JP2010287283A - 不揮発性半導体メモリ - Google Patents
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Abstract
【課題】フラッシュメモリの読み出しディスターブを低減する。
【解決手段】本発明の例に関わる不揮発性半導体メモリは、複数のメモリセルを含んでいるメモリセルユニットと、複数のメモリセルにそれぞれ接続される複数のワード線と、選択セルが接続された1つの選択ワード線WLi及びこの選択ワード線を除いた非選択ワード線に電位を供給するワード線制御回路と、ワード線制御回路の動作を制御し、選択セルに対するデータの読み出しを制御する動作制御回路と、を具備し、動作制御回路は、選択ワード線WLiのソース側及びドレイン側に対して2つ隣に隣接する非選択ワード線WLi−2,WLi+2に電位VRを供給した後に、選択ワード線WLiのソース側及びドレイン側に対して1つ隣に隣接する非選択ワード線WLi−1,WLi+1に、電位VRKを供給するように、ワード線制御回路の動作を制御する。
【選択図】図8
【解決手段】本発明の例に関わる不揮発性半導体メモリは、複数のメモリセルを含んでいるメモリセルユニットと、複数のメモリセルにそれぞれ接続される複数のワード線と、選択セルが接続された1つの選択ワード線WLi及びこの選択ワード線を除いた非選択ワード線に電位を供給するワード線制御回路と、ワード線制御回路の動作を制御し、選択セルに対するデータの読み出しを制御する動作制御回路と、を具備し、動作制御回路は、選択ワード線WLiのソース側及びドレイン側に対して2つ隣に隣接する非選択ワード線WLi−2,WLi+2に電位VRを供給した後に、選択ワード線WLiのソース側及びドレイン側に対して1つ隣に隣接する非選択ワード線WLi−1,WLi+1に、電位VRKを供給するように、ワード線制御回路の動作を制御する。
【選択図】図8
Description
本発明は、不揮発性半導体メモリに係り、特に、フラッシュメモリに関する。
不揮発性半導体メモリ、例えば、NAND型フラッシュメモリは、大容量かつ不揮発という利点を有し、携帯オーディオ機器など、様々な電子機器に使用されている。
NAND型フラッシュメモリは、メモリセルアレイ内に、ワード線の延在方向に沿って配置された複数のメモリセルストリングを有している。1つのメモリセルストリングは、電流経路が直列接続された複数のメモリセルを含んでいる。フラッシュメモリは、メモリセルが有する電荷蓄積層の電荷の保持状態に応じて、メモリセルのしきい値電圧が変動するのを利用して、メモリセルに記憶されたデータが判別されている。それゆえ、フラッシュメモリの使用時において、1つのメモリセルストリング内に、メモリセルのそれぞれが記憶するデータに応じて、しきい値電圧の高いメモリセルとしきい値電圧が低いメモリセルが、混在している。
NAND型フラッシュメモリの読み出し動作は、外部からの要求に応じて外部にデータを出力する通常の読み出し動作と、ベリファイ動作時におけるデータの検証のために行われるベリファイ読み出し動作とがある(例えば、特許文献1参照)。
これらの読み出し動作時、選択されたメモリセル(選択セルと呼ぶ)が接続されたワード線(選択ワード線とよぶ)には、例えば、1V程度の読み出し電位が供給される。また、選択ワード線を除いた他のワード線(非選択ワード線と呼ぶ)には、読み出し電位より大きい電位(非選択電位とよぶ)が供給される。非選択電位は、非選択ワード線に接続された非選択セルがオン状態になる電位以上に、設定される。読み出し動作の一例としては、非選択セルがオン状態にされた後、選択ワード線に電位が供給され、選択セルがオンされる。
上記のように、1つのメモリセルストリングに、しきい値電圧の高いメモリセルとしきい値電圧の低いメモリセルが混在している場合、しきい値電圧の低いメモリセルに比べて、しきい値電圧の高いメモリセルがオン状態になるのは遅い。しきい値電圧が高いメモリセルがオン状態になるまでの間、そのメモリセルと選択セルの間、あるいは、しきい値電圧が高いメモリセルの間の半導体基板表面領域は、オフ状態のメモリセルによって他の領域から電気的に分離され、フローティング状態となり、その結果として、基板表面の電位が上昇する場合がある。
この場合、メモリセルがオンすると、サーフェスブレイクダウンに起因するホットキャリアが、オンしたメモリセル近傍の基板表面で発生することがある。このホットキャリアは、ワード線に供給された電位に引き寄せられ、メモリセルの電荷蓄積層へ注入される。これによって、読み出し時にメモリセルにデータが書き込まれる不良、すなわち、読み出しディスターブが発生する。
読み出しディスターブは、選択ワード線の1つに隣接するワード線に接続されたメモリセルに生じやすく、この読み出しディスターブによって、フラッシュメモリの動作の信頼性が低下してしまう。
読み出しディスターブは、選択ワード線の1つに隣接するワード線に接続されたメモリセルに生じやすく、この読み出しディスターブによって、フラッシュメモリの動作の信頼性が低下してしまう。
本発明は、フラッシュメモリの読み出しディスターブを低減する技術を提案する。
本発明の例に関わる不揮発性半導体メモリは、メモリセルアレイ内に第1の方向に沿って並んで配置され、電流経路が直列接続された複数のメモリセルを含んでいるメモリセルユニットと、前記メモリセルユニットの一端に接続されるソース線と、前記メモリセルユニットの他端に接続されるビット線と、前記第1方向に配列された前記複数のメモリセルにそれぞれ共通に接続される複数のワード線と、前記複数のワード線の各々に対応している複数の生成部を有し、前記メモリセルユニットの動作時、前記複数のワード線のうち、選択セルが接続された1つの選択ワード線及びこの選択ワード線を除いた複数の非選択ワード線に電位を供給するワード線制御回路と、前記ワード線制御回路及び前記メモリセルユニットの動作を制御する動作制御回路と、を具備し、前記選択セルに対するデータの読み出し動作時、前記動作制御回路は、前記選択ワード線のソース側及びドレイン側に対して2つ隣に隣接する非選択ワード線に、第1の電位を供給した後に、前記選択ワード線のソース側及びドレイン側に対して1つ隣に隣接する非選択ワード線に、第2の電位を供給するように、ワード線制御回路の動作を制御する、ことを備える。
本発明の例に関わる不揮発性半導体メモリは、メモリセルアレイ内に第1の方向に沿って並んで配置され、電流経路が直列接続された複数のメモリセルと、前記直列接続されたメモリセルのソース側に接続されるソース側選択トランジスタと、前記直列接続されたメモリセルのドレイン側に接続されるドレイン側選択トランジスタとを含んでいるメモリセルユニットと、前記メモリセルユニットのソース側に接続されるソース線と、前記メモリセルユニットのドレイン側に接続されるビット線と、前記第1の方向に配列された前記複数のメモリセルにそれぞれ共通に接続される複数のワード線と、前記第1の方向に配列された前記複数のソース側選択トランジスタに共通に接続されるソース側セレクトゲート線と、前記第1の方向に配列された前記複数のドレイン側選択トランジスタに共通に接続されるドレイン側セレクトゲート線と、前記複数のワード線及び前記セレクトゲート線の各々に対応している複数の生成部を有し、前記メモリセルユニットの動作時、前記複数のワード線のうち、選択セルが接続された1つの選択ワード線、この選択ワード線を除いた複数の非選択ワード線、前記ソース側セレクトゲート線及び前記ドレイン側セレクトゲート線に電位をそれぞれ供給するワード線/セレクトゲート線制御回路と、前記ワード線/セレクトゲート線制御回路及び前記メモリセルユニットの動作を制御する動作制御回路と、を具備し、前記選択セルに対するデータの読み出し動作時、前記動作制御回路は、前記選択ワード線のソース側及びドレイン側に対して2つ隣に隣接する非選択ワード線及び前記選択ワード線のソース側及びドレイン側に対して1つ隣に隣接する非選択ワード線に電位を同時に供給してから所定の期間が経過した後、前記選択ワード線のソース側及びドレイン側に対して2つ隣に隣接する非選択ワード線に第1の電位を供給し、前記選択ワード線のソース側及びドレイン側に対して1つ隣に隣接する非選択ワード線に第2の電位を供給するように、前記ワード線制御回路の動作を制御する、ことを備える。
