JP2005503675A - 低順電圧で低逆電流の動作特性を有する窒化ガリウムベースのダイオード - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
本発明はダイオードに関し、より詳細には、改善された順電圧特性および逆漏れ電流特性を示す窒化ガリウム(GaN)ベースのダイオードに関する。
【背景技術】
【0002】
ダイオード整流器は、低電圧スイッチ、電源、パワーコンバータ、およびそれに関連する応用機器用に最も広く使用されているデバイスの1つである。効率的な動作のためには、ダイオードのオン電圧が低く(0.1V〜0.2V以下)、逆漏れ電流が少なく、電圧遮断能力が高く(20〜30V)、およびスイッチング速度が速いことが望ましい。
【0003】
一般的なダイオードのほとんどは、ダイオードの動作特性を慎重に変更するために用いられた不純物要素を含むシリコン(Si)から作られたpn接合ダイオードである。ダイオードはまた、ガリウム砒素(GaAs)や炭化ケイ素(SiC)などの他の半導体材料から形成することもできる。接合ダイオードの欠点の1つは、大電流の場合に順方向伝導中にダイオード中の電力損失が過度に大きくなる可能性があることである。
【0004】
ショットキー障壁ダイオードは、pn接合の代わりに整流作用のある金属−半導体障壁領域からなる特別な形態のダイオード整流器である。金属が半導体に接触するとき、その2つの間の接合で障壁領域が発生する。適切に製造することによりターンオフ時間を短縮し、障壁領域は電荷蓄積効果を最小限に抑えられ、およびダイオードスイッチングが改善される(例えば、非特許文献1参照。)。一般的なショットキーダイオードは、pn接合ダイオードよりもターンオン電圧が低く(約0.5V)、ダイオード中のエネルギー損失がシステムに著しい影響を及ぼす可能性がある場合(スイッチング電源中の出力整流器など)により望ましいこととなる。
【0005】
従来のショットキーダイオードでオン電圧を0.5V未満に下げる1つの方法は、その表面障壁のポテンシャルを下げることである。しかし、このことは、結果として逆漏れ電流の増大との折り合いをつけることとなる。加えて、障壁の低下により高温度動作が損なわれ、逆バイアス動作下でソフトブレークダウンが生じる可能性がある。
【0006】
さらに、ショットキーダイオードは一般にGaAsから作成されるが、この材料の欠点の1つは、フェルミ準位(または表面ポテンシャル)が約0.7Vに固定またはピン止めされることである。その結果、オン状態順電圧(Vf)が固定される。したがって、半導体と接触させるのに使用する金属のタイプの如何に関わらず、表面ポテンシャルをVfよりも下に下げることができない。
【0007】
さらに最近になって、幾分低いVfのシリコンベースのショットキー整流器ダイオードが開発された(例えば、非特許文献2参照。)。こうしたデバイスのショットキー障壁表面のポテンシャルは約0.4Vであり、Vfの下限は約0.3〜0.4Vである。実際には、達成可能な最低のショットキー障壁のポテンシャルは、チタンを使用した通常の蒸着で0.4V前後である。これにより、電流密度100A/cm2でVf約0.25Vが得られる。
【0008】
動作電流密度100A/cm2でVfが約0.25V(障壁高0.58V)である他のハイブリッド構造が報告されている(例えば、非特許文献3参照。)。そのように設計されたもの1つは、逆漏れを最小限に抑えるように電場を調整するのに使用されるpn接合を有する接合障壁制御式ショットキー整流器である。別のものとしては、トレンチおよびMOS障壁動作を使用して電場プロファイルを調整するトレンチMOS障壁整流器である。このデバイスの欠点の1つは、pn接合によってキャパシタンスが持ち込まれることである。さらに、pn接合は、III族窒化物ベースのデバイスでは幾分製作が難しい。
【0009】
窒化ガリウム(GaN)系材料が、高効率青/緑LEDやレーザなどのオプトエレクトロニックデバイス、および高出力マイクロ波トランジスタなどの電子デバイスで使用されている。GaNは、3.4eV幅の直接バンドギャップを有し、電子速度が高速であり(2×107cm/s)、破壊電場が高く(2×106V/cm)、ヘテロ構造が使用可能である。
【0010】
【特許文献1】
米国特許Nos.Re.34861
【特許文献2】
米国特許第4946547号
【特許文献3】
米国特許第5200022号
【非特許文献1】
L. P. Hunter, Physics of Semiconductor Materials, Devices, and Circuits, Semiconductor Devices, Page 1-10 (1970)
【非特許文献2】
IXYS Corporation, Si Based Power Schottky Rectifier, Part Number DSS 20-0015B, International Rectifier, Si Based Shottky Rectifier, Part Number 11DQ09
【非特許文献3】
M. Mehrotra, B. J. Baliga, "The Trench MOS Barrier Shottky (TMBS) Rectifier", International Electron Device Meeting, 1993
