KR101013434B1

KR101013434B1 - 전자파 차폐필터의 제조방법 및 전자파 차폐필터의 구조

Info

Publication number: KR101013434B1
Application number: KR1020080029203A
Authority: KR
Inventors: 김진수; 서수정; 박인수; 나성훈; 임승규; 김태성
Original assignee: 성균관대학교산학협력단
Priority date: 2008-03-28
Filing date: 2008-03-28
Publication date: 2011-02-14
Also published as: KR20090103535A

Abstract

본 발명은 전자파 차폐필터의 제조방법 및 전자파 차폐필터의 구조에 관한 것으로, 본 발명에 따른 전자파 차폐필터의 제조방법은, 절연되는 투명재질을 가지며, 상부면에 일정깊이 및 일정폭으로 메쉬(mesh) 구조의 리세스(recess)가 형성된 베이스 기판을 형성하는 단계와; 상기 베이스 기판의 상부면에 제1도전물질을 증착하여 제1도전막을 형성하는 단계와; 상기 베이스 기판을 일정각도로 기울인 상태에서 회전상태로 드라이 에칭공정을 실시하여, 상기 리세스의 바닥면과 측면 일부, 또는 상기 리세스의 바닥면을 제외한 나머지 부분의 상기 제1도전막을 제거하는 단계와; 상기 리세스의 바닥면에 남아있는 상기 제1도전막을 시드층(seed layer)으로 하여, 제2도전물질이 상기 리세스의 내부를 채우도록 전기도금공정을 수행하는 단계를 구비한다. 본 발명에 따르면, 별도의 포토공정이 없이 베이스 기판을 기울여서 에칭공정을 수행하고 전기도금 공정을 수행함에 의해 간단하면서도 질적으로 우수한 전자파 차폐필터를 제조할 수 있는 효과가 있다.

전자파, 차폐, 필터, 임프린트, 전기도금, 이온에칭

Description

전자파 차폐필터의 제조방법 및 전자파 차폐필터의 구조{Method for fabricating EMI shielding filter and Structure of EMI shielding filter }

본 발명은 전자파 차폐필터의 제조방법 및 전자파 차폐필터의 구조에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 공정의 단순화 및 공정진행중의 오염, 손상, 또는 열화를 방지 또는 최소화하여 투명성 향상 및 전자파 차폐 필터링 효과를 향상시킬 수 있는 전자파 차폐필터의 제조방법 및 전자파 차폐필터의 구조에 관한 것이다.

현대 사회가 고도로 정보화 되어감에 따라서 광일렉트로닉스(Photo electronics) 관련부품 및 기기가 현저하게 진보하고 보급되고 있다. 그 중에서, 화상을 표시하는 디스플레이장치는 텔레비전 또는 컴퓨터 모니터 등으로 현저하게 보급되고 있으며, 또한 이러한 디스플레이의 대형화와 동시에 박형화가 진행되고 있다.

특히 PDP(Plasma Display Panel) 장치는 기존의 디스플레이장치를 대표하는 CRT에 비해 대형화 및 박형화를 동시에 만족할 수 있어 차세대 디스플레이 장치로서 각광받고 있다. 이러한 PDP 장치는 가스방전현상을 이용하여 화상을 표시하는 것으로서, 표시용량, 휘도, 콘트라스트, 잔상, 시야각 등의 각종 표시능력이 우수하여 많이 사용되고 있다. 그리고, PDP 장치는 다른 표시장치보다 대형화가 용이하고, 박형의 발광형 표시장치로써 향후 고품질 디지털 텔레비젼으로서 가장 적합한 특성을 갖추고 있는 것으로 평가되고 있어 CRT를 대체할 수 있는 디스플레이 장치로 각광받고 있다.

상기 PDP 장치 등의 디스플레이 장치에서, 방출정전기 및 유해전자파가 문제점으로 지적되고 있어, 이의 차단에 대한 논의가 많이 이루어지고 있다.

이러한 방출정전기나 전자파 차단을 위한 전자파 차폐 필터는 전자파를 차폐하기 위한 전자파 차폐층을 구비하는 데, 이러한 전자파 차폐층으로는 가시광선에 대한 고투과율 및 저반사율 특성을 유지하는 투명 도전막이나 도전성 메쉬(mesh)가 주로 사용된다. 상기 도전성 메쉬로 구성된 전자파 차폐층의 경우, 전자파를 차폐하는 데 있어 뛰어난 특성을 나타내는 것으로 알려져 있다.

