JP3203799B2 - 超伝導３端子素子 - Google Patents
超伝導３端子素子Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、応答性に優れ、低消費
電力であり、かつ高温動作可能な超伝導トランジスタに
関する。さらに詳述すれば、超伝導３端子素子におい
て、高温動作可能な銅酸化物高温超伝導体を用い、さら
には超伝導体部分の低次元化、すなわち、当該銅酸化物
超伝導体に２次元超薄膜である１単位格子膜を用いるこ
とにより応答特性を向上させ高集積化を容易にする構成
法、および、当該超伝導３端子素子において電界効果に
よって動作特性を制御する手段に関するものである。
電力であり、かつ高温動作可能な超伝導トランジスタに
関する。さらに詳述すれば、超伝導３端子素子におい
て、高温動作可能な銅酸化物高温超伝導体を用い、さら
には超伝導体部分の低次元化、すなわち、当該銅酸化物
超伝導体に２次元超薄膜である１単位格子膜を用いるこ
とにより応答特性を向上させ高集積化を容易にする構成
法、および、当該超伝導３端子素子において電界効果に
よって動作特性を制御する手段に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、フィジカル・レビユー・レター
ズ６７巻１５号（１９９１年）第２０９９頁から第２１
０１頁（Phys. Rev. Lett. Vol.67, No.15 (1991)PP209
9-2101)に紹介されるように、従来のMOSFETに代表され
る常伝導トランジスタは、半導体にソース電極、ドレイ
ン電極、さらにはゲート電極を付加した構造をとり、ソ
ース電極とドレイン電極間の電流および電圧をゲート電
極部への電圧印加により制御を行なうことにより、論理
素子や記憶素子へと応用してきた。
ズ６７巻１５号（１９９１年）第２０９９頁から第２１
０１頁（Phys. Rev. Lett. Vol.67, No.15 (1991)PP209
9-2101)に紹介されるように、従来のMOSFETに代表され
る常伝導トランジスタは、半導体にソース電極、ドレイ
ン電極、さらにはゲート電極を付加した構造をとり、ソ
ース電極とドレイン電極間の電流および電圧をゲート電
極部への電圧印加により制御を行なうことにより、論理
素子や記憶素子へと応用してきた。
【０００３】この３端子構造において、半導体内の電流
経路の全体もしくはその一部を超伝導体に置き換えれ
ば、超伝導電流には電力損失がないという利点を生か
し、消費電力が飛躍的に少ない電界効果型超伝導トラン
ジスタを作ることができる。
経路の全体もしくはその一部を超伝導体に置き換えれ
ば、超伝導電流には電力損失がないという利点を生か
し、消費電力が飛躍的に少ない電界効果型超伝導トラン
ジスタを作ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記超伝導３端子素子
を論理素子または記憶素子として使用する場合には、ゲ
ート電極部への電圧印加による電界効果が本質的であ
る。超伝導３端子素子を、安定かつ高速に動作させるた
めには、この電界効果を増すことが重要な技術的課題と
なる。
を論理素子または記憶素子として使用する場合には、ゲ
ート電極部への電圧印加による電界効果が本質的であ
る。超伝導３端子素子を、安定かつ高速に動作させるた
めには、この電界効果を増すことが重要な技術的課題と
なる。
【０００５】しかし、超伝導体が金属である場合には、
超伝導を担うキャリアー数が単位立方センチメートル当
たり１０の２３乗個程度と多いために、いずれも電界効
果がなく超伝導素子として利用できなかった。
超伝導を担うキャリアー数が単位立方センチメートル当
たり１０の２３乗個程度と多いために、いずれも電界効
果がなく超伝導素子として利用できなかった。
【０００６】また、高温動作を目的として銅酸化物超伝
導体を用いても、膜厚が約４０オングストローム以上の
薄膜では、超伝導素子として十分に有効な電界効果が得
られていないのが現状である。
導体を用いても、膜厚が約４０オングストローム以上の
薄膜では、超伝導素子として十分に有効な電界効果が得
られていないのが現状である。
【０００７】さらには、銅酸化物超伝導体に金属などの
