JP2005536484A - 光学活性（ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法 - Google Patents

光学活性（ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法に関するものであって、さらに詳細には、様々な官能基で置換されたフェノール誘導体と（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートとを反応物質として使用し、適切な溶媒と塩基存在下、適切な温度条件で求核置換反応させることによって、優れた光学純度及び生成収率で次の化学式１で表される、（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体を安価に製造する方法に関する。

Description

本発明は、光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法に関するものでる。さらに詳細には、様々な官能基で置換されたフェノール誘導体と（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートとを反応物質として使用し、適切な溶媒と塩基との存在下、適切な温度条件で求核置換反応させることによって、優れた光学純度及び生成収率で次の化学式１で表される、（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体を安価に製造する方法に関するものである。
Figure 2005536484
上記式中、Ｒ1は、Ｃ1〜Ｃ6のアルキル基またはベンジル基であり、Ａは、フェニル基、ナフチル基、キノキサゾリルオキシフェニル基（ｑｕｉｎｏｘａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｌｙ ｇｒｏｕｐ）、ベンゾキサゾリルオキシフェニル基（ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、ベンゾチアゾリルオキシフェニル基（ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、フェノキシフェニル基（ｐｈｅｎｏｘｙｐｈｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、ピリジルオキシフェニル基（ｐｙｒｉｄｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）及びフェニルオキシナフチル基（ｐｈｅｙｌｏｘｙｎａｐｈｔｈｙｌ ｇｒｏｕｐ）の中から選択されたアリール基であり、ここで、上記アリール基は、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、ニトリル基、アセトキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4のハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基及びＣ1〜Ｃ4のハロアルコキシ基の中から選択された一つ乃至三つの置換基で置換してもよい。
化学式１で表される化合物は、慣用的にプロピオン酸エステル（ｐｒｏｐｉｏｎｉｃ ａｃｉｄ ｅｓｔｅｒ）と呼ばれる化合物であって、植物の生理作用を阻害する除草物質としてよく知られている。プロピオン酸エステル誘導体の中でも光学活性を有する（Ｒ）−エチル２−［４−（６−クロロ−２−ベゾキサゾリルオキシ）フェノキシ］プロピオネートを含む幾つかの化合物が農薬として使用されている。
上記２置換プロピオン酸エステル誘導体は光学異性体を有する。特に、これらの （Ｒ）−異性体が除草活性を有し、これらの（Ｓ）−異性体は、除草活性がほとんどないことが知られている。
プロピオン酸エステル誘導体の合成及びそれらの除草活性は、既に複数の文献によって公開されている（例えば、特許文献１〜６）。
プロピオン酸エステル誘導体の一般的な製造方法は、下記式４及び式５の二つの反応に代表される。
Figure 2005536484
Figure 2005536484
上記化学式１では、置換されたフェノールと（Ｓ）−アルキルＯ−サルフォニルラクテートとが反応し、化学式２では、２，６−ジクロロベゾキサゾルと（Ｒ）−エチル２−（４−ヒドロキシフェノキシ）プロピオネートとが反応する。これらの反応はアセトニトリルを含む極性溶媒中で行われ、（Ｒ）−フェノキサプロップエチルが得られる（収率７０〜８０％、光学異性体純度６０〜９０％）。
しかし、これらの方法では、副反応物として、約５〜２０％の（Ｓ）−異性体が５〜２０％生成し、その副反応物は容易に取り除くことができない。従って、再結晶などの複雑な精製過程が純粋な（Ｒ）フェノキサプロップエチルを得るために必要である。従って、製造コストが上昇する。さらに、この反応に使用される原料物質である（Ｒ）アルキル−２（４−ヒドロキシフェノキシ）プロピオネートの高い光学活性を維持することも負担となる。
ヨーロッパ特許第１５７，２２５号 ヨーロッパ特許第６２，９０５号 ヨーロッパ特許第４４，４９７号 ドイツ特許第３，４０９，２０１号 ドイツ特許第３，２３６，７３０号 ドイツ特許第２，６４０，７３０号