本発明によれば、フラッシュメモリの読み出しディスターブを低減できる。
以下、図面を参照しながら、本発明の例を実施するための形態について詳細に説明する。
[実施形態]
(1) 構成
図1乃至図6を用いて、本発明の実施形態に係る不揮発性半導体メモリの構成について説明する。
(1) 構成
図1乃至図6を用いて、本発明の実施形態に係る不揮発性半導体メモリの構成について説明する。
(a) フラッシュメモリ
図1は、本発明の実施形態に係る不揮発性半導体メモリの構成を示す図であり、メモリチップ14の主要部を示すブロック図である。以下、本実施形態においては、フラッシュメモリを例として説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る不揮発性半導体メモリの構成を示す図であり、メモリチップ14の主要部を示すブロック図である。以下、本実施形態においては、フラッシュメモリを例として説明する。
メモリセルアレイ1は、複数のメモリセルユニットから構成される。メモリセルユニットの各々は、複数のメモリセルと複数の選択トランジスタとを有する。
ワード線・セレクトゲート線制御回路2は、メモリセルアレイ1内に設けられたワード線及びセレクトゲート線に接続される。ワード線・セレクトゲート線制御回路2は、ロウデコーダ及びドライバを有し、ロウアドレス信号に基づいて、ワード線及びセレクトゲート線の動作を制御する。
ワード線・セレクトゲート線制御回路2は、メモリセルアレイ1内に設けられたワード線及びセレクトゲート線に接続される。ワード線・セレクトゲート線制御回路2は、ロウデコーダ及びドライバを有し、ロウアドレス信号に基づいて、ワード線及びセレクトゲート線の動作を制御する。
ウェル・ソース線電位制御回路3は、メモリセルアレイ1内のウェル領域の電位を制御する。
データ回路4は、データの書き込み及び読み出し時に、データを一時的に記憶する機能を有する。カラムデコーダ5は、カラムアドレス信号に基づいて、メモリセルアレイ1のカラムを選択する。センスアンプ6は、読み出しデータをセンスする。
データ入出力バッファ7は、データの入出力のインターフェイスとなり、アドレスバッファ8は、ロウ/カラムアドレス信号の入力バッファとなる。ロウアドレス信号は、アドレスバッファ8を経由して、ワード線・セレクトゲート線制御回路2に入力される。カラムアドレス信号は、アドレスバッファ8を経由して、カラムデコーダ5に入力される。
データ回路4は、データの書き込み及び読み出し時に、データを一時的に記憶する機能を有する。カラムデコーダ5は、カラムアドレス信号に基づいて、メモリセルアレイ1のカラムを選択する。センスアンプ6は、読み出しデータをセンスする。
データ入出力バッファ7は、データの入出力のインターフェイスとなり、アドレスバッファ8は、ロウ/カラムアドレス信号の入力バッファとなる。ロウアドレス信号は、アドレスバッファ8を経由して、ワード線・セレクトゲート線制御回路2に入力される。カラムアドレス信号は、アドレスバッファ8を経由して、カラムデコーダ5に入力される。
電位生成回路9は、データの書き込み(プログラム)時及びデータの読み出し時に、ワード線に供給する書き込み電位及び中間電位を生成する。また、電位生成回路9は、例えば、セレクトゲート線に供給する電位も生成する。これらの電位は、ワード線・セレクトゲート線制御回路2に入力され、選択ワード線及び非選択ワード線、セレクトゲート線にそれぞれ供給される。
コマンドインターフェイス回路10は、メモリチップ14とは別のチップ(例えば、ホスト装置)により生成される制御信号に基づいて、データ入出力バッファ7に入力されるデータがコマンドデータ(コマンド信号)であるか否かを判断する。
データ入出力バッファ7に入力されるデータがコマンドデータである場合、コマンドインターフェイス回路10は、コマンドデータをステートマシン11に転送する。
ステートマシン(動作制御回路)11は、コマンドデータに基づいて、フラッシュメモリの動作モードを決定し、かつ、その動作モードに応じて、フラッシュメモリの全体の動作を制御する。
データ入出力バッファ7に入力されるデータがコマンドデータである場合、コマンドインターフェイス回路10は、コマンドデータをステートマシン11に転送する。
ステートマシン(動作制御回路)11は、コマンドデータに基づいて、フラッシュメモリの動作モードを決定し、かつ、その動作モードに応じて、フラッシュメモリの全体の動作を制御する。
(b) メモリセルアレイ
図2乃至図5を用いて、図1のメモリセルアレイ1の内部構成について説明する。
図2乃至図5を用いて、図1のメモリセルアレイ1の内部構成について説明する。
図1に示されるフラッシュメモリが、例えば、NAND型フラッシュメモリである場合、メモリセルアレイ1は、複数のブロックBLKを有する。このブロックBLKとは、消去の最小単位を示している。
図2は、1つのブロックBLKの回路構成を示す等価回路図である。1つのブロックBLKは、x方向(第1の方向)に並んだ複数のメモリセルユニットCUから構成される。
1つのメモリセルユニットCUは、y方向(第2の方向)に沿って電流経路が直列接続された複数(例えば、8個)のメモリセルMC1〜MC8からなるメモリセルストリングと、メモリセルストリングの一端に接続された第1の選択トランジスタSTS(以下、ソース側選択トランジスタと呼ぶ)と、メモリセルストリングの他端に接続された第2の選択トランジスタSTD(以下、ドレイン側選択トランジスタと呼ぶ)とから構成される。メモリセルユニットの一端(ソース側)、より具体的には、ソース側選択トランジスタSTSの電流経路の一端には、ソース線SLが接続される。また、メモリセルユニットの他端(ドレイン側)、すなわち、ドレイン側選択トランジスタSTDの電流経路の一端にはビット線BLが接続されている。
尚、本発明の実施形態では、説明の簡略化のため、メモリセルストリングは、8個のメモリセルMC1〜MC8から構成されている。しかし、1つのメモリセルストリングを構成するメモリセルの個数は、2個以上であればよく、例えば、16個、32個あるいは64個でもよい。
尚、本発明の実施形態では、説明の簡略化のため、メモリセルストリングは、8個のメモリセルMC1〜MC8から構成されている。しかし、1つのメモリセルストリングを構成するメモリセルの個数は、2個以上であればよく、例えば、16個、32個あるいは64個でもよい。
メモリセルMC1〜MC8は、電荷蓄積層(例えば、浮遊ゲート電極)を有するスタックゲート構造のMIS(Metal-insulator-Semiconductor)トランジスタである。1つのメモリセルストリングを構成する複数のメモリセルMC1〜MC8において、y方向に隣接する2つのメモリセルはソース/ドレインが接続され、これによって、電流経路が直列接続された構成となっている。
ソース側/ドレイン側選択トランジスタSTD,STSのソース/ドレインの一方は、メモリセルMC1,MC8のソース/ドレインの一方にそれぞれ接続される。ドレイン側選択トランジスタSTDのソース/ドレインの他方は、ビット線BL1〜BLnに接続され、ソース側選択トランジスタSTSのソース/ドレインの他方は、ソース線SLに接続される。