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
本発明は、Vfが低い、新しいIII族窒化物ベースのダイオードを提供する。この新しいダイオードの実施形態には、逆電流(Irev)を比較的低く保つための構造も含まれる。
【課題を解決するための手段】
【0012】
この新しいダイオードはGaN系材料で形成されることが好ましく、GaAsなどの材料から作成された従来型ダイオードとは異なり、GaNのフェルミ準位(または表面ポテンシャル)がその表面状態にピン止めされない。GaNショットキーダイオードでは、金属−半導体接合での障壁高は、使用する金属のタイプに応じて変化する。特定の金属を使用することにより、ダイオードのショットキー障壁高が低くなり、その結果Vfが0.1〜0.3Vの範囲となる。
【0013】
この新しいGaNショットキーダイオードは一般に、基板上にn+ GaN層を含み、基板の反対側のn+ GaN層上にn− GaN層を含む。n+ GaN層上に金属オーミックコンタクトが含まれ、n− GaN層から分離され、n− GaN層上にショットキー金属層が含まれる。整流すべき信号が、ダイオードのショットキー金属コンタクトと金属オーミックコンタクトの両端間に印加される。ショットキー金属がn− GaN層上に蒸着しているとき、その2つの間で前記n− GaNの表面で障壁ポテンシャルが形成される。ショットキー金属層は仕事関数を有し、その仕事関数によって障壁ポテンシャルの高さが決定される。
【0014】
ショットキー障壁のポテンシャルを低下させる金属を使用するとVfは低下するが、望ましくないIrevが増大する可能性がある。本発明の第2実施形態は、ダイオードの表面上にトレンチ構造を含めることによってIrevを低減する。この構造により、この新しいダイオードが逆バイアス下にあるときの電場の増大を防ぐ。その結果、ショットキー障壁ポテンシャルが低下し、Irevを低減することを助ける。
【0015】
トレンチ構造はn− GaN層上に形成されることが好ましく、隣接するトレンチ間にメサ領域を有するいくつかの平行な等間隔のトレンチを有する。各トレンチは、その側壁および底面上に絶縁層を有する。連続するショットキー金属層がトレンチ構造上にあり、絶縁層、ならびにトレンチ間のメサを覆う。あるいは、各トレンチの側壁および底面を絶縁体の代わりに金属で覆うこともできる。その金属は、ショットキー金属から絶縁される。メサ領域は、金属−半導体接触の下で電場の所望の再分配を生成するように選ばれたドーピング濃度および幅を有する。
【0016】
本発明の第3実施形態は、障壁ポテンシャルを超えるのではなく、障壁ポテンシャルを通る電子のトンネル効果の結果として得られる低いVfを有するGaNトンネルダイオードを提供する。この実施形態は、基板とn− GaN層の間にn+ GaN層が挟まれた基板を有する。AlGaN障壁層が、n+ GaN層と反対側のn− GaN層上に含まれる。オーミックコンタクトがn+ GaN層上に含まれ、上部コンタクトがAlGaN層上に含まれる。整流すべき信号が、オーミックコンタクトと上部コンタクトの両端間に印加される。
【0017】
障壁層設計により、順方向トンネル効果の確率が最大になり、障壁層の様々な厚さおよびAlモル分率により、様々な順方向/逆方向動作特性が得られる。特定の厚さおよびAlモル分率では、このダイオードはVfが低く、Irevが少ない。より厚い障壁層を使用し、および/またはAlモル濃度を増やすことにより、Vfが低下し、Irevが増大する。厚さまたはモル分率がさらに増加するにつれて、この新しいダイオードはオーム動作特性を呈すると見られるが、従来のショットキーダイオードとなることもある。
【0018】
本発明の上記およびその他の特徴および利点は、添付の図面と共に行われる以下の詳細な説明から当業者には明らかとなるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【0019】
図1に、本発明に従って構築された、金属−半導体障壁のポテンシャルが低下したショットキーダイオード10を示す。この新しいダイオードは、III族窒化物ベース系材料、またはフェルミ準位がその表面状態でピン止めされないその他の材料から形成される。III族窒化物とは、窒素と、周期表のIII族元素、通常はアルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、およびインジウム(In)との間で形成された半導体化合物を指す。この語はまた、AlGaNやAlInGaNなどの三元化合物および第三級の化合物も指す。この新しいダイオードの好ましい材料は、GaNおよびAlGaNである。
【0020】
この新しいダイオード10は基板11を有する。基板11は、サファイア(Al2O3)、シリコン(Si)、または炭化ケイ素(SiC)のいずれかとすることができるが、4Hポリタイプの炭化ケイ素が望ましい。3C、6H、および15Rポリタイプを含むその他の炭化ケイ素も使用することができる。AlxGa1-xNバッファ層12(ただしxは0と1の間)が基板11上に配され、炭化ケイ素基板とダイオード10の残りの部分との間の適切な結晶構造遷移が実現する。