本発明者らは、高い光学純度とよい収率を有する新しい（Ｒ）プロピオン酸エステル誘導体の製造方法を開発することに注力した。その結果、本発明者らは、（Ｒ）−プロピオン酸エステル誘導体のラセミ化を抑止する求核置換反応に適切な条件を見つけ出すことが重要であることを見いだした。
従って、本発明の目的は、ラセミ化を抑止した安価な光学活性（Ｒ）プロピオン酸エステル誘導体の製造方法を提供することにある。
本発明は、下記化学式２で表されるフェノール誘導体と下記化学式３で表される（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートをアルカリ金属炭酸塩の存在下、脂肪族または芳香族炭化水素溶媒中、６０〜１００℃の温度で反応させることにより、高い光学純度で（Ｒ）プロピオン酸エステル誘導体を製造する方法に関する。
Figure 2005536484
上記式で、Ｒ1は、Ｃ1〜Ｃ6のアルキル基またはベンジル基であり、Ｒ2は、Ｃ1〜Ｃ6のアルキル基、フェニル基、またはＣ1〜Ｃ6のアルキル基あるいはＣ1〜Ｃ6のアルコキシ基で置換されたフェニル基であり；Ａは、フェニル基、ナフチル基、キノキサゾリルオキシフェニル基（ｑｕｉｎｏｘａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｌｙ ｇｒｏｕｐ）、ベンゾキサゾリルオキシフェニル基（ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、ベンゾチアゾリルオキシフェニル基（ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、フェノキシフェニル基（ｐｈｅｎｏｘｙｐｈｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、ピリジルオキシフェニル基（ｐｙｒｉｄｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）及びフェニルオキシナフチル基（ｐｈｅｙｌｏｘｙｎａｐｈｔｈｙｌ ｇｒｏｕｐ）の中から選択されたアリール基であり、ここで、上記アリール基は、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、ニトリル基、アセトキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4のハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基及びＣ1〜Ｃ4のハロアルコキシ基の中から選択された一つ乃至三つの置換基で置換してもよい。
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明は、フェノール誘導体と（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートとを反応物質として使用して、求核置換反応を行うことにより、光学活性（Ｒ）−プロピオン酸エステル誘導体を高収率及び高純度で製造する方法に関するものである。その反応は、溶媒、温度、離脱基が適切化されたコンディションにおいて行われる。
上記化学式３により表された本発明の反応物質である、上記化学式２で表されるフェノール誘導体と上記化学式３で表される（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートとは、公知の化合物であって、公知の方法により合成される。例えば、（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）フェノールは、安価に購入できるアミノフェノール、ウレア、塩化スルフリル、五塩化リン、トリエチルアミンなどの基礎原料と、キシレン、酢酸、クロロベンゼン、ジクロロエタンなどの溶媒とを使用した４段階の反応により生成される。また、（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートは、（Ｓ）−アルキルラクテートとアリールサルフォニルクロライドとをトリエチルアミン存在下、ジクロロエタン溶媒中で反応させることにより生成される。
本発明に係る求核置換反応において、ラセミ化を抑制する上で、反応溶媒の選択が重要である。反応溶媒として、キシレン、トルエン、ベンゼン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、ｎ−ヘキサン及びｎ−ヘプタンなどの脂肪族または芳香族炭化水素溶媒を使用することができ、シクロヘキサンまたはキシレンがこれらの中でも好ましい。
反応温度もまたラセミ化を抑止するために非常に重要な要素である。６０〜１００℃の温度範囲が好ましいが、反応時間と便利性を考慮すると、シクロヘキサンの加熱還流温度（〜８０℃）が特に好ましい。
本発明に係る塩基として、アルカリ金属炭酸塩、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどを使用することができる。アルカリ金属炭酸塩を塩基として用いた、中間体としてのフェノール金属塩生成物は、不必要な副反応を劇的に減少させることができる。さらに上記塩基は、ペレットとしてよりも粉末形（４００〜７００メッシュ）として使用した方が、反応時間を短縮することができる。
