JP4022783B2 - 酸化物電子装置 - Google Patents
酸化物電子装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4022783B2 JP4022783B2 JP09781696A JP9781696A JP4022783B2 JP 4022783 B2 JP4022783 B2 JP 4022783B2 JP 09781696 A JP09781696 A JP 09781696A JP 9781696 A JP9781696 A JP 9781696A JP 4022783 B2 JP4022783 B2 JP 4022783B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide semiconductor
- oxide
- intermediate layer
- layer
- impurity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 70
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 48
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 37
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 8
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 7
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、動作電圧を低減させることを可能にした酸化物ダイオードや誘電体ベース・トランジスタなどの酸化物電子装置に関する。
【0002】
現在、酸化物超伝導体をはじめ、様々な機能性酸化物を用いたエレクトロニクスが展開されようとしている。
【0003】
この分野は、今までは、エレクトロニクスの中心的存在であるSiでは実現困難な種々なエレクトロニクス分野を開拓できる可能性があるので、その中心的存在となるべく、様々な素子が提案されている。
【0004】
そのような素子として、酸化物ダイオードや誘電体ベース・トランジスタが挙げられているのであるが、実用化する為には、更に性能を向上させなければならず、本発明は、それに応える手段の一つを提供している。
【0005】
【従来の技術】
図8は従来の技術を解説する為の酸化物ダイオードを表す要部説明図である。
【0006】
図に於いて、(A)は要部切断側面、(B)はエネルギ・バンド・ダイヤグラム、1は酸化物半導体、2は中間層、3は陰極側電極、4は陽極側電極をそれぞれ示している。
【0007】
エネルギ・バンド・ダイヤグラム(B)から明らかなように、酸化物半導体1に於ける中間層2との界面近傍には空乏層が生成され、その空乏層に起因するバリヤ高さが酸化物ダイオードの動作電圧を決定している。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
前記した酸化物半導体1と中間層2との界面に生成される空乏層に起因するバリヤの高さは、酸化物半導体1と中間層2との電子親和力に依って決まり、従って、酸化物ダイオードの動作電圧は中間層2に依存していると考えて良い。
【0009】
このようなバリヤ高さの影響で、酸化物ダイオードの動作電圧を2〔V〕以下とし、大きな電流を得ることは困難である。尚、ここで説明した酸化物ダイオードに関する問題は、誘電体ベース・トランジスタにおいても、全く同様に発生する問題である。
【0010】
本発明では、極めて簡単な手段に依って、酸化物半導体と中間層との電子親和力、即ち、接触面に於ける空乏層に起因するバリヤ高さに依っては動作電圧が決定されない構造を実現し、動作電圧の低減を図ろうとする。
【0011】
【課題を解決するための手段】
図1は本発明の原理を解説する為の酸化物ダイオードを表す要部説明図であって、図8に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【0012】
図に於いて、(A)は要部切断側面、(B)はエネルギ・バンド・ダイヤグラム、5はデルタ・ドーピング法に依って形成された不純物層を示しいる。
【0013】
図から判るように、本発明では、酸化物半導体1と中間層2との界面に於ける酸化物半導体1側にデルタ・ドーピング法に依って不純物層5を形成する点が従来の技術と相違している。
【0014】
このようにすると、エネルギ・バンド・ダイヤグラム(B)から明らかなように、界面に於ける空乏層に起因するバリヤ高さは変わりないのであるが、酸化物ダイオードの動作電圧を決定する空乏層は酸化物半導体1の内部に在って、デルタ・ドーピング法に依って形成された不純物層5の影響で、そのバリヤ高さは低減されている。
【0015】
前記酸化物ダイオードに於いて、酸化物半導体1と中間層2との界面に於ける空乏層に起因するバリヤ高さが高くても、その空乏層は極めて薄いので、キャリヤは全てトンネリングしてしまうので問題は起こらない。
