JP4284300B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
この発明の別の一態様による半導体記憶装置は、絶縁性基板又は絶縁層上に形成された半導体層と、前記半導体層に埋め込まれた素子分離絶縁膜により区画された活性領域と、前記活性領域に形成された複数の電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが直列接続され、その両端部がそれぞれビット線及びソース線に接続されたNANDセルユニットとを有し、前記NANDセルユニット内のチャネルのキャリアをビット線、ソース線の少なくとも一方に排出するキャリア排出モードを有し、前記キャリア排出モードは、前記NANDセルユニットの選択メモリセルの読み出し動作に引き続いて設定されることを特徴とする。
この発明の更に別の一態様による半導体記憶装置は、絶縁性基板又は絶縁層上に形成された半導体層と、前記半導体層に埋め込まれた素子分離絶縁膜により区画された活性領域と、前記活性領域に形成された複数の電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが直列接続され、その両端部がそれぞれビット線及びソース線に接続されたNANDセルユニットとを有し、前記NANDセルユニット内のチャネルのキャリアを前記ソース線に排出するキャリア排出モードを有し、前記キャリア排出モードは、前記NANDセルユニット内の全メモリセルをオンにした状態から、ビット線コンタクトに近い側の前記メモリセルから順次オフにして、前記ソース線にキャリアを排出するものであることを特徴とする。
この発明の別の一態様による半導体記憶装置は、絶縁性基板又は絶縁層上に形成された半導体層と、前記半導体層に埋め込まれた素子分離絶縁膜により区画された活性領域と、前記活性領域に形成された複数の電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが直列接続され、その両端部がそれぞれビット線及びソース線に接続されたNANDセルユニットとを有し、前記NANDセルユニット内のチャネルのキャリアを前記ビット線に排出するキャリア排出モードを有し、前記キャリア排出モードは、前記NANDセルユニット内の全メモリセルをオンにした状態から、ソース線コンタクトに近い側の前記メモリセルから順次オフにして、前記ビット線にキャリアを排出するものであることを特徴とする。
この発明の別の一態様による半導体記憶装置は、絶縁性基板又は絶縁層上に形成された半導体層と、前記半導体層に埋め込まれた素子分離絶縁膜により区画された活性領域と、前記活性領域に形成された複数の電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが直列接続され、その両端部がそれぞれビット線及びソース線に接続されたNANDセルユニットとを有し、前記NANDセルユニット内のチャネルのキャリアをビット線、ソース線の少なくとも一方に排出するキャリア排出モードを有し、前記キャリア排出モードは、前記NANDセルユニット内の全メモリセルをオンにした状態から、前記NANDセルユニット内の略中間位置の前記メモリセルから順次オフにして、前記ビット線及び前記ソース線にキャリアを排出するものであることを特徴とする。
図4は、この様に構成されるメモリセルアレイ10の等価回路を示している。図示のように、複数個(ここでは32個)のメモリセルM0−M31が直列接続されて、NANDセルユニットNUが構成される。NANDセルユニットNUの両端はそれぞれ選択ゲートトランジスタS1及びS2を介してビット線BL及び共通ソース線CELSRCに接続される。
Claims (5)
- 絶縁性基板又は絶縁層上に形成された半導体層と、
前記半導体層に埋め込まれた素子分離絶縁膜により区画された活性領域と、
前記活性領域に形成された複数の電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが直列接続され、その両端部がそれぞれビット線及びソース線に接続されたNANDセルユニットとを有し、
前記NANDセルユニット内のチャネルのキャリアをビット線、ソース線の少なくとも一方に排出するキャリア排出モードを有し、
前記キャリア排出モードは、前記NANDセルユニット内の選択メモリセルに対する書き込み電圧印加動作に引き続いて設定される
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 絶縁性基板又は絶縁層上に形成された半導体層と、
前記半導体層に埋め込まれた素子分離絶縁膜により区画された活性領域と、
前記活性領域に形成された複数の電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが直列接続され、その両端部がそれぞれビット線及びソース線に接続されたNANDセルユニットとを有し、
前記NANDセルユニット内のチャネルのキャリアをビット線、ソース線の少なくとも一方に排出するキャリア排出モードを有し、
前記キャリア排出モードは、前記NANDセルユニットの選択メモリセルの読み出し動作に引き続いて設定される
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記キャリア排出モードは、前記NANDセルユニット内の全メモリセルをオンにした状態から、ビット線コンタクトに近い側の前記メモリセルから順次オフにして、前記ソース線にキャリアを排出するものである
ことを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の半導体記憶装置。 - 前記キャリア排出モードは、前記NANDセルユニット内の全メモリセルをオンにした状態から、ソース線コンタクトに近い側の前記メモリセルから順次オフにして、前記ビット線にキャリアを排出するものである
ことを特徴とする請求項1又は2のいずれかに記載の半導体記憶装置。 - 絶縁性基板又は絶縁層上に形成された半導体層と、
前記半導体層に埋め込まれた素子分離絶縁膜により区画された活性領域と、
前記活性領域に形成された複数の電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが直列接続され、その両端部がそれぞれビット線及びソース線に接続されたNANDセルユニットとを有し、
前記NANDセルユニット内のチャネルのキャリアをビット線、ソース線の少なくとも一方に排出するキャリア排出モードを有し、
前記キャリア排出モードは、前記NANDセルユニット内の全メモリセルをオンにした状態から、前記NANDセルユニット内の略中間位置の前記メモリセルから順次オフにして、前記ビット線及び前記ソース線にキャリアを排出するものである
ことを特徴とする半導体記憶装置。
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