JP2005079109A - 貼合せsoiウェーハの製造方法及び該方法により製造された貼合せsoiウェーハ - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 61
- 238000003475 lamination Methods 0.000 title abstract 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 128
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 113
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 49
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 23
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 277
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 38
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 12
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000003754 machining Methods 0.000 claims description 8
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 3
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 57
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 13
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910008284 Si—F Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
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- Element Separation (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】(A) 半導体ウェーハと支持ウェーハとを酸化膜を介して重ね合せることにより積層体を形成する工程と、(B) 半導体ウェーハを所定の厚さに薄膜化することにより支持ウェーハ上に埋込み酸化膜層を介して薄膜の単結晶シリコン層を形成する工程とを含む貼合せSOIウェーハの製造方法の改良であり、その特徴ある構成は、(C) 埋込み酸化膜層全体を支持ウェーハの重ね合わせ側の主面と単結晶シリコン層により被包するところにある。埋込み酸化膜層全体の被包は、工程(A)と工程(B)の間で重ね合わせる側の主面の周端縁及び面取り部に形成された酸化膜を除去して周端縁を除く重ね合わせ面のみに酸化膜を残留させることにより行われる。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、二枚のシリコンウェーハをシリコン酸化膜を介して貼合せてSOI(Silicon On Insulator)ウェーハを製造する、いわゆる貼合せSOIウェーハの製造方法とこの方法により製造された貼合せSOIウェーハに関する。更に詳しくは、埋込み酸化膜層全体が被包され、露出していない貼合せSOIウェーハの製造方法及び該方法により製造された貼合せSOIウェーハに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体集積回路の高集積性、高性能、多機能性、高信頼性に伴い、パターンの寸法はますます細かくなってきている。これに伴い、デバイス形成領域となるウェーハ表面層に酸化膜層を隔てて無欠陥の薄膜化したSOI層を有するSOIウェーハが要望されている。このようなSOIウェーハを作製する方法としては、薄膜化される活性ウェーハと、支持ウェーハを貼合せて形成する貼合せ法や、ウェーハ表面より酸素イオンを注入してウェーハ表面から所定の深さの領域にBOX層を形成するSIMOX(Separation by IMplanted OXygen)法等がある。