【0016】
前記したところから、本発明に依る酸化物電子装置に於いては、
(1)
一対の電極(例えば電極3及び電極4)と該電極の一方(例えば電極3)にコンタクトするように中間層(例えば中間層2)が積層形成され、該電極の他方(例えば電極4)と該中間層の間に形成された酸化物半導体(例えば酸化物半導体1)と、該酸化物半導体及び該中間層の積層界面側の酸化物半導体にデルタ・ドーピング法で形成された不純物層(例えば不純物層5)とを備え、前記中間層のバリア高さが前記酸化物半導体に比較して低く、且つ、前記不純物層のバリア高さが前記酸化物半導体に比較して低いことを特徴とするか、或いは、
(2)
一方の側にデルタ・ドーピング法で形成された不純物層(例えば不純物層15)をもつ酸化物半導体(例えば酸化物半導体11)と、該酸化物半導体に於ける該一方の表面に形成された中間層(例えば中間層12)と、該中間層表面及び該酸化物半導体に於ける他方の表面にそれぞれ形成された一対の電極(例えば電極13及び14)とを備えてなることを特徴とするか、或いは、
(3)
表裏両面にデルタ・ドーピング法で形成された不純物層(例えば不純物層46A及び46B)をもつ酸化物半導体(例えば酸化物半導体41)と、該酸化物半導体に於ける該表裏両面に形成された中間層(例えば中間層42A及び42B)と、該中間層表面にそれぞれ形成されたエミッタ電極並びにコレクタ電極(例えばエミッタ電極43及びコレクタ電極44)と、該酸化物半導体にコンタクトし、該表裏両面以外に設けたベース電極(例えばベース電極45)とを備えてなることを特徴とするか、或いは、
(4)
前記(1)乃至(3)の何れか1に於いて、前記不純物層の厚さが、25Å〜50Åであることを特徴とするか、或いは、
(5)
一対の電極と該電極の一方にコンタクトするように中間層が積層形成され、該電極の他方と該中間層の間に形成された酸化物半導体と、該酸化物半導体及び該中間層の積層界面側の酸化物半導体にデルタ・ドーピング法で形成された不純物層と、該不純物層のバリア高さが該中間層よりも低いことを特徴とする。
【0019】
前記手段を採ることに依り、動作電圧を低減した酸化物ダイオードや誘電体ベース・トランジスタなどの酸化物電子装置を実現することができ、機能性酸化物エレクトロニクス分野、或いは、酸化物超伝導エレクトロニクス分野を開拓する為の優れた基本素子を得ることができる。
【0020】
【発明の実施の形態】
図2は本発明に於ける実施の形態例を説明する為の酸化物ダイオードを表す要部切断側面図である。
【0021】
図に於いて、11は酸化物半導体、12は中間層、13は陰極側電極、14は陽極側電極、15並びに16はデルタ・ドーピング法に依って形成された不純物層、11Aは中間層12と不純物層15或いは16との間に在る酸化物半導体層をそれぞれ示している。
【0022】
前記各部分について、主要なデータを例示すると次の通りである。
【0023】
(A)の場合
○ 酸化物半導体11
材料:NbドープSrTiO3
Nb含有量:0.05〔重量%〕
【0024】
○ 酸化物半導体層11A
材料:SrTiO3
厚さ:50〔Å〕
【0025】
○ 中間層12
材料:SnO2
厚さ:50〔Å〕
【0026】
○ 陰極側電極13及び陽極側電極14
材料:Au
【0027】
○ 不純物層15
材料:Laを拡散して得られる(La,Sr)TiO3
厚さ:25〔Å〕
【0028】
(B)の場合
不純物層16の他は全て(A)と同じ
【0029】
○ 不純物層16
材料:LaTiO3 を拡散して得られる(La,Sr)TiO3
厚さ:25〔Å〕
【0030】
一般に、酸化物は伝導帯に於けるポテンシャルが高く、ダイオードを構成しても、動作電圧が高い旨の欠点がある。然しながら、図2に於ける(A)について説明した酸化物ダイオードは、動作電圧が低く、電流密度を高めることが可能であり、又、Laの活性率やドーピング量を制御することで動作電圧も制御することができる。
【0031】
また、図2に於ける(B)について説明した酸化物ダイオードの利点は、デルタ・ドーピングにLaTiO3 を用いているので、酸化物半導体であるSrTiO3 とは結晶整合が良好であって、SrTiO3 の再成長は容易である。尚、不純物層16の厚さは25〔Å〕〜50〔Å〕の範囲で選択して良い。
【0032】
図3は本発明に於ける他の実施の形態例を説明する為の酸化物ダイオードを表す要部切断側面図であり、図2に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【0033】
図に於いて、21は酸化物半導体、22は中間層、23は陰極側電極、24は陽極側電極、25はデルタ・ドーピング法に依って形成された不純物層、26は陰極側電極、27は陽極側電極、21Aは中間層22と不純物層25との間に在る酸化物半導体層をそれぞれ示している。
【0034】
前記各部分について、主要なデータを例示すると次の通りである。
【0035】
(A)の場合
○ 酸化物半導体21