【0021】
炭化ケイ素は、結晶格子がサファイアよりもずっとIII族窒化物に近く、その結果より高い品質のIII族窒化物膜が得られる。炭化ケイ素はまた熱伝導率が非常に高く、その結果、炭化ケイ素上のIII族窒化物デバイスの全出力パワーは、(サファイア上に形成されたあるデバイスと同様に)基板の熱放散によって制限されない。さらに、炭化ケイ素基板が使用可能なので、デバイス分離が可能となり、寄生キャパシタンスの低減が実現され、これにより商用化が可能となる。SiC基板は、ノースカロライナ州ダーラムのCree Research,Inc.から入手可能であり、それを製造する方法が、科学文献ならびに特許文献に記載されている(例えば、特許文献1、2、および3参照。)。
【0022】
この新しいダイオード10は、基板11上にn+ GaN層12を有し、基板11の反対側のn+ GaN層12上にGaN13のn−層を有する。n+層12は、不純物が少なくとも1立方センチメートル(cm3)当たり1018個の濃度で高密度に不純物を添加される。好ましい濃度は、この量の5から10倍である。n−層13はそれより低いドーピング濃度を有するがそれでもなおn−型であり、1cm3当たり5×1014から5×1017個の範囲の不純物濃度を有するのが望ましい。n−層13の厚さは、0.5〜1ミクロンであり、n+層12の厚さは0.1から1.5ミクロンであることが望ましいが、その他の厚さでも機能する。
【0023】
n− GaN層13の各部分がn+層までエッチングされ、金属オーミックコンタクト14aおよび14bが、n+ GaN層上のエッチング済み領域内に含まれ、それによってそれらはn− GaN層13から電気的に分離される。これに替わる一実施形態においては、1つまたは複数のオーミックコンタクトを、n+ GaN層12で覆われない基板面上に含めることができる。本実施形態は、特にn型の基板に適用可能である。ショットキー金属層16が、n+ GaN層12の反対側のn− GaN層13上に含まれる。
【0024】
金属の仕事関数は、真空中の金属から電子を取り去るのに必要なエネルギーであり、材料のフェルミ準位は、荷電キャリアを発見する確率が50%であるエネルギー準位である。半導体の電子親和力は、その真空エネルギー準位と伝導帯エネルギー準位との差である。
【0025】
前述のように、GaNの表面フェルミ準位はピン止めされず、その結果、異なる仕事関数を有するショットキー金属は、障壁ポテンシャルが異なる。障壁ポテンシャルは次式で近似される。
【0026】
障壁の高さ=仕事関数−半導体の電子親和力
【0027】
図2は、真空中の様々な金属表面についての金属の仕事関数21と、特定の金属の原子番号22との関係を示すグラフ20である。金属は、ショットキー障壁のポテンシャルが低く、かつVfが低くなるように、しかし十分高く選んで逆電流を低く保つべきである。例えば、半導体の電子親和力と等しい仕事関数を有する金属を選んだ場合、障壁ポテンシャルはゼロに近づく。これにより、Vfがゼロに近づき、さらにはダイオードの逆電流が増大し、それによってダイオードがオーム特性を呈して整流が行われない。
【0028】
多くの異なる金属を使用して障壁高を低くすることができる。好ましい金属には、Ti(仕事関数4.6)23、Cr(4.7)24、Nb(4.3)25、Sn(4.4)26、W(4.6)27、およびTa(4.3)28が含まれる。Cr 24により、許容できる障壁ポテンシャルが得られ、Cr 24は従来の方法による蒸着が容易である。
【0029】
図3に、この新しいショットキー障壁ダイオードについてのダイオードを貫く垂直な線上で測定される典型的なバンドグラフ30を示す。図3は、ショットキー金属31のエネルギー準位、GaN半導体層32のエネルギー準位、およびショットキー障壁のポテンシャル33を示す。
【0030】
ショットキー金属がGaN半導体材料に接触する前は、この2つのフェルミエネルギー準位は同一ではない。接触を行い、2つの材料が単一の熱力学系となると、その結果その系に対しては単一のフェルミ準位となる。これは、フェルミ準位が高い半導体材料から、フェルミ準位が低いショットキー金属への電子の流れによって生じる。半導体の電子のエネルギーは、半導体の電子が金属に流れることによって低下する。これにより、半導体のイオン化ドナーの準位が、その自由電子の数より幾分超えた状態となり、半導体は正味で正の電荷を有する。半導体から金属に流れた電子により、金属は負の静電荷を有する。したがって半導体のエネルギー準位は低下し、金属のエネルギー準位は上昇する。この電子の表面電荷の存在と、半導体の非中和電荷イオン化ドナーの準位(unneutralized charge ionized donor level)の存在により、障壁ポテンシャルを形成する双極子層が生成される。
【0031】