このうち、貼合せ法によるSOIウェーハの製造方法としては、図7(a)に示すように、SOIウェーハ4は、半導体ウェーハ1と支持ウェーハ2を酸化膜3を介して貼合せ、半導体ウェーハ1を所望の厚さに形成して単結晶シリコン層とすることにより形成される。得られたSOIウェーハ4の埋込みシリコン酸化層3における端縁3a,3aは埋込まれずに側面に露出する。このため、半導体デバイス製造工程においてフッ酸水溶液等によりエッチングされるときに、酸化膜3の露出した端縁3a,3aがエッチングにより除去される。その結果、図7(b)に示すように、上層に相当する単結晶シリコン層1の端面1a,1aがひさし状に張出した状態になる。この張出し部分1a,1aは厚さが薄いため、機械的強度に弱く、後続する種々の処理工程中に欠けたり、剥離する。これにより生じたシリコン片はパーティクルとなって活性領域の単結晶シリコン層1の表面に付着してパターン不良や各種の堆積膜の欠陥の原因となり、製品歩留りが低下する問題がある。またエピタキシャル成長させる場合、露出している酸化膜の部分では、ポリシリコンが成長し、フッ酸処理工程でパーティクルの発生原因となる問題がある。
【0003】
このような問題を改善する方策として、貼合せ法により作製されたSOI半導体基板の周辺部を除去した後に、該基板の上層部と下層部との間に介在するシリコン酸化膜層を、少なくとも該基板の側面部でシリコン酸化膜可溶剤に対する保護被膜で被覆し、その後上記被膜の不要部分を除去することを特徴とする半導体基板の製造方法が知られている(例えば、特許文献1参照。)
【0004】
【特許文献1】
特開平4−129267号公報(特許請求の範囲5.、3頁右下欄12行目〜5頁右上欄18行目及び第2図(A)〜(M))
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記特許文献1に示された方法では、貼合せ法で一般的に行う工程の他に、貼合せた後に埋込み酸化膜の露出した端縁を気相成長により覆う工程や、気相成長により形成した膜を除去する工程が更に付加されており、工程数の増加によって製造コストが増大する問題があった。
本発明の目的は、埋込み酸化膜層全体が被包され、露出していない貼合せSOIウェーハを製造する方法及び該方法により製造された貼合せSOIウェーハを提供することにある。
本発明の別の目的は、製造コストを低減し得る、貼合せSOIウェーハの製造方法及び該方法により製造された貼合せSOIウェーハを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1に係る発明は、図1に示すように、(A) 半導体ウェーハ11と支持ウェーハ12とを酸化膜11aを介して重ね合せることにより積層体13を形成する工程と、(B) 半導体ウェーハ11を所定の厚さに薄膜化することにより支持ウェーハ12上に埋込み酸化膜層11aを介して薄膜の単結晶シリコン層14を形成する工程とを含む貼合せSOIウェーハの製造方法の改良である。
その特徴ある構成は、(C) 埋込み酸化膜層11a全体を支持ウェーハ12の重ね合わせ側の主面と単結晶シリコン層14により被包するところにある。
この請求項1に記載された貼合せSOIウェーハの製造方法では、埋込み酸化膜層11a全体を支持ウェーハ12の重ね合わせ側の主面と単結晶シリコン層14により被包するので、埋込み酸化膜11aの側面が露出しない。また、気相成長等の工程を付加していないため、製造コストを低減できる。
【0007】
請求項2に係る発明は、請求項1に係る発明であって、工程(C)の埋込み酸化膜層全体の被包が、工程(A)における酸化膜を半導体ウェーハ又は支持ウェーハのいずれか一方の重ね合わせる側の主面及びこの主面に続く面取り部に形成するか、或いは半導体ウェーハ又は支持ウェーハのいずれか一方の両主面及び両主面に接続する面取り部に形成し、工程(A)と工程(B)の間で重ね合わせる側の主面の周端縁及び面取り部に形成された酸化膜を除去して周端縁を除く重ね合わせ面のみに酸化膜を残留させることにより行われる貼合せSOIウェーハの製造方法である。
この請求項2に記載された貼合せSOIウェーハの製造方法では、周端縁及び面取り部に形成された酸化膜を除去することで側面から露出していた酸化膜に起因する製品歩留まりの低下を低減でき、周端縁を除く重ね合わせ面のみに酸化膜を残留させているため、高品質のSOIウェーハを得ることができる。
【0008】
請求項3に係る発明は、請求項1に係る発明であって、工程(B)の半導体ウェーハの薄膜化が、半導体ウェーハの機械加工、化学エッチング又は気相エッチングのいずれかの方法により行われる貼合せSOIウェーハの製造方法である。
請求項4に係る発明は、請求項3に係る発明であって、工程(B)の半導体ウェーハの機械加工による薄膜化が、重ね合わせる側と反対側の前記半導体ウェーハを重ね合わせた後で研削研磨することにより行われる貼合せSOIウェーハの製造方法である。
【0009】
請求項5に係る発明は、請求項3に係る発明であって、工程(B)の半導体ウェーハの機械加工による薄膜化が、半導体ウェーハを重ね合わせた後で半導体ウェーハを主面と平行に切断することにより行われる貼合せSOIウェーハの製造方法である。
この請求項5に記載された貼合せSOIウェーハの製造方法では、半導体ウェーハを主面と平行に切断することによって得られる切断ウェーハは、その切断面に生じた加工歪みに研削研磨を施すことで、貼合せ用の半導体ウェーハとして再度利用することができる。
【0010】
