JP2006013136A5 - - Google Patents
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- 半導体装置の製造方法であって、
(a)第1導電型の半導体基板の主面に第1導電型の第1半導体層を形成する工程、
(b)前記半導体基板に前記第1導電型とは逆の極性の第2導電型の不純物を導入して第2導電型の第2半導体層を形成する工程、
(c)前記半導体基板の主面において、第1領域に前記第2半導体層を貫通する第1溝部を形成し、第2領域に前記第2半導体層を貫通する第2溝部を形成する工程、
(d)前記第1溝部内および前記第2溝部内に第1絶縁膜を形成する工程、
(e)前記第1絶縁膜の存在下で前記半導体基板上に第1導電性膜を形成し、前記第1溝部および前記第2溝部を前記第1導電性膜で埋め込む工程、
(f)前記第1導電性膜をパターニングし、前記第1領域においては前記第1溝部外の前記第1導電性膜と前記第1溝部の開口部から第1の深さ分だけの前記第1導電性膜とを除去し、前記第2領域においては前記第2溝部を埋め込み前記第2溝部外へ所定量延在する前記第1導電性膜を残す工程、
(g)前記第1領域の前記第2半導体層に第1導電型の不純物を導入し、前記第1溝部と隣接する前記第2半導体層に第1導電型の第3半導体層を形成する工程、
(h)前記(f)工程後、前記第1溝部を埋め込み、前記第2領域での膜厚が前記第1領域での膜厚以下となるように前記半導体基板上に第2絶縁膜を形成する工程、
(i)前記第2絶縁膜をパターニングし、前記第1領域においては前記第1溝部外の前記第2絶縁膜を除去し、前記第2領域においては前記第2絶縁膜に前記第2溝部外へ延在する前記第1導電性膜に達する第1開口部を形成する工程、
(j)前記(i)工程後、前記第1領域の前記半導体基板上に前記第3半導体層と電気的に接続する第1配線を形成し、前記第2領域の前記半導体基板上に前記第1開口部下で前記第1導電性膜と電気的に接続する第2配線を形成する工程、
を含み、
前記第1領域にて、前記第1半導体層をドレインとし、前記第2半導体層をチャネルとし、前記第3半導体層をソースとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記(f)工程は、前記第2領域において前記第2溝部外へ延在する前記第1導電性膜に第3溝部を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2記載の半導体装置の製造方法において、
前記第3溝部は、前記第1導電性膜上の前記第1溝部の体積と同じ体積となるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3記載の半導体装置の製造方法において、
前記第3溝部の深さは、前記第1の深さ以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1溝部は、前記第1溝部が延在する方向と交差する第1方向での前記半導体基板の第1断面において複数配置されるように形成し、
前記第3溝部は、複数配置されるように形成し、
前記1溝部の幅と前記第3溝部の幅とが同じとなるように形成し、
前記第1断面で隣接する前記第1溝部の間隔と隣接する前記第3溝部の間隔とが同じとなるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2記載の半導体装置の製造方法において、
平面形状にて、前記第3溝部は、前記第1開口部が延在する方向と交差するように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2記載の半導体装置の製造方法において、
前記第3溝部は、平面形状が前記第1導電性膜に囲まれるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項7記載の半導体装置の製造方法において、
前記第3溝部は、平面形状が円形となるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1導電性膜は、ゲートとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体装置の製造方法であって、
(a)第1導電型の半導体基板の主面に第1導電型の第1半導体層を形成する工程、
(b)前記半導体基板に前記第1導電型とは逆の極性の第2導電型の不純物を導入して第2導電型の第2半導体層を形成する工程、
(c)前記半導体基板の主面において、第1領域に前記第2半導体層を貫通する第1溝部を形成し、第2領域に前記第2半導体層を貫通する第2溝部を形成する工程、
(d)前記第1溝部内および前記第2溝部内に第1絶縁膜を形成する工程、