ワード線WL1〜WL8は、x方向に延び、各ワード線は、x方向に沿って配列された複数のメモリセルのゲートに共通に接続される。よって、1つのメモリセルユニットにおいて、ワード線の本数は、1つのメモリセルストリングを構成するメモリセルの個数と、同じになる。ドレイン側セレクトゲート線SGDLはx方向に延び、x方向に沿って配列された複数のドレイン側選択トランジスタSTDのゲートに共通に接続される。ソース側セレクトゲート線SGSLもx方向に延び、x方向に沿って配列された複数のソース側選択トランジスタSTSのゲートに共通に接続される。
図3乃至図5は、メモリセルアレイ1の構造を示している。図3は、メモリセルアレイ1の一部を抽出した平面図である。図4は図3のIV−IV線に沿う断面図であり、図5は図3のV−V線に沿う断面図を示している。
図3乃至5に示すように、メモリセルアレイ1が設けられる半導体基板表面領域は、y方向に延在する複数の素子分離領域STIと、y方向に延在する複数のアクティブ領域AAとから構成されている。図3及び図5に示すように、1つのアクティブ領域AAは、2つの素子分離領域STIに挟み込まれ、これによって、x方向に隣接するアクティブ領域AAは、素子分離領域STI内に埋め込まれた素子分離絶縁膜29によって電気的に絶縁されている。
アクティブ領域AA内には、メモリセルユニットが設けられる。メモリセルユニットを構成しているメモリセルは、複数のワード線WL1〜WL8とアクティブ領域AAとの交差箇所に設けられる。また、メモリセルユニットを構成している選択トランジスタSTS,STDは、セレクトゲート線SGSL,SGDLとアクティブ領域AAとの交差箇所に設けられる。
また、メモリセルユニットが設けられたアクティブ領域AAの一端上及び他端上には、ソース線コンタクトSC及びビット線コンタクトBCが設けられている。これらソース線コンタクトSC及びビット線コンタクトBCは、y方向に互いに隣接するブロックBLK間で共有されている。
また、メモリセルユニットが設けられたアクティブ領域AAの一端上及び他端上には、ソース線コンタクトSC及びビット線コンタクトBCが設けられている。これらソース線コンタクトSC及びビット線コンタクトBCは、y方向に互いに隣接するブロックBLK間で共有されている。
図4及び図5に示すように、半導体基板21A(例えば、p型シリコン基板)内には、ウェル21B,21Cが設けられ、例えば、n型ウェル21B内にp型ウェル21Cが設けられたダブルウェル構造を有している。複数のメモリセルMC1〜MC8及び選択トランジスタSTS,STDは、アクティブ領域AAとしてのp型ウェル21C上に設けられる。
メモリセルMC1〜MC8の各々は、上述のように、スタックゲート構造のMISトランジスタである。
つまり、メモリセルMC1〜MC8のゲート構造は、半導体基板21A(pウェル21C)上に、トンネル絶縁膜22A、浮遊ゲート電極23A、ゲート間絶縁膜24A、制御ゲート電極25Aが順次積層された構造を有している。
つまり、メモリセルMC1〜MC8のゲート構造は、半導体基板21A(pウェル21C)上に、トンネル絶縁膜22A、浮遊ゲート電極23A、ゲート間絶縁膜24A、制御ゲート電極25Aが順次積層された構造を有している。
浮遊ゲート電極23Aは電荷蓄積層として機能し、書き込み動作時に、この浮遊ゲート電極23Aに電子が注入される。この電子の注入によって、浮遊ゲート電極23Aの電荷蓄積状態が変化すると、そのメモリセルのしきい値電圧が変動する。フラッシュメモリは、このしきい値電圧の変動を利用して、しきい値電圧(しきい値分布)とデータとを対応させ、データを判別している。メモリセルのしきい値電圧とデータとの対応関係については、後述する。尚、浮遊ゲート電極23Aの代わりに、例えば、窒化シリコン膜などの絶縁膜を電荷蓄積層に用いることによって、MONOS型のメモリセルを構成してもよい。
制御ゲート電極25Aはワード線として機能し、図5に示すように、x方向に配列された複数のメモリセルに共有されている。
メモリセルMC1〜MC8の各々は、この積層構造のゲート電極に対して自己整合的に形成される拡散層26Aを、半導体基板21A(pウェル21C)内に有している。この拡散層26A(以下、ソース/ドレイン拡散層と呼ぶ)はソース/ドレインとして機能し、y方向に隣接するメモリセル間で共有されている。ソース/ドレイン拡散層26Aは、例えば、n型の不純物拡散層である。
選択トランジスタSTS,STDは、メモリセルMC1〜MC8と同時に形成されるため、メモリセルMC1〜MC8のゲート構造とほぼ同様の構造を有する。つまり、選択トランジスタSTS,STDのゲート構造は、半導体基板(pウェル21C)21A上に、ゲート絶縁膜22B、下部ゲート電極23B、ゲート間絶縁膜24B及び上部ゲート電極25Bが、順次積層された構造を有する。但し、選択トランジスタSTS,STDのゲート間絶縁膜24B内には、開口部が形成され、下部ゲート電極23Bと上部ゲート電極25Bとが開口部を経由して電気的に接続されている。
また、選択トランジスタSTS,STDは、半導体基板21A内にソース/ドレイン拡散層26A,26S,26Dを有する。選択トランジスタSTS,STDは、その一方のソース/ドレイン拡散層26Aをy方向に隣接するメモリセルMC1,MC8とそれぞれ共有する。ドレイン側選択トランジスタSTDの他方のソース/ドレイン拡散層26Dは、ビット線コンタクトBC、中間メタル配線M0及びビアコンタクトVCを経由して、ビット線BLに接続される。ソース側選択トランジスタSTSの他方のソース/ドレイン拡散層26Sは、ソース線コンタクトSCを経由して、ソース線SLに接続される。
これらの素子MC1〜MC8,STS,STD、コンタクトSC,BC,VC及び配線SL,BLは、層間絶縁膜30A,30Bに覆われている。
尚、図4には、図3のIV−IV線に沿う断面に加え、p型ウェル1C終端の断面構造も示されている。図4に示すように、n型ウェル21Bは、n型拡散層65及びコンタクト75を経由して、電位設定線73に接続され、p型ウェル31Cは、p型拡散層60及びコンタクト70を経由して、電位設定線73に接続される。このように、n型ウェル21Bとp型ウェル領域21Cは、同電位に設定される。電位設定線73は、図1に示されるウェル・ソース線電位制御回路3に接続され、書き込み動作時及び消去動作時にウェル21B,21Cの電位が制御される。
(c) ワード線・セレクトゲート線制御回路及び電位生成回路
図6を用いて、図1を用いて説明したワード線・セレクトゲート線制御回路2及び電位生成回路9の回路構成について説明する。また、これらの回路2,9とメモリセルセルアレイ1との接続関係について説明する。尚、図6においては、ワード線・セレクトゲート線制御回路2及び電位生成回路9の主要部を抽出して、説明する。
図6を用いて、図1を用いて説明したワード線・セレクトゲート線制御回路2及び電位生成回路9の回路構成について説明する。また、これらの回路2,9とメモリセルセルアレイ1との接続関係について説明する。尚、図6においては、ワード線・セレクトゲート線制御回路2及び電位生成回路9の主要部を抽出して、説明する。
電位生成回路9は、複数の生成部91〜98,9S,9Dを有する。複数の生成部91〜98は、複数のワード線WL1〜WL8にそれぞれ1つずつ対応するように、電位生成回路9内に設けられている。これらの生成部91〜98は、データの読み出し時又はデータの書き込み時に応じて、ワード線WL1〜WL8の各々に供給する所定のパルス幅及び大きさの電位を生成する。また、電位生成回路9内には、セレクトゲート線SGSL,SGDLに対応する生成部9S,9Dも設けられ、生成部9S,9Dは、ソース側及びドレイン側セレクトゲート線SGSL,SGDLに供給する電位Vsgを生成する。セレクトゲート線SGSL,SGDLに供給される電位Vsgは、選択トランジスタSGS,SGDがオン/オフを制御する電位である。
