JP2005051192A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2005051192A5
JP2005051192A5 JP2003383517A JP2003383517A JP2005051192A5 JP 2005051192 A5 JP2005051192 A5 JP 2005051192A5 JP 2003383517 A JP2003383517 A JP 2003383517A JP 2003383517 A JP2003383517 A JP 2003383517A JP 2005051192 A5 JP2005051192 A5 JP 2005051192A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
general formula
formula
atom
insulating film
hydrocarbon group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003383517A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2005051192A (ja
JP4438385B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2003383517A priority Critical patent/JP4438385B2/ja
Priority claimed from JP2003383517A external-priority patent/JP4438385B2/ja
Publication of JP2005051192A publication Critical patent/JP2005051192A/ja
Publication of JP2005051192A5 publication Critical patent/JP2005051192A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4438385B2 publication Critical patent/JP4438385B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

JP2003383517A 2002-11-28 2003-11-13 絶縁膜用材料、有機シラン化合物の製造方法、絶縁膜、及びそれを用いた半導体デバイス Expired - Lifetime JP4438385B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003383517A JP4438385B2 (ja) 2002-11-28 2003-11-13 絶縁膜用材料、有機シラン化合物の製造方法、絶縁膜、及びそれを用いた半導体デバイス

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002346226 2002-11-28
JP2003198654 2003-07-17
JP2003383517A JP4438385B2 (ja) 2002-11-28 2003-11-13 絶縁膜用材料、有機シラン化合物の製造方法、絶縁膜、及びそれを用いた半導体デバイス

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009120571A Division JP5003722B2 (ja) 2002-11-28 2009-05-19 有機シロキサン化合物

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2005051192A JP2005051192A (ja) 2005-02-24
JP2005051192A5 true JP2005051192A5 (enExample) 2006-08-10
JP4438385B2 JP4438385B2 (ja) 2010-03-24

Family

ID=34279470

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003383517A Expired - Lifetime JP4438385B2 (ja) 2002-11-28 2003-11-13 絶縁膜用材料、有機シラン化合物の製造方法、絶縁膜、及びそれを用いた半導体デバイス