動作の際に、新しいショットキーダイオード10によって整流すべき信号が、ショットキー金属16と、オーミックコンタクト14aおよび14bの両端間に印加される。信号の整流は、半導体内の荷電粒子の流れを抑制するn− GaN層13の表面の障壁ポテンシャルが存在する結果得られるものである。ショットキー金属16が半導体に対して正であるとき(順バイアス)、障壁の半導体側のエネルギーが上昇する。その場合、伝導帯上の多数の自由電子が金属中に流れることができる。半導体側が上昇するほど、障壁の上端より上のエネルギーの電子が多くなり、最後には、高いバイアス電圧で、半導体中の自由電子の分布全体が障壁に打ち勝つことができる。電圧特性と電流特性との間の関係は、オーミック特性を有する。障壁が低いほど、障壁に打ち勝つのに必要なVfが低くなる。
【0032】
しかし、上記で論じたように、障壁水準を低くすることは逆漏れ電流も増大させる可能性がある。半導体が金属に対して正にされるとき(逆バイアス)、障壁の半導体側が金属側に対して低くなり、その結果電子が、抵抗なしに障壁の上端を超えて半導体に自由に流れる。金属内に存在する障壁の上端より上の電子の数は、一般に半導体中の全電子数と比較して非常に少ない。その結果、非常に低い電流特性となる。電圧が全電子流を遮断するのに十分な大きさであるとき、電流は飽和する。障壁ポテンシャルが低いほど、電流が飽和するのに必要な逆バイアスが低くなる。
【0033】
図4に、障壁高が低下することに伴って逆電流が増大する問題に対処する新しいGaNショットキーダイオード40の別の実施形態を示す。ダイオード40は、上記の実施形態と類似しており、類似の基板41、n+ GaN層42、および金属オーミックコンタクト43aおよび43bを有する。あるいは、金属オーミックコンタクト43aおよび43bは基板の表面上に含めることもできる。ダイオード40はn− GaN層44も有するが、この層は平面ではなく、n− GaN層中にトレンチ46を含む2次元トレンチ構造45を有する。好ましいトレンチ構造45は、隣接するトレンチ間に残るメサ領域49に平行かつ等間隔のトレンチ46を含む。各トレンチ46は、その側壁46aおよび底面46bを覆う絶縁層47を有する。様々な絶縁材料を使用することができるが、材料としては窒化シリコン(SiN)が望ましい。ショットキー金属層48がトレンチ構造45全体の上に配され、絶縁層がショットキー金属とトレンチの側壁および底面との間に挟まれ、メサ領域49がショットキー金属層48で覆われる。メサ領域により、ショットキー金属とn− GaN層44とが直接接触する。あるいは、絶縁体の代わりに金属で各トレンチを覆うこともできる。本実施形態においては、ショットキー金属をトレンチ金属から絶縁および/または分離すべきである。
【0034】
メサ領域49は、メサの金属−半導体接合の下における電場の再分配を生成するようにドーピング濃度および幅が選ばれる。この結果、ダイオード電場のピークはショットキー障壁から動かされ、その高さも減少する。これにより、逆バイアス電圧の上昇に伴って障壁が低下し、逆漏れ電流が急速に増大するのを防止するのを助ける。
【0035】
この再分配は、メサ49内の電荷と、上面のショットキー金属48、並びにトレンチの側壁46aおよび底面46b上の金属との結合することから行われる。次いで空乏が、上面(従来のショットキー整流器と同様)とトレンチ側壁46aの両方から延び、側壁からの伝導領域を空乏させる。側壁の空乏により、ショットキー金属層48下の電場が減少し、逆漏れ電流を「もぎ取った(pinching off)」と考えることもできる。トレンチ構造45は障壁ポテンシャルが低く、Vfが低くても逆漏れ電流を比較的少なく保つ。
【0036】
トレンチ構造45は、ショットキー障壁領域の幅の1から2倍のトレンチ46を有するのが望ましい。したがって、障壁領域が0.7から1ミクロンである場合、トレンチ幅は0.7から2ミクロンの範囲でよい。
【0037】
上記のダイオード10および40は、周知の技法を用いて製造される。そのn+ GaN層およびn− GaN層を、限定はしないが有機金属気相成長法(MOCVD)を含む周知の蒸着技法によって基板上に蒸着させる。ダイオード10については、化学反応性イオンエッチング(RIE)やイオンミルによるエッチングなどの周知のエッチング技法により、n− GaN層13をn+ GaN層12までエッチングする。標準蒸着技法により、ショットキー金属層16ならびにオーム金属層14aおよび14bをダイオード10上に形成する。
【0038】
ダイオード40については、n+層42およびn−層44が基板上に蒸着した後、化学的またはイオンミルによるエッチングによってn− GaN層44をエッチングし、トレンチ46を形成する。さらにn− GaN層44を、オーム特性の金属43aおよび43bのためにn+ GaN層42までエッチングする。次いで、トレンチ構造45全体の上にSiN絶縁層47を蒸着させ、メサ49からSiN層をエッチング除去する。最終ステップとして、標準蒸着技法により、連続するショットキー金属層48をトレンチ構造45上に形成し、絶縁層47および露出したトレンチメサ49を覆う。標準蒸着技法により、n+ GaN層42上にもオーム特性の金属を形成する。トレンチが金属で覆われるトレンチダイオードの実施形態では、金属を標準蒸着技法で蒸着させることもできる。
【0039】
(トンネルダイオード)
図5に、順バイアスの下で障壁領域を通る電子トンネル効果の結果としてVfが低くなる新しいダイオードの別の実施形態50を示す。障壁をトンネリングすることにより、電子は、障壁を超える従来の熱電子放出によって障壁を横切る必要がない。