請求項6に係る発明は、請求項1に係る発明であって、図2に示すように、工程(B)の半導体ウェーハ21の薄膜化が、半導体ウェーハ21の重ね合わせる側の主面及びこの主面に続く面取り部にイオンを注入して半導体ウェーハ21内部にイオン注入領域21bを形成し、重ね合わせた後の積層体23を所定の温度で熱処理して半導体ウェーハ21をイオン注入領域21bで薄膜24から分離して除去することにより行われる貼合せSOIウェーハの製造方法である。
この請求項6に記載された貼合せSOIウェーハの製造方法では、イオン注入領域21bで薄膜24から分離することによって得られる剥離ウェーハ27は、そのイオン注入で生じた欠陥に研削研磨を施すことで、貼合せ用の半導体ウェーハとして再度利用することができる。
【0011】
請求項7に係る発明は、請求項1に係る発明であって、図3に示すように、工程(B)の半導体ウェーハ31の薄膜化が、半導体ウェーハ31の重ね合わせる側の主面及びこの主面に続く面取り部に多孔質のポーラスシリコン層37を陽極酸化により作製し、このポーラスシリコン層37に水素アニール処理を施した後に、エピタキシャル成長によって単結晶シリコン薄膜層34をこの順に形成し、単結晶シリコン薄膜層34又は支持ウェーハ32のいずれか一方の重ね合わせる側の主面及びこの主面に続く面取り部に酸化膜31aを形成し、重ね合わせた後の積層体33を所定の温度で熱処理して半導体ウェーハ31をポーラスシリコン層37で単結晶シリコン薄膜層34から分離して除去することにより行われる貼合せSOIウェーハの製造方法である。
この請求項7に記載された貼合せSOIウェーハの製造方法では、分離した半導体ウェーハ31は研磨によりポーラスシリコン層37を除去した後、再度、陽極酸化によりポーラスシリコン層37を再度形成することで再利用できる。
【0012】
請求項8に係る発明は、請求項2に係る発明であって、工程(A)と工程(B)の間における酸化膜の除去が研磨により行われる貼合せSOIウェーハの製造方法である。
請求項9に係る発明は、請求項2に係る発明であって、工程(A)と工程(B)の間における酸化膜の除去が化学エッチングにより行われる貼合せSOIウェーハの製造方法である。
請求項10に係る発明は、請求項9に係る発明であって、化学エッチングが水とHFとの重量割合(HF:H2O)が1:0〜10の範囲内にあるHF溶液により行われる貼合せSOIウェーハの製造方法である。
この請求項8ないし10いずれかに記載された貼合せSOIウェーハの製造方法では、研磨、化学エッチングを行うことで重ね合わせる側の主面の周端縁及び面取り部に形成された酸化膜のみを除去できる。
【0013】
請求項11に係る発明は、請求項1ないし7いずれか1項に係る発明であって、工程(A)の半導体ウェーハ又は支持ウェーハのいずれか一方又はその双方における重ね合わせる側の主面を、酸化性雰囲気下、SC−1溶液により洗浄した後、重ね合わせる貼合せSOIウェーハの製造方法である。
請求項12に係る発明は、請求項1ないし7いずれか1項に係る発明であって、工程(A)の半導体ウェーハ又は支持ウェーハのいずれか一方又はその双方における重ね合わせる側の主面を、酸化性雰囲気下、有機酸及びオゾンを含む溶液により洗浄した後、重ね合わせる貼合せSOIウェーハの製造方法である。
請求項13に係る発明は、請求項1ないし7いずれか1項に係る発明であって、工程(A)の半導体ウェーハ又は支持ウェーハのいずれか一方又はその双方における重ね合わせる側の主面を、水とHFとの重量割合(HF:H2O)が1:50〜400の範囲内にある希HF溶液により洗浄した後、重ね合わせる貼合せSOIウェーハの製造方法である。
この請求項11ないし13いずれかに記載された貼合せSOIウェーハの製造方法では、SC−1溶液、有機酸及びオゾンを含む溶液、希HF溶液により洗浄した後に、重ね合わせることで、貼合せSOIウェーハにおいて過度の熱ストレス、汚染が起きにくく、OSFも発生しにくくなる。
【0014】
請求項14に係る発明は、請求項1ないし13いずれか1項に記載された方法で製造された貼合せSOIウェーハである。
この請求項14に係る発明では、埋込み酸化膜の側面が露出しないため、高品質のSOIウェーハが得られる。
【0015】
【発明の実施の形態】
次に本発明の貼合せSOIウェーハの製造方法を説明する。
本発明の貼合せSOIウェーハの製造方法は、(A) 半導体ウェーハと支持ウェーハとを酸化膜を介して重ね合せることにより積層体を形成する工程と、(B) 半導体ウェーハを所定の厚さに薄膜化することにより支持ウェーハ上に埋込み酸化膜層を介して薄膜の単結晶シリコン層を形成する工程とを含む貼合せSOIウェーハの製造方法の改良である。その特徴ある構成は、(C) 埋込み酸化膜層全体を支持ウェーハの重ね合わせ側の主面と単結晶シリコン層により被包するところにある。埋込み酸化膜層全体を支持ウェーハの重ね合わせ側の主面と単結晶シリコン層により被包するので、埋込み酸化膜の側面が露出しない。また、気相成長等の工程を付加していないため、製造コストを低減できる。