材料:NbドープSrTiO3
Nb含有量:0.05〔重量%〕
【0036】
○ 酸化物半導体層21A
材料:SrTiO3
厚さ:50〔Å〕
【0037】
○ 中間層22
材料:In2 O3
厚さ:50〔Å〕
【0038】
○ 陰極側電極23及び陽極側電極24
材料:ITO(indium tin oxide)
【0039】
○ 不純物層25
材料:LaTiO3 を拡散して得られる(La,Sr)TiO3
厚さ:25〔Å〕
【0040】
(B)の場合
陰極側電極26及び陽極側電極27の他は全て(A)に同じ
【0041】
○ 陰極側電極26及び陽極側電極27
材料:YBCO
【0042】
図3に於ける(A)について説明した酸化物ダイオードの利点は、中間層22の材料にIn2 O3 を用いているので、ITOなどの透明な電極やYBCO超伝導体からなる電極を用いるのに適している。
【0043】
また、図3に於ける(B)について説明した酸化物ダイオードの利点は、図2に於ける(A)について説明した酸化物ダイオードの利点と同じである。
【0044】
図4は本発明に於ける他の実施の形態例を説明する為の酸化物ダイオードを表す要部切断側面図であり、図2及び図3に於いて用いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持つものとする。
【0045】
図に於いて、31,32,33は酸化物半導体、34は中間層、35は陰極側電極、36は陽極側電極、37並びに38はデルタ・ドーピング法に依って形成された不純物層、31Aは中間層34と不純物層37との間に在る酸化物半導体層、32Aは中間層34と不純物層38との間に在る酸化物半導体層、33Aは中間層34と不純物層37との間に在る酸化物半導体層をそれぞれ示している。
【0046】
前記各部分について、主要なデータを例示すると次の通りである。
(A)の場合
○ 酸化物半導体31
材料:LaドープSrTiO3
La拡散濃度:面密度にして1×1015〜1016〔原子個〕
【0047】
○ 酸化物半導体層31A
材料:SrTiO3
厚さ:50〔Å〕
【0048】
○ 中間層34
材料:ZnO
厚さ:50〔Å〕
【0049】
○ 陰極側電極35及び陽極側電極36
材料:(ZnAl)O
【0050】
○ 不純物層37
材料:LaTiO3 を拡散して得られる(La,Sr)TiO3
厚さ:25〔Å〕
【0051】
(B)の場合
酸化物半導体32、酸化物半導体層32A、不純物層38の他は全て(A)に同じ
【0052】
○ 酸化物半導体32
材料:NbドープSrTiO3
Nb含有量:0.05〔重量%〕
【0053】
○ 酸化物半導体層32A
材料:NbドープSrTiO3
Nb含有量:0.05〔重量%〕
【0054】
○不純物拡散層38
材料:LaTiO3 を拡散して得られる(La,Sr)TiO3
厚さ:50〔Å〕
【0055】
(C)の場合
酸化物半導体33、酸化物半導体層33Aの他は全て(A)或いは(B)に同じ
【0056】
○ 酸化物半導体33
材料:Nbドープ(Ba,Sr)TiO3
Nb含有量:0.05〔重量%〕
【0057】
○ 酸化物半導体層33A
材料:LaTiO3 を拡散して得られる(La,Sr)TiO3
厚さ:25〔Å〕
【0058】
図4に於ける(A)について説明した酸化物ダイオードの利点は、酸化物半導体31の材料にLaをドーピングしたSrTiO3 を用いたことであり、Laは高いキャリヤ生成効率をもつことが知られている。
【0059】
図4に於ける(B)について説明した酸化物ダイオードの利点は、酸化物半導体32の材料にNbをドーピングしたSrTiO3 を用いたことであり、その理由は単結晶を入手し易いことにある。
【0060】
図4に於ける(C)について説明した酸化物ダイオードの利点は、酸化物半導体33の母体材料に(Ba,Sr)TiO3 を用いたことである。一般に、ダイオード特性、即ち、整流性を向上するには、酸化物半導体材料の誘電率が大きいことは重要な因子になっていて、単純なSrTiO3 を用いる場合に比較して、(Ba,Sr)TiO3 は室温で高い誘電率をもっているので、ダイオード特性を向上することができる。
【0061】
前記説明した各実施の形態は、何れも酸化物ダイオードの改善に関するものであるが、ダイオードが実現できれば、当然、トランジスタも実現することができるものであり、次に、誘電体ベース・トランジスタについて説明する。
【0062】
図5は本発明に於ける他の実施の形態例を説明する為の誘電体ベース・トランジスタを表す要部説明図である。
【0063】
図に於いて、(A)は要部切断側面、(B)はエネルギ・バンド・ダイヤグラム、41は誘電体ベース層、41A及び41Bは誘電体層、42A及び42Bは中間層、43はエミッタ電極、44はコレクタ電極、45はベース電極、46A及び46Bはデルタ・ドーピング法に依って形成された不純物層をそれぞれ示している。
【0064】
前記各部分について、主要なデータを例示すると次の通りである。
○ 誘電体ベース層41
材料:SrTiO3
【0065】