【0040】
図1および4の実施形態と同様に、新しいトンネルダイオード50はIII族窒化物ベース系材料から形成され、GaN、AlGaN、またはInGaNで形成されるのが望ましいが他の材料も機能する。ポーラオンポーラ(polar on polar)材料やポーラオンノンポーラ(polar on non−polar)材料を含む、極性材料と非極性材料の組合せを使用することができる。こうした材料の例には、チタン酸ストロンチウム、ニオブ酸リチウム、チタン酸鉛ジルコニウム(lead zirconium titanate)などの複合極性酸化物(complex polar oxide)や、酸化亜鉛などの非複合/二元酸化物(non−complex/binary oxide)が含まれる。材料は、トンネル電流が可能である限りシリコン上、または任意のシリコン/誘電体スタック上で使用することができる。
【0041】
ダイオード50は、サファイア、炭化ケイ素(SiC)、またはシリコンSiのいずれかからなる基板51を有するが、上記で略述した理由により、SiCが好ましい基板材料である。基板は、その上にn+ GaN層52を有し、基板51と反対側のn+ GaN層52上にn− GaN層53を有する。n+ GaN型板層52の反対側のn− GaN層上にAlGaN障壁層54が含まれる。ダイオード50の縁部で、障壁層54およびn− GaN層53がn+ GaN層52までエッチングされ、金属オーミックコンタクト55aおよび55bが、エッチング済み領域内の層52上に含まれる。上記の構造と同じく、オーミックコンタクトを基板の表面上に含めることもできる。金属接触層56が、n− GaN層53と反対側のAlGaN障壁層54上に配される。整流すべき信号は、オーミックコンタクト55aおよび55bと、上部金属コンタクト56の両端間に印加される。
【0042】
AlGaN障壁層54はトンネル障壁として働く。障壁を横切るトンネル効果は量子力学的現象であり、順方向トンネル効果確率を最大にするように層54の厚さとAlモル分率を共に変化させることができる。AlGaN−GaN系材料は、圧電性の応力のかかった状態で埋め込まれており、それにより圧電双極子が得られる。一般に、圧電性の応力と誘導電荷はどちらも、障壁層の厚さと共に大きくなる。順バイアスでは、圧電電荷による電子はトンネル効果を高める。その電子が伝導のために利用可能であり、その結果トンネル効果が生じる可能性のある状態数が増加するからである。したがって、この新しいトンネルダイオードを、この種の圧電電荷を示す他の極性材料で作成することができる。
【0043】
しかし、逆バイアス状態の下では、圧電電荷は逆漏れ電流も増加させる。障壁層が厚く、またはAlモル分率が高いほど、Vfが低くなるが、Irevも増大する。したがって、特定の障壁層のAlモル分率に対して、Vfが低く、Irevが比較的小さい動作特性を達成するのに最適な障壁層の厚さが存在する。
【0044】
図6〜11に、Alが30%の3つの異なる厚さのAlGaN障壁層についての、この新しいダイオードの整流特性を示す。各々の厚さについて、バンドエネルギーのグラフおよび対応する電圧と電流の関係のグラフがある。
【0045】
図6に、厚さ22Åの障壁層54を有するトンネルダイオード50についてのバンドグラフ60を示す。この図は、障壁層63とn− GaN半導体層62との間の接合での典型的な障壁ポテンシャル61を示す。上部接触金属64が、半導体層の反対側の障壁層63上にある。図7に、図6のダイオードの対応する電流特性と電圧特性の関係をプロットしたグラフ70を示す。このグラフは、約0.1VのVf71と低い逆電流(Irev)72を有する。
【0046】
図8に、厚さ30Åの障壁層を有する同じトンネルダイオードについてのバンドグラフ80を示す。障壁層の厚さの増加により、障壁領域の圧電電荷が増加し、それによって障壁を横切るトンネル効果が高まる。これにより、障壁層82とn− GaN層83との間の接合での障壁ポテンシャル81が平坦になる。順バイアスが印加されたときに電荷は障壁を乗り越える必要はなく、ダイオードのVfが著しく低下する。しかし、平坦となった障壁により逆漏れ電流(Irev)も増大する。図9は、図7のVfよりも低いVf91を示すグラフ90である。さらに、Irev92は図7のIrevと比較して増大する。
【0047】
図10に、厚さ38Åの障壁層を有する同じトンネルダイオードについてのバンドグラフ100を示す。この場合も、障壁層の厚さの増加により圧電電荷が増加する。この厚さでは、障壁層102とn− GaN層との間の障壁ポテンシャル101は、障壁層とn− GaN層との間の接合付近で低くなり、それによって順バイアスと逆バイアスのどちらでも電荷に対して障壁が存在しなくなる。図11に、対応する電流特性と電圧特性の間の関係のグラフ110を示す。ダイオード100は、順バイアスおよび逆バイアスに応答して即時順/逆電流を受け、それによってダイオードはオーミック特性となる。
【0048】
障壁層中のアルミニウムのモル濃度が異なる場合、図6から11に示した特性を達成するための層の厚さは異なることになる。
【0049】