具体的には、工程(C)の埋込み酸化膜層全体の被包は、図1に示すように、工程(A)における酸化膜11aを半導体ウェーハ11又は支持ウェーハ12のいずれか一方の重ね合わせる側の主面及びこの主面に続く面取り部に形成するか、或いは半導体ウェーハ11又は支持ウェーハ12のいずれか一方の両主面及び両主面に接続する面取り部に形成し、工程(A)と工程(B)の間で重ね合わせる側の主面の周端縁及び面取り部に形成された酸化膜を除去して周端縁を除く重ね合わせ面のみに酸化膜を残留させることにより行われる。周端縁及び面取り部に形成された酸化膜を除去することで側面から露出していた酸化膜に起因する製品歩留まりの低下を低減でき、周端縁を除く重ね合わせ面のみに酸化膜を残留させているため、高品質のSOIウェーハを得ることができる。
【0016】
次に本発明第1の実施形態における貼合せSOIウェーハの製造方法を図面に基づいて説明する。
図1に示すように、先ず、チョクラルスキー法で製造され、同一の直径と同一の厚さを有する半導体ウェーハ11と支持ウェーハ12をそれぞれ用意する(図1(a)及び図1(d))。この半導体ウェーハ11を熱酸化することによりウェーハ11の主面に絶縁膜である酸化膜(SiO2膜)11aを形成する(図1(b))。次いで、半導体ウェーハ11に形成した酸化膜のうち、重ね合わせる側の主面の周端縁及び面取り部に形成された酸化膜を除去して周端縁を除く重ね合わせ面のみに酸化膜を残留させる(図1(c))。ここでの重ね合わせる側の主面の周端縁及び面取り部に形成された酸化膜の除去方法としては研磨、化学エッチング等が挙げられる。
【0017】
研磨による酸化膜の除去には次の方法が挙げられる。両主面及び両主面に接続する面取り部に酸化膜11aが形成された半導体ウェーハ11を用いて説明する。図5(a)に示すように、一般的な片面研磨装置50を用意する。この片面研磨装置50は、上面に研磨布51が展張された研磨定盤52と、研磨定盤52の上方に配置される研磨ヘッド53とを備える。研磨ヘッド53の下面には環状のテンプレート56が固着される。このテンプレート56の内側には、ウェーハの直径より若干大径な孔部56aが形成され、この孔内にスエードパット、シリコーンゴム、不織布等の軟質のバックパット57が収納される。このバックパット57はウェーハ周端縁及び面取り部のみが接触するようなOリング形状を有する。研磨定盤52の上方には研磨布51に向けて研磨剤を供給するためのノズル55が配設される。このバックパット57と研磨布51の間に、重ね合わせる側の主面を研磨布51と向かい合わせるように半導体ウェーハ11を設置する。図5(b)に示すように、半導体ウェーハ11を研磨定盤52の研磨布51に押し付けると、バックパット57に接触しないウェーハ中央部が上凸に変形して、ウェーハ周端縁の酸化膜のみが研磨され、ウェーハ中央部の酸化膜は殆ど研磨されない。このような研磨方法により、図5(c)に示すように、研磨された半導体ウェーハ11は、周端縁及び面取り部の酸化膜のみが除去され周端縁を除く重ね合わせ面のみに酸化膜11aは残留する。
【0018】
化学エッチングによる酸化膜の除去には次の方法が挙げられる。両主面及び両主面に接続する面取り部に酸化膜11aが形成された半導体ウェーハ11を用いて説明する。図6に示すように、半導体ウェーハ11中央部を上チャック61及び下チャック62により保持し、ウェーハ周端縁及び面取り部に沿った形状を有するエッチングローラ64を半導体ウェーハ11の面取り部と一定の間隔を開けて設ける。このエッチングローラ64の上方には連通孔64aが形成され、この連通孔64aからウェーハ11の周端縁及び面取り部付近にエッチング液が供給可能となっている。上チャック61及び下チャック62により半導体ウェーハ11を水平回転させ、更に、連通孔64aよりエッチング液を供給する。ウェーハ11の周端縁及び面取り部に接触したエッチング液63は、表面張力、遠心力によってウェーハの中央部には行き渡らず、周端縁及び面取り部のみに残留する。このようにしてエッチング液をウェーハ11の周端縁及び面取り部のみに接触させることで、ウェーハ周端縁及び面取り部の酸化膜のみを除去する。これにより半導体ウェーハ11は、周端縁及び面取り部の酸化膜のみが除去され周端縁を除く重ね合わせ面のみに酸化膜11aは残留する。なお、図1(c)に示す半導体ウェーハ11はこの図6に示すエッチング方法により施されたものである。
化学エッチングには、水とHFとの重量割合(HF:H2O)が1:0〜10の範囲内にあるHF溶液により行われる。水とHFとの重量割合(HF:H2O)が1:10を越えると酸化膜のエッチング速度が遅くなり、均一な酸化膜除去ができなくなるという問題が生じる。
【0019】
