JP2005136218A - 不純物活性化方法及びレーザ照射装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 不純物活性化方法は、(a)表層に不純物が添加された半導体基板の表面に、パルスレーザビームである第1のレーザビームを照射する工程と、(b)前記工程(a)において第1のレーザビームが照射されている間に、前記半導体基板の表面への第2のレーザビームの照射を開始するか、または、前記工程(a)における第1のレーザビームの照射終了時刻から300ns以内に、前記半導体基板の表面への第2のレーザビームの照射を開始する工程とを含む。
【選択図】 図1
Description
2 半波長板
3 折り返しミラー
4 偏光ビームスプリッタ
5 シャッタ
6 回折光学素子
7 (回折光学素子6の)焦点面
8 半導体基板
9 ステージ
Claims (17)
- (a)表層に不純物が添加された半導体基板の表面に、パルスレーザビームである第1のレーザビームを照射する工程と、
(b)前記工程(a)において第1のレーザビームが照射されている間に、前記半導体基板の表面への第2のレーザビームの照射を開始するか、または、前記工程(a)における第1のレーザビームの照射終了時刻から300ns以内に、前記半導体基板の表面への第2のレーザビームの照射を開始する工程と
を含む不純物活性化方法。 - 前記工程(b)で照射される第2のレーザビームが、連続波レーザビームである請求項1に記載の不純物活性化方法。
- 前記工程(b)において、
前記工程(a)における第1のレーザビームの照射終了時刻から300ns以内に、パルスレーザビームである第2のレーザビームを1ショット照射し、該第2のレーザビームの照射終了時刻から300ns以内に、さらに、前記半導体基板の表面にパルスレーザビームである第3のレーザビームを照射する請求項1に記載の不純物活性化方法。 - 前記工程(a)及び(b)における前記半導体基板へのレーザビームの照射時間の総和が、300ns以上である請求項1〜3のいずれかに記載の不純物活性化方法。
- 表層に不純物が添加された半導体基板の表面に、連続波レーザビームを照射しながら、パルスレーザビームを照射する工程を含む不純物活性化方法。
- パルスレーザビームである第1のレーザビームを出射する第1のレーザ光源と、
連続波レーザビームまたはパルスレーザビームである第2のレーザビームを出射する第2のレーザ光源と、
前記第1及び第2のレーザ光源から出射した第1及び第2のレーザビームが入射するように配置され、入射したレーザビームのビーム断面形状の整形及びビーム断面内の光強度分布の均一化の少なくとも一方を行う回折光学素子と
を有するレーザ照射装置。 - 前記回折光学素子に入射する前記第1及び第2のレーザビームの光軸が、互いに平行であるか、または、一致している請求項6に記載のレーザ照射装置。
- 前記回折光学素子に入射する前記第1及び第2のレーザビームのビーム断面が、互いに接しているか、または、互いに重なりを有している請求項6または7に記載のレーザ照射装置。
- 前記第2のレーザ光源が、連続波レーザビームを出射し、
さらに、前記第2のレーザ光源と前記回折光学素子との間の光路上に配置され、前記第2のレーザ光源から出射したレーザビームが前記回折光学素子に入射する状態と、入射しない状態とを切り換えるシャッタを有する請求項6〜8のいずれかに記載のレーザ照射装置。 - さらに、
前記回折光学素子から出射したレーザビームが入射するレーザ被照射物を保持する保持台と、
前記保持台に保持されたレーザ被照射物の表面へ、前記第1のレーザ光源から出射したレーザビームが照射されている間に、前記第2のレーザ光源から出射したレーザビームの該表面への照射が開始するように、または、前記保持台に保持されたレーザ被照射物の表面への前記第1のレーザ光源から出射したパルスレーザビームの照射が終了した時刻から300ns以内に、前記第2のレーザ光源から出射したレーザビームの該表面への照射が開始されるように、前記第1のレーザ光源及び前記シャッタの少なくとも一方を制御する制御装置と
を有する請求項9に記載のレーザ照射装置。 - 前記第2のレーザ光源が、パルスレーザビームを出射し、
さらに、前記回折光学素子から出射したレーザビームが入射するレーザ被照射物を保持する保持台と、
前記保持台に保持されたレーザ被照射物の表面へ、前記第1のレーザ光源から出射したレーザビームが照射されている間に、前記第2のレーザ光源から出射したレーザビームの該表面への照射が開始するように、または、前記保持台に保持されたレーザ被照射物の表面への前記第1のレーザ光源から出射したパルスレーザビームの照射が終了した時刻から300ns以内に、前記第2のレーザ光源から出射したレーザビームの該表面への照射が開始されるように、前記第1及び第2のレーザ光源の少なくとも一方を制御する制御装置と
を有する請求項6〜8のいずれかに記載のレーザ照射装置。 - さらに、パルスレーザビームを出射する第3のレーザ光源を有し、
前記制御装置が、前記保持台に保持されたレーザ被照射物の表面へ、前記第2のレーザ光源から出射したレーザビームが照射されている間に、前記第3のレーザ光源から出射したレーザビームの該表面への照射が開始するように、または、前記保持台に保持されたレーザ被照射物の表面への前記第2のレーザ光源から出射したパルスレーザビームの照射が終了した時刻から300ns以内に、前記第3のレーザ光源から出射したレーザビームの該表面への照射が開始されるように、前記第2及び第3のレーザ光源の少なくとも一方を制御する請求項7に記載のレーザ照射装置。 - 前記第2のレーザ光源が、連続波レーザビームを出射し、
さらに、前記回折光学素子から出射したレーザビームが入射するレーザ被照射物を保持する保持台と、
前記保持台に保持されたレーザ被照射物の表面に、前記第1のレーザ光源から出射したレーザビームが照射されている時間と、前記第2のレーザ光源から出射したレーザビームが照射されている時間とが、重なりを有するように、前記第1及び第2のレーザ光源の少なくとも一方を制御する制御装置と
を有する請求項6〜8のいずれかに記載のレーザ照射装置。 - レーザビームを出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射したレーザビームが入射するように配置された回折光学素子であって、該回折光学素子に入射したレーザビームの断面形状を、該回折光学素子の焦点面において、長尺方向の長さと短尺方向の長さとの比が、1対100以上である長尺ビームに整形し、かつ、該回折光学素子に入射したレーザビームのビーム断面内の長尺方向に関する光強度分布を、該回折光学素子の焦点面において均一化する該回折光学素子と
を有するレーザ照射装置。 - レーザビームを出射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から出射したレーザビームが入射するように配置された回折光学素子であって、入射したレーザビームのビーム断面内の光強度分布を、該回折光学素子の焦点面において均一化する該回折光学素子と、
遮光領域と光透過領域とを有し、前記回折光学素子から出射したレーザビームの一部が該光透過領域に入射するように配置され、かつ、前記回折光学素子の焦点面からの距離が1mm以内の位置に、または、前記回折光学素子の焦点面上に配置されたビーム整形器と
を有するレーザ照射装置。 - 前記ビーム整形器の光透過領域の形は、長尺方向の長さと短尺方向の長さとの比が、1対100以上である長尺形状である請求項15に記載のレーザ照射装置。
- 前記ビーム整形器が、前記回折光学素子の焦点面上に配置されており、
さらに、前記ビーム整形器から出射したレーザビームが入射するように配置され、レーザビームを収束させるレンズを有する請求項15または16に記載のレーザ照射装置。
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