図12に、逆電流を低減するためのトレンチ構造121を有する新しいトンネルダイオード120を示す。上記のショットキーダイオード40と同様に、このトレンチ構造は、いくつかの平行な等間隔のトレンチ122を含むが、このダイオードでは、それらがAlGaN障壁層123およびn− GaN層124を貫いてn+ GaN層125(AP GaN型板)までエッチングされる。隣接するトレンチ122間にはメサ領域126がある。トレンチの側壁および底面は、絶縁層127と、トレンチ構造121全体を覆う上部ショトキー金属層128とを有する。トレンチ構造は、上記の実施形態と同様に機能し、逆電流が低減する。これは、順方向電圧に応答して即時順電流となる厚さの障壁層を有するトンネルダイオードにとって有用である。トレンチ構造を使用することにより、ダイオードは、逆電流漏れを改善することもできる。やはり上記と同様に、ショットキー金属層128から絶縁されている限り、トレンチ側壁および底面を金属で覆うことができる。
【0050】
本発明の一定の好ましい構成を参照しながら本発明をかなり詳細に説明したが、他の形態も可能である。したがって、添付のクレームの精神および範囲を、本明細書で説明した好ましい形態に限定すべきではない。
【図面の簡単な説明】
【0051】
【図1】本発明のGaNショットキーダイオード実施形態の断面図である。
【図2】一般的な金属の仕事関数と、その原子番号の間の関係を示す図である。
【図3】図1に示すダイオードのバンドグラフである。
【図4】逆電流漏れを低減するトレンチ構造を有する、図1のGaNショットキーダイオードの別の実施形態の断面図である。
【図5】本発明のトンネルダイオード実施形態の断面図である。
【図6】厚さ22ÅおよびAlモル分率30%の障壁層を有する図5のトンネルダイオードのバンドグラフである。
【図7】図6のバンドグラフを有する新しいトンネルダイオードの電圧/電流特性を示す図である。
【図8】厚さ30ÅおよびAlモル分率30%の障壁層を有する図5のトンネルダイオードのバンドグラフである。
【図9】図8のバンドグラフを有する新しいトンネルダイオードの電圧/電流特性を示す図である。
【図10】厚さ38ÅおよびAlモル分率30%の障壁層を有する図5のトンネルダイオードのバンドグラフである。
【図11】図10のバンドグラフを有する新しいトンネルダイオードの電圧/電流特性を示す図である。
【図12】逆電流漏れを低減するトレンチ構造を有する本発明のトンネルダイオード実施形態の断面図である。
Claims (50)
- n+GaN層(42)と、
前記n+GaN層(42)上のn−GaN層(44)と、
仕事関数を有する前記n−GaN層(44)上のショットキー金属層(48)であって、前記n−GaN層(44)は前記ショットキー金属(48)と共に接合を形成し、前記接合は、障壁ポテンシャルのエネルギー準位(33)を有するショットキー金属層(48)と、
前記n−GaN層(44)の表面上のトレンチ構造(45)であって、前記ダイオードは逆バイアス下で逆漏れ電流を受け、逆漏れ電流の量を低減するトレンチ構造(45)と
を備えたことを特徴とするIII族窒化物ベースのダイオード。 - 前記障壁ポテンシャル(33)は、前記ショットキー金属の仕事関数に依存することを特徴とする請求項1に記載のダイオード。
- 前記n−GaN層(44)は電子親和力を有し、前記障壁ポテンシャル(33)は前記ショットキー金属仕事関数から前記電子親和力を引いた差にほぼ等しいことを特徴とする請求項1に記載のダイオード。
- 前記n−GaN層(44)と反対側の、前記n+GaN層(42)に隣接する基板(41)をさらに有することを特徴とする請求項1に記載のダイオード。
- 前記基板(41)は、サファイア(Al2O3)、炭化ケイ素(SiC)、またはシリコン(Si)であることを特徴とする請求項4に記載のダイオード。
- 前記ショットキー金属層(48)は、Ti、Cr、Nb、Sn、W、およびTaを含む金属グループのうちの1つであることを特徴とする請求項1に記載のダイオード。
- 前記n+GaN層(42)は、少なくとも1立方センチメートル(cm3)当たり1018個の濃度まで不純物を添加されることを特徴とする請求項1に記載のダイオード。
- 前記n−GaN層(44)は、1cm3当たり5×1014から5×1017個の濃度まで不純物を添加されることを特徴とする請求項1に記載のダイオード。
- 前記トレンチ構造(45)は、隣接するトレンチ(46)間にメサ領域(49)を有する複数のトレンチ(46)を含み、前記トレンチ(46)は、絶縁材料(47)で被覆された側壁(46a)および底面(46b)を有し、前記ショットキー金属層(48)は、前記トレンチ(46)およびメサ領域(49)を覆い、前記絶縁材料(47)は、前記ショットキー金属層(48)と前記側壁(46a)および底面(46b)との間に挟まれることを特徴とする請求項1に記載のダイオード。
- 前記複数のトレンチ(46)は、平行かつ等間隔に配置されることを特徴とする請求項9に記載のダイオード。
- 前記絶縁材料(47)はSiNであることを特徴とする請求項9に記載のダイオード。
- 前記絶縁材料(47)は、高い仕事関数を有する金属で置き換えられることを特徴とする請求項9に記載のダイオード。
