JP2005339692A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体記憶装置は、半導体基板のウェル領域に形成されて、複数のワード線とこれと交差する複数のビット線、これらのワード線とビット線の交差部に配置されて、制御ゲートがワード線に、ドレイン及びソースがそれぞれビット線及びソース線に接続される複数の電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルを有するメモリセルアレイと、前記ビット線に接続されて、選択メモリセルのデータを読み出すセンスアンプ回路とを備え、前記ウェル領域を基準電位として、選択ワード線にデータに応じて選択メモリセルがオン又はオフする読み出し電圧を、ソース線には第1の正電圧を、選択ビット線に第1の正電圧より高い第2の正電圧をそれぞれ印加して、前記選択メモリセルのデータに応じて前記選択ビット線からソース線に流れる読み出し電流を検出してそのデータを判定するデータ読み出しモードを有する。
【選択図】 図1
Description
前記ビット線に接続されて、選択メモリセルのデータを読み出すセンスアンプ回路とを備え、
前記ウェル領域を基準電位として、選択ワード線にデータに応じて選択メモリセルがオン又はオフする読み出し電圧を、ソース線には第1の正電圧を、選択ビット線に第1の正電圧より高い第2の正電圧をそれぞれ印加して、前記選択メモリセルのデータに応じて前記選択ビット線からソース線に流れる読み出し電流を検出してそのデータを判定するデータ読み出しモードを有する。
Claims (5)
- 半導体基板のウェル領域に形成されて、複数のワード線とこれと交差する複数のビット線、これらのワード線とビット線の交差部に配置されて、制御ゲートがワード線に、ドレイン及びソースがそれぞれビット線及びソース線に接続される複数の電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルを有するメモリセルアレイと、
前記ビット線に接続されて、選択メモリセルのデータを読み出すセンスアンプ回路とを備え、
前記ウェル領域を基準電位として、選択ワード線にデータに応じて選択メモリセルがオン又はオフする読み出し電圧を、ソース線には第1の正電圧を、選択ビット線に第1の正電圧より高い第2の正電圧をそれぞれ印加して、前記選択メモリセルのデータに応じて前記選択ビット線からソース線に流れる読み出し電流を検出してそのデータを判定するデータ読み出しモードを有する
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記メモリセルアレイは、ソース線を共有する複数のNANDセルユニットを配列して構成され、各NANDセルユニットは、ビット線方向に配列されて直列接続されてそれぞれの制御ゲートが異なるワード線に接続される複数のメモリセルとその一端を対応するビット線に接続する第1の選択ゲートトランジスタ及び他端を前記ソース線に接続する第2の選択ゲートトランジスタにより構成され、
前記データ読み出しモードにおいて、前記選択メモリセルを含むNANDセルユニット内の非選択メモリセルに接続される非選択ワード線にはデータによらずメモリセルがオンするパス電圧が印加され、前記選択ビット線に隣接する非選択ビット線に前記第1の正電圧が印加される
ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記データ読み出しモードにおいて、前記ソース線は、前記選択メモリセルがNANDセルユニット内で前記ビット線に近い所定範囲内に位置する場合は前記基準電位に設定され、前記選択メモリセルがその所定範囲外に位置する場合には前記ソース線に与えられる第1の正電圧は、その選択メモリセルの位置が前記ソース線に近くなるにつれて高くなるように切り換えられる
ことを特徴とする請求項2記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリセルアレイは、ソース線を共有する複数のNANDセルユニットを配列して構成され、各NANDセルユニットは、ビット線方向に配列されて直列接続されてそれぞれの制御ゲートが異なるワード線に接続される複数のメモリセルとその一端を対応するビット線に接続する第1の選択ゲートトランジスタ及び他端を前記ソース線に接続する第2の選択ゲートトランジスタにより構成され、
選択ワード線に書き込み電圧を印加してその選択ワード線に沿った選択メモリセルにデータ書き込みを行う書き込み電圧印加動作と、選択メモリセルの書き込み状態を確認するためのベリファイ読み出し動作とを繰り返すデータ書き込みモードを有し、
前記データ書き込みモードのベリファイ読み出し動作において、前記選択ワード線にデータに応じて選択メモリセルがオン又はオフする読み出し電圧が、前記選択メモリセルを含むNANDセルユニット内の非選択メモリセルに接続される非選択ワード線にデータによらずメモリセルがオンするパス電圧が、ソース線には第1の正電圧が、選択ビット線に第1の正電圧より高い第2の正電圧がそれぞれ印加される
ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリセルは、ゲート長100nm以下の積層ゲート型トランジスタ構造を有する
ことを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
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