○ 誘電体層41A及び41B
材料:SrTiO3
厚さ:50〔Å〕
【0066】
○ 中間層42A及び42B
材料:In2 O3
厚さ:50〔Å〕
【0067】
○ エミッタ電極43及びコレクタ電極44
材料:YBCO
【0068】
○ ベース電極45
材料:YBCO
【0069】
○ 不純物層46A及び46B
材料:LaTiO3 を拡散して得られる(La,Sr)TiO3
厚さ:25〔Å〕
【0070】
この誘電体ベース・トランジスタの利点は、勿論、動作電圧を低減できることであって、(B)のエネルギ・バンド・ダイヤグラムから明らかなように、エミッタ側にもコレクタ側にも、不純物層46A或いは46Bの存在に起因するポテンシャル・バリヤの落ち込みが見られ、中間層42Aと不純物層46Aとの間、或いは、中間層42Bと不純物層46Bとの間に生成される空乏層に依るバリヤ高さは高いのであるが、実質的な動作電圧は低下することが明らかである。尚、キャリヤは、各界面に於ける高いバリヤをトンネリングで通過することは云うまでもない。
【0071】
図6は図3の(B)で説明した酸化物ダイオードに関する実験結果である電圧−電流特性を従来の酸化物ダイオードに関する実験結果である電圧−電流特性と対比して説明する為の図である。
【0072】
図に於いて、(A)は本発明の酸化物ダイオードに関するエネルギ・バンド・ダイヤグラム、(B)は従来の酸化物ダイオードに関するエネルギ・バンド・ダイヤグラム、(C)は電圧−電流特性を表す線図である。
【0073】
ここに挙げた従来の酸化物ダイオードの構造は、図8に見られるものと同様であり、具体的には、
○ 酸化物半導体1
材料:NbドープSrTiO3
Nb含有量:0.05〔重量%〕
【0074】
○ 中間層2
材料:In2 O3
厚さ:100〔Å〕
【0075】
○ 陰極側電極3及び陽極側電極6
材料:YBCO
である。
【0076】
○ 不純物層37
材料:LaTiO3 を拡散して得られる(La,Sr)TiO3
厚さ:25〔Å〕
【0077】
図6の線図(C)に於いて、横軸には電圧を、縦軸には電流をそれぞれ採ってあり、破線が本発明に依る酸化物ダイオードの特性線を、また、実線が従来の酸化物ダイオードの特性線をそれぞれ表している。
【0078】
線図(C)から明らかなように、本発明に依る酸化物ダイオードは、動作電圧が低く、また、良好な整流性をもつことが看取されよう。
【0079】
図7は図5について説明した誘電体ベース・トランジスタに関する実験結果であるコレクタ電圧−コレクタ電流特性を説明する為の線図である。
【0080】
図に於いて、横軸にはコレクタ電圧を、縦軸にはコレクタ電流をそれぞれ採ってあり、「ドーピング有り」と表示してあるものが本発明に依る誘電体ベース・トランジスタに関する測定値、「ドーピング無し」と表示してあるものが従来の技術に依る誘電体ベース・トランジスタに関する測定値をそれぞれ示している。
【0081】
この測定は、ベース電圧を2〔V〕ステップで、0〔V〕〜10〔V〕まで変化させて行ったものであり、また、測定時に於けるトランジスタの温度は4.2〔K〕であった。
【0082】
図から判るように、デルタ・ドーピングを行って不純物層を形成した本発明に依る誘電体ベース・トランジスタは、デルタ・ドーピングを行わない、即ち、不純物層がない従来の誘電体ベース・トランジスタに比較し、1桁分も少ない電圧で動作することが看取されよう。
【0083】
【発明の効果】
本発明に依る酸化物電子装置に於いては、電極とコンタクトする為の中間層が積層形成された酸化物半導体と、酸化物半導体及び中間層の積層界面側の酸化物半導体表面近傍にデルタ・ドーピング法で形成された不純物層とを備える。
【0084】
前記構成を採ることに依り、動作電圧を低減した酸化物ダイオードや誘電体ベース・トランジスタなどの酸化物電子装置を実現することができ、機能性酸化物エレクトロニクス分野、或いは、酸化物超伝導エレクトロニクス分野を開拓する為の優れた基本素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の原理を解説する為の酸化物ダイオードを表す要部説明図である。
【図2】本発明に於ける実施の形態例を説明する為の酸化物ダイオードを表す要部切断側面図である。
【図3】本発明に於ける他の実施の形態例を説明する為の酸化物ダイオードを表す要部切断側面図である。
【図4】本発明に於ける他の実施の形態例を説明する為の酸化物ダイオードを表す要部切断側面図である。
【図5】本発明に於ける他の実施の形態例を説明する為の誘電体ベース・トランジスタを表す要部説明図である。
【図6】図3の(B)で説明した酸化物ダイオードに関する実験結果である電圧−電流特性を従来の酸化物ダイオードに関する実験結果である電圧−電流特性と対比して説明する為の図である。
【図7】図5について説明した誘電体ベース・トランジスタに関する実験結果であるコレクタ電圧−コレクタ電流特性を説明する為の線図である。
【図8】従来の技術を解説する為の酸化物ダイオードを表す要部説明図である。
【符号の説明】
1 酸化物半導体