한편, 이러한 전자파 차폐 필터는 PDP 등의 패널 어셈블리의 전면부에 장착되기 때문에 투명성을 만족해야 한다.

전자파 차폐 필터에 대한 종래기술로는 한국등록특허 제543587호가 있다.

한국등록특허 제543587호에서는 투명한 기지필름상에 도전성의 금속박을 형성하고, 포토공정을 수행한 후 에칭공정을 통해 금속박의 메쉬를 형성하는 방법을 기재하고 있다. 그러나 상술한 바와 같은 방법은 포토레지스트 도포, 에칭 공정, 현상공정, 및 에칭공정 등의 공정이 필요하므로 공정이 복잡한 단점이 있다. 또한, 포토공정 등에서 상기 기지필름이 어택(attack)을 받아 투명성이 훼손될 수도 있 다. 즉 상기 기지필름이 오염되거나 열화 될 수 있다는 문제점이 있다. 따라서 공정이 단순하면서도 투명성의 훼손을 최소화할 수 있는 방안에 대한 연구가 진행되고 있는 실정에 있다.

따라서, 본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 극복할 수 있는 전자파 차폐필터의 제조방법 및 전자파 차폐필터의 구조를 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은 공정의 단순화를 이룰 수 있는 전자파 차폐필터의 제조방법 및 전자파 차폐필터의 구조를 제공하는 데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 투명성이 우수한 전자파 차폐필터의 제조방법 및 전자파 차폐필터의 구조를 제공하는 데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 전자파 차폐 기능이 향상된 전자파 차폐필터의 제조방법 및 전자파 차폐필터의 구조를 제공하는 데 있다.

상기한 기술적 과제들의 일부를 달성하기 위한 본 발명의 구체화에 따라, 본 발명에 따른 전자파 차폐필터의 제조방법은, 절연되는 투명재질을 가지며, 상부면에 일정깊이 및 일정폭으로 메쉬(mesh) 구조의 리세스(recess)가 형성된 베이스 기판을 형성하는 단계와; 상기 베이스 기판의 상부면에 제1도전물질을 증착하여 제1 도전막을 형성하는 단계와; 상기 베이스 기판을 일정각도로 기울인 상태에서 회전상태로 드라이 에칭공정을 실시하여, 상기 리세스의 바닥면과 측면 일부, 또는 상기 리세스의 바닥면을 제외한 나머지 부분의 상기 제1도전막을 제거하는 단계와; 상기 리세스의 바닥면에 남아있는 상기 제1도전막을 시드층(seed layer)으로 하여, 제2도전물질이 상기 리세스의 내부를 채우도록 전기도금공정을 수행하는 단계를 구비한다.

상기 베이스 기판은 폴리머(polymer) 재질을 가질 수 있다.

상기 제1도전물질 또는 상기 제2도전물질은 구리(Cu) 및 니켈(ni)을 포함하는 복수의 도전물질 중에서 선택된 어느 하나의 도전물질일 수 있으며, 상기 제1도전물질 및 상기 제2도전물질은 동일한 도전물질일 수 있다.

상기 제1도전막은 상기 제1도전물질의 스퍼터링(sputtering) 방법을 이용한 증착을 통해 형성될 수 있다.

상기 드라이 에칭공정은 아르곤(Ar) 이온을 이용한 이온(ion)에칭 공정일 수 있다.

상기 드라이 에칭공정 단계에서의 상기 베이스 기판의 기울기는, 상기 리세스의 종횡비(aspect ratio)를 바탕으로 하여 결정되며, 상기 베이스 기판의 기울기는, 상기 리세스의 바닥면의 상기 제1도전막과 상기 리세스의 내부를 제외한 부분의 제1도전막을, 에칭공정을 통해 전기적으로 분리시킬 정도의 기울기를 가질 수 있다.

상기 베이스 기판은 임프린트(imprint) 공정을 통해 형성될 수 있다.

상기 베이스 기판을 형성하는 단계는, 메쉬 패턴이 상부면에 돌출된 형태의 마스터(master) 기판을 형성하는 단계와; 상기 마스터 기판상의 한쪽 가장자리에 일정형태의 레진(resin) 덩어리를 놓은 상태에서, 롤러를 이용하여 다른쪽 가장자리 방향으로 롤링함에 의해 상기 메쉬 패턴부분에 대응하는 부위에 메쉬 형태의 리세스가 형성되도록 하여 상기 베이스 기판을 형성하는 단계와; 상기 마스터 기판과 상기 베이스 기판을 분리하는 단계를 구비할 수 있다.