本発明に係る求核置換反応においては、主要反応中間体としてフェノール金属塩が生成されるとともに、副産物として水が生成される。本発明では、このようにして生成した水が、特定溶媒を用いることによって取り除かれる。そして、生成物のラセミ化だけではなく、エステルの加水分解をも抑止するのに更に効果的である。
上記求核置換反応が完結された後、冷却することなく生成されたスルホン酸塩を濾過し、濾液を濃縮することにより、本発明の目的とする化合物である上記化学式１で表される（Ｒ）−プロピオン酸エステル誘導体を高収率及び高純度で得ることができる。
以下、下記実施例によって本発明をさらに詳細に説明するが、これらの実施例は、何ら本発明の範囲を限定するものではない。
以上説明したように、本発明に係る製造方法によれば、高収率で光学活性純（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体を製造することが可能となり、そして、巨大な経済効果を生み出すことが見込まれる。
上記実施例を参照して、本発明を詳細に説明してきたが、これらの技術は種々の改善や代替によって向上しうるものであり、本発明の精神と目的からはずれない限り、付加された請求項の範囲に含まれる。
（実施例）
実施例１：（Ｄ＋）−エチル−２−（４−クロロ−２−メチルフェノキシ）プロピオネート（化合物番号１）の製造。
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された５０ｍＬフラスコに、シクロヘキサン３０ｍＬ、４−クロロ−２−メチルフェノール１．４３ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−エチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート２．８６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１７時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物２．２６ｇ（収率９３％、純度９８％、光学純度９９．４％）を得た。
Ｒf＝０．６８（ＥＡ：Ｈｘ＝１：４）； 1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3， ２００ＭＨｚ） δ１．２４（ｔ， Ｊ＝７．２Ｈｚ， ３Ｈ）， １．６２（ｄ， Ｊ＝６．８Ｈｚ， ３Ｈ）， ２．２５（ｓ， ３Ｈ）， ４．２０（ｑ， Ｊ＝７．２Ｈｚ， ２Ｈ）， ４．６９（ｑ， Ｊ＝６．８Ｈｚ， １Ｈ）， ６．５８〜７．１３（ｍ， ３Ｈ）； ＭＳ（７０ｅＶ） ｍ／ｚ ２４４（Ｍ＋）， ２４２（Ｍ＋）， １６９， １４２， １２５， １０７， ８９， ７７
下記表１は上記実施例１と同様な反応を行って得られた化合物（化合物番号１〜２５）の収率、光学異性体生成比率及びスペクトラルデータを示す。
Figure 2005536484
Figure 2005536484
Figure 2005536484
Figure 2005536484
Figure 2005536484
実施例２：（Ｄ＋）−エチル−２−（４−（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）−フェノキシ）プロピオネート（化合物番号２６、一般名：フェノキサプロップ−Ｐ−エチル）の製造。
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された１００ｍＬフラスコにシクロヘキサン５０ｍＬ、（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）フェノール２．６１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−エチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート２．８６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１２時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物３．２０ｇ（収率８９％、純度９８％、光学純度９９．９％）を得た。
融点（ｍｐ） ８２〜８４ ℃（観察値：ｏｂｓｅｒｖｅｄ）；Ｒf＝０．５２（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）； 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3， ２００ＭＨｚ） δ１．１３（ｔ， Ｊ＝７．１Ｈｚ， ３Ｈ）， １．８１（ｄ， Ｊ＝６．９Ｈｚ， ３Ｈ）， ４．２２（ｑ， Ｊ＝７．１Ｈｚ， ２Ｈ）， ４．７２（ｑ， Ｊ＝６．９Ｈｚ， １Ｈ）， ６．９９〜７．４２（ｍ， ７Ｈ）； ＭＳ（７０ ｅＶ） ｍ／ｚ ３６３（Ｍ＋）， ３６１（Ｍ＋）， ２９１， ２８８， ２６３， ２６１， １８２， １４４， １１９， ９１．
下記表２は上記実施例２℃同様の反応を行うことによって得られた化合物の収率及び光学異性体生成比率を示す。