- 前記n+GaN層(12)上のオーミックコンタクト(43a、43b)をさらに備え、前記オーミックコンタクト(43a、43b)と前記ショットキー金属層(48)の両端間に信号が印加されることを特徴とする請求項1に記載のダイオード。
- 高濃度に不純物を添加された窒化ガリウム半導体材料(42)の層と、
前記高濃度に不純物を添加された半導体材料(42)に隣接する、ピン止めを緩められた表面ポテンシャルを有する、より低濃度に不純物を添加された窒化ガリウム半導体材料(44)の層と、
前記より低濃度に不純物を添加された半導体材料(42)上のショットキー金属層(48)であって、前記より低濃度に不純物を添加された半導体材料(42)は、ショットキー金属(48)の種類に依存する障壁ポテンシャルエネルギー(33)準位を有するショットキー金属(48)と共に接合を形成し、前記障壁ポテンシャルは、前記ダイオードが低順電圧ダイオードとして動作可能な大きさであり、前記ダイオードは逆バイアス下で逆漏れ電流を受けるショットキー金属層(48)と、
前記逆漏れ電流の量を低減する手段と
を備えたことを特徴とするダイオード。 - 前記高濃度に不純物を添加された窒化ガリウム半導体材料の層(42)およびより低濃度に不純物を添加された窒化ガリウム半導体材料の層(44)は、ドープトn型であることを特徴とする請求項14に記載のダイオード。
- 前記高濃度に不純物を添加された窒化ガリウム半導体材料の層(42)およびより低濃度に不純物を添加された窒化ガリウム半導体材料の層(44)中の前記半導体材料は、III族窒化物であることを特徴とする請求項14に記載のダイオード。
- 前記高濃度に不純物を添加された半導体(42)はn+GaN層であり、前記より低濃度に不純物を添加された半導体(44)はn−GaN層であることを特徴とする請求項14に記載のダイオード。
- 前記ショットキー金属層(48)は仕事関数を有し、前記障壁ポテンシャル(33)は前記ショットキー金属(48)の前記仕事関数に依存して変動するエネルギー準位を有することを特徴とする請求項14に記載のダイオード。
- 前記より低濃度に不純物を添加された層(44)と反対側に配された、前記高濃度に不純物を添加された層(42)に隣接する基板(41)をさらに備えたことを特徴とする請求項14に記載のダイオード。
- 前記基板(41)は、サファイア(Al2O3)、炭化ケイ素(SiC)、またはシリコン(Si)であることを特徴とする請求項19に記載のダイオード。
- 前記ショットキー金属(48)は、Ti、Cr、Nb、Sn、W、およびTaを含む金属のグループのうちの1つであることを特徴とする請求項14に記載のダイオード。
- 前記n+GaN層(42)は、少なくとも1立方センチメートル(cm3)当たり1018個の濃度まで不純物を添加されることを特徴とする請求項17に記載のダイオード。
- 前記n−GaN層(44)が、1cm3当たり5×1014から5×1017個の範囲の濃度まで不純物を添加されることを特徴とする請求項17に記載のダイオード。
- 前記逆漏れ電流の量を低減する手段は、前記より低濃度に不純物を添加された半導体材料(44)の表面上にトレンチ構造(45)を有し、前記ダイオードは、逆バイアス下で逆漏れ電流を受け、前記トレンチ構造(45)は逆漏れ電流の量を低減することを特徴とする請求項14に記載のダイオード。
- 前記トレンチ構造(45)は、隣接するトレンチ(46)間にメサ領域(49)を有する複数のトレンチ(46)を有し、前記トレンチ(46)はそれぞれ、絶縁材料(47)で被覆された側壁(46a)および底面(46b)を有し、前記ショットキー金属層(48)は、前記トレンチ(46)およびメサ領域(49)を覆い、前記絶縁材料(47)は、前記ショットキー金属層(48)と前記側壁(46a)および底面(46b)との間に挟まれることを特徴とする請求項24に記載のダイオード。
- 前記絶縁材料(47)は、高い仕事関数を有する金属で置き換えられることを特徴とする請求項25に記載のダイオード。
- 前記より高密度に不純物を添加された半導体材料上のオーミックコンタクト(43a、43b)をさらに備えたことを特徴とする請求項14に記載のダイオード。
- n+に不純物を添加された層(52)と、
前記n+に不純物を添加された層(52)に隣接するn−に不純物を添加された層(53)と、
前記n+に不純物を添加された層(52)と反対側の、前記n−に不純物を添加された層(53)に隣接する障壁層(54)と、
前記n−に不純物を添加された層(53)の反対側の、前記障壁層(54)上の金属層(56)であって、前記n−に不純物を添加された層(53)は、前記障壁層(54)と共に障壁ポテンシャル(81)を有する接合を形成し、前記障壁ポテンシャル(81)により、順バイアス下で前記障壁ポテンシャル(81)を通過する電子トンネル効果の結果としてダイオードのオン状態電圧が低くなる金属層(56)と
を備えたことを特徴とするトンネルダイオード。 - 前記障壁層(54)は、電子トンネル効果を高めることによって前記ダイオードのオン状態電圧を低下させる圧電双極子を有することを特徴とする請求項28に記載のダイオード。