2 中間層
3 陰極側電極
4 陽極側電極
5 デルタ・ドーピング法に依って形成された不純物層
41 誘電体ベース層
41A及び41B 誘電体層
42A及び42B 中間層
43 エミッタ電極
44 コレクタ電極
45 ベース電極
46A及び46B デルタ・ドーピング法に依って形成された不純物層
Claims (5)
- 一対の電極と該電極の一方にコンタクトするように中間層が積層形成され、
該電極の他方と該中間層の間に形成された酸化物半導体と、
該酸化物半導体及び該中間層の積層界面側の酸化物半導体にデルタ・ドーピング法で形成された不純物層とを備え、
前記中間層のバリア高さが前記酸化物半導体に比較して低く、且つ、前記不純物層のバリア高さが前記酸化物半導体に比較して低いこと
を特徴とする酸化物電子装置。 - 一方の側にデルタ・ドーピング法で形成された不純物層をもつ酸化物半導体と、
該酸化物半導体に於ける該一方の表面に形成された中間層と、
該中間層表面及び該酸化物半導体に於ける他方の表面にそれぞれ形成された一対の電極と
を備えてなることを特徴とする酸化物電子装置。 - 表裏両面にデルタ・ドーピング法で形成された不純物層をもつ酸化物半導体と、
該酸化物半導体に於ける該表裏両面に形成された中間層と、
該中間層表面にそれぞれ形成されたエミッタ電極並びにコレクタ電極と、
該酸化物半導体にコンタクトし、該表裏両面以外に設けたベース電極と
を備えてなることを特徴とする酸化物電子装置。 - 前記不純物層の厚さが、25Å〜50Åであること
を特徴とする請求項1乃至請求項3の何れか1記載の酸化物電子装置。 - 一対の電極と該電極の一方にコンタクトするように中間層が積層形成され、
該電極の他方と該中間層の間に形成された酸化物半導体と、
該酸化物半導体及び該中間層の積層界面側の酸化物半導体にデルタ・ドーピング法で形成された不純物層と、
該不純物層のバリア高さが該中間層よりも低いこと
を特徴とする酸化物電子装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09781696A JP4022783B2 (ja) | 1996-04-19 | 1996-04-19 | 酸化物電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP09781696A JP4022783B2 (ja) | 1996-04-19 | 1996-04-19 | 酸化物電子装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09283773A JPH09283773A (ja) | 1997-10-31 |
JP4022783B2 true JP4022783B2 (ja) | 2007-12-19 |
Family
ID=14202277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP09781696A Expired - Fee Related JP4022783B2 (ja) | 1996-04-19 | 1996-04-19 | 酸化物電子装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4022783B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030015708A1 (en) * | 2001-07-23 | 2003-01-23 | Primit Parikh | Gallium nitride based diodes with low forward voltage and low reverse current operation |
KR100657911B1 (ko) * | 2004-11-10 | 2006-12-14 | 삼성전자주식회사 | 한 개의 저항체와 한 개의 다이오드를 지닌 비휘발성메모리 소자 |
KR101159075B1 (ko) * | 2006-06-27 | 2012-06-25 | 삼성전자주식회사 | n+ 계면층을 구비한 가변 저항 랜덤 액세스 메모리 소자 |
JP5207874B2 (ja) * | 2008-08-08 | 2013-06-12 | 親夫 木村 | 半導体装置およびその製造方法 |
KR101803264B1 (ko) | 2008-09-19 | 2017-12-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
CN101719493B (zh) | 2008-10-08 | 2014-05-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
-
1996