Figure 2005536484
実施例３：（Ｄ＋）−メチル−２−［４−（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）−フェノキシ］プロピオネート（化合物番号２７）の製造
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された１００ｍＬフラスコに、シクロヘキサン５０ｍＬ、（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）フェノール２．６１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−メチルＯ−（ｐ−メトキシベンゼン）サルフォニルラクテート２．８８ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．１２ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｎａ2ＣＯ3を入れて１２時間還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物３．１０ｇ（収率８９％、純度９８％、光学純度９９．９％）を得た。
融点（ｍｐ） ９７ ℃（観察値：ｏｂｓｅｒｖｅｄ）； Ｒf＝０．５０（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）； 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3， ２００ＭＨｚ） δ１．５１（ｄ， Ｊ＝６．４Ｈｚ， ３Ｈ）， ３．７０（ｓ，３Ｈ）， ４．５５（ｑ， Ｊ＝６．４Ｈｚ， １Ｈ）， ６．８４〜７．４０（ｍ， ７Ｈ）； ＭＳ（７０ ｅＶ） ｍ／ｚ ３４９（Ｍ＋）， ３４７（Ｍ＋）， ２９１， ２８８， ２６３， ２６１， １８２， １４４， １１９， ９１
下記表３は、上記実施例３と同様な反応を行うことによって得られた化合物の収率及び光学異性体生成比率を示す。
Figure 2005536484
実施例４：（Ｄ＋）−ｎ−ブチル−２−［４−（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）−フェノキシ］プロピオネート（化合物番号２８）の製造。
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された１００ｍＬフラスコに、シクロヘキサン５０ｍＬ、（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）フェノール２．６１ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−ｎ−ブチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート３．１５ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１２時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層を減圧濃縮して目的化合物３．６０ｇ（収率９２．３％、純度９８％、光学純度９９．９％）を得た。
融点（ｍｐ） ４８〜５０℃（観察値：ｏｂｓｅｒｖｅｄ）； Ｒf＝０．５９（ヘキサン／酢酸エチル＝３／１）； 1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3， ２００ＭＨｚ） δ０．９１（ｔ， Ｊ＝７．１Ｈｚ， ３Ｈ）， １．４８〜１．５８（ｍ， ４Ｈ）， １．５１（ｄ， Ｊ＝６．９Ｈｚ， ３Ｈ）， ４．２６（ｑ， Ｊ＝７．１Ｈｚ， ２Ｈ）， ４．４５（ｑ， Ｊ＝６．９Ｈｚ， １Ｈ）， ６．８４〜７．４０（ｍ， ７Ｈ）； ＭＳ（７０ ｅＶ） ｍ／ｚ ３９１（Ｍ＋）， ３８９（Ｍ＋）， ２９１， ２８８， ２６３， ２６１， １８２， １４４， １１９， ９１
下記表４は上記実施例４と同様な反応を行うことによって得られた化合物の収率及び光学異性体生成比率を示す。
Figure 2005536484
実施例５：（Ｄ＋）−ｎ−エチル−２−［４−（３−クロロ−５−トリフルオロメチルピリジン−２−イルオキシ）フェノキシ］プロピオネート（化合物番号２９）の製造。
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された５０ｍＬフラスコに、シクロヘキサン３０ｍＬ、４−（３−クロロ−トリフルオロメチルピリジニルオキシ）フェノール２．９０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−エチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート２．８６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１８時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物３．５１ｇ（収率９０％、純度９８％、光学純度９７．０％）を得た。