ワード線・セレクトゲート線制御回路2内には、複数の転送ゲートTGTが設けられている。転送ゲートTGTは、例えば、MISトランジスタから構成される。ワード線WL1〜WL8及び選択ゲートSGSL,SGDLは、例えば、転送ゲートTGTの電流経路の一端に、それぞれ接続されている。また、各転送ゲートTGTの電流経路の他端は、電位生成回路9内の生成部91〜98,9S,9Dにそれぞれ接続されている。転送ゲートの制御端子(ゲート電極)には、アドレス選択信号線ASLが接続される。転送ゲートTGTは、ステートマシンの制御下において、読み出し動作又は書き込み動作時に入力されるアドレス信号に基づき、その動作(オン/オフ)が制御される。アドレス選択信号線ASLの動作を制御するアドレス信号は、例えば、書き込み選択されたブロックのアドレスである。このように、ブロックアドレスによってアドレス選択信号線ASLが制御される場合には、複数の転送ゲートTGTは、1つのアドレス信号で一括に制御される。
図6に示される構成によって、データの読み出し時及び書き込み時において、生成部91〜98によって生成された電位が、各転送ゲートTGTを経由して、ワード線WL1〜WL8及びメモリセルMC1〜MC8へそれぞれ供給される。また、生成部9S,9Dによって生成された電位Vsgが、セレクトゲート線SGSL,SGDLに供給され、選択トランジスタSTS,STDのオン/オフが制御される。
(d) メモリセルのしきい値電圧とデータとの対応関係
図7を用いて、メモリセルのしきい値電圧とデータとの対応関係について説明する。図7は、2値のデータを記憶する2値メモリと3値以上のデータを記憶する多値メモリとの違いを示している。ここでは、多値メモリの例として、4値(2ビット)のデータを記憶する4値メモリを例として、説明する。尚、4値のみでなく8値(1メモリセル当たり3ビット)や16値(1メモリセル当たり4ビット)でもよいのは、もちろんである。
図7を用いて、メモリセルのしきい値電圧とデータとの対応関係について説明する。図7は、2値のデータを記憶する2値メモリと3値以上のデータを記憶する多値メモリとの違いを示している。ここでは、多値メモリの例として、4値(2ビット)のデータを記憶する4値メモリを例として、説明する。尚、4値のみでなく8値(1メモリセル当たり3ビット)や16値(1メモリセル当たり4ビット)でもよいのは、もちろんである。
図7において、横軸はメモリセルのしきい値電圧Vthを示し、縦軸はメモリセルの存在確率を示している。
まず、4値メモリについて説明する。図7に示すように、4値メモリは、しきい値電圧Vthの大きさに応じて、4つのデータを記憶する。4値メモリは、しきい値電圧の低い順に、例えば、“11”、“01”、“10”、“00”の4つのデータのいずれかを記憶する。“11”データを記憶しているメモリセルのしきい値電圧Vth[V]は、Vth<0である。“01”データを記憶しているメモリセルのしきい値電圧Vth[V]は、0<Vth<Vth1である。“10”データを記憶しているメモリセルのしきい値電圧Vth[V]は、Vth1<Vth<Vth2である。“00”データを記憶しているメモリセルのしきい値電圧Vth[V]は、Vth2<Vth<Vth3である。8値メモリや16値メモリを用いた場合、データに対応するしきい値の範囲をさらに細分化し、さらに、しきい値電圧Vth3より大きいしきい値電圧を用いて、データを判別することになる。
次に、2値メモリについて説明する。図7に示すように、メモリセルは、しきい値電圧Vthの大きさに応じて、しきい値電圧の低い順に“1”、“0”の2つのデータのいずれかを記憶する。“1”データを記憶しているメモリセル(以下、“1”プログラミングセルと呼ぶ)のしきい値電圧Vth[V]は、Vth<0である。“0”データを記憶しているメモリセル(以下、“0”プログラミングセルと呼ぶ)のしきい値電圧Vth[V]は、Vth1<Vth<Vth2である。
2値メモリの“1”データは4値メモリの“11”データに等しく、2値メモリの“0”データは4値メモリの“10”データに等しいしきい値電圧を有する。すなわち、2値メモリとは、4値メモリにおける2ビットデータのうち、低位ビットのみを用いた動作モードと言うことができる。
メモリセルに対するデータの書き込みは、まず低位ビットから行われる。消去状態を“11”とすると、まず低位ビットに“0”または“1”が書き込まれることにより、メモリセルは“11”(“−1”)、または“10”(“−0”)を保持する状態になる。ここで、“−”は不定を意味する。2値メモリの場合、以上で書き込みは終了する。一方、4値メモリで書き込まれる場合には、続けて上位ビットに“0”または“1”が書き込まれる。その結果、“11”(“−1”)を保持していたメモリセルは、“11”または“01”を保持する状態になり、“10”(“−0”)を保持していたメモリセルは“10”または“00”を保持する状態になる。
このように、フラッシュメモリは、メモリセルのしきい値電圧の大きさがデータに対応しているため、1つのメモリセルユニット内に、しきい値電圧の高いメモリセルとしきい値電圧の低いメモリセルが混在することになる。
(2) 読み出し動作
図8乃至図11を用いて、本発明の実施形態に係る不揮発性半導体メモリ(フラッシュメモリ)の読み出し動作について、説明する。ここでは、図1乃至図7も適宜用いて、本実施形態に係るフラッシュメモリの読み出し動作について、説明する。尚、以下では、説明の簡単化のため、2値メモリについて説明する。但し、多値メモリであってもよいのはもちろんである。
図8乃至図11を用いて、本発明の実施形態に係る不揮発性半導体メモリ(フラッシュメモリ)の読み出し動作について、説明する。ここでは、図1乃至図7も適宜用いて、本実施形態に係るフラッシュメモリの読み出し動作について、説明する。尚、以下では、説明の簡単化のため、2値メモリについて説明する。但し、多値メモリであってもよいのはもちろんである。
(a) 動作例1
以下、図8及び図9を用いて、本実施形態に係るフラッシュメモリの読み出し動作例1について、説明する。
以下、図8及び図9を用いて、本実施形態に係るフラッシュメモリの読み出し動作例1について、説明する。
図8は、本実施形態に係るフラッシュメモリの読み出し動作例1のタイミングチャートを示している。図8において、横軸は時間を示し、縦軸は電位を示している。
例えば、通常の読み出し動作が実行される場合、データの読み出しを指示するコマンド信号及びデータを読み出すメモリセルのアドレスを示すアドレス信号が、外部からチップ14内に入力される。これによって、フラッシュメモリの読み出し動作が開始される。
図8に示すように、時間t1において、図1に示されるステートマシン11は、アドレス信号が示すブロックのソース側セレクトゲート線SGSL及びドレイン側セレクトゲート線SGDLに、電位Vsgが供給されるように、ワード線・セレクトゲート線制御回路2及び電位生成回路9の動作を制御する。セレクトゲート線SGSL,SGDLの電位は、ある遅延時間を経過して、グランド電位Vssから電位Vsgに上昇する。セレクトゲート線SGSL,SGDLに供給される電位Vsgは、例えば、3V程度である。尚、遅延時間は、配線のRC遅延に起因する。
時間t1において、選択セルを含むメモリセルユニットに接続されたビット線(以下、選択ビット線とよぶ)BLは、例えば、電位Vpreが供給される。非選択ビット線には、例えば、電位Vssが供給される。
また、フラッシュメモリの読み出し動作時、ソース線SL及び基板内のPウェルには、グランド電位Vss(例えば、0V)が、ステートマシン11の制御によって、ウェル・ソース線電位制御回路3から供給される。
また、フラッシュメモリの読み出し動作時、ソース線SL及び基板内のPウェルには、グランド電位Vss(例えば、0V)が、ステートマシン11の制御によって、ウェル・ソース線電位制御回路3から供給される。