- 1996-04-19 JP JP09781696A patent/JP4022783B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09283773A (ja) | 1997-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0634796B1 (en) | Insulated gate bipolar transistor | |
US4912541A (en) | Monolithically integrated bidirectional lateral semiconductor device with insulated gate control in both directions and method of fabrication | |
EP0472740B1 (en) | Electron device having a current channel of dielectric material | |
JP4022783B2 (ja) | 酸化物電子装置 | |
JP3165480B2 (ja) | ターンオフサイリスタ | |
US4672413A (en) | Barrier emitter transistor | |
JPH0350425B2 (ja) | ||
JPH05347422A (ja) | 二安定ダイオード | |
EP0357321B1 (en) | Superconducting transistor | |
US5422336A (en) | Superconducting FET with Pr-Ba-Cu-O channel | |
US5894135A (en) | Superconductor device | |
EP0144217B1 (en) | Superconducting device | |
US5441926A (en) | Superconducting device structure with Pr-Ba-Cu-O barrier layer | |
JP2949519B2 (ja) | 超伝導ベーストランジスタ | |
JP3438117B2 (ja) | 誘電体ベース・トランジスタ及びその製造方法 | |
JP3359826B2 (ja) | 超伝導酸化物薄膜を用いた電子デバイス | |
JP3149685B2 (ja) | バレー電流を低減した共鳴トンネリング・ダイオード | |
JP3203799B2 (ja) | 超伝導3端子素子 | |
JPS63250879A (ja) | 超伝導素子 | |
JPH06151988A (ja) | 超電導三端子素子 | |
JP2624666B2 (ja) | 超伝導素子 | |
JPH0888414A (ja) | 誘電体ベーストランジスタ | |
JP2506872B2 (ja) | 超電導ダイオ―ド | |
JPH06244471A (ja) | 電界効果型超電導トランジスタ | |
JP2597745B2 (ja) | 超電導素子および作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060926 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061127 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070403 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070601 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070904 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070919 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101012 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101012 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101012 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101012 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111012 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111012 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121012 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121012 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131012 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |