JP2012054599A - 熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板に第1のパルスのフラッシュ光照射(点線)が開始された後に第2のパルスのフラッシュ光照射(一点鎖線)が開始される。第2のパルスのフラッシュ光照射の少なくとも一部は第1のパルスのフラッシュ光照射と重ね合わされて基板に照射される。これにより、基板表面の浅い領域を必要以上に加熱することなく深い領域をも活性化温度以上に昇温することができ、基板に反りや割れを生じさせることなく深い接合の活性化を行うことができる。
【選択図】図13
Description
まず、本発明に係る熱処理装置の全体構成について概説する。図1は、本発明に係る熱処理装置1の構成を示す側断面図である。熱処理装置1は基板として略円形の半導体ウェハーWに閃光(フラッシュ光)を照射してその半導体ウェハーWを加熱するフラッシュランプアニール装置である。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。第2実施形態の熱処理装置の全体構成は概ね図1,5に示した第1実施形態の装置構成と同じであり、また第2実施形態の熱処理装置における半導体ウェハーWの処理手順についても第1実施形態と同一である。第2実施形態の熱処理装置が第1実施形態と相違するのは、フラッシュランプFLの配置態様である。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。第3実施形態の熱処理装置の全体構成も概ね図1,5に示した第1実施形態の装置構成と同じであり、また第3実施形態の熱処理装置における半導体ウェハーWの処理手順についても第1実施形態と同一である。第3実施形態の熱処理装置が第1実施形態と相違するのは、フラッシュランプFLの形状および配置態様である。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、フラッシュランプFL1の発光開始タイミングとフラッシュランプFL2の発光開始タイミングとを同時としていたが、これをずらすようにしても良い。図13は、パルス幅の短いフラッシュランプFL1の発光開始タイミングをパルス幅の長いフラッシュランプFL2よりも早くしたときの半導体ウェハーW表面における光強度の推移を示す図である。具体的には、制御部3がトリガー制御回路38を制御してフラッシュランプFL1に接続されたショートパルス回路SPのトリガースイッチSWをON状態とした後にフラッシュランプFL2に接続されたロングパルス回路LPのトリガースイッチSWをON状態とする。
3 制御部
4 保持部昇降機構
5 ランプハウス
6 チャンバー
7 保持部
52 リフレクタ
53 ランプ光放射窓
61 チャンバー窓
65 熱処理空間
71 ホットプレート
72 サセプタ
FL,FL1,FL2 フラッシュランプ
LP ロングパルス回路
SP ショートパルス回路
W 半導体ウェハー
Claims (4)
- 基板に対してフラッシュランプからフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
前記基板に第1のパルスのフラッシュ光照射を行う第1照射工程と、
前記基板に第2のパルスのフラッシュ光照射を行う第2照射工程と、
を備え、
前記第1照射工程は第1の時刻に開始されるとともに、前記第2照射工程は前記第1の時刻よりも後の第2の時刻に開始され、
前記第2照射工程のフラッシュ光照射の少なくとも一部は前記第1照射工程のフラッシュ光照射と重ね合わされることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項1記載の熱処理方法において、
前記第1照射工程のフラッシュ光照射によって前記基板の表面温度を所定値以上の処理温度に昇温し、前記第2照射工程のフラッシュ光照射によって前記基板の表面温度を前記処理温度に所定時間以上維持することを特徴とする熱処理方法。 - 基板に対してフラッシュ光を照射することによって該基板を加熱する熱処理方法であって、
第1のフラッシュランプから前記基板にフラッシュ光照射を行う第1照射工程と、
第2のフラッシュランプから前記基板にフラッシュ光照射を行う第2照射工程と、
を備え、
前記第1照射工程は第1の時刻に開始されるとともに、前記第2照射工程は前記第1の時刻よりも後の第2の時刻に開始され、
前記第2照射工程のフラッシュ光照射の少なくとも一部は前記第1照射工程のフラッシュ光照射と重ね合わされることを特徴とする熱処理方法。 - 請求項3記載の熱処理方法において、
前記第1照射工程のフラッシュ光照射によって前記基板の表面温度を所定値以上の処理温度に昇温し、前記第2照射工程のフラッシュ光照射によって前記基板の表面温度を前記処理温度に所定時間以上維持することを特徴とする熱処理方法。
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