전기판에 형성하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막의 제조방법.
제 5항에 있어서,

상기 (b) 단계전에 상기 몰드패턴에 의해 노출된 상기 도전기판 상에 시드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 전자파 차폐막의 제조방법.
(a) 도전기판을 제공하는 단계; 및

(b) 상기 도전기판 상에 전자파 차폐막이 형성될 영역을 노출하는 몰드패턴을 형성하는 단계를 포함하는 전자파 차폐막용 몰드기판의 제조방법.
제 7항에 있어서, 상기 (b) 단계는,

도전기판 상에 몰드베이스패턴용막을 형성하는 단계;

상기 몰드베이스패턴용막을 패터닝하여 몰드베이스패턴을 형성하는 단계; 및

상기 몰드베이스패턴 상에 비도전성막을 형성하여 몰드패턴을 완성하는 단계 를 포함하는 전자파 차폐막용 몰드기판의 제조방법.
제 8항에 있어서,

상기 몰드베이스패턴용막 형성단계는 전해도금, 스퍼터링 또는 진공증착법을 이용하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막용 몰드기판의 제조방법.
제 8항에 있어서,

상기 몰드베이스패턴용막은 금속막으로 형성하고, 상기 비도전성막은 산화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막용 몰드기판의 제조방법.
제 10항에 있어서,

상기 전자파 차폐막은 Cu로 형성하고, 상기 몰드베이스패턴용막은 Cr, Ni, Ti, Al, Ta, W 및 Mo으로 이루어진 그룹에서 선택된 금속막인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막용 몰드기판의 제조방법.
제 8항에 있어서,

상기 비도전성막은 Ar 가스와 O2 가스에 의한 플라즈마에 의해 몰드베이스패턴용막 타겟을 스퍼터링하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막용 몰드기판의 제조방법.
제 8항에 있어서,

상기 비도전성막은 O2 가스 또는 CO2 가스에 의한 플라즈마에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막용 몰드기판의 제조방법.
제 8항에 있어서,

상기 몰드베이스패턴용막 형성 후에 상기 몰드베이스패턴용막을 산화처리하는 단계를 더 포함하고,

상기 몰드베이스패턴의 형성단계는 상기 산화처리에 의한 산화막과 상기 몰드베이스패턴용막을 동시에 패터닝하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막용 몰드기판의 제조방법.
도전기판; 및

상기 도전기판 상에 형성되고 전자파 차폐막이 형성될 영역을 노출하는 몰드패턴을 포함하는 전자파 차폐막용 몰드기판.
제 15항에 있어서,

상기 몰드패턴은 금속막패턴과, 상기 금속막패턴 상에 형성된 산화막을 포함하는 전자파 차폐막용 몰드기판.
제 16항에 있어서,

상기 금속막패턴은 Cr, Ni, Ti, Al, Ta, W 및 Mo으로 이루어진 그룹에서 선택된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐막용 몰드기판.