電極を形成するプロセスにおいては、酸素欠損のため銅
酸化物の組成が最適値からずれ、超伝導特性が著しく劣
化すること、すなわち超伝導転移温度や臨界電流密度が
低下することが問題となっている。
電極を形成するプロセスにおいては、酸素欠損のため銅
酸化物の組成が最適値からずれ、超伝導特性が著しく劣
化すること、すなわち超伝導転移温度や臨界電流密度が
低下することが問題となっている。
【０００８】本発明の第１の目的は、金属を用いた従来
型超伝導素子より高温での動作が可能であり、かつ大き
な電界効果をもつ超伝導３端子素子を与えること、第２
の目的は超伝導特性の劣化を防ぐことである。
型超伝導素子より高温での動作が可能であり、かつ大き
な電界効果をもつ超伝導３端子素子を与えること、第２
の目的は超伝導特性の劣化を防ぐことである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の第１の目的は、超
伝導体部分において、結晶単位胞にしてわずか１単位格
子分の厚さしか有しない銅酸化物超伝導体一単位格子膜
を用いることによって最も容易に達成される。さらに、
第２の目的は、当該超薄膜を銅酸化物系と結晶格子整合
性の良い酸化物半導体膜で上下からサンドイッチした３
層の積層構造を与えることによって達成される。
伝導体部分において、結晶単位胞にしてわずか１単位格
子分の厚さしか有しない銅酸化物超伝導体一単位格子膜
を用いることによって最も容易に達成される。さらに、
第２の目的は、当該超薄膜を銅酸化物系と結晶格子整合
性の良い酸化物半導体膜で上下からサンドイッチした３
層の積層構造を与えることによって達成される。
【００１０】当該１単位格子膜としては、例えば、Y-Ba
-Cu-Oなる組成をもつイットリウム系超伝導体、Bi-Sr-C
a-Cu-Oなる組成をもつビスマス系超伝導体、もしくは、
Tl-Ba-Ca-Cu-Oなる組成をもつタリウム系超伝導体を用
いることができる。また、酸化物半導体膜としては、例
えば、Pr-Ba-Cu-Oを用いることができる。
-Cu-Oなる組成をもつイットリウム系超伝導体、Bi-Sr-C
a-Cu-Oなる組成をもつビスマス系超伝導体、もしくは、
Tl-Ba-Ca-Cu-Oなる組成をもつタリウム系超伝導体を用
いることができる。また、酸化物半導体膜としては、例
えば、Pr-Ba-Cu-Oを用いることができる。
【００１１】
【作用】本発明で開示する超伝導３端子素子の構成原理
を図１を用いて説明する。酸化物半導体薄膜１上に銅酸
化物超伝導体１単位格子膜２を積層し、さらにこの上面
に酸化物半導体薄膜３を積層した３層構造を形成する。
このとき、銅酸化物超伝導体部２は上下の酸化物半導体
で挟まれ外部に露出せず酸素欠損を避けることができ
る。これにより、上記第２の目的である超伝導特性の劣
化を防ぐことができる。
を図１を用いて説明する。酸化物半導体薄膜１上に銅酸
化物超伝導体１単位格子膜２を積層し、さらにこの上面
に酸化物半導体薄膜３を積層した３層構造を形成する。
このとき、銅酸化物超伝導体部２は上下の酸化物半導体
で挟まれ外部に露出せず酸素欠損を避けることができ
る。これにより、上記第２の目的である超伝導特性の劣
化を防ぐことができる。
【００１２】ただし、この３層結晶構造を安定させるた
めには、酸化物半導体１と３としては銅酸化物超伝導体
２と格子整合性が良くエピタキシャル成長する物質を選
ぶ必要がある。
めには、酸化物半導体１と３としては銅酸化物超伝導体
２と格子整合性が良くエピタキシャル成長する物質を選
ぶ必要がある。
【００１３】さらには、この３層積層構造全体が絶縁体
薄膜である基板４の上面に配置されている。
薄膜である基板４の上面に配置されている。
【００１４】ソース電極部５とドレイン電極部６は導電
体であり、酸化物半導体薄膜３上部に距離をおいて個別
に形成されている。ゲート電極部７は基盤４の下面（３
層積層構造が形成される面の反対側の面）に形成されて
いる。
体であり、酸化物半導体薄膜３上部に距離をおいて個別
に形成されている。ゲート電極部７は基盤４の下面（３
層積層構造が形成される面の反対側の面）に形成されて
いる。
【００１５】次に、本超伝導３端子素子の動作原理を説
明する。上記３端子素子を銅酸化物超伝導体２の超伝導
転移温度以下に冷却することにより、ソース電極５とド
