JP2003100917A5 - - Google Patents
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- 不揮発性記憶装置が複数の行および列に格子状に配列されたメモリセルアレイを有し、
前記不揮発性記憶装置は、
半導体層の上方に、第2ゲート絶縁層を介して形成されたワードゲートと、
前記半導体層に形成された、ソース領域またはドレイン領域を構成する不純物層と、
前記ワードゲートの一方の側面および他方の側面に沿ってそれぞれ形成された、サイドウォール状の第1および第2コントロールゲートと、を含み、
前記第1コントロールゲートは、前記半導体層に対して第1ゲート絶縁層を介して、かつ、前記ワードゲートに対して第1サイド絶縁層を介して配置され、
前記第2コントロールゲートは、前記半導体層に対して第1ゲート絶縁層を介して、かつ、前記ワードゲートに対して第1サイド絶縁層を介して配置され、
前記第1および第2コントロールゲートは、それぞれ第1方向に連続して配置され、かつ、
前記第1方向と交差する第2方向に対して、前記不純物層を介して隣り合う前記第1および第2コントロールゲートは、共通コンタクト部に接続され、
前記共通コンタクト部は、コンタクト導電層、ストッパ絶縁層、およびキャップ絶縁層を含み、
前記コンタクト導電層は、前記第1および第2コントロールゲートと連続し、
前記ストッパ絶縁層は、前記コンタクト導電層の外側に配置され、
前記キャップ絶縁層は、少なくとも前記ストッパ絶縁層の上方に形成されている、半導体装置。 - 請求項1において、
前記コンタクト導電層は、前記ストッパ絶縁層の内側に、第2サイド絶縁層を介して配置されている、半導体装置。 - 請求項1または2において、
前記コンタクト導電層は、前記第1および第2コントロールゲートと同一の材質からなる、半導体装置。 - 請求項1ないし3のいずれかにおいて、
前記コンタクト導電層の上面と、前記ストッパ絶縁層の上面とがほぼ平面を構成する、半導体装置。 - 請求項1ないし4のいずれかにおいて、
前記ストッパ絶縁層は、窒化シリコンを主成分とする材料からなり、
前記キャップ絶縁層は、酸化シリコンを主成分とする材料からなる、半導体装置。 - 請求項1ないし5のいずれかにおいて、
前記キャップ絶縁層の上方にはさらに、層間絶縁層が積層され、
前記コンタクト導電層は凹部を構成し、該凹部上に、前記キャップ絶縁層および前記層間絶縁層を貫通するコンタクトホールが形成され、
前記コンタクトホールには、プラグ導電層が埋め込まれている、半導体装置。 - 請求項1ないし6のいずれかにおいて、
前記コンタクト導電層は、前記半導体層の上方に、コンタクト絶縁層を介して配置され、
前記コンタクト絶縁層は、前記第1ゲート絶縁層と同一の材質からなる、半導体装置。 - 請求項2ないし7のいずれかにおいて、
前記第2サイド絶縁層は、前記第1サイド絶縁層と同一の材質からなる、半導体装置。 - 請求項1ないし8のいずれかにおいて、
前記第1サイド絶縁層は、その上端が前記第1および第2コントロールゲートより上方に位置する、半導体装置。 - 請求項1ないし9のいずれかにおいて、
隣り合う前記第1および第2コントロールゲートは、絶縁層によって埋め込まれている、半導体装置。 - 請求項1ないし10のいずれかにおいて、
前記共通コンタクト部は、前記不純物層の端部に隣接して設けられた、半導体装置。 - 請求項11において、
前記共通コンタクト部が複数形成され、
前記不純物層が複数配列され、
前記複数の共通コンタクト部は、複数配列された前記不純物層に対して、該不純物層の一方の側の端部と他方の側の端部とにおいて交互に設けられた、半導体装置。 - 請求項1ないし12のいずれかにおいて、
前記第1ゲート絶縁層および前記第1サイド絶縁層は、第1酸化シリコン層、窒化シリコン層、および第2酸化シリコン層の積層膜からなる、半導体装置。 - 不揮発性記憶装置が複数の行および列に格子状に配列されたメモリセルアレイを含む半導体装置の製造方法であって、以下の工程を含む、半導体装置の製造方法。
半導体層の上方に、第2ゲート絶縁層のための第1絶縁層を形成する工程、
前記第1絶縁層の上方に、第1導電層を形成する工程、
前記第1導電層の上方に、ストッパ層を形成する工程、
前記第1導電層および前記ストッパ層をパターニングして、ゲート層を形成する工程、
少なくとも前記半導体層の上方に、第1ゲート絶縁層を形成する工程、
前記ゲート層の両側面に第1サイド絶縁層を形成する工程、
前記メモリセルアレイの形成領域に第2導電層を形成する工程、
共通コンタクト部の形成領域に対応する前記第2導電層上にマスクを形成して、前記第2導電層を異方性エッチングすることにより、サイドウォール状の第1および第2コントロールゲートを形成する工程、
前記メモリセルアレイの形成領域に第2絶縁層を形成した後、前記ストッパ層が露出するように該第2絶縁層および前記第2導電層を化学的機械的研磨法によって研磨することにより、前記共通コンタクト部の形成領域内にコンタクト導電層を形成する工程、
ソース領域またはドレイン領域を構成する不純物層を前記半導体層に形成する工程、
前記メモリセルアレイの形成領域に、キャップ絶縁層のための第3絶縁層を形成した後、共通コンタクト部の形成領域に対応する前記第3絶縁層上にマスクを形成して、前記第3絶縁層をパターニングすることにより、前記共通コンタクト部の形成領域に前記キャップ絶縁層を形成する工程、および
前記メモリセルアレイの形成領域に第3導電層を形成した後、前記ゲート層、前記第3導電層、および前記ストッパ層をパターニングして、ワードゲートおよび該ワードゲートに接続されたワード線を形成するとともに、前記共通コンタクトの形成領域内にストッパ絶縁層を形成する工程。 - 請求項14において、
前記ゲート層をパターニングする工程は、前記ストッパ絶縁層を前記第1導電層の上方に形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。 - 請求項14または15において、
さらに、前記メモリセルアレイの形成領域に層間絶縁層を形成した後、前記コンタクト導電層上に、前記キャップ絶縁層および前記層間絶縁層を貫通するコンタクトホールを形成する工程、および