次に、時間taにおいて、ステートマシン11は、ワード線・セレクトゲート線制御回路2及び電位生成回路9の動作を制御し、非選択ワード線に対して、非選択電位(第1の非選択電位)VRの供給を開始する。この時間taにおいて、選択ワード線を除く複数のワード線のうち、電位VRが供給されるワード線は、選択ワード線WLiのソース側及びドレイン側に対して2つ隣に隣接する非選択ワード線WLi−2,WLi+2である。
非選択電位VRの大きさは、メモリセルのしきい値電圧以上に設定される。例えば、2値メモリの場合、しきい値電圧が高いメモリセル、すなわち、“0”プログラミングセルのしきい値電圧は、例えば、4V〜5V程度である。よって、非選択電位VRは、例えば、7V程度に設定される。
非選択ワード線WLi−2,WLi+2の電位は、配線のRC遅延に起因する遅延時間を経過して、グランド電位Vssから非選択電位VRへ上昇する。これによって、非選択ワード線WLi−2,WLi+2に接続された非選択セルは、オン状態になる。尚、ワード線の電位が4V〜5V程度になり、メモリセル(“0”プログラミングセル)がオンしたとき、半導体基板の表面電位の状態に応じて、ホットキャリアがサーフェスブレイクダウンによって発生する可能性がある。以下では、ホットキャリアが発生する可能性があるワード線の供給電位VBのことを、ホットキャリア発生電位VBと呼ぶ。
非選択電位VRの大きさは、メモリセルのしきい値電圧以上に設定される。例えば、2値メモリの場合、しきい値電圧が高いメモリセル、すなわち、“0”プログラミングセルのしきい値電圧は、例えば、4V〜5V程度である。よって、非選択電位VRは、例えば、7V程度に設定される。
非選択ワード線WLi−2,WLi+2の電位は、配線のRC遅延に起因する遅延時間を経過して、グランド電位Vssから非選択電位VRへ上昇する。これによって、非選択ワード線WLi−2,WLi+2に接続された非選択セルは、オン状態になる。尚、ワード線の電位が4V〜5V程度になり、メモリセル(“0”プログラミングセル)がオンしたとき、半導体基板の表面電位の状態に応じて、ホットキャリアがサーフェスブレイクダウンによって発生する可能性がある。以下では、ホットキャリアが発生する可能性があるワード線の供給電位VBのことを、ホットキャリア発生電位VBと呼ぶ。
図8に示すように、非選択ワード線WLi−2,WLi+2に接続された非選択セルがオンした後、時間tbにおいて、ステートマシン11は、残りの非選択ワード線WL,WLi−1,WLi+1及び選択ワード線WLiに電位を供給する。
選択ワード線のソース側及びドレイン側に対して、1つ隣に隣接する非選択ワード線WLi−1,WLi+1には、電位VRより大きい非選択電位(第2の非選択電位)VRKが、供給される。これによって、隣接する非選択セルの浮遊ゲート電極の電位の状態やチャネルの寄生抵抗の影響を受けて、選択セルのしきい値電圧(データ)が変動するのを、抑制できる。また、選択ワード線WLiの1つ及び2つ隣の非選択ワード線WLi−1,WLi+1,WLi−2,WLi+2を除いた非選択ワード線WLには、例えば、非選択電位VRが供給される。このように、非選択ワード線WL,WLi−1,WLi+1,WLi−2,WLi+2に非選択電位が供給されることによって、1つのメモリセルストリングに含まれる複数の非選択セルは、オンする。
時間tbにおいて、選択ワード線WLiに対しても、例えば、非選択ワード線と同時に、電位VRが供給される。この場合、選択セル近傍の半導体基板表面が、サーフェスブレイクダウンを生じるような電位でフローティング状態になる前に、選択セルがオンする。よって、選択セルがオンすることによって発生するホットエレクトロンの発生確率は、低下する。このため、選択セルがオンしたときに発生する読み出しディスターブは、低減する。
この後、時間t2において、選択ワード線WLiには、ステートマシン11によって制御されたワード線・セレクトゲート線制御回路2及び電位生成回路9によって読み出し電位Vreadが、供給される。読み出し電位Vreadは、非選択電位VRより小さい電位であって、例えば、1V程度に設定される。
ここで、選択ワード線WLiに接続された選択セルのしきい値電圧が1V以下の場合、つまり、2値メモリにおいて、選択セルが“1”プログラミングセルの場合、選択セルはオンする。これに対して、選択セルのしきい値が、1Vより大きい場合、つまり、選択セルが“0”プログラミングセルの場合、選択セルはオンしない。選択セルがオンするか否かによって、ビット線BLの電位が変動する。選択セルが“1”プログラミングセルの場合、選択セルはオンするので、グランド電位Vssが供給されたソース線SLとビット線が導通する。よって、プリチャージされたビット線BLの電位は、低下する。一方、選択セルが“0”プログラミングセルの場合、選択セルはオンしないので、ソース線SLとビット線BLは電気気的に分断される。よって、ビット線BLの電位は、プリチャージ電位Vpreを維持する。
ここで、選択ワード線WLiに接続された選択セルのしきい値電圧が1V以下の場合、つまり、2値メモリにおいて、選択セルが“1”プログラミングセルの場合、選択セルはオンする。これに対して、選択セルのしきい値が、1Vより大きい場合、つまり、選択セルが“0”プログラミングセルの場合、選択セルはオンしない。選択セルがオンするか否かによって、ビット線BLの電位が変動する。選択セルが“1”プログラミングセルの場合、選択セルはオンするので、グランド電位Vssが供給されたソース線SLとビット線が導通する。よって、プリチャージされたビット線BLの電位は、低下する。一方、選択セルが“0”プログラミングセルの場合、選択セルはオンしないので、ソース線SLとビット線BLは電気気的に分断される。よって、ビット線BLの電位は、プリチャージ電位Vpreを維持する。
このビット線BLの電位の変動を、データ回路4及びセンスアンプ6が、データとして判別する。そして、そのデータが、データ入出力バッファ7を経由して、メモリチップ14の外部へ出力される。
データの読み出しが完了すると、ステートマシン11は、ワード線・セレクトゲート線制御回路9の動作を制御して、選択ワード線及び非選択ワード線に対する電位の供給を停止する。また、ステートマシン11は、ビット線BLの電位及びソース線SLの電位を、グランド電位Vssに設定する。以上の動作によって、フラッシュメモリの読み出し動作が終了する。
上述のように、本読み出し動作例1では、時間taにおいて、他のワード線に電位が供給される前に、選択ワード線WLiのソース側及びドレイン側に対して2つ隣の非選択ワード線WLi−2,WLi+2に、非選択電位VRが、供給される。そして、非選択ワード線WLi−2,WLi+2に接続された非選択セルがオンした後、時間tbにおいて、非選択ワード線及び選択ワード線に電位が供給される。
図9を用いて、時間taから時間tbまでの期間ta〜tbにおける、1つのメモリセルユニットCUの状態について、説明する。図9には、1つのメモリセルユニットのy方向に沿う断面構造が、模式的に図示されている。尚、図9において、選択ワード線WLiは、ワード線WL4として、説明する。この場合、選択ワード線の2つ隣の非選択ワード線WLi−2,WLi+2は、ワード線WL2とワード線WL6である。
図9を用いて、時間taから時間tbまでの期間ta〜tbにおける、1つのメモリセルユニットCUの状態について、説明する。図9には、1つのメモリセルユニットのy方向に沿う断面構造が、模式的に図示されている。尚、図9において、選択ワード線WLiは、ワード線WL4として、説明する。この場合、選択ワード線の2つ隣の非選択ワード線WLi−2,WLi+2は、ワード線WL2とワード線WL6である。