レイン電極６の間に銅酸化物超伝導体部２を介して超伝
導電流Isdを流すことができる。ここで、ゲート電極部
７に電圧Vgを印加すると、銅酸化物超伝導体部２には大
きな電界が加わる。この場合、銅酸化物において超伝導
を担うキャリヤー（電荷をもつ）の一部が、電界による
クーロン力を受け、酸化物半導体１もしくは３と銅酸化
物超伝導体２とが接する界面近傍に引き寄せられるため
超伝導キャリヤー濃度が変化することになる。この電界
効果を利用すれば、下記理論に示すように、ゲート電圧
Vgによってソース-ドレイン電極(５-６)間の電流(Isd)-
電圧(Vsd)特性を制御することが可能となる。さらには
超伝導状態と常伝導状態間におけるスイッチング動作も
可能となる。
明する。上記３端子素子を銅酸化物超伝導体２の超伝導
転移温度以下に冷却することにより、ソース電極５とド
レイン電極６の間に銅酸化物超伝導体部２を介して超伝
導電流Isdを流すことができる。ここで、ゲート電極部
７に電圧Vgを印加すると、銅酸化物超伝導体部２には大
きな電界が加わる。この場合、銅酸化物において超伝導
を担うキャリヤー（電荷をもつ）の一部が、電界による
クーロン力を受け、酸化物半導体１もしくは３と銅酸化
物超伝導体２とが接する界面近傍に引き寄せられるため
超伝導キャリヤー濃度が変化することになる。この電界
効果を利用すれば、下記理論に示すように、ゲート電圧
Vgによってソース-ドレイン電極(５-６)間の電流(Isd)-
電圧(Vsd)特性を制御することが可能となる。さらには
超伝導状態と常伝導状態間におけるスイッチング動作も
可能となる。
【００１６】ハルペリンとネルソンが論文誌「ジャーナ
ル・オブ・ロー・テンパラチャー・フィジックス３６巻
５／６号（１９７９年）第５９９頁から第６１６頁（J.
Low. Temp.Phys., Vol.36, Nos.5/6 (1979) PP599-61
6) ）」で展開した理論に基づくと、膜厚がdであり超伝
導キャリヤー密度ns（単位体積当たりの超伝導キャリヤ
ー数）をもつ超伝導膜に対し、電気抵抗がゼロとなる温
度Tc又は超伝導特性は、超伝導キャリヤーの面密度ns'=
ns×dとキャリヤーの有効質量m*の比ns'/m*によって決
まる。同理論によると、ns'/m*が小さい程、例えば、n
s'の変化量Δns'に対するTcの変化の割合ΔTc/Δns'が
大きくなることがわかる。
ル・オブ・ロー・テンパラチャー・フィジックス３６巻
５／６号（１９７９年）第５９９頁から第６１６頁（J.
Low. Temp.Phys., Vol.36, Nos.5/6 (1979) PP599-61
6) ）」で展開した理論に基づくと、膜厚がdであり超伝
導キャリヤー密度ns（単位体積当たりの超伝導キャリヤ
ー数）をもつ超伝導膜に対し、電気抵抗がゼロとなる温
度Tc又は超伝導特性は、超伝導キャリヤーの面密度ns'=
ns×dとキャリヤーの有効質量m*の比ns'/m*によって決
まる。同理論によると、ns'/m*が小さい程、例えば、n
s'の変化量Δns'に対するTcの変化の割合ΔTc/Δns'が
大きくなることがわかる。
【００１７】この理論から、３次元超伝導体から超薄膜
である２次元超伝導体への低次元化を図ることにより、
電界効果を増すことが一般的に可能であることがいえ
る。超伝導体の膜厚dを超伝導性を失わない程度に極限
まで小さくすれば、キャリヤー変化を介した電界効果を
最大にすることが可能となる。
である２次元超伝導体への低次元化を図ることにより、
電界効果を増すことが一般的に可能であることがいえ
る。超伝導体の膜厚dを超伝導性を失わない程度に極限
まで小さくすれば、キャリヤー変化を介した電界効果を
最大にすることが可能となる。
【００１８】しかし、従来の金属超伝導体では、キャリ
ヤー濃度が大きいために、ns'/m*が大きく、上記低次元
化の利点はない。金属超伝導体においては１０オングス
トローム程度の超薄膜でさえも有効な電界効果は得られ
ない。
ヤー濃度が大きいために、ns'/m*が大きく、上記低次元
化の利点はない。金属超伝導体においては１０オングス
トローム程度の超薄膜でさえも有効な電界効果は得られ
ない。
【００１９】一方、銅酸化物超伝導体では、キャリヤー
濃度が金属に比べ１-２桁程度低く、また電子相関が強