(e)前記第1絶縁膜の存在下で前記半導体基板上に第1導電性膜を形成し、前記第1溝部および前記第2溝部を前記第1導電性膜で埋め込む工程、
(f)前記第1導電性膜をパターニングし、前記第1領域においては前記第1溝部外の前記第1導電性膜と前記第1溝部の開口部から第1の深さ分だけの前記第1導電性膜とを除去し、前記第2領域においては前記第2溝部を埋め込み前記第2溝部外へ所定量延在する前記第1導電性膜を残す工程、
(g)前記第1領域の前記第2半導体層に第1導電型の不純物を導入し、前記第1溝部と隣接する前記第2半導体層に第1導電型の第3半導体層を形成する工程、
(h)前記(f)工程後、前記半導体基板上に前記第1溝部を埋め込む第2絶縁膜を形成する工程、
(i)前記第1領域の前記第2絶縁膜をパターニングし、前記第1溝部外の前記第2絶縁膜を除去する工程、
(j)前記(i)工程の前または後に、前記第2領域の前記第2絶縁膜をパターニングし、前記第2絶縁膜に前記第2溝部外へ延在する前記第1導電性膜に達する第1開口部を形成する工程、
(k)前記(i)工程および前記(j)工程後、前記第1領域の前記半導体基板上に前記第3半導体層と電気的に接続する第1配線を形成し、前記第2領域の前記半導体基板上に前記第1開口部下で前記第1導電性膜と電気的に接続する第2配線を形成する工程、
を含み、
前記第1領域にて、前記第1半導体層をドレインとし、前記第2半導体層をチャネルとし、前記第3半導体層をソースとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項10記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1導電性膜は、ゲートとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体装置の製造方法であって、
(a)第1導電型の半導体基板の主面に第1導電型の第1半導体層を形成する工程、
(b)前記半導体基板に前記第1導電型とは逆の極性の第2導電型の不純物を導入して第2導電型の第2半導体層を形成する工程、
(c)前記半導体基板の主面において、第1領域に前記第2半導体層を貫通する第1溝部を形成し、第2領域に前記第2半導体層を貫通する第2溝部を形成する工程、
(d)前記第1溝部内および前記第2溝部内に第1絶縁膜を形成する工程、
(e)前記第1絶縁膜の存在下で前記半導体基板上に第1導電性膜を形成し、前記第1溝部および前記第2溝部を前記第1導電性膜で埋め込む工程、
(f)前記第1導電性膜をパターニングし、前記第1領域においては前記第1溝部外の前記第1導電性膜と前記第1溝部の開口部から第1の深さ分だけの前記第1導電性膜とを除去し、前記第2領域においては前記第2溝部を埋め込み前記第2溝部外へ所定量延在する前記第1導電性膜を残す工程、
(g)前記第1領域の前記第2半導体層に第1導電型の不純物を導入し、前記第1溝部と隣接する前記第2半導体層に第1導電型の第3半導体層を形成する工程、
(h)前記(f)工程後、前記半導体基板上に前記第1溝部を埋め込む第2絶縁膜を形成する工程、
(i)前記半導体基板の全面において、前記第1溝部外の前記第2絶縁膜が除去されるまで前記第2絶縁膜をエッチングする工程、
(j)前記(i)工程後において前記第1溝部が前記第2絶縁膜で埋め込まれるまで前記(h)工程および前記(i)工程を繰り返す工程、
(k)前記(h)工程後、前記半導体基板上に第3絶縁膜を形成する工程、
(l)前記第3絶縁膜をパターニングし、前記第1領域においては前記第3絶縁膜を除去し、前記第2領域においては前記第3絶縁膜に前記第2溝部外へ延在する前記第1導電性膜に達する第1開口部を形成する工程、
(m)前記(l)工程後、前記第1領域の前記半導体基板上に前記第3半導体層と電気的に接続する第1配線を形成し、前記第2領域の前記半導体基板上に前記第1開口部下で前記第1導電性膜と電気的に接続する第2配線を形成する工程、
を含み、
前記第1領域にて、前記第1半導体層をドレインとし、前記第2半導体層をチャネルとし、前記第3半導体層をソースとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項12記載の半導体装置の製造方法において、
前記(l)工程時において、前記第2領域の前記第2絶縁膜の膜厚は、前記第1領域の前記第2絶縁膜の膜厚以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項12記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1導電性膜は、ゲートとすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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