JP2006024879A - デュアルゲート誘電体構造を有する半導体素子の製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 35
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 32
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 32
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 41
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 32
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 29
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/30—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10B43/40—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by the peripheral circuit region
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- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
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Abstract
【解決方法】半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜上に窒化膜を形成する工程と、所定領域の前記窒化膜を選択的にエッチングする工程と、前記エッチングされた窒化膜を含む全体構造上に酸化膜が形成されるようにラジカル酸化を実施する工程と、前記酸化膜上にゲート導電膜を形成する工程と、該ゲート導電膜と、前記酸化膜と、前記窒化膜、及び前記絶縁膜を選択的にエッチングする工程とを含み、前記所定領域に前記絶縁膜及び前記酸化膜が積層されて第1ゲート誘電体構造を形成し、前記所定領域以外の領域に前記絶縁膜、前記窒化膜、及び前記酸化膜が積層されて第2ゲート誘電体構造を形成する構成とした。
【選択図】図5F
Description
501 素子分離膜
502 第1酸化膜
503 シリコン窒化膜
503A 初めのパターンニング後のシリコン窒化膜
503B 2回目のパターンニング後のシリコン窒化膜
504 フォトレジスト
505 第2酸化膜
505A パターンニング後の第2酸化膜
506 ゲート導電膜
506A ゲート電極
Claims (10)
- 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に窒化膜を形成する工程と、
所定領域の前記窒化膜を選択的にエッチングする工程と、
前記エッチングされた窒化膜を含む全体構造上に酸化膜が形成されるようにラジカル酸化を実施する工程と、
前記酸化膜上にゲート導電膜を形成する工程と、
前記ゲート導電膜、前記酸化膜、前記窒化膜、及び前記絶縁膜を選択的にエッチングする工程と、を含み、
前記所定領域に前記絶縁膜及び前記酸化膜が積層されて第1ゲート誘電体構造が形成され、前記所定領域以外の領域に前記絶縁膜、前記窒化膜、及び前記酸化膜が積層されて第2ゲート誘電体構造が形成されることを特徴とするデュアルゲート誘電体構造を有する半導体素子の製造方法。 - 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に窒化膜を形成する工程と、
所定領域の前記窒化膜及び前記絶縁膜を選択的にエッチングする工程と、
前記エッチングされた窒化膜及び絶縁膜を含む全体構造上に酸化膜が形成されるようにラジカル酸化を実施する工程と、
前記酸化膜上にゲート導電膜を形成する工程と、
前記ゲート導電膜、前記酸化膜、前記窒化膜、及び前記絶縁膜を選択的にエッチングする工程と、を含み、
前記所定領域に前記酸化膜で第1ゲート誘電体構造が形成され、前記所定領域以外の領域に前記絶縁膜、前記窒化膜、及び前記酸化膜が積層されて第2ゲート誘電体構造が形成されることを特徴とするデュアルゲート誘電体構造を有する半導体素子の製造方法。 - 前記ラジカル酸化が、
ArプラズマまたはXeプラズマ雰囲気でO2、H2O、D2O、NO、及びN2Oからなる群の中から選択されるいずれか1つのガスを供給して行われることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のデュアルゲート誘電体構造を有する半導体素子の製造方法。 - 前記ラジカル酸化が、
800℃〜1000℃の温度及び13.3Pa〜1333Paの圧力の下でH及びOのガス、又はD及びOのガスを各々注入して行われることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のデュアルゲート誘電体構造を有する半導体素子の製造方法。 - 前記酸化膜が、
約20Å〜100Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のデュアルゲート誘電体構造を有する半導体素子の製造方法。 - 前記絶縁膜が、
熱成長工程または堆積工程により形成される酸化物であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のデュアルゲート誘電体構造を有する半導体素子の製造方法。 - 前記酸化物が、
シリコン酸化膜(SiO2)または前記シリコン酸化膜より高い誘電率を有する高誘電体であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のデュアルゲート誘電体構造を有する半導体素子の製造方法。 - 前記絶縁膜が、
ラジカル酸化により形成された酸化物であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のデュアルゲート誘電体構造を有する半導体素子の製造方法。 - 前記所定領域の前記窒化膜に対するエッチングが、
ウェット及び/またはドライエッチングにより行われることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のデュアルゲート誘電体構造を有する半導体素子の製造方法。 - 前記ゲート導電膜が、
ポリシリコン、金属/ポリシリコン、及び金属シリサイド/ポリシリコンからなる群の中から選択されるいずれかの1つであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のデュアルゲート誘電体構造を有する半導体素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040052268A KR100623597B1 (ko) | 2004-07-06 | 2004-07-06 | 라디컬 산화에 의한 반도체 소자 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006024879A true JP2006024879A (ja) | 2006-01-26 |
Family
ID=35511597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004362304A Pending JP2006024879A (ja) | 2004-07-06 | 2004-12-15 | デュアルゲート誘電体構造を有する半導体素子の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7112486B2 (ja) |
JP (1) | JP2006024879A (ja) |
KR (1) | KR100623597B1 (ja) |
DE (1) | DE102004057978A1 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100596484B1 (ko) * | 2004-05-31 | 2006-07-03 | 삼성전자주식회사 | 유전막 형성 방법 및 이를 이용한 불휘발성 메모리 장치의제조방법 |
US20070197021A1 (en) * | 2006-02-21 | 2007-08-23 | Hynix Semiconductor Inc. | Semiconductor device including spacer with nitride/nitride/oxide structure and method for fabricating the same |
US9449831B2 (en) | 2007-05-25 | 2016-09-20 | Cypress Semiconductor Corporation | Oxide-nitride-oxide stack having multiple oxynitride layers |
US8283261B2 (en) | 2007-05-25 | 2012-10-09 | Cypress Semiconductor Corporation | Radical oxidation process for fabricating a nonvolatile charge trap memory device |
US8633537B2 (en) | 2007-05-25 | 2014-01-21 | Cypress Semiconductor Corporation | Memory transistor with multiple charge storing layers and a high work function gate electrode |