다른 예로 상기 베이스 기판을 형성하는 단계는, 메쉬 패턴이 상부면에 돌출된 형태의 마스터(master) 기판을 형성하는 단계와; 상기 마스터 기판상에 상기 마스터 기판 상부 전체를 덮는 형태로 일정두께를 가지는 레진막을 위치시키고, 상기 레진막의 상부를 롤링(rolling) 및 프레싱(pressing)하여, 상기 레진막의 상기 메쉬 패턴부분에 대응하는 부위에 메쉬 형태의 리세스가 형성되도록 하여 상기 베이스 기판을 형성하는 단계와; 상기 마스터 기판과 상기 베이스 기판을 분리하는 단계를 구비할 수 있다.

상기한 기술적 과제들의 일부를 달성하기 위한 본 발명의 다른 구체화에 따라, 본 발명에 따른 전자파 차폐필터의 구조는, 절연되는 투명재질을 가지며, 상부면에 일정깊이 및 일정폭으로 메쉬(mesh) 구조의 리세스(recess)가 형성된 베이스 기판과; 상기 리세스의 바닥면과 측면 일부, 또는 상기 리세스의 바닥면에 증착된 제1도전막과; 상기 제1도전막과 함께 상기 리세스의 내부에 채워진 형태의 제2도전막을 구비한다.

본 발명에 따르면, 별도의 포토공정이 없이 베이스 기판을 기울여서 에칭공정을 수행하고 전기도금 공정을 수행함에 의해 간단하면서도 질적으로 우수한 전자파 차폐필터를 제조할 수 있는 효과가 있다. 또한, 투명성이 우수하면서도 전자파 차폐 특성이 우수한 전자파 차폐 필터의 제조가 가능해진다.

이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예가, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 철저한 이해를 제공할 의도 외에는 다른 의도 없이, 첨부한 도면들을 참조로 하여 상세히 설명될 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐 필터의 제조를 위한 베이스 기판의 구조를 나타낸 것이다.

도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐필터를 구성하는 베이스 기판(100)은, 절연되는 투명재질을 가지며, 상부면에 메쉬(mesh)형태의 리세스(recess) 또는 홈(이하 통칭하여 '리세스'라 함)이 형성되어 있는 구조를 가진다. 다시 말하면, 상기 베이스 기판(100)의 상부면은 일정간격으로 리세스가 형성되며 리세스는 서로 연결되어 메쉬구조를 가진다. 이때 상기 리세스에 의해 돌출되는 부분은 일정형태(예를 들면 사각형)의 기둥들이 상기 리세스의 깊이에 해당되는 높이를 가지며, 리세스의 폭에 해당하는 일정간격으로 서로 인접하여 배열되는 구조를 가진다.

여기서 상기 리세스의 폭이나 깊이는 대략 10 ㎛ 정도의 값을 가질 수 있다. 또한, 상기 기둥들의 폭은 대략 260 ㎛ 정도의 값을 가질 수 있다. 상기 베이스 기판(100)의 상부면의 구조를 상술한 값들을 반영하여 요약하면, 가로 및 세로의 길이가 260 ㎛ 정도이고, 높이가 10 ㎛ 정도인 사각형태의 기둥들이, 10 ㎛ 정도의 간격을 사이에 두고 사방으로 배열되는 구조를 가지는 것으로 표현될 수 있다. 리세스를 기준으로 표현하면, 폭 및 깊이가 10 ㎛ 정도 되는 리세스가 메쉬구조로 형성되는 구조를 가지는 것으로 표현될 수 있다. 여기서 상기 리세스에 도전물질이 채워지는 경우에 상기 도전물질들은 전기적으로 서로 연결되는 구조를 가질 것이다.

상기 베이스 기판(100)은 투명 재질을 가지며 열이나 자외선에 의해 가공가능한 재질이면 어느 것이나 가능하다. 예를 들면, 유리(glass)나 폴리머(polymer) 재질을 가질 수 있다.