次に、半導体ウェーハ11と支持ウェーハ12とを酸化膜11aを介して重ね合わせて積層体13を形成する前に、半導体ウェーハ11又は支持ウェーハ12のいずれか一方又はその双方における重ね合わせる側の主面を、酸化性雰囲気下、SC−1溶液により洗浄するか、又は有機酸及びオゾンを含む溶液により洗浄するか、或いは水とHFとの重量割合(HF:H2O)が1:50〜400の範囲内にある希HF溶液により洗浄した後、重ね合わせることが好ましい。酸化性雰囲気下、SC−1溶液により洗浄することで、洗浄したウェーハの主面に自然酸化膜が成長し、パーティクル除去に効果がある。また酸化性雰囲気下、有機酸及びオゾンを含む溶液により洗浄することで、洗浄したウェーハの主面に自然酸化膜が成長し、有機物、パーティクル除去に効果がある。更に、希HF洗浄により洗浄することで、HF分子がウェーハ表面のSi−O結合と反応し、Si−F結合となる。このSi−F結合は分極しているのでHFの攻撃を受け易く、これにより重ね合わせる側の主面のSiはSiF4となって脱離し、重ね合わせる側の主面はH基により終端される。このウェーハを重ね合わせ、更に熱処理を施すと、重ね合わせた界面にはH2が生じる。H2は体積が非常に小さいため、ここで生じたH2は、熱処理時間が比較的短くても、その重ね合わせた界面から抜け出やすい。この熱処理の結果、貼合せSOIウェーハにおいて過度の熱ストレス、汚染が起きにくく、OSFも発生しにくい。希HF溶液を水とHFとの重量割合(HF:H2O)が1:50〜400の範囲内に規定したのは、この濃度範囲であれば、ウェーハの重ね合わせ面のOH基の密度が小さくなり、重ね合わせた後に施す熱処理によって、界面に発生するH2Oの量が少なくなり、貼合せSOIウェーハの周辺部におけるボイドの発生率をより低減することができるためである。水とHFとの重量割合(HF:H2O)が1:50未満では、ウェーハ表面のSi−F結合のFがOH基に置換した場合にOH基の比率が高くなりすぎて、ウェーハ外周部でのボイド発生率が増大するからである。また、1:400を越えると、自然酸化膜の除去に時間がかかりすぎる問題を生じる。
【0020】
次に、図1に戻って、支持ウェーハ12の主面に半導体ウェーハ11を酸化膜11aを介して室温で重ね合わせて積層体13を形成する(図1(e))。この積層体13を酸素(O2)又は窒素(N2)雰囲気中で900〜1200℃の範囲に昇温しこの温度範囲に30〜120分間保持する熱処理を行う。この熱処理は半導体ウェーハ11の支持ウェーハ12への貼合せを強固にする熱処理である。次に、半導体ウェーハ11を所定の厚さに薄膜化する(図1(f))。半導体ウェーハ11の薄膜化は、半導体ウェーハ11の機械加工、化学エッチング又は気相エッチングのいずれかの方法により行われる。機械加工による薄膜化としては、重ね合わせる側と反対側の半導体ウェーハ11を重ね合わせた後で研削研磨するか、或いは、半導体ウェーハ11を主面と平行に切断することにより行われる。
切断は、例えばダイヤモンド内周刃で半導体ウェーハの所定厚さ位置で主面と平行に、即ち結合面と平行に切断する。内周刃切断装置としては、例えばSOIウェーハを保持して固定する保持盤と、これに対向配置される吸着盤を具備し、切断するSOIウェーハを挟持するようにする。そして、保持盤と吸着盤はそれぞれウェーハ面に垂直方向に進退動可能に構成されており、かつ保持盤は割り出しピッチ機構を備え、ウェーハが傾斜して切断されないように、内周刃と正確にSOIウェーハの結合面が平行になるように、面合わせ機能を有している。このような切断装置を用いれば、簡単に結合ウェーハの半導体ウェーハの所定位置で主面と平行に切断して、SOIウェーハと切断ウェーハに分割することができる。切断ウェーハは、その切断面に生じた加工歪みに研削研磨を施すことで、貼合せ用の半導体ウェーハとして再度利用することができる。
更に半導体ウェーハ11の薄膜化した面を1次研磨及びそれに続く仕上げ研磨を行って薄膜14を平滑化する(図1(f))。これにより側面に埋込み酸化膜11aが露出しないSOIウェーハ16が得られる。
【0021】
次に本発明第2の実施形態における貼合せSOIウェーハの製造方法を図2に基づいて説明する。
図2に示すように、この第2の実施形態では、工程(B)の半導体ウェーハ21の薄膜化が、半導体ウェーハ21の重ね合わせる側の主面及びこの主面に続く面取り部にイオンを注入して半導体ウェーハ21内部にイオン注入領域21bを形成し、重ね合わせた後の積層体23を所定の温度で熱処理して半導体ウェーハ21をイオン注入領域21bで薄膜24から分離して除去する、いわゆるスマートカット法によって行われる。
【0022】
この薄膜化の場合、先ず、重ね合わせて積層体23を形成する前の半導体ウェーハ21を熱酸化することによりウェーハ21の主面に絶縁膜である酸化膜(SiO2膜)21aを形成した後に、このウェーハ21の主面に水素ガスイオンである水素イオン(H+)を3.0×1016/cm2以上又は水素分子イオン(H2 +)を1.5×1016/cm2以上のドーズ量でイオン注入する(図2(a))。ここで図2(a)、図2(b)及び図2(d)中の符号21bは水素ガスイオン又は水素分子イオンの注入により半導体ウェーハ内部に形成されたイオン注入領域であり、このイオン注入領域21bは酸化膜21aに平行に、即ち半導体ウェーハ21表面に平行に形成される。また水素ガスイオン(H+)の場合には、水素分子イオン(H2 +)の場合の約2倍の注入量が必要である。なお、水素ガスイオン及び水素分子イオンの注入に代えて、或いは水素ガスイオン又は水素分子イオンとともに、ヘリウムイオン(He+)を注入してもよい。この場合、ヘリウムイオンのドーズ量は0.5×1016/cm2以上であることが好ましい。なお、図示しないが、酸化膜21aは半導体ウェーハ21の全面に形成してもよい。
【0023】
次いで、半導体ウェーハ21に形成した酸化膜のうち、重ね合わせる側の主面の周端縁及び面取り部に形成された酸化膜を除去して周端縁を除く重ね合わせ面のみに酸化膜を残留させる(図2(b))。この工程では前述した第1実施形態と同様の手法により周端縁及び面取り部に形成された酸化膜を除去を除去する。次に、支持ウェーハ22を用意し(図2(c))、この支持ウェーハ22の主面に半導体ウェーハ21を酸化膜21aを介して室温で重ね合わせて積層体23を形成する(図2(d))。この積層体23を窒素(N2)雰囲気中で500〜800℃の範囲に昇温し、この温度範囲に5〜30分間保持して薄膜分離熱処理を行う。これにより半導体ウェーハ21がイオン注入領域21bのところで割れて上部の厚肉の剥離ウェーハ27と下部の薄膜24に分離する(図2(e))。次に上記半導体ウェーハ21がイオン注入領域21bで割れた積層体23の温度を下げ、酸化膜21aを介して薄膜24が積層された支持ウェーハ22から剥離ウェーハ27を取除く(図2(f)及び図2(g))。上記支持ウェーハ22を酸素(O2)又は窒素(N2)雰囲気中で900〜1200℃の範囲に昇温しこの温度範囲に30〜120分間保持する熱処理を行う。この熱処理は薄膜24の支持ウェーハ22への貼合せを強固にする熱処理である。更に支持ウェーハ22の分離面をアニール処理するか又は研磨(タッチポリッシング)して平滑化する(図2(f))。これにより側面に埋込み酸化膜21aが露出しないSOIウェーハ26が得られる。なお、剥離ウェーハ27は、分離面を研磨して平滑化することにより、再び半導体ウェーハ21として再利用することができる。
【0024】
次に本発明第3の実施形態における貼合せSOIウェーハの製造方法を図3に基づいて説明する。
図3に示すように、この第3の実施形態では、工程(B)の半導体ウェーハ31の薄膜化が、半導体ウェーハ31の重ね合わせる側の主面及びこの主面に続く面取り部に多孔質のポーラスシリコン層37を陽極酸化により作製し、このポーラスシリコン層37に水素アニール処理を施した後に、エピタキシャル成長によって単結晶シリコン薄膜層34をこの順に形成し、単結晶シリコン薄膜層34又は支持ウェーハ32のいずれか一方の重ね合わせる側の主面及びこの主面に続く面取り部に酸化膜31aを形成し、重ね合わせた後の積層体33を所定の温度で熱処理して半導体ウェーハ31をポーラスシリコン層37で単結晶シリコン薄膜層34から分離して除去する、いわゆるELTRAN法によって行われる。
【0025】
この薄膜化の場合、先ず、重ね合わせて積層体33を形成する前の半導体ウェーハ31の重ね合わせる側の主面及びこの主面に続く面取り部に多孔質のポーラスシリコン層37を陽極酸化により作製する(図3(a))。次いで、この多孔質のポーラスシリコン層37に水素アニール処理を施した後に、ポーラスシリコン層37の上にエピタキシャル成長によって単結晶シリコン薄膜層34と絶縁膜であるシリコン酸化膜(SiO2膜)31aを形成する(図3(b))。
【0026】
次いで、半導体ウェーハ31に形成した酸化膜のうち、重ね合わせる側の主面の周端縁及び面取り部に形成された酸化膜を除去して周端縁を除く重ね合わせ面のみに酸化膜を残留させる(図3(c))。この工程では前述した第1実施形態と同様の手法により周端縁及び面取り部に形成された酸化膜を除去を除去する。次に、支持ウェーハ32を用意し(図3(d))、この支持ウェーハ32の主面に半導体ウェーハ31を酸化膜31aを介して室温で重ね合わせて積層体33を形成する(図3(e))。上記積層体33を酸素(O2)又は窒素(N2)雰囲気中で900〜1200℃の範囲に昇温しこの温度範囲に30〜120分間保持する熱処理を行う。冷却した後、機械的な力でポーラス層の部分でカットし、分離する(図3(f))。更に支持ウェーハ32の分離面を水素アニール処理により薄膜34を平滑化する(図3(g)及び図3(i))。これにより側面に埋込み酸化膜31aが露出しないSOIウェーハ36が得られる。なお、図3(h)に示す分離した半導体ウェーハ31は、分離面を研磨によってポーラスシリコン層37を除去した後、再度陽極酸化してポーラスシリコン層37を形成することで再利用することができる。
【0027】
更に本発明第4の実施形態における貼合せSOIウェーハの製造方法を図4に基づいて説明する。