ステートマシン9は、時間taに、非選択ワード線WL2,WL6に対して電位VRの供給を開始し、期間ta〜tb内に、非選択セルMC2,MC6をオンさせる。よって、非選択セルMC2,MC6のチャネル領域に、反転層29が形成される。
非選択セルMC2,MC6は、半導体基板表面領域の電位が高くなる前にオンするため、非選択セルMC2,MC6がオン状態になった際に、ホットエレクトロンが発生する確率は、低い。また、時間ta〜tbにおいて、他のワード線WL1,WL3〜WL5,WL7,WL8には、電位が供給されていない。それゆえ、ホットエレクトロン発生電位VB以上の電位VRによって、選択ワード線WL4の2つ隣に隣接した非選択ワード線WL2,WL6に接続された非選択セルがオンした際に、ホットエレクトロンが発生しても、他のメモリセルの浮遊ゲート電極FGに、ホットエレクトロンが注入することはない。
非選択セルMC2,MC6は、半導体基板表面領域の電位が高くなる前にオンするため、非選択セルMC2,MC6がオン状態になった際に、ホットエレクトロンが発生する確率は、低い。また、時間ta〜tbにおいて、他のワード線WL1,WL3〜WL5,WL7,WL8には、電位が供給されていない。それゆえ、ホットエレクトロン発生電位VB以上の電位VRによって、選択ワード線WL4の2つ隣に隣接した非選択ワード線WL2,WL6に接続された非選択セルがオンした際に、ホットエレクトロンが発生しても、他のメモリセルの浮遊ゲート電極FGに、ホットエレクトロンが注入することはない。
また、時間tb以降に、他のワード線WL1,WL3〜WL5,WL7,WL8に電位を供給する際、非選択ワード線WL2,WL6に接続されたメモリセルMC2,MC6は、すでにオンしている。よって、非選択ワード線WL2,WL6に接続されたメモリセルMC2,MC6の少なくとも1つが、しきい値電圧の高い“0”プログラミングセルであっても、非選択ワード線WL2と非選択ワード線WL6とが設けられた半導体領域21Cの表面が、フローティング状態になることはない。
それゆえ、選択ワード線WL4及びそれに隣接する非選択ワード線に接続されるメモリセルがオンした場合において、ホットエレクトロンの発生は、抑制される。
選択ワード線WL4に隣接する非選択ワード線WL3,WL5に、他の非選択ワード線よりも高い電位を供給して、選択セルMC4に対する干渉を抑制する読み出し動作において、本読み出し動作例1のように、選択ワード線に対して2つ隣に隣接する非選択ワード線に電位を供給しておくことは、その非選択ワード線に接続されたメモリセルMC2,MC6のGIDL(Gate Induced Drain Leakage)を抑制できるので、選択ワード線に隣接する非選択ワード線の非選択セルに対するホットエレクトロンの注入を低減できる。また、非選択ワード線に非選択電位を供給して、非選択セルをオンさせた後に、選択セルをオンさせる読み出し動作に対しても、本読み出し動作例1は、有効である。
メモリの記憶容量の増大に伴って、1つのメモリセルユニットに含まれるワード線及びメモリセルが多くなると、1つのメモリセルユニットが設けられた半導体領域において、メモリセルがオンしないことに起因してフローティング状態になる範囲が大きくなる。よって、本読み出し動作例1を用いたフラッシュメモリは、記憶容量の大きいフラッシュメモリに対して、選択セル近傍の半導体基板表面領域がフローティング状態になるのを抑制するのに有効である。
さらに、本例では、2値メモリを用いて、読み出し動作について説明したが、多値メモリを用いた場合、上述(図7参照)のように、2値メモリよりしきい値電圧の高いメモリセルが存在し、かつ、多値メモリの読み出し動作では、1度の読み出しサイクルで、ワード線に対して、長期間にわたって、電位が供給される。また、多値メモリは、複数のデータを記憶するため、各データに対応するしきい値電圧の分布範囲は狭く、ホットエレクトロンに起因する誤書き込みの発生確率は、2値メモリに比較して、高くなる。それゆえ、本読み出し動作例1は、多値メモリを用いたフラッシュメモリに対して、ホットエレクトロン及びそれに起因する誤書き込みの発生を抑制するのに有効である。
さらに、本例では、2値メモリを用いて、読み出し動作について説明したが、多値メモリを用いた場合、上述(図7参照)のように、2値メモリよりしきい値電圧の高いメモリセルが存在し、かつ、多値メモリの読み出し動作では、1度の読み出しサイクルで、ワード線に対して、長期間にわたって、電位が供給される。また、多値メモリは、複数のデータを記憶するため、各データに対応するしきい値電圧の分布範囲は狭く、ホットエレクトロンに起因する誤書き込みの発生確率は、2値メモリに比較して、高くなる。それゆえ、本読み出し動作例1は、多値メモリを用いたフラッシュメモリに対して、ホットエレクトロン及びそれに起因する誤書き込みの発生を抑制するのに有効である。
尚、図9において、選択ワード線が、ワード線WL2又はワード線WL7の場合、ソース側及びドレイン側に対して2つ隣に隣接する非選択ワード線WLi−2,WLi+2は存在せず、セレクトゲート線SGSL,SGDLが選択ワード線の2つ隣に隣接する。選択トランジスタは3V程度のしきい値電圧で駆動するので、これが半導体基板のフローティング状態及びホットエレクトロンの発生の原因となることはない。
このように、本実施形態に係るフラッシュメモリは、読み出し動作時、選択ワード線のソース側及びドレイン側の2つ隣に隣接するワード線に、他のワード線より先に電位を供給し、選択ワード線の2つ隣のワード線に接続されたメモリセルをあらかじめオン状態する。この後、本実施形態に係るフラッシュメモリは、選択ワード線及び残りのワード線に電位を供給し、選択セル及び残りのメモリセルをオン状態にする。
これによって、本実施形態に係るフラッシュメモリは、読み出し動作時、選択セル近傍の半導体表面領域が、フローティング状態になることを防止し、選択セルや選択ワード線の2つ隣のワード線に接続されたメモリセルがオンした際に生じるホットキャリアが、例えば、選択ワード線の1つ隣に隣接するメモリセル(非選択セル)の浮遊ゲート電極に注入されるのを、抑制できる。
尚、本読み出し動作例1において、選択ワード線WLiのソース側に対して2つ隣に隣接した非選択ワード線WLi−2と選択ワード線WLiのドレイン側に対して2つ隣に隣接した非選択ワード線WLi+2とに対して、選択ワード線WLi及び他の非選択ワード線WLi−1,WLi+1,WLより先に非選択電位を供給する例について述べたが、ソース側又はドレイン側のいずれか一方の非選択ワード線WLi−2,WLi+2に、他のワード線より先に電位を供給してもよい。
本読み出し動作例1において、時間tbに、選択ワード線WLiと非選択ワード線WLi−1,WLi+1,WLとに同時に電位を供給する例を示している。ただし、選択ワード線の2つ隣の非選択ワード線に電位を供給した後であれば、それぞれ異なる時間に、選択ワード線WLiと非選択ワード線WLi−1,WLi+1,WLとに、電位を供給してもよい。
本読み出し動作例1において、時間tbに、選択ワード線WLiと非選択ワード線WLi−1,WLi+1,WLとに同時に電位を供給する例を示している。ただし、選択ワード線の2つ隣の非選択ワード線に電位を供給した後であれば、それぞれ異なる時間に、選択ワード線WLiと非選択ワード線WLi−1,WLi+1,WLとに、電位を供給してもよい。
以上のように、本発明の実施形態に係る不揮発性半導体メモリ(フラッシュメモリ)によれば、読み出しディスターブを低減できる。
(b) 動作例2
以下、図10を用いて、本実施形態に係るフラッシュメモリの読み出し動作例2について、説明する。尚、図8及び図9を用いて説明した読み出し動作例1と実質的に同じ要素については、同じ符号を付し、その詳細については、必要に応じて説明する。
以下、図10を用いて、本実施形態に係るフラッシュメモリの読み出し動作例2について、説明する。尚、図8及び図9を用いて説明した読み出し動作例1と実質的に同じ要素については、同じ符号を付し、その詳細については、必要に応じて説明する。