상기 베이스 기판(100)은 임프린트(imprint) 공정을 통해 형성될 수 있다. 상기 베이스 기판(100)의 제조방법이나 과정에 대해서는 도 9 내지 도 16을 통해 설명될 것이다.

도 2 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐 필터의 제조공정을, 도 1의 A-A'의 단면을 토대로 하여 공정순서대로 표현한 공정단면도들이다.

이하에서 도면상으로는 상기 베이스 기판(100)에 빗금처리가 되어 있어 투명재질이 아닌 것으로 혼동될 수 있으나, 이는 단지 도면상의 식별을 용이하게 하기 위한 것에 불과하다.

도 2는 도 1의 A-A'의 단면을 그대로 표시한 것이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐필터의 제조를 위해 메쉬구조로 리세스가 형성된 베이스 기판(100)이 준비된다.

도 3에 도시된 바와 같이, 상기 베이스 기판(100) 상에 제1도전물질을 증착하여 제1도전막(110)을 형성한다.

상기 제1도전물질은 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag), 및 금(Au)을 포함하여 전기전도성이 우수하고 가공성이 있는 금속이면 모두 사용 가능하다. 본 발명에서는 공정 편의나 가격경쟁력 등을 고려하여, 구리(Cu)나 니켈(Ni)을 증착하여 상기 제1도전막(110)을 형성한다.

상기 제1도전물질의 증착은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 잘 알려진 다양한 증착방법이 이용될 수 있다. 예를 들어, 스퍼터링(sputtering) 방법이 이용될 수 있다. 상기 스퍼터링 방법은 증착하고자 하는 막 두께의 제어 및 다층의 적층에 유리한 장점이 있다. 상기 스퍼터링 증착을 위한 장비나 장비의 사용방법 등은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 잘 알려져 있으므로 그 설명을 생략한다.

도 4에 도시된 바와 같이. 상기 제1도전막(110)이 형성된 상기 베이스 기판(100)에 대한 드라이(dry) 에칭공정을 수행한다. 상기 에칭공정은 상기 베이스기판(100)을 일정각도로 기울인 상태에서 상기 베이스 기판(100)을 회전시키면서 수행된다. 상기 베이스 기판(100)을 회전시키는 이유는 에칭이 전체적으로 균일하게 되도록 하기 위함이다.

상기 드라이 에칭 공정은 아르곤(Ar) 등의 이온을 이용한 이온(ion) 에칭공정 일 수 있다. 상기 아르곤(Ar) 이외에도 다른 이온을 통한 이온에칭이 수행될 수도 있다,

상기 베이스 기판(100)을 일정각도로 기울인 상태에서 회전시키면서 에칭공정을 실시하는 이유는, 상기 리세스의 바닥면의 제1도전막(도 5의 112)과 상기 리세스의 내부를 제외한 부분(예를 들면 사각기둥의 상부면에 증착된 제1도전막)을 전기적으로 분리시키기 위함이다. 따라서, 상기 에칭공정 이후에 상기 리세스의 바닥면을 포함하여 측면 일부에 상기 제1도전막이 남아 있어도 상관없다. 다만, 상기 리세스의 바닥면에 증착된 제1도전막(도 5의 112)의 대부분이 남아있도록 하는 방향으로 에칭이 진행되는 것이 바람직하다. 왜냐하면, 상기 리세스의 바닥면에 남아있는 제1도전막이 적으면, 후속공정의 제2도전막(도 6의 120) 형성이 제대로 수행되지 않을 수 있기 때문이다.

상기 베이스 기판(100)의 기울기(기울어진 각도)는 상기 리세스의 종횡비(aspect)에 대응하여 결정되게 된다.

상기 이온에칭공정에서 에칭을 위해 발생되는 아르곤 이온의 진행방향이 도 4의 화살표 방향이라고 가정하는 경우에, 상기 베이스 기판(100)의 기울기는, 상기 리세스의 측면일부를 포함하여 상기 베이스 기판(100)의 상부면에 이온이 도달할 수 있을 정도의 기울기를 가지면 될 것이다. 상기 리세스가 이미 설명한 바와 같은 폭과 깊이를 가지는 경우에 바닥을 기준으로 대략 5~45도의 기울기(θ)를 가질 수 있다. 이는 단순한 수치일 뿐 상기 베이스 기판(100)의 기울기는 리세스의 폭이나 깊이나 달라지거나, 공정이 바뀌거나, 에칭을 위한 이온의 진행방향이 달라지는 경우, 또는 에칭조건이 변하는 경우 필요에 따라 다양하게 변경될 수 있다.