図4に示すように、この第4の実施形態では、先ず、重ね合わせて積層体43を形成する前の半導体ウェーハ41のうち、中央部のみを研磨してウェーハの周端縁及び面取り部を立たせる(図4(a)及び図4(b))。この工程では、第1の実施形態における研磨による酸化膜の除去方法と同様の方法を用いることにより、中央部の厚さは薄く、周端縁及び面取り部の厚さは研磨前の厚さのまま、即ち、ウェーハ41の断面形状が凹状となるように加工できる。次に、熱酸化することによりウェーハ11の主面に絶縁膜である酸化膜(SiO2膜)41aを形成する(図4(c))。次に、半導体ウェーハ41に形成した酸化膜のうち、重ね合わせる側の主面の周端縁及び面取り部に形成された酸化膜を除去して周端縁を除く重ね合わせ面のみに酸化膜を残留させる(図4(d))。この工程では通常の研磨方法によりウェーハ表面を研磨して、ウェーハ周端縁及び面取り部の酸化膜を除去する程度の厚さにまで研磨を施すことで、ウェーハ中央部に位置する酸化膜のみを残留させることができる。以下に続く工程、即ち図4(f)〜図4(h)に示す工程は第1実施形態と同様である。
【0028】
このように上記本発明第1〜第4の実施形態における貼合せSOIウェーハの製造方法により製造された貼合せSOIウェーハは、埋込み酸化膜の側面が露出しないため、通常のシリコンウェーハと同様の品質が得られる。
【0029】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明の貼合せSOIウェーハの製造方法は、(A) 半導体ウェーハと支持ウェーハとを酸化膜を介して重ね合せることにより積層体を形成する工程と、(B) 半導体ウェーハを所定の厚さに薄膜化することにより支持ウェーハ上に埋込み酸化膜層を介して薄膜の単結晶シリコン層を形成する工程とを含む貼合せSOIウェーハの製造方法の改良であり、その特徴ある構成は、(C) 埋込み酸化膜層全体を支持ウェーハの重ね合わせ側の主面と単結晶シリコン層により被包するところにある。具体的には、埋込み酸化膜層全体の被包は、工程(A)と工程(B)の間で重ね合わせる側の主面の周端縁及び面取り部に形成された酸化膜を除去して周端縁を除く重ね合わせ面のみに酸化膜を残留させることにより行われる。上記方法により、埋込み酸化膜層全体が被包され、露出していない貼合せSOIウェーハを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明第1の実施形態における貼合せSOIウェーハの製造方法を工程順に示す図。
【図2】本発明第2の実施形態における貼合せSOIウェーハの製造方法を工程順に示す図。
【図3】本発明第3の実施形態における貼合せSOIウェーハの製造方法を工程順に示す図。
【図4】本発明第4の実施形態における貼合せSOIウェーハの製造方法を工程順に示す図。
【図5】(a) 片面研磨装置を用いた半導体ウェーハの周端縁及び面取り部の酸化膜の研磨方法を示す図。
(b) 下定盤に半導体ウェーハを押し付けた状態を示す図5(a)に対応する図。
(c) 研磨後の周端縁及び面取り部の酸化膜を除去した半導体ウェーハの断面図。
【図6】半導体ウェーハの周端縁及び面取り部の酸化膜をエッチングする方法を示す図。
【図7】(a) 従来の貼合せSOIウェーハを示す構成断面図。
(b) エッチングにより側面に露出した埋込み酸化膜が除去されて単結晶シリコン層が張り出した状態を示す図7(a)に対応するSOIウェーハの断面図。
【符号の説明】
11,21,31,41 半導体ウェーハ
11a,21a,31a,41a 埋込み酸化膜層
12,22,32,42 支持ウェーハ
13,23,33,43 積層体
14,24,34,44 単結晶シリコン層
16,26,36,46 SOIウェーハ
Claims (14)
- (A) 半導体ウェーハ(11,21,31,41)と支持ウェーハ(12,22,32,42)とを酸化膜(11a,21a,31a,41a)を介して重ね合せることにより積層体(13,23,33,43)を形成する工程と、(B) 前記半導体ウェーハ(11,21,31,41)を所定の厚さに薄膜化することにより前記支持ウェーハ(12,22,32,42)上に埋込み酸化膜層(11a,21a,31a,41a)を介して薄膜の単結晶シリコン層(14,24,34,44)を形成する工程とを含む貼合せSOIウェーハの製造方法において、
(C) 前記埋込み酸化膜層(11a,21a,31a,41a)全体を前記支持ウェーハ(12,22,32,42)の重ね合わせ側の主面と前記単結晶シリコン層(14,24,34,44)により被包することを特徴とする貼合せSOIウェーハの製造方法。 - 工程(C)の埋込み酸化膜層(11a,21a,31a,41a)全体の被包が、工程(A)における酸化膜(11a,21a,31a,41a)を前記半導体ウェーハ(11,21,31,41)又は前記支持ウェーハ(12,22,32,42)のいずれか一方の重ね合わせる側の主面及びこの主面に続く面取り部に形成するか、或いは前記半導体ウェーハ(11,21,31,41)又は前記支持ウェーハ(12,22,32,42)のいずれか一方の両主面及び両主面に接続する面取り部に形成し、