US8940645B2 (en) | 2007-05-25 | 2015-01-27 | Cypress Semiconductor Corporation | Radical oxidation process for fabricating a nonvolatile charge trap memory device |
US8063434B1 (en) | 2007-05-25 | 2011-11-22 | Cypress Semiconductor Corporation | Memory transistor with multiple charge storing layers and a high work function gate electrode |
US20090179253A1 (en) | 2007-05-25 | 2009-07-16 | Cypress Semiconductor Corporation | Oxide-nitride-oxide stack having multiple oxynitride layers |
US8643124B2 (en) | 2007-05-25 | 2014-02-04 | Cypress Semiconductor Corporation | Oxide-nitride-oxide stack having multiple oxynitride layers |
US9299568B2 (en) | 2007-05-25 | 2016-03-29 | Cypress Semiconductor Corporation | SONOS ONO stack scaling |
US8614124B2 (en) | 2007-05-25 | 2013-12-24 | Cypress Semiconductor Corporation | SONOS ONO stack scaling |
US9431549B2 (en) | 2007-12-12 | 2016-08-30 | Cypress Semiconductor Corporation | Nonvolatile charge trap memory device having a high dielectric constant blocking region |
US8710578B2 (en) | 2009-04-24 | 2014-04-29 | Cypress Semiconductor Corporation | SONOS stack with split nitride memory layer |
US8222688B1 (en) | 2009-04-24 | 2012-07-17 | Cypress Semiconductor Corporation | SONOS stack with split nitride memory layer |
US8211775B1 (en) | 2011-03-09 | 2012-07-03 | United Microelectronics Corp. | Method of making transistor having metal gate |
US8519487B2 (en) | 2011-03-21 | 2013-08-27 | United Microelectronics Corp. | Semiconductor device |
US8685813B2 (en) | 2012-02-15 | 2014-04-01 | Cypress Semiconductor Corporation | Method of integrating a charge-trapping gate stack into a CMOS flow |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05110109A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-30 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH09148543A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH1187545A (ja) * | 1997-07-08 | 1999-03-30 | Sony Corp | 半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
JP2001156188A (ja) * | 1999-03-08 | 2001-06-08 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2003179052A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法、成膜時間の決定方法、チャンバー、化学気相成長装置及びそのボート、エッチング装置、並びに成膜処理システム |
JP2004095918A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Fasl Japan Ltd | 半導体記憶装置及び半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2522853B2 (ja) * | 1990-06-29 | 1996-08-07 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置の製造方法 |
US6201275B1 (en) * | 1995-06-30 | 2001-03-13 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor device having semiconductor regions of different conductivity types isolated by field oxide, and method of manufacturing the same |
JP4128396B2 (ja) * | 2002-06-07 | 2008-07-30 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
KR100587670B1 (ko) * | 2004-01-08 | 2006-06-08 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 셀의 유전막 형성방법 |
-
2004
- 2004-07-06 KR KR1020040052268A patent/KR100623597B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-11-30 DE DE102004057978A patent/DE102004057978A1/de not_active Withdrawn
- 2004-12-15 JP JP2004362304A patent/JP2006024879A/ja active Pending
- 2004-12-20 US US11/019,579 patent/US7112486B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05110109A (ja) * | 1991-10-14 | 1993-04-30 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH09148543A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH1187545A (ja) * | 1997-07-08 | 1999-03-30 | Sony Corp | 半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
JP2001156188A (ja) * | 1999-03-08 | 2001-06-08 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
JP2003179052A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法、成膜時間の決定方法、チャンバー、化学気相成長装置及びそのボート、エッチング装置、並びに成膜処理システム |
JP2004095918A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Fasl Japan Ltd | 半導体記憶装置及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060008996A1 (en) | 2006-01-12 |
KR20060003402A (ko) | 2006-01-11 |
DE102004057978A1 (de) | 2006-01-26 |
KR100623597B1 (ko) | 2006-09-19 |
US7112486B2 (en) | 2006-09-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060926 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090218 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090902 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100104 |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20100114 |
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20100305 |