여기서 상기 베이스기판(100)의 에지부위(가장자리부위)에 증착된 제1도전막(도 5의 114)은 후속공정에서 전기도금을 위한 전극으로 사용되어야 하기 때문에, 상기 에칭공정을 통해 제거되어서는 아니된다. 따라서 상기 에칭공정을 통해 제거될 우려가 있는 경우에는 별도의 테이핑 공정이나, 기타 에칭방지 공정을 통해 상기 베이스기판(100)의 에지부위(가장자리부위)에 증착된 제1도전막(도 5의 114)이 제거되지 않도록 하는 것이 필요할 것이다.

상술한 바와 같은 에칭 방법을 이용함에 의하여 종래기술에서 사용되는 포토 공정 등이 생략될 수 있어 공정 단순화를 이룰 수 있다. 또한 포토공정에 따른 상기 베이스 기판(100)의 오염이나 손상, 열화 등을 방지 또는 최소화할 수 있게 된다.

도 5에는 상기 에칭공정이 수행된 후의 구조가 나타나 있다.

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 베이스 기판(100)의 에지부위의 제1도전막(114) 및 상기 리세스의 바닥면의 제1도전막(112)을 제외한 나머지 부분의 제1도전막이 제거되어 있다. 이때, 상기 리세스의 측면 일부에도 제1도전막(110)의 잔유물이 남아 있을 수 있으며, 상기 베이스 기판(100)의 상부면(리세스 바닥 및 측면을 제외한 부분)에도 제1도전막(110)의 잔유물이 일부 남아 있을 수 있다. 이들 잔유물들은 후속공정에서 자연스럽게 해결될 수 있다. 이는 후술한다.

도 6에 도시된 바와 같이, 상기 에칭공정이 수행되어 상기 제1도전막(110)의 일부(112,114)가 존재하는 상기 베이스 기판(100)에 대한 전기도금(electro-plating) 공정을 수행한다. 상기 베이스 기판(100)에 존재하는 제1도전막(112,114)은 전체적으로 전기적으로 연결되어 있기 때문에, 상기 베이스 기판(100)의 에지부위의 제1도전막(114)을 전극으로 하여 제2도전물질을 이용한 전기도금 공정의 수행이 가능하다.

상기 전기도금 공정은 상기 제2도전물질로 이루어진 도금액에 상기 베이스 기판(100)을 담근 상태에서 전기를 가하는(전류를 흘리는) 방법으로 수행될 수 있다. 이때 상기 리세스의 바닥에 존재하는 제1도전막(112)은 시드층(seed layer)이 된다.

상기 리세스의 바닥에 존재하는 제1도전막(112) 및 상기 베이스 기판(100)의 에지부위의 제1도전막(114)은 서로 전기적으로 연결된 구조를 가지기 때문에, 상기 리세스의 바닥에 존재하는 제1도전막(112) 즉 시드층을 통해 상기 제2도전물질이 증착되어 상기 리세스의 내부를 채우게 된다. 상기 전기도금 공정은 상기 제2도전물질이 상기 리세스의 내부를 전부 채울 때까지 계속된다. 이에 따라 상기 리세스를 채우는 형태의 제2도전막(120)이 형성되게 된다. 이때 상기 제2도전막(120)은 상기 리세스의 형태와 동일형태로써 메쉬구조를 가지게 된다. 즉 일반적으로 전자파 차폐 필터를 구성하는 것으로 알려진 도전성 메쉬와 동일한 구조로써 상기 제2도전막(120)이 형성되게 된다.

여기서, 상기 제2도전막(120)의 형성이후에 상기 제2도전막(120)을 포함하는 베이스 기판(100)을 세정하는 등의 추가 공정이 필요할 수 있다.

상기 제2도전물질은 전기도금이 가능한 도전성 물질이면 어느 것이나 가능하다. 예를 들어, 구리(Cu)나 니켈(Ni)이 이용될 수 있다.