Ｒf＝０．５６（ＥＡ：Ｈｘ＝１：４）； 1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3， ２００ＭＨｚ） δ１．２７（ｔ， Ｊ＝７．２Ｈｚ， ３Ｈ）， １．６３（ｄ， Ｊ＝６．６Ｈｚ， ３Ｈ）， ４．２４（ｑ， Ｊ＝７．２Ｈｚ， ２Ｈ）， ４．７３（ｑ， Ｊ＝６．９０Ｈｚ， １Ｈ）， ６．８９〜８．２７（ｍ， ６Ｈ）； ＭＳ（７０ｅＶ） ｍ／ｚ ３８９（Ｍ＋）， ３７０， ３１６， ２８８， ２７２， ２６１， ２２６， ２０９， １８０， １６０， １１９， １０９， ９１， ７６， ６３
実施例６：（Ｄ＋）−ｎ−エチル−２−［４−（２，４−ジクロロフェノキシ）フェノキシ］プロピオネート（化合物番号３０）の製造。
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された５０ｍＬフラスコにシクロヘキサン３０ｍＬ、４−（２，４−ジクロロフェノキシ）フェノール２．５５ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−エチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート２．８６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１７時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物２．７４ｇ（収率７７％、純度９８％、光学純度９４．６％）を得た。
Ｒf＝０．７７（ＥＡ：Ｈｘ＝１：２）； 1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3， ３００ＭＨｚ） δ１．２６（ｔ， Ｊ＝７．２Ｈｚ， ３Ｈ）， １．６２（ｄ， Ｊ＝６．９Ｈｚ， ３Ｈ）， ４．２３（ｑ， Ｊ＝７．１Ｈｚ， ２Ｈ）， ４．６９（ｑ， Ｊ＝６．７Ｈｚ， １Ｈ）， ６．７８〜７．４４（ｍ， ７Ｈ）； ＭＳ（７０ｅＶ） ｍ／ｚ ３５５（Ｍ＋）， ３５４（Ｍ＋）， ２８１， ２５３， ２０２， １８４， １７３， １６２， １３９， １２０， １０９， ９１
実施例７：（Ｄ＋）−ｎ−エチル−２−［７−（２−クロロ−４−トリフルオロメチルフェノキシ）ナフタレン−２−イルオキシ］プロピオネート（化合物番号３１）の製造。
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された５０ｍＬフラスコにシクロヘキサン３０ｍＬ、７−（２−クロロ−４−トリフルオロメチルフェノキシ）−２−ナフタレノール３．３９ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−エチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート２．８６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１９時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物４．０８ｇ（収率９３％、純度９８％、光学純度９２．８％）を得た。
Ｒf＝０．６０（ＥＡ：Ｈｘ＝１：４）； 1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3， ３００ＭＨｚ） δ１．２４（ｔ， Ｊ＝７．２Ｈｚ， ３Ｈ）， １．６７（ｄ， Ｊ＝６．９Ｈｚ， ３Ｈ）， ４．２３（ｑ， Ｊ＝５．７Ｈｚ， ２Ｈ）， ４．８６（ｑ， Ｊ＝６．９Ｈｚ， １Ｈ）， ６．９４〜７．８１（ｍ， ９Ｈ）； ＭＳ（７０ｅＶ） ｍ／ｚ ４３８（Ｍ＋）， ３６５， ３３８， ３２１， ３０３， ２８６， ２７５， １７０， １４２， １２６， １１４， １０２
実施例８：（Ｄ＋）−ｎ−エチル−２−［４−（６−クロロキノキサリン−２−イルオキシ）フェノキシ］プロピオネート（化合物番号３２）の製造。
冷却コンデンサーとディーンストック（Ｄｅａｎ−Ｓｔｏｃｋ）が装置された５０ｍＬフラスコに、シクロヘキサン３０ｍＬ、４−（６−クロロキノキサリン−２−イルオキシ）フェノール２．７３ｇ（１０ｍｍｏｌ）、（Ｓ）−エチルＯ−ｐ−トルエンサルフォニルラクテート２．８６ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、及び２．７６ｇ（２０ｍｍｏｌ）の粉末形Ｋ2ＣＯ3を入れて１８時間加熱還流した。反応混合物を冷却することなく濾過して、暖めたシクロヘキサン２０ｍＬで固体を洗浄した。濾液のシクロヘキサン層は濃縮され目的化合物３．３９ｇ（収率９１％、純度９８％、光学純度９９．８％）を得た。
融点（ｍｐ）＝６０〜６１℃（Ｒ 観察値：ｏｂｓｅｒｖｅｄ）， 融点（ｍｐ）＝８３〜８４℃（Ｒ，Ｓ 観察値：ｏｂｓｅｒｖｅｄ）， Ｒf＝０．６３（ＥＡ：Ｈｘ＝１：２）； 1Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3， ５００ＭＨｚ） δ１．２９（ｔ， Ｊ＝７．１Ｈｚ， ３Ｈ）， １．６５（ｄ， Ｊ＝６．８Ｈｚ， ３Ｈ）， ４．２６（ｍ， ２Ｈ）， ４．７６（ｑ， Ｊ＝６．８Ｈｚ， １Ｈ）， ６．９５〜８．６７（ｍ， ７Ｈ）； ＭＳ（７０ｅＶ） ｍ／ｚ ３７２（Ｍ＋）， ２９９， ２７２， ２５５， ２４４， ２１２， １９９， １６３， １５５， １３６， １１０， １００， ９１， ６５