本実施形態のフラッシュメモリの読み出し動作例2において、図10に示すように、選択ワード線の2つ隣に隣接する非選択ワード線WLi−2,WLi+2,WLに、サーフェスブレイクダウンが生じる可能性がある電位VBより小さい電位(中間電位)VMをあらかじめ供給し、所定の期間tc’〜tdが経過した後、非選択ワード線WLi−1,WLi+1,WLi−2,WLi+2,WLに非選択電位VRK,VRが供給される。より具体的には、以下のとおりである。
はじめに、図10に示すように、時間t1において、セレクトゲート線SGSL,SGDLに電位Vsgの供給が開始される。これによって、選択トランジスタSGS,SGDがオンする。
次に、時間tcにおいて、選択ワード線の2つ隣に隣接する非選択ワード線WLi−2,WLi+2に、ステートマシン11の制御によって、中間電位VMが供給される。中間電位VMは、サーフェスブレイクダウン発生電位VB(例えば、4.5V程度)より小さい電位であって、例えば、セレクトゲート線SGSL,SGDLの供給電位Vsg(例えば、3V)以下である。また、非選択ワード線WLi−2,WLi+2,WLに電位VMを供給するのと同時に、例えば、選択ワード線WLi及び非選択ワード線WLi−1,WLi+1,WLに対しても、中間電位VMが供給される。
次に、時間tcにおいて、選択ワード線の2つ隣に隣接する非選択ワード線WLi−2,WLi+2に、ステートマシン11の制御によって、中間電位VMが供給される。中間電位VMは、サーフェスブレイクダウン発生電位VB(例えば、4.5V程度)より小さい電位であって、例えば、セレクトゲート線SGSL,SGDLの供給電位Vsg(例えば、3V)以下である。また、非選択ワード線WLi−2,WLi+2,WLに電位VMを供給するのと同時に、例えば、選択ワード線WLi及び非選択ワード線WLi−1,WLi+1,WLに対しても、中間電位VMが供給される。
そして、非選択ワード線WLi−1,WLi+1,WLi−2,WLi+2,WLの電位が中間電位VMに達してから所定の期間tc’〜td内において、非選択ワード線WLi−1,WLi+1,WLi−2,WLi+2の電位は、一定の電位VMに維持される。この期間tc’〜tdは、例えば、5μs〜10μs程度に設定される。
この期間tc’〜tdを経過した後、時間tdにおいて、非選択ワード線WLi−1,WLi+1,WLi−2,WLi+2,WLに対して電位VR,VRKの供給が開始される。また、例えば、時間tdにおいて、選択ワード線WLiに対しても、電位VRが供給される。これによって、非選択セル及び選択セルは、オンする。
選択ワード線WLiの電位が電位VRからグランド電位Vssにされた後、時間t2において、選択ワード線WLiに、読み出し電位Vreadが供給される。これによって、読み出し動作例1と同様に、選択ワード線WLiに接続された選択セルから、データが読み出される。
データの読み出しが完了すると、選択ワード線及び非選択ワード線に対する電位の供給が停止され、フラッシュメモリの読み出し動作が終了する。
以上のように、本読み出し動作例2において、非選択ワード線WLi−2,WLi+2の電位を、ホットエレクトロン発生電位VBより低い中間電位VMまで一度上昇させ、一定の期間tc’〜tdを経過させた後、中間電位VMから非選択電位VRまで上昇させる。
非選択ワード線に中間電位VMが供給されているときに、非選択ワード線WLi−2,WLi+2に電位が供給されるのに伴って、基板表面の電位は上昇する。しかし、期間tc’〜tdにおいて、基板の表面電位は緩和され、基板の表面電位は十分小さい電位に低減される。また、中間電位VMは、ホットエレクトロン発生電位VBより小さい電位なので、基板の表面電位が過剰に高くなることはない。
非選択ワード線に中間電位VMが供給されているときに、非選択ワード線WLi−2,WLi+2に電位が供給されるのに伴って、基板表面の電位は上昇する。しかし、期間tc’〜tdにおいて、基板の表面電位は緩和され、基板の表面電位は十分小さい電位に低減される。また、中間電位VMは、ホットエレクトロン発生電位VBより小さい電位なので、基板の表面電位が過剰に高くなることはない。
これによって、基板の表面電位は期間tc’〜tdにおいて十分低下及び安定しているので、非選択ワード線WLi−2,WLi+2,WLの電位が、サーフェスブレイクダウン発生電位VB以上となっても、非選択セル及び選択セルがオンしたときに、ホットキャリアが発生することが抑制される。
よって、選択ワード線のソース側/ドレイン側に対して1つ隣に隣接する選択ワード線WLi−1,WLi+1において、そのワード線WLi−1,WLi+1に接続された非選択セルに対して、ホットキャリアに起因する誤書き込みは生じない。
したがって、本発明の実施形態に係るフラッシュメモリによれば、読み出しディスターブを低減できる。
(c) 動作例3
以下、図11を用いて、本実施形態に係るフラッシュメモリの読み出し動作例3について、説明する。尚、読み出し動作例1及び2と実質的に同じ要素については、同じ符号を付し、その詳細については、必要に応じて説明する。
以下、図11を用いて、本実施形態に係るフラッシュメモリの読み出し動作例3について、説明する。尚、読み出し動作例1及び2と実質的に同じ要素については、同じ符号を付し、その詳細については、必要に応じて説明する。
本実施形態のフラッシュメモリの読み出し動作例3において、図11に示すように、選択ワード線WLiのソース側/ドレイン側の1つ隣に隣接する非選択ワード線WLi−1,WLi+1に電位が供給されるタイミングが、選択ワード線WLiのソース側/ドレイン側の2つ隣に隣接する非選択ワード線WLi+2,WLi+2に電位が供給されるタイミングと同じにされる。より具体的には、以下のとおりである。
図11に示すように、はじめに、セレクトゲート線SGSL,SGDLに、電位Vsgが供給され、ビット線BLに電位Vpreが供給される。
次に、時間teにおいて、ワード線に電位が供給される。本読み出し動作例3においては、選択ワード線WLiの2つ隣に隣接する非選択ワード線WLi−2,WLi+2に電位VRが供給されるのと同時に、選択ワード線WLiの1つ隣に隣接する非選択ワード線WLi−1,WLi+1に電位が供給される。この際、選択ワード線WLi−1,WLi+1に供給される電位は、例えば、電位VRである。
また、時間teにおいて、例えば、選択ワード線WLi及び残りの非選択ワード線WLにも、非選択電位VRが供給される。
また、時間teにおいて、例えば、選択ワード線WLi及び残りの非選択ワード線WLにも、非選択電位VRが供給される。
非選択ワード線WLi−1,WLi+1の電位が電位VRに達し、一定の期間te’〜tfが経過した後、時間tfにおいて、非選択ワード線WLi−1,WLi+1に電位VRKが供給される。
そして、選択ワード線WLiの電位がグランド電位Vssにされた後、時間t2において、選択ワード線WLiに、読み出し電位Vreadが供給される。これによって、読み出し動作例1と同様に、選択ワード線WLiに接続された選択セルから、データが読み出される。データの読み出しが完了すると、選択ワード線及び非選択ワード線に対する電位の供給が停止され、読み出し動作が終了する。
本読み出し動作例3においては、選択ワード線WLiのソース側及びドレイン側に対して、2つ隣の隣接する非選択ワード線WLi−2,WLi+2に非選択電位VRを供給するのと同時に、選択ワード線WLiの1つ隣の隣接する非選択ワード線WLi−1,WLi+1に非選択電位VRを供給する。この時、非選択ワード線WLi−1,WLi+1,WLi−2,WLi+2に供給される非選択電位VRは、同じ大きさの電位である。この後、1つ隣の隣接する非選択ワード線WLi−1,WLi+1に、2つ隣の隣接する非選択ワード線WLi−2,WLi+2に供給している電位VRよりも大きい電位VRKを供給する。