い物質であるためにキャリヤーの有効質量m*が自由電子
質量の５-１０倍程度と大きくなっている。これら銅酸
化物特有の性質より、銅酸化物超伝導体ではns/m*が非
常に小さくなり、低次元化により電界効果が飛躍的に大
きくなることがわかる。さらには、銅酸化物超伝導体の
転移温度は金属超伝導体に比べ高温であることより、超
伝導３端子素子の高温動作に有利である。
濃度が金属に比べ１-２桁程度低く、また電子相関が強
い物質であるためにキャリヤーの有効質量m*が自由電子
質量の５-１０倍程度と大きくなっている。これら銅酸
化物特有の性質より、銅酸化物超伝導体ではns/m*が非
常に小さくなり、低次元化により電界効果が飛躍的に大
きくなることがわかる。さらには、銅酸化物超伝導体の
転移温度は金属超伝導体に比べ高温であることより、超
伝導３端子素子の高温動作に有利である。
【００２０】以上の点を考慮して、本超伝導３端子素子
に用いる超伝導体としては、銅酸化物超伝導体バルクの
結晶単位胞にしてわずか一単位格子分の厚さしか有しな
い銅酸化物一単位格子膜が最適であり、上記第１目的が
達成される。
に用いる超伝導体としては、銅酸化物超伝導体バルクの
結晶単位胞にしてわずか一単位格子分の厚さしか有しな
い銅酸化物一単位格子膜が最適であり、上記第１目的が
達成される。
【００２１】次に、本超伝導３端子素子の動作特性を図
２において説明する。
２において説明する。
【００２２】本素子を超伝導転移温度以下の低温に冷却
した場合を考える。上記の理論に基づくと、ゲート電圧
ゼロ(Vg=0)のもとで、ソース-ドレイン電極間の超伝導
電流Isdはソース-ドレイン電極間電圧Vsdの関数としてV
sdのβ乗に比例する。ここで正もしくは負のゲート電圧
を印加すると、電界効果、すなわちゲート電圧の変化に
応じた超伝導キャリヤ濃度の変化のために、ベキ法則電
流-電圧(Isd-Vsd)特性を図２のように変化させることが
できる。
した場合を考える。上記の理論に基づくと、ゲート電圧
ゼロ(Vg=0)のもとで、ソース-ドレイン電極間の超伝導
電流Isdはソース-ドレイン電極間電圧Vsdの関数としてV
sdのβ乗に比例する。ここで正もしくは負のゲート電圧
を印加すると、電界効果、すなわちゲート電圧の変化に
応じた超伝導キャリヤ濃度の変化のために、ベキ法則電
流-電圧(Isd-Vsd)特性を図２のように変化させることが
できる。
【００２３】ここで、図３（ａ）に示したように、ベキ
指数βはゲート電圧の単調増加関数となる。ただし、正
のゲ−ト電圧側には、β(Vgc)＝１／３を満たす臨界値V
gcが存在し、ゲート電圧がVgcを越えると、超伝導状態
が壊れ常伝導状態へと相転移し、電流-電圧特性は通常
のオーミック特性（β＝１）を示すようになる。ここ
で、ベキ指数が１／３から１へ鋭くジャンプすることが
相転移の特徴のひとつである。
指数βはゲート電圧の単調増加関数となる。ただし、正
のゲ−ト電圧側には、β(Vgc)＝１／３を満たす臨界値V
gcが存在し、ゲート電圧がVgcを越えると、超伝導状態
が壊れ常伝導状態へと相転移し、電流-電圧特性は通常
のオーミック特性（β＝１）を示すようになる。ここ
で、ベキ指数が１／３から１へ鋭くジャンプすることが
相転移の特徴のひとつである。
【００２４】従って、この相転移の性質がゲート電圧に
よる超伝導-常伝導間のスイッチング動作を可能として
いる。また、上記のベキ指数の値はゲート電圧のみなら
ず温度によっても変化する。図３（ｂ）に示したよう
に、温度Tに関してはβ＝１／３までは単調増加関数で
あり、ある決まった温度で値１へと鋭くジャンプする。
それ以上の温度ではβ＝１のオーミック特性を示す。
よる超伝導-常伝導間のスイッチング動作を可能として
いる。また、上記のベキ指数の値はゲート電圧のみなら
ず温度によっても変化する。図３（ｂ）に示したよう
に、温度Tに関してはβ＝１／３までは単調増加関数で
あり、ある決まった温度で値１へと鋭くジャンプする。
それ以上の温度ではβ＝１のオーミック特性を示す。
【００２５】
【実施例】まず、図１に対応する超伝導３端子素子を実
現した例を記載する。ゲート電極にはNbをドープしたSr
-Ti-O（導電体）を用いた。このゲート電極上に、膜厚
１０００オングストロームの絶縁体基板Sr-Ti-Oを結晶