下記表５は上記実施例８と同様な反応を行って得た化合物（化合物番号３３〜３８）の収率、光学異性体生成比率及びスペクトラルデータを示す。
Figure 2005536484
Figure 2005536484
（比較例）
比較例１
下記表６及び７は上記式４及び５に示した公知の方法によって合成した（Ｄ＋）−メチル−２−［４−（６−クロロ−２−ベンゾキサゾリルオキシ）−フェノキシ］プロピオネート（化合物番号２７）の収率及び光学異性体生成比を示す。
Figure 2005536484
Figure 2005536484
比較例２
下記表８は上記式５に示した公知の方法によって合成された（Ｄ＋）−ｎ−エチル−２−［４−（３−クロロ−５−トリフルオロメチルピリジン−２−イルオキシ）フェノキシ］プロピオネート（化合物番号２９） の収率及び光学異性体生成比を示す。
Figure 2005536484
比較例３
下記表９は上記式５に示した公知の方法によって合成された（Ｄ＋）−ｎ−エチル−２−［４−（６−クロロキノキサリン−２−イルオキシ）フェノキシ］プロピオネート（化合物番号３２）の収率及び光学異性体生成比を示す。
Figure 2005536484

Claims (4)

  1. 次の化学式２で表されるフェノール誘導体と次の化学式３で表される（Ｓ）−アルキルＯ−アリールサルフォニルラクテートをアルカリ金属炭酸塩の存在下、脂肪族または芳香族炭化水素溶媒中で、６０〜１００℃の温度で反応させることを特徴とする、次の化学式１で表される光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法。
    Figure 2005536484
    Figure 2005536484
    Figure 2005536484
     上記式中、Ｒ1は、Ｃ1〜Ｃ6のアルキル基またはベンジル基であり；Ｒ2は、Ｃ1〜Ｃ6のアルキル基、フェニル基、またはＣ1〜Ｃ6のアルキル基あるいはＣ1〜Ｃ6のアルコキシ基で置換されたフェニル基であり；Ａは、フェニル基、ナフチル基、キノキサゾリルオキシフェニル基（ｑｕｉｎｏｘａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｌｙ ｇｒｏｕｐ）、ベンゾキサゾリルオキシフェニル基（ｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、ベンゾチアゾリルオキシフェニル基（ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、フェニルオキシフェニル基（ｐｈｅｎｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）、ピリジルオキシフェニル基（ｐｙｒｉｄｙｌｏｘｙｐｈｅｎｙｌ ｇｒｏｕｐ）及びフェニルオキシナフチル基（ｐｈｅｙｌｏｘｙｎａｐｈｔｈｙｌ ｇｒｏｕｐ）の中から選択されたアリール基であり、ここで、上記アリール基は、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、ニトリル基、アセトキシ基、Ｃ1〜Ｃ4のアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4のハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ4のアルコキシ基及びＣ1〜Ｃ4のハロアルコキシ基の中から選択された一つ乃至三つの置換基で置換してもよい。
  2. 請求項１に記載された光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法において、
    上記炭化水素溶媒は、トルエン、キシレン、シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロヘプタン、ｎ−ヘキサン、及びｎ−ヘプタンからなる群より選ばれた、光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法。
  3. 請求項１に記載された光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法において、
    上記溶媒は、シクロヘキサンまたはキシレンである、光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法。
  4. 請求項１に記載された光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法において、
    上記光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法は、塩基としてポタジウムカーボネートを用いて、８０℃、シクロヘキサン溶媒中において行う、光学活性（Ｒ）−アリールオキシプロピオン酸エステル誘導体の製造方法。
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