よって、非選択ワード線WLi−1,WLi+1,WLi−2,WLi+2に供給される電位の大きさが、ホットキャリア発生電位VB以上になるとき、非選択ワード線WLi−1,WLi+1の電位は、他のワード線WLi−2,WLi+2,WLの電位と同じ大きさになっている。
それゆえ、非選択ワード線WLi−1,WLi+1に接続された非選択セルに、ホットキャリアが注入される確率は低下する。よって、非選択セルに対する誤書き込みは、低減する。
それゆえ、非選択ワード線WLi−1,WLi+1に接続された非選択セルに、ホットキャリアが注入される確率は低下する。よって、非選択セルに対する誤書き込みは、低減する。
また、図11に示される読み出し動作例3では、読み出し動作例2のような中間電位VMを用いたワード線の電位の制御が不要となり、2つの非選択電位でVR,VRKを用いて非選択ワード線の電位を制御できる。よって、本読み出し動作例3を用いたフラッシュメモリは、読み出し動作例2と比較して、フラッシュメモリの読み出し動作の制御が簡便になる。さらに、本動作例3を用いたフラッシュメモリによれば、上述の読み出し動作例2のように、基板の表面電位を低下させるための期間(10μs程度)を確保する必要はなく、フラッシュメモリの読み出し動作の速度が遅くなることはない。
以上のように、本発明の実施形態に係るフラッシュメモリによれば、読み出しディスターブを低減できる。
[その他]
本発明の実施形態においては、3つの読み出し動作例(動作例1〜3)について述べた。これらのデータの読み出し動作は、外部からの要求に応じた通常の読み出し動作に限らず、書き込み動作の検証(ベリファイ動作)におけるデータの読み出しにも適用できるのは、もちろんである。
本発明の実施形態においては、3つの読み出し動作例(動作例1〜3)について述べた。これらのデータの読み出し動作は、外部からの要求に応じた通常の読み出し動作に限らず、書き込み動作の検証(ベリファイ動作)におけるデータの読み出しにも適用できるのは、もちろんである。
本発明の例は、上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、各構成要素を変形して具体化できる。また、上述の実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を構成できる。例えば、上述の実施形態に開示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよいし、異なる実施形態の構成要素を適宜組み合わせてもよい。
1:メモリセルアレイ、2:ワード線・セレクトゲート線制御回路、3:ウェル・ソース線電位制御回路、5:カラムデコーダ、6:センスアンプ、9:電位生成回路、11:ステートマシン、BL,BL1〜BLn:ビット線、WL1〜WL8:ワード線、WLi:選択ワード線、WLi+1,WLi−1,WLi+2,WLi−2:非選択ワード線、SL:ソース線、MC1〜MC8:メモリセル、25A:制御ゲート電極,23A:浮遊ゲート電極。
Claims (5)
- メモリセルアレイ内に第1の方向に沿って並んで配置され、電流経路が直列接続された複数のメモリセルを含んでいるメモリセルユニットと、
前記メモリセルユニットの一端に接続されるソース線と、
前記メモリセルユニットの他端に接続されるビット線と、
前記第1方向に配列された前記複数のメモリセルにそれぞれ共通に接続される複数のワード線と、
前記複数のワード線の各々に対応している複数の生成部を有し、前記メモリセルユニットの動作時、前記複数のワード線のうち、選択セルが接続された1つの選択ワード線及びこの選択ワード線を除いた複数の非選択ワード線に電位を供給するワード線制御回路と、
前記ワード線制御回路及び前記メモリセルユニットの動作を制御する動作制御回路と、を具備し、
前記選択セルに対するデータの読み出し動作時、前記動作制御回路は、前記選択ワード線のソース側及びドレイン側に対して2つ隣に隣接する非選択ワード線に、第1の電位を供給した後に、前記選択ワード線のソース側及びドレイン側に対して1つ隣に隣接する非選択ワード線に、第2の電位を供給するように、ワード線制御回路の動作を制御する、ことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。 - メモリセルアレイ内に第1の方向に沿って並んで配置され、電流経路が直列接続された複数のメモリセルと、前記直列接続されたメモリセルのソース側に接続されるソース側選択トランジスタと、前記直列接続されたメモリセルのドレイン側に接続されるドレイン側選択トランジスタとを含んでいるメモリセルユニットと、
前記メモリセルユニットのソース側に接続されるソース線と、
前記メモリセルユニットのドレイン側に接続されるビット線と、
前記第1の方向に配列された前記複数のメモリセルにそれぞれ共通に接続される複数のワード線と、
前記第1の方向に配列された前記複数のソース側選択トランジスタに共通に接続されるソース側セレクトゲート線と、
前記第1の方向に配列された前記複数のドレイン側選択トランジスタに共通に接続されるドレイン側セレクトゲート線と、
前記複数のワード線及び前記セレクトゲート線の各々に対応している複数の生成部を有し、前記メモリセルユニットの動作時、前記複数のワード線のうち、選択セルが接続された1つの選択ワード線、この選択ワード線を除いた複数の非選択ワード線、前記ソース側セレクトゲート線及び前記ドレイン側セレクトゲート線に電位をそれぞれ供給するワード線/セレクトゲート線制御回路と、
前記ワード線/セレクトゲート線制御回路及び前記メモリセルユニットの動作を制御する動作制御回路と、を具備し、
前記選択セルに対するデータの読み出し動作時、前記動作制御回路は、前記選択ワード線のソース側及びドレイン側に対して2つ隣に隣接する非選択ワード線及び前記選択ワード線のソース側及びドレイン側に対して1つ隣に隣接する非選択ワード線に電位を同時に供給してから所定の期間が経過した後、前記選択ワード線のソース側及びドレイン側に対して2つ隣に隣接する非選択ワード線に第1の電位を供給し、前記選択ワード線のソース側及びドレイン側に対して1つ隣に隣接する非選択ワード線に第2の電位を供給するように、前記ワード線制御回路の動作を制御する、ことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。 - 前記選択ワード線のソース側及びドレイン側に対して2つ隣に隣接する非選択ワード線及び前記選択ワード線のソース側及びドレイン側に対して1つ隣に隣接する非選択ワード線に同時に供給される前記電位は、前記ソース側及びドレイン側セレクトゲート線に供給される電位よりも小さい、ことを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体メモリ。
- 前記選択ワード線のソース側及びドレイン側に対して2つ隣に隣接する非選択ワード線及び前記選択ワード線のソース側及びドレイン側に対して1つ隣に隣接する非選択ワード線に同時に供給される電位は、前記第1の電位である、ことを特徴とする請求項2に記載の不揮発性半導体メモリ。
- 前記メモリセルは、記憶するデータにそれぞれ対応する第1のしきい値電圧と前記第1のしきい値電圧より大きい第2のしきい値電圧とを有し、前記第1及び第2の電位は、前記第2のしきい値電圧以上の電位であり、前記第2の電位は、前記第1の電位より大きい、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の不揮発性半導体メモリ。
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