方位（１００）方向にエピタキシャル成長させた。さら
に、この基板上に酸化物半導体Pr-Ba-Cu-Oの３単位格子
膜（膜厚３６オングストローム）、銅酸化物超伝導体Y-
Ba-Cu-Oの１単位格子膜（膜厚１２オングストロー
ム）、そしてPr-Ba-Cu-Oの３単位格子膜を、順次エピタ
キシャル成長させることによって作製した。Pr-Ba-Cu-O
とY-Ba-Cu-Oの結晶のc軸は、いずれも基板面に垂直であ
る。表面にあるPr-Ba-Cu-O層の上部には、ソース電極と
ドレイン電極として、２個のAuパッドを蒸着した。各パ
ッドは1mm角であり、パッド間の間隔は2mmである。
現した例を記載する。ゲート電極にはNbをドープしたSr
-Ti-O（導電体）を用いた。このゲート電極上に、膜厚
１０００オングストロームの絶縁体基板Sr-Ti-Oを結晶
方位（１００）方向にエピタキシャル成長させた。さら
に、この基板上に酸化物半導体Pr-Ba-Cu-Oの３単位格子
膜（膜厚３６オングストローム）、銅酸化物超伝導体Y-
Ba-Cu-Oの１単位格子膜（膜厚１２オングストロー
ム）、そしてPr-Ba-Cu-Oの３単位格子膜を、順次エピタ
キシャル成長させることによって作製した。Pr-Ba-Cu-O
とY-Ba-Cu-Oの結晶のc軸は、いずれも基板面に垂直であ
る。表面にあるPr-Ba-Cu-O層の上部には、ソース電極と
ドレイン電極として、２個のAuパッドを蒸着した。各パ
ッドは1mm角であり、パッド間の間隔は2mmである。
【００２６】本実施例の結晶成長プロセスには反応性蒸
着法を用い、結晶成長中は反射電子線回折（RHEED）に
よるその場観察から１単位格子ごとの成長制御をおこな
った。また反応性蒸着法だけでなく、スパッタ法、ある
いはレーザーMBE(MolecularBeam Epitaxy)法によっても
同様な積層型の素子構造を作製することができる。本実
施例において作製された超伝導３端子素子において、ゲ
ート電圧がゼロの条件で、ソース-ドレイン間の電気抵
抗の温度特性を測定すると、電気抵抗がゼロとなる超伝
導転移温度Tcは３０ケルビンである。さらに、ゲート電
圧を＋１ボルトから-１ボルトまで連続的に変化させる
とTcも連続的に変化した。
着法を用い、結晶成長中は反射電子線回折（RHEED）に
よるその場観察から１単位格子ごとの成長制御をおこな
った。また反応性蒸着法だけでなく、スパッタ法、ある
いはレーザーMBE(MolecularBeam Epitaxy)法によっても
同様な積層型の素子構造を作製することができる。本実
施例において作製された超伝導３端子素子において、ゲ
ート電圧がゼロの条件で、ソース-ドレイン間の電気抵
抗の温度特性を測定すると、電気抵抗がゼロとなる超伝
導転移温度Tcは３０ケルビンである。さらに、ゲート電
圧を＋１ボルトから-１ボルトまで連続的に変化させる
とTcも連続的に変化した。
【００２７】図４は、このときのTcの変化率をゲート電
圧の変化率の関数としてあらわしたものである。
圧の変化率の関数としてあらわしたものである。
【００２８】また、Tc近傍での電流電圧特性を測定する
ことにより、前述した動作原理すなわちべき法則および
べき指数のジャンプを確認し、超伝導と常伝導間のスイ
ッチング動作が可能であることがわかった。
ことにより、前述した動作原理すなわちべき法則および
べき指数のジャンプを確認し、超伝導と常伝導間のスイ
ッチング動作が可能であることがわかった。
【００２９】以上の実施例はY-Ba-Cu-O１単位格子膜を
用いた結果であるが、膜厚が２倍であるY-Ba-Cu-O２単
位格子膜（膜厚２４オングストローム）を用いると、Tc
の変化率／ゲート電圧の変化率なる比は約１／２まで落
ちた。
用いた結果であるが、膜厚が２倍であるY-Ba-Cu-O２単
位格子膜（膜厚２４オングストローム）を用いると、Tc
の変化率／ゲート電圧の変化率なる比は約１／２まで落
ちた。
【００３０】
【発明の効果】以本述べたように、本発明によると、常
伝導、超伝導状態間のスイッチングをゲート電圧の変化
から有効に制御できる電界効果型超伝導素子を得ること
ができる。さらには、超伝導部分に銅酸化物１単位格子
膜を用いると、（Tcの変化率／ゲート電圧の変化率）に
より定義されるスイッチング効率が最大となり、微小な