前記工程(A)と工程(B)の間で前記重ね合わせる側の主面の周端縁及び面取り部に形成された酸化膜を除去して前記周端縁を除く重ね合わせ面のみに酸化膜(11a,21a,31a,41a)を残留させる
ことにより行われる請求項1記載の貼合せSOIウェーハの製造方法。 - 工程(B)の半導体ウェーハ(11,41)の薄膜化が、前記半導体ウェーハ(11,41)の機械加工、化学エッチング又は気相エッチングのいずれかの方法により行われる請求項1記載の貼合せSOIウェーハの製造方法。
- 工程(B)の半導体ウェーハ(11,41)の機械加工による薄膜化が、重ね合わせる側と反対側の前記半導体ウェーハ(11,41)を重ね合わせた後で研削研磨することにより行われる請求項3記載の貼合せSOIウェーハの製造方法。
- 工程(B)の半導体ウェーハ(11,41)の機械加工による薄膜化が、前記半導体ウェーハ(11,41)を重ね合わせた後で前記半導体ウェーハ(11,41)を主面と平行に切断することにより行われる請求項3記載の貼合せSOIウェーハの製造方法。
- 工程(B)の半導体ウェーハ(21)の薄膜化が、半導体ウェーハ(21)の重ね合わせる側の主面及びこの主面に続く面取り部にイオンを注入して前記半導体ウェーハ(21)内部にイオン注入領域(21b)を形成し、重ね合わせた後の積層体(23)を所定の温度で熱処理して前記半導体ウェーハ(21)を前記イオン注入領域(21b)で薄膜(24)から分離して除去することにより行われる請求項1記載の貼合せSOIウェーハの製造方法。
- 工程(B)の半導体ウェーハ(31)の薄膜化が、半導体ウェーハ(31)の重ね合わせる側の主面及びこの主面に続く面取り部に多孔質のポーラスシリコン層(37)を陽極酸化により作製し、前記ポーラスシリコン層(37)に水素アニール処理を施した後に、エピタキシャル成長によって単結晶シリコン薄膜層(34)をこの順に形成し、前記単結晶シリコン薄膜層(34)又は支持ウェーハ(32)のいずれか一方の重ね合わせる側の主面及びこの主面に続く面取り部に酸化膜(31a)を形成し、重ね合わせた後の積層体(33)を所定の温度で熱処理して前記半導体ウェーハ(31)を前記ポーラスシリコン層(37)で前記単結晶シリコン薄膜層(34)から分離して除去することにより行われる請求項1記載の貼合せSOIウェーハの製造方法。
- 工程(A)と工程(B)の間における酸化膜の除去が研磨により行われる請求項2記載の貼合せSOIウェーハの製造方法。
- 工程(A)と工程(B)の間における酸化膜の除去が化学エッチングにより行われる請求項2記載の貼合せSOIウェーハの製造方法。
- 化学エッチングが水とHFとの重量割合(HF:H2O)が1:0〜10の範囲内にあるHF溶液により行われる請求項9記載の貼合せSOIウェーハの製造方法。
- 工程(A)の半導体ウェーハ(11,21,31,41)又は支持ウェーハ(12,22,32,42)のいずれか一方又はその双方における重ね合わせる側の主面を、酸化性雰囲気下、SC−1溶液により洗浄した後、重ね合わせる請求項1ないし7いずれか1項に記載の貼合せSOIウェーハの製造方法。
- 工程(A)の半導体ウェーハ(11,21,31,41)又は支持ウェーハ(12,22,32,42)のいずれか一方又はその双方における重ね合わせる側の主面を、酸化性雰囲気下、有機酸及びオゾンを含む溶液により洗浄した後、重ね合わせる請求項1ないし7いずれか1項に記載の貼合せSOIウェーハの製造方法。
- 工程(A)の半導体ウェーハ(11,21,31,41)又は支持ウェーハ(12,22,32,42)のいずれか一方又はその双方における重ね合わせる側の主面を、水とHFとの重量割合(HF:H2O)が1:50〜400の範囲内にある希HF溶液により洗浄した後、重ね合わせる請求項1ないし7いずれか1項に記載の貼合せSOIウェーハの製造方法。
- 請求項1ないし13いずれか1項に記載された方法で製造された貼合せSOIウェーハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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---|---|
JP2005079109A true JP2005079109A (ja) | 2005-03-24 |
JP4581349B2 JP4581349B2 (ja) | 2010-11-17 |
Family
ID=34402419
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---|---|---|---|
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Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP4581349B2 (ja) |
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