상기 제1도전물질과 상기 제2도전물질은 동일한 물질 일 수 있다. 상기 전기도금 공정에서 상기 제2도전물질을 상기 제1도전물질과 동일한 도전물질을 사용하는 경우, 상기 베이스 기판(100)의 상부면(리세스 바닥 및 측면을 제외한 부분)에 남아 있을 수 있는 상기 제1도전막(110)의 잔유물이 제거될 수 있다. 예를 들어 상기 제1도전물질이 구리(Cu)이고 상기 전기도금공정이 구리 도금액을 이용한 전기도금공정인 경우, 상기 구리도금액에 상기 제1도전막(110)의 잔유물이 용해되어 자연적으로 제거되도록 할 수 있다. 상기 리세스의 측면에 남아 있는 잔유물의 경우에도 상기 구리도금액에 용해될 수 있으나, 이 경우는 상기 리세스의 내부가 상기 제2도전물질로 채워지기 때문에 필수적으로 제거할 필요는 없을 것이다.

도 7에 도시된 바와 같이, 상기 제2도전막(120)의 형성 이후, 상기 베이스 기판(100)의 에지부위에 존재하는 제1도전막(114)을 제거함에 의하여, 상기 베이스 기판(100)과, 메쉬구조의 제2도전막을 구성요소로 하는 전자파 차폐 필터가 제조되게 된다.

도 8은 도 2 내지 도 7에 도시된 공정에 의해 완성된 전자파 차폐 필터의 사시도가 나타나 있다.

도 8에 도시된 바와 같이, 상기 전자파 차폐 필터는 베이스 기판(100)과 도전성 메쉬인 제2도전막(120)을 구비한다.

상기 전자파 차폐 필터는 상기 베이스 기판(100)의 메쉬 구조의 리세스에 제 2도전막(120)이 채워진 상태의 구조를 가진다. 따라서 상기 제2도전막(120)은 도전성 메쉬를 구성한다. 상기 제2도전막(120)에는 상기 제1도전막(110)의 일부(112)가 포함된다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 별도의 포토공정이 없이 베이스 기판을 기울여서 에칭공정을 수행하고 전기도금 공정을 수행함에 의해 간단하면서도 질적으로 우수한 전자파 차폐필터를 제조할 수 있는 효과가 있다.

도 9 내지 도 16은 임프린트 공정을 이용한 상기 베이스 기판(100)의 형성방법을 나타낸 공정순서도들이다.

이하에서 도면상으로는 상기 베이스 기판(100) 및 레진 등에 빗금처리 또는 해칭처리가 되어 있어 투명재질이 아닌 것으로 혼동될 수 있으나, 이는 단지 도면상의 식별을 용이하게 하기 위한 것에 불과하다.

도 9 내지 도 12는 상기 베이스 기판(100) 형성의 제1실시예를 나타낸 공정순서도들이고, 도 13 내지 도 16은 상기 베이스 기판(100) 형성의 제2실시예를 나타낸 공정순서도들이다.

도 9에 도시된 바와 같이, 상기 베이스 기판(100) 형성의 제1실시예에 따르면, 상기 베이스 기판(100)을 형성하기 위해서는 우선 마스터 기판(200)을 형성해야 한다.

상기 마스터 기판(200)은 상부면에 금속재질의 메쉬 패턴이 형성되어 있는 구조를 가진다.

상기 마스터 기판(200)의 형성과정은 다음과 같다.

우선 실리콘 기판에 포토 레지스트 도포 후 노광 및 현상공정을 통해 일정 패턴을 형성한다. 상기 패턴은 메쉬패턴이 될 것이다. 이후 일정 패턴이 형성된 상기 실리콘 기판상에 시드 메탈(예를 들면, 니켈)막을 증착한다. 이후 상기 시드메탈을 통한 전기도금공정을 이용하여 상기 마스터 기판의 기초를 형성한다. 이후 상기 실리콘 기판과 상기 마스터 기판의 기초를 분리하고, 상기 포토레지스트 및 상기 시드메탈을 에칭함으로써 상기 마스터 기판(200)을 완성하게 된다.

이후 상기 마스터 기판(200)의 패턴 형성면을 상부면으로 볼 때, 상기 마스터 기판(200)의 상부면에 한쪽 가장자리에 폴리머 등의 레진(resin) 덩어리(102)를 위치시킨다.

도 10에 도시된 바와 같이, 상기 레진 덩어리(102)의 상부에 상기 마스터 기판(200)의 전체를 덮는 구조의 PET(Poly-Ethylen Terephthalate)재질의 베이스 필름(210)을 위치시키고, 상기 베이스 필름(210) 상부면을 롤러(220)를 이용하여 상기 레진 덩어리(102)가 위치한 한쪽 가장자리 부분으로 다른쪽 가장자리 방향으로 롤링을 진행한다. 이때 자외선이나 열을 가하여 상기 레진덩어리(102)를 녹이는 과정이 동시에 수행될 수 있다.