ゲート電圧による制御も可能となるため、その効果は非
常に大きい。
伝導、超伝導状態間のスイッチングをゲート電圧の変化
から有効に制御できる電界効果型超伝導素子を得ること
ができる。さらには、超伝導部分に銅酸化物１単位格子
膜を用いると、（Tcの変化率／ゲート電圧の変化率）に
より定義されるスイッチング効率が最大となり、微小な
ゲート電圧による制御も可能となるため、その効果は非
常に大きい。
【図１】本発明で開示する超伝導３端子素子の構成原理
を示す図。
を示す図。
【図２】本発明で開示する超伝導３端子素子の動作特性
を示す図。
を示す図。
【図３】（ａ）は本発明で開示する超伝導３端子素子の
ベキ指数βをゲート電圧について示す図、（ｂ）は本発
明で開示する超伝導３端子素子のベキ指数βをゲートの
温度について示す図。
ベキ指数βをゲート電圧について示す図、（ｂ）は本発
明で開示する超伝導３端子素子のベキ指数βをゲートの
温度について示す図。
【図４】本実施例において作製された超伝導３端子素子
において、ゲート電圧がゼロの条件で、ソース-ドレイ
ン間の電気抵抗がゼロとなる超伝導転移温度Tcの変化率
をゲート電圧の変化率の関数として示す図。
において、ゲート電圧がゼロの条件で、ソース-ドレイ
ン間の電気抵抗がゼロとなる超伝導転移温度Tcの変化率
をゲート電圧の変化率の関数として示す図。
フロントページの続き (72)発明者 村山 良昌 埼玉県比企郡鳩山町赤沼2520番地 株式 会社日立製作所基礎研究所内 (56)参考文献 特開 平６−21521（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−199888（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 39/22 - 39/24 H01L 39/00
Claims (3)
- 【請求項１】 超伝導体にソース電極とドレイン電極、さ
らにはゲート電極を形成した超伝導３端子素子におい
て、超伝導体部が酸化物半導体／銅酸化物超伝導体／酸
化物半導体の３層構造積層膜であることを特徴とする超
伝導３端子素子。 - 【請求項２】 銅酸化物超伝導体が結晶単位胞にして１単
位格子分の厚さを有する１単位格子膜であることを特徴
とする請求項１記載の超伝導３端子素子。 - 【請求項３】 ゲート電極部に電圧を印加することによ
り、前記ソース電極と前記ドレイン電極間を流れる電流
を制御する手段を具備したことを特徴とする請求項１載
の超伝導３端子素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25250992A JP3203799B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 超伝導３端子素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25250992A JP3203799B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 超伝導３端子素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104499A JPH06104499A (ja) | 1994-04-15 |
| JP3203799B2 true JP3203799B2 (ja) | 2001-08-27 |
Family
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| JP25250992A Expired - Fee Related JP3203799B2 (ja) | 1992-09-22 | 1992-09-22 | 超伝導３端子素子 |
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-
1992
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| JPH06104499A (ja) | 1994-04-15 |
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