- 前記圧電双極子の数は、前記障壁層の厚さが増大するにつれて増加し、一方なおトンネル効果電流が可能であることを特徴とする請求項28に記載のダイオード。
- 前記n−に不純物を添加された層(53)と反対側の、前記n+に不純物を添加された層(52)に隣接する基板(51)をさらに備え、前記基板(51)は、サファイア、炭化ケイ素、またはシリコンを含むことを特徴とする請求項28に記載のダイオード。
- 前記n+に不純物を添加された層(52)、n−に不純物を添加された層(53)、および障壁層(54)は、極性材料を含むことを特徴とする請求項28に記載のダイオード。
- 前記n+に不純物を添加された層(52)、n−に不純物を添加された層(53)、および障壁層(54)が、III族窒化物系材料から形成されることを特徴とする請求項28に記載のダイオード。
- 前記n+に不純物を添加された層(52)はGaNであり、前記n−に不純物を添加された層(53)はGaNであり、前記障壁層(54)はAlGaNであることを特徴とする請求項28に記載のダイオード。
- 前記n+に不純物を添加された層(52)、n−に不純物を添加された層(53)、および障壁層(54)は、極性材料または非極性材料、あるいはそれらの組合せから形成されることを特徴とする請求項28に記載のダイオード。
- 前記n+に不純物を添加された層(52)、n−に不純物を添加された層(53)、障壁層(54)は、チタン酸ストロンチウム、ニオブ酸リチウム、チタン酸鉛ジルコニウム、またはそれらの組合せなどの複合極性酸化物から形成されることを特徴とする請求項28に記載のダイオード。
- 前記n+に不純物を添加された層(52)、n−に不純物を添加された層(53)、および障壁層(54)は、酸化亜鉛などの二元極性酸化物から形成されることを特徴とする請求項28に記載のダイオード。
- 前記障壁およびn−に不純物を添加された層(123、124)内にトレンチ(121)構造をさらに備え、逆バイアス下で逆漏れ電流を受け、前記トレンチ構造(121)は、前記逆漏れ電流の量を低減することを特徴とする請求項28に記載のダイオード。
- 前記トレンチ構造(121)は、隣接するトレンチ(122)間にメサ領域(126)を有する複数のトレンチ(122)を前記障壁および前記n−に不純物を添加された層(123、124)内に有し、前記トレンチ(122)はそれぞれ、絶縁材料(127)で被覆された側壁および底面を有し、前記金属層(128)は、前記トレンチ(122)およびメサ領域(126)を覆い、前記絶縁材料(127)は、前記金属層(128)と前記側壁および底面との間に挟まれることを特徴とする請求項28に記載のダイオード。
- 前記絶縁材料(127)は、高い仕事関数を有する金属で置き換えられることを特徴とする請求項39に記載のダイオード。
- 前記n+に不純物を添加された層上にオーミックコンタクト(55a、55b)をさらに有することを特徴とする請求項28に記載のダイオード。
- ピン止めを緩める表面ポテンシャルを有する半導体材料(42、44)と、
仕事関数を有し、前記半導体材料(44)と共に、仕事関数に依存する高さを持つ障壁ポテンシャル(33)を有する接合を形成するショットキー金属(48)と
を備えたことを特徴とするショットキーダイオード。 - 前記半導体材料(42、44)は、III族窒化物ベースであることを特徴とする請求項42に記載のダイオード。
- 前記半導体材料(42、44)は、隣接するn−GaN層(44)およびn+GaN層(42)を含むことを特徴とする請求項42に記載のダイオード。
- 前記n+GaN層(42)上のオーミックコンタクト(43a、43b)をさらに備え、前記ショットキー金属(48)は前記n−GaN層(44)と接触することを特徴とする請求項44に記載のダイオード。
- 前記障壁ポテンシャル(33)の高さは、前記ショットキー金属(48)の仕事関数と共に正に変動することを特徴とする請求項42に記載のダイオード。
- 前記n−GaN層と反対側の、前記n+GaN層に隣接するサファイア(Al2O3)、炭化ケイ素(SiC)、またはシリコン(Si)製の基板(41)をさらに備えたことを特徴とする請求項44に記載のダイオード。
- 前記ショットキー金属(48)は、Ti、Cr、Nb、Sn、W、Ta、Ge、および類似の仕事関数を有するその他の金属を含む金属のグループのうちの1つであることを特徴とする請求項42に記載のダイオード。
- 前記半導体材料(42、44)内にトレンチ構造(45)をさらに含み、逆バイアス下で逆漏れ電流を受け、前記トレンチ構造(45)は、前記逆漏れ電流を低減することを特徴とする請求項42に記載のダイオード。
- 前記トレンチ構造(45)は、隣接するトレンチ(46)間にメサ領域(49)を有する複数のトレンチ(46)を有し、前記トレンチ(46)は、絶縁材料(47)で被覆された側壁(46a)および底面(46b)を有し、前記ショットキー金属層(48)は、前記トレンチ(46)およびメサ領域(49)を覆い、前記絶縁材料(47)は、前記ショットキー金属層(48)と前記側壁(46a)および底面(46b)との間に挟まれることを特徴とする請求項42に記載のダイオード。
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