도 11에 도시된 바와 같이, 상기 롤링과정에 의해 레진에 상기 마스터 기판(200)의 미세 패턴이 전사되게 된다. 즉 일면에 메쉬구조의 리세스 미세패턴을 가지는 베이스 기판(100)이 형성되게 된다.

도 12에 도시된 바와 같이, 상기 마스터 기판(200)과 상기 베이스 기판(100)을 분리하여 도 1에 도시된 바와 같은 구조의 상기 베이스 기판(100)을 완성하게 된다.

도 13에 도시된 바와 같이, 상기 베이스 기판(100) 형성의 제2실시예에 따르면, 실리콘 기판(300)에 포토공정을 이용하여 포토레지스트 패턴(330)을 형성한다.

상기 포토레지스트 패턴(330)은 상부 돌출된 메쉬패턴 구조를 가질 수 있다. 여기서는 상기 포토레지스트 패턴(330)이 형성된 상기 실리콘 기판(300) 전체를 마스터 기판이라 칭하기로 한다.

도 14에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트 패턴(330)이 형성된 상기 실리콘 기판(300) 상에 상기 포토레지스트 패턴(330) 상부 전체를 덮는 형태로 일정 두께를 가지는 레진막(302) 및 PET(Poly-Ethylen Terephthalate)재질의 베이스 필름(310)을 위치시키고, 상기 레진막(302) 및 상기 베이스 필름(310)의 상부에서 롤링(rolling) 및 프레싱(pressing)공정을 수행한다. 이때 자외선이나 열을 가하여 상기 레진막(302)을 녹이는 과정이 동시에 수행될 수 있다.

도 15에 도시된 바와 같이, 상기 롤링 및 프레싱 공정에 의해 상기 레진막(302)에 상기 포토레지스트 패턴이 전사되게 된다. 즉 상기 레진막(302)의 상기 메쉬 패턴부분에 대응하는 부위에 메쉬 형태의 리세스가 형성되게 된다. 미세패턴이 전사된 상기 레진막(302)은 베이스 기판(100)으로 완성되게 된다.

도 16에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트 패턴(330)이 형성된 실리콘 기판(300)에서 상기 베이스 기판(100)을 분리하여 도 1에 도시된 바와 같은 구조의 상기 베이스 기판(100)을 완성하게 된다.

상술한 베이스 기판(100) 형성방법들 이외에도 본 발명이 속하는 기술분야에 서 통상의 지식을 가진자에게 잘 알려진 다양한 임프린트 방법에 의해 상기 베이스 기판이 형성될 수 있다.

상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 또한, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 명백하다 할 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐 필터의 제조를 위한 베이스 기판의 구조를 나타낸 것이고,

도 2 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자파 차폐 필터의 제조공정을, 도 1의 A-A'의 단면을 토대로 하여 공정순서대로 표현한 공정단면도들이고,

도 8은 도 2 내지 도 7의 공정에 의해 완성된 전자파 차폐 필터의 구조를 나타낸 도면이고,

도 9 내지 도 12는 도 1의 베이스 기판 형성의 제1실시예를 나타낸 공정순서도들이고,

도 13 내지 도 16은 도 1의 베이스 기판 형성의 제2실시예를 나타낸 공정순서도들이다.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

100 : 베이스 기판 110 : 제1도전막

120 : 제2도전막

Claims

전자파 차폐필터의 제조방법에 있어서:

절연되는 투명재질을 가지며, 상부면에 일정깊이 및 일정폭으로 메쉬(mesh) 구조의 리세스(recess)가 형성된 베이스 기판을 형성하는 단계와;

상기 베이스 기판의 상부면에 제1도전물질을 증착하여 제1도전막을 형성하는 단계와;

상기 베이스 기판을 일정각도로 기울인 상태에서 회전상태로 드라이 에칭공정을 실시하여, 상기 리세스의 바닥면과 측면 일부 또는 상기 리세스의 바닥면을 제외한 나머지 부분의 상기 제1도전막을 제거하는 단계와;

