JP2005293814A - 6トランジスタデュアルポートsramセル - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明のSRAMセルは、1個の第1トランジスタから構成され、ワードラインの制御信号によりビットラインからのデータ入力信号を入力する書き込み部と、3個のトランジスタから構成されて前記書き込み部を介して外部から入力されたデータを格納維持するデータ格納部と、2個のトランジスタで構成されて共通ラインの制御信号により前記データ格納部に格納されたデータを出力する読み出し部から構成される。
【選択図】図3
Description
すなわち、ひとつがハイ(H)状態であれば、他のひとつはロー(L)となることが一般的である。しかし、SRAMの値を使ったり読み出す直前にはSRAMの動作速度を上昇させるためには、2信号のレベルを全てハイ(H)またはロー(L)にしたり、それとも「VDD/2」のように特定レベルに同一にすることもある。
使用者が一つのSRAMセル120にハイ、またはローの1ビットデータを格納できる。
ビットラインBLの入力ピンを介してSRAMセル120にハイ信号を記録しようとする場合、まず、ビットラインBLの入力ピンを介してハイ信号を印加する。ビットラインBLにハイ信号が安定的にセットアップされた後、ワードラインにハイ信号が入力されれば、NMOSトランジスタN20AがオンされてビットラインBLの信号がノードcell2Aに出力される。その結果、ノードcell2Aはハイ状態となる。
SRAMメモリセル120のノードcell2A及びノードcell2Bに記録されたデータは、2個のNMOSトランジスタN22、N23を介してデータラインDに出力されることができる。
WL ワードライン
C 共通ライン
D データライン
Claims (14)
- 1個の第1トランジスタから構成されて、ワードラインの制御信号によりビットラインからのデータ入力信号を入力する書き込み部と、
3個のトランジスタから構成されて前記書き込み部を介して外部から入力されたデータを格納維持するデータ格納部と、
2個のトランジスタで構成されて共通ラインの制御信号により前記データ格納部に格納されたデータを出力する読み出し部と
から構成されたことを特徴とする6トランジスタデュアルポートSRAMセル。 - 前記書き込み部は、ゲートがワードラインに接続され、一側側が単一のビットラインに接続され、他側端が前記データ格納部に接続された単一の第1トランジスタで構成されたことを特徴とする請求項1に記載の6トランジスタデュアルポートSRAMセル。
- 前記データ格納部は、
前記第1トランジスタの他側端を構成する第1ノードにゲートが接続され、第1電源電圧端と第2ノードとの間にソース・ドレイン経路が接続された第2トランジスタと、
ゲートが前記第2ノードに接続され、前記第1ノードと第2電源電圧端との間にソース・ドレイン経路が接続された第3トランジスタと、
ゲートが前記第1ノードに接続され、前記第2ノードと第2電源電圧端との間にソース・ドレイン経路が接続された第4トランジスタと
から構成されたことを特徴とする請求項2に記載の6トランジスタデュアルポートSRAMセル。 - 前記読み出し部はゲートが前記第2ノードに接続され第3ノードと前記第2電源電圧端との間にソース・ドレイン経路が接続された第5トランジスタと、
共通ラインCにゲートが接続され、読み出しデータが載せられるデータラインDと前記第3ノードとの間にソース・ドレイン経路が接続された第6トランジスタと
から構成されたことを特徴とする請求項3に記載のトランジスタデュアルポートSRAMセル。 - 前記第1、第3、第4、第5及び第6トランジスタは各々NMOSトランジスタであり、前記第2トランジスタはPMOSトランジスタであることを特徴とする請求項6に記載の6トランジスタデュアルポートSRAMセル。
- 前記データラインは信号出力直前にハイレベルにプルアップされることを特徴とする請求項4に記載の6トランジスタデュアルポートSRAMセル。
- ワードラインの制御信号によってビットラインからのデータ入力信号を入力する第1トランジスタから構成された書き込み部と、
前記第1トランジスタの出力端に接続される第2トランジスタと、前記第2トランジスタと反転作動する第3トランジスタと、前記第3トランジスタと反転作動する第4トランジスタとから構成され、前記第1トランジスタの出力端、前記第2トランジスタの入力端、前記第3トランジスタゲート入力端及び前記第4トランジスタゲート入力端に共通接続された第1ノードと、前記第3トランジスタの入力端及び第4トランジスタの出力端に共通接続された第2ノードは互いに反転された信号レベル状態を示すように作動するデータ格納部と、
ゲート入力端が前記第2ノードに接続されてプルダウン作動する第5トランジスタ及び共通ラインによりゲートが駆動され、前記第5トランジスタに接続されてその間に第3ノードを形成し、前記共通ラインの信号によって前記第2ノードと反転された信号を出力する第6トランジスタから構成された読み出し部と
