JP2012164921A - レーザアニール方法及びレーザアニール装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 (a)表層部の相対的に深い領域に、相対的に低濃度で不純物が添加され、相対的に浅い領域に、相対的に高濃度で不純物が添加されている半導体基板を準備する。(b)半導体基板にレーザビームを照射して、相対的に浅い領域に添加された高濃度不純物は、高濃度不純物の添加領域よりも深い位置まで、半導体基板を溶融させて活性化させ、相対的に深い領域に添加された低濃度不純物は、半導体基板を、低濃度不純物の添加領域まで溶融させることなく活性化させる。
【選択図】 図9
Description
10a レーザビーム
11 アッテネータ
12 テレスコープ
13 ホモジナイザ
14 折り返しミラー
15 ダイクロイックミラー
16 イメージングレンズ
20 半導体レーザ
20a レーザビーム
21 アッテネータ
22 テレスコープ
23 ホモジナイザ
30 ステージ
40 制御装置
50 シリコンウエハ
Claims (7)
- (a)表層部の相対的に深い領域に、相対的に低濃度で不純物が添加され、相対的に浅い領域に、相対的に高濃度で不純物が添加されている半導体基板を準備する工程と、
(b)前記半導体基板にレーザビームを照射して、前記相対的に浅い領域に添加された高濃度不純物は、該高濃度不純物の添加領域よりも深い位置まで、前記半導体基板を溶融させて活性化させ、前記相対的に深い領域に添加された低濃度不純物は、前記半導体基板を、前記低濃度不純物の添加領域まで溶融させることなく活性化させる工程と
を有するレーザアニール方法。 - 前記工程(a)で準備する半導体基板は、前記相対的に高濃度で不純物が添加された領域の少なくとも一部がアモルファス化している請求項1に記載のレーザアニール方法。
- 前記工程(b)において、前記相対的に浅い領域に添加された不純物は、前記半導体基板に、パルス幅が相対的に短いパルスレーザビームを照射し、照射位置の前記半導体基板を溶融させて活性化させ、前記相対的に深い領域に添加された不純物は、前記半導体基板に、パルス幅が相対的に長いパルスレーザビームを照射して活性化させる請求項1または2に記載のレーザアニール方法。
- 前記工程(b)において、前記相対的に浅い領域に添加された不純物は、前記半導体基板に、パルス幅が相対的に長いパルスレーザビームを照射し、前記半導体基板を溶融しない温度まで加熱した状態で、パルス幅が相対的に短いパルスレーザビームを照射し、照射位置の前記半導体基板を溶融させて活性化させる請求項3に記載のレーザアニール方法。
- 前記工程(b)において、前記相対的に浅い領域に添加された不純物の活性化と、前記相対的に深い領域に添加された不純物の活性化とを別時に行う請求項1〜3のいずれか1項に記載のレーザアニール方法。
- パルス幅が相対的に短い第1のパルスレーザビームを出射する第1のレーザ光源と、
パルス幅が相対的に長い第2のパルスレーザビームを出射する第2のレーザ光源と、
表層部の相対的に深い領域に、相対的に低濃度で不純物が添加され、相対的に浅い領域に、相対的に高濃度で不純物が添加された半導体基板を保持するステージと、
前記第1のレーザ光源を出射した第1のパルスレーザビーム、及び、前記第2のレーザ光源を出射した第2のパルスレーザビームを、前記ステージに保持された半導体基板上の同一領域に伝搬しうる伝搬光学系であって、前記第1のパルスレーザビームと前記第2のパルスレーザビームとを、同一光軸上に重畳するビーム重畳器を含み、前記第1のパルスレーザビームを、前記高濃度不純物の添加領域よりも深い位置まで、前記半導体基板を溶融させるエネルギ密度で伝搬させることが可能であり、かつ、前記第2のパルスレーザビームを、前記半導体基板を、前記低濃度不純物の添加領域まで溶融させないエネルギ密度で伝搬させる伝搬光学系と
を有するレーザアニール装置。 - 更に、前記半導体基板に、前記第2のパルスレーザビームを照射し、前記半導体基板を溶融しない温度まで加熱した状態で、前記第1のパルスレーザビームを照射し、照射位置の前記半導体基板を溶融させるように、前記第1のレーザ光源からの前記第1のパルスレーザビームの出射、及び、前記第2のレーザ光源からの前記第2のパルスレーザビームの出射を制御する制御装置を含む請求項6に記載のレーザアニール装置。
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