상기 리세스의 바닥면에 남아있는 상기 제1도전막을 시드층(seed layer)으로 하여, 제2도전물질이 상기 리세스의 내부를 채우도록 전기도금공정을 수행하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 전자파 차폐필터의 제조방법.
청구항 1에 있어서,

상기 베이스 기판은 폴리머(polymer) 재질을 가짐을 특징으로 하는 전자파 차폐필터의 제조방법.
청구항 1에 있어서

상기 제1도전물질 또는 상기 제2도전물질은 구리(Cu) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 도전물질임을 특징으로 하는 전자파 차폐필터의 제조방법.
청구항 3에 있어서,

상기 제1도전물질 및 상기 제2도전물질은 동일한 도전물질임을 특징으로 하는 전자파 차폐필터의 제조방법.
청구항 4에 있어서,

상기 제1도전막은 상기 제1도전물질을 스퍼터링하여 증착함으로써 형성됨을 특징으로 하는 전자파 차폐필터의 제조방법.
청구항 1에 있어서,

상기 드라이 에칭공정은 아르곤(Ar) 이온을 이용한 이온(ion) 에칭 공정임을 특징으로 하는 전자파 차폐필터의 제조방법.
청구항 6에 있어서,

상기 드라이 에칭공정 단계에서의 상기 베이스 기판의 기울기는, 상기 리세스의 종횡비(aspect ratio)를 바탕으로 하여 결정됨을 특징으로 하는 전자파 차폐필터의 제조방법.
청구항 7에 있어서,

상기 베이스 기판의 기울기는 바닥면을 기준으로 5∼45도의 기울기임을 특징으로 하는 전자파 차폐필터의 제조방법.
청구항 1에 있어서,

상기 베이스 기판은 임프린트(imprint) 공정을 통해 형성됨을 특징으로 하는 전자파 차폐필터의 제조방법.
청구항 9에 있어서, 상기 베이스 기판을 형성하는 단계는,

메쉬 패턴이 상부면에 돌출된 형태의 마스터(master) 기판을 형성하는 단계 와;

상기 마스터 기판상의 한쪽 가장자리에 일정형태의 레진(resin) 덩어리를 놓은 상태에서, 롤러를 이용하여 다른쪽 가장자리 방향으로 롤링함에 의해 상기 메쉬 패턴부분에 대응하는 부위에 메쉬 형태의 리세스가 형성되도록 하여 상기 베이스 기판을 형성하는 단계와;

상기 마스터 기판과 상기 베이스 기판을 분리하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 전자파 차폐필터의 제조방법.
청구항 9에 있어서, 상기 베이스 기판을 형성하는 단계는,

메쉬 패턴이 상부면에 돌출된 형태의 마스터(master) 기판을 형성하는 단계와;

상기 마스터 기판상에 상기 마스터 기판 상부 전체를 덮는 형태로 일정두께를 가지는 레진막을 위치시키고, 상기 레진막의 상부를 롤링(rolling) 및 프레싱(pressing)하여, 상기 레진막의 상기 메쉬 패턴부분에 대응하는 부위에 메쉬 형태의 리세스가 형성되도록 하여 상기 베이스 기판을 형성하는 단계와;

상기 마스터 기판과 상기 베이스 기판을 분리하는 단계를 구비함을 특징으로 하는 전자파 차폐필터의 제조방법.
전자파 차폐필터에 있어서:

절연되는 투명재질을 가지며, 상부면에 일정깊이 및 일정폭으로 메쉬(mesh) 구조의 리세스(recess)가 형성된 베이스 기판과;

상기 리세스의 바닥면과 측면 일부 또는 상기 리세스의 바닥면에 증착된 제1도전막과;

상기 제1도전막과 함께 상기 리세스의 내부에 채워진 형태의 제2도전막을 구비함을 특징으로 하는 전자파 차폐필터.
청구항 12에 있어서,

상기 베이스 기판은 폴리머(polymer) 재질을 가짐을 특징으로 하는 전자파 차폐필터.
청구항 12에 있어서

상기 제1도전막 또는 상기 제2도전막은 구리(Cu) 및 니켈(Ni)로 이루어진 군으로부터 선택된 어느 하나의 도전물질로 구성됨을 특징으로 하는 전자파 차폐필터.
청구항 14에 있어서,

상기 제1도전막 및 상기 제2도전막은 동일한 재질임을 특징으로 하는 전자파 차폐필터.
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