から構成されることを特徴とする6トランジスタデュアルポートSRAMセル。 - 前記第1トランジスタ、第2トランジスタ、第3トランジスタ、第5トランジスタ及び第6トランジスタはNMOSトランジスタであり、第4トランジスタはPMOSトランジスタであることを特徴とする請求項7に記載の6トランジスタデュアルポートSRAMセル。
- 前記第6トランジスタの出力端は、信号出力直前に外部のプルアップトランジスタによりハイレベルにプルアップされることを特徴とする請求項7または8に記載の6トランジスタデュアルポートSRAMセル。
- 6個のトランジスタから構成されるデュアルポートSRAMセルにおいて、
ワードラインの信号によってビットラインから入力データが入力されて記録維持され、共通ラインの信号によって内部に記録維持されているデータをデータラインを介して出力するように、
前記ビットラインからの入力データが維持される第1ノードと、
第1ノードの入力データと反転された状態で信号レベルが維持される第2ノードと、
前記共通ラインの信号に応答して前記第1ノードに維持される入力データと同じ信号レベルとなって、この信号を出力データとして出力する第3ノードと
を備えることを特徴とする6トランジスタデュアルポートSRAMセル。 - 前記第1ノードは、ワードラインの入力信号によってビットラインの信号を入力する第1トランジスタの出力端、第2トランジスタの入力端、第3トランジスタのゲート入力端、第4トランジスタのゲート入力端に共通接続され、
第2ノードは、第2トランジスタのゲート入力端、第3トランジスタの入力端、第4トランジスタの出力端及び第5トランジスタのゲート入力端に共通接続されることを特徴とする請求項10に記載の6トランジスタデュアルポートSRAMセル。 - 前記第1トランジスタ、第2トランジスタ、第3トランジスタ及び第5トランジスタはNMOSトランジスタであり、第4トランジスタはPMOSトランジスタであることを特徴とする請求項11に記載の6トランジスタデュアルポートSRAMセル。
- 前記第3ノードは第5トランジスタの入力端及び共通ラインの信号によりゲート駆動される第6トランジスタに共通接続になるのを特徴とする請求項10ないし12のいずれかに記載の6トランジスタデュアルポートSRAMセル。
- 前記第6トランジスタはNMOSトランジスタから構成され、その出力端は外部のプルアップトランジスタにより信号出力直前にハイ(H)レベルに信号レベルがプルアップされることを特徴とする請求項13に記載の6トランジスタデュアルポートSRAMセル。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR2004-022194 | 2004-03-31 | ||
KR1020040022194A KR100560948B1 (ko) | 2004-03-31 | 2004-03-31 | 6 트랜지스터 듀얼 포트 에스램 셀 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005293814A true JP2005293814A (ja) | 2005-10-20 |
JP4907067B2 JP4907067B2 (ja) | 2012-03-28 |
Family
ID=35050006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004194322A Expired - Lifetime JP4907067B2 (ja) | 2004-03-31 | 2004-06-30 | 6トランジスタデュアルポートsramセル |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7116605B2 (ja) |
JP (1) | JP4907067B2 (ja) |
KR (1) | KR100560948B1 (ja) |
CN (1) | CN100514491C (ja) |
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KR100560948B1 (ko) | 2006-03-14 |
US20050226084A1 (en) | 2005-10-13 |
CN1677566A (zh) | 2005-10-05 |
US7116605B2 (en) | 2006-10-03 |
JP4907067B2 (ja) | 2012-03-28 |
KR20050097129A (ko) | 2005-10-07 |
CN100514491C (zh) | 2009-07-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060201 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20061101 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091201 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100301 |
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