前記コンタクトホールにプラグ導電層を埋め込む工程を含む、半導体装置の製造方法。 - 請求項14ないし16のいずれかにおいて、
窒化シリコンを主成分とする材料から前記ストッパ層を形成し、
酸化シリコンを主成分とする材料から前記第3絶縁層を形成する、半導体装置の製造方法。 - 請求項14ないし17のいずれかにおいて、
前記第1ゲート絶縁層および前記第1サイド絶縁層は、同一の成膜工程で形成され、かつ、第1酸化シリコン層、窒化シリコン層および第2酸化シリコン層の積層膜からなる、半導体装置の製造方法。 - 請求項14ないし18のいずれかにおいて、
前記コンタクト導電層は前記第1および第2コントロールゲートと同一の成膜工程で形成される、半導体装置の製造方法。 - 請求項14ないし19のいずれかにおいて、
前記共通コンタクト部の形成領域において、さらに、前記半導体層の上方にコンタクト絶縁層を形成する工程と、前記コンタクト導電層の側面に第2サイド絶縁層を形成する工程とを含み、
前記コンタクト絶縁層の形成は、前記第1ゲート絶縁層を形成する工程と同一工程にて行なわれ、
前記第2サイド絶縁層の形成は、前記第1サイド絶縁層を形成する工程と同一工程にて行なわれる、半導体装置の製造方法。 - 請求項14ないし20のいずれかにおいて、
前記第1サイド絶縁層を、その上端が前記コントロールゲートより上方に位置するように形成する、半導体装置の製造方法。 - 請求項14ないし21のいずれかにおいて、
前記第2絶縁層を化学的機械的研磨法によって研磨する工程において、前記不純物層を介して隣り合う1組の前記コントロールゲートは埋込み絶縁層によって覆われるように形成される、半導体装置の製造方法。 - 請求項14ないし22のいずれかにおいて、
前記共通コンタクト部は、前記不純物層の端部に隣接して形成される、半導体装置の製造方法。 - 請求項23において、
前記共通コンタクト部を複数形成し、
前記不純物層を複数配列させ、
前記複数の共通コンタクト部は、複数配列された前記不純物層に対して、該不純物層の一方の側の端部と他方の側の端部とにおいて交互に形成される、半導体装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001292128A JP3671890B2 (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | 半導体装置およびその製造方法 |
US10/234,197 US6812520B2 (en) | 2001-09-25 | 2002-09-05 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
CNB021425965A CN1241265C (zh) | 2001-09-25 | 2002-09-24 | 半导体装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001292128A JP3671890B2 (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003100917A JP2003100917A (ja) | 2003-04-04 |
JP3671890B2 JP3671890B2 (ja) | 2005-07-13 |
JP2003100917A5 true JP2003100917A5 (ja) | 2005-09-08 |
Family
ID=19114147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001292128A Expired - Fee Related JP3671890B2 (ja) | 2001-09-25 | 2001-09-25 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6812520B2 (ja) |
JP (1) | JP3671890B2 (ja) |
CN (1) | CN1241265C (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3671889B2 (ja) * | 2001-09-25 | 2005-07-13 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003243542A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 不揮発性記憶装置の製造方法 |
JP3726760B2 (ja) | 2002-02-20 | 2005-12-14 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2003243616A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2003243617A (ja) | 2002-02-20 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2003243618A (ja) | 2002-02-20 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2003249575A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-05 | Seiko Epson Corp | 不揮発性記憶装置の製造方法 |
JP2003258129A (ja) * | 2002-03-01 | 2003-09-12 | Seiko Epson Corp | 不揮発性記憶装置の製造方法 |
JP2003258132A (ja) | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Seiko Epson Corp | 不揮発性記憶装置の製造方法 |
JP2003258133A (ja) | 2002-03-05 | 2003-09-12 | Seiko Epson Corp | 不揮発性記憶装置の製造方法および半導体装置の製造方法 |
JP3640186B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2005-04-20 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2003282744A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-03 | Seiko Epson Corp | 不揮発性記憶装置 |
JP3975349B2 (ja) * | 2002-09-02 | 2007-09-12 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3975350B2 (ja) | 2002-09-11 | 2007-09-12 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3972196B2 (ja) | 2002-09-18 | 2007-09-05 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3743514B2 (ja) * | 2002-10-24 | 2006-02-08 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3664159B2 (ja) * | 2002-10-29 | 2005-06-22 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3664160B2 (ja) | 2002-10-30 | 2005-06-22 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3664161B2 (ja) * | 2002-10-30 | 2005-06-22 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004265508A (ja) | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Seiko Epson Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP3786095B2 (ja) | 2003-02-28 | 2006-06-14 | セイコーエプソン株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07161851A (ja) | 1993-12-10 | 1995-06-23 | Sony Corp | 半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
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US6288431B1 (en) * | 1997-04-04 | 2001-09-11 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor device and a method of manufacturing the same |
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JP2978477B1 (ja) | 1998-06-12 | 1999-11-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
JP3973819B2 (ja) | 1999-03-08 | 2007-09-12 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置およびその製造方法 |
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JP3956709B2 (ja) * | 2002-01-23 | 2007-08-08 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3531641B2 (ja) * | 2002-01-24 | 2004-05-31 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2003218244A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2003243618A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2003243617A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-08-29 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
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JP3726760B2 (ja) * | 2002-02-20 | 2005-12-14 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2001
- 2001-09-25 JP JP2001292128A patent/JP3671890B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-09-05 US US10/234,197 patent/US6812520B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-09-24 CN CNB021425965A patent/CN1241265C/zh not_active Expired - Fee Related
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