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4438385B2 (enExample)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7968471B2 (en) * 2003-11-28 2011-06-28 Nec Corporation Porous insulating film, method for producing the same, and semiconductor device using the same
TW200527536A (en) 2004-02-13 2005-08-16 Matsushita Electric Industrial Co Ltd Method for forming organic/inorganic hybrid insulation film
JP2006024670A (ja) 2004-07-07 2006-01-26 Sony Corp 半導体装置の製造方法
JP4997435B2 (ja) * 2005-04-08 2012-08-08 大陽日酸株式会社 絶縁膜用材料およびその成膜方法
JP4656147B2 (ja) * 2005-09-13 2011-03-23 日本電気株式会社 多孔質絶縁膜の形成方法および半導体装置
US8039921B2 (en) 2005-09-16 2011-10-18 Nec Corporation Wiring structure, semiconductor device and manufacturing method thereof
JP4618086B2 (ja) * 2005-09-30 2011-01-26 東ソー株式会社 Ｓｉ含有膜及びその製造方法等
WO2007061134A1 (ja) * 2005-11-24 2007-05-31 Nec Corporation 多孔質絶縁膜の形成方法、半導体装置の製造装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2007221039A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 National Institute For Materials Science 絶縁膜および絶縁膜材料
US7531458B2 (en) * 2006-07-31 2009-05-12 Rohm And Haas Electronics Materials Llp Organometallic compounds
EP2053107A1 (en) 2006-08-15 2009-04-29 JSR Corporation Film-forming material, silicon-containing insulating film and method for forming the same
JP5299901B2 (ja) * 2006-09-08 2013-09-25 独立行政法人産業技術総合研究所 半導体集積回路装置と配線形成方法、配線構造
US20090278178A1 (en) * 2006-12-12 2009-11-12 Nec Corporation Semiconductor device and method for fabricating the same
CN101611043B (zh) 2007-02-14 2013-03-13 Jsr株式会社 含硅膜形成用材料、以及含硅绝缘膜及其形成方法
JP2008274365A (ja) * 2007-05-01 2008-11-13 Shin Etsu Chem Co Ltd Ｓｉ含有膜形成材料、Ｓｉ含有膜及びその製造方法、並びに半導体デバイス
JP5015705B2 (ja) 2007-09-18 2012-08-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 層間絶縁膜形成方法、層間絶縁膜、半導体デバイス、および半導体製造装置
KR20100126327A (ko) * 2008-03-26 2010-12-01 제이에스알 가부시끼가이샤 화학 기상 성장법용 재료, 규소 함유 절연막 및 그의 제조 방법
JP2009277686A (ja) * 2008-05-12 2009-11-26 Taiyo Nippon Sanso Corp 絶縁膜の成膜方法および絶縁膜
RU2011129624A (ru) * 2008-12-18 2013-01-27 Моментив Перформанс Матириалз Инк. Композиция, содержащая по меньшей мере два различных циклоалкилметикона, и ее применение
JP4379637B1 (ja) 2009-03-30 2009-12-09 Ｊｓｒ株式会社 有機ケイ素化合物の製造方法
JP2011111635A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Tosoh Corp 炭素含有酸化ケイ素膜からなる封止膜、及びその用途
JP6014971B2 (ja) 2010-06-18 2016-10-26 東ソー株式会社 典型金属含有ポリシロキサン組成物、その製造方法、およびその用途
JP5838744B2 (ja) * 2010-12-15 2016-01-06 東ソー株式会社 炭素含有酸化ケイ素膜、封止膜及びその用途
JP2011116758A (ja) * 2010-12-22 2011-06-16 Tosoh Corp 有機シラン化合物、その製法、それを含むＳｉ含有膜形成材料、および成膜方法
JP6007662B2 (ja) 2011-09-05 2016-10-12 東ソー株式会社 成膜材料、それを用いた封止膜、及びその用途
JP6131575B2 (ja) * 2011-12-22 2017-05-24 東ソー株式会社 環状シロキサン化合物の製造方法およびジシロキサン化合物
CN104471778A (zh) * 2012-07-17 2015-03-25 丰田自动车株式会社 锂二次电池及其制造方法
JP2015155521A (ja) * 2014-01-14 2015-08-27 東ソー株式会社 環状シロキサン組成物、その製造方法、及びその用途
JP6862049B2 (ja) * 2017-03-31 2021-04-21 東ソー株式会社 環状シロキサン化合物、その製造方法、それを用いてなる電気絶縁膜の製造法及び膜
CN117355632A (zh) * 2021-05-31 2024-01-05 东曹株式会社 平坦化膜的制造方法、平坦化膜用材料以及平坦化膜

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2005051192A5 (enExample)
JP2718231B2 (ja) 高純度末端ヒドロキシフェニルラダーシロキサンプレポリマーの製造方法および高純度末端ヒドロキシフェニルラダーポリシロキサンの製造方法
JP4742212B2 (ja) シルセスキオキサン誘導体の製造方法およびシルセスキオキサン誘導体
JP4438385B2 (ja) 絶縁膜用材料、有機シラン化合物の製造方法、絶縁膜、及びそれを用いた半導体デバイス
JP6392351B2 (ja) ２，２，４，４−テトラシリルペンタシラン並びにその組成物、方法及び使用
TW200423256A (en) Insulating film material containing an organic silane compound, its production method and semiconductor device
JP5153635B2 (ja) 新規エポキシ化合物およびその製造方法
KR20120074237A (ko) 정제 아미노실란의 제조 방법
EP2797855A1 (en) Method of producing an organic silicon compound
US6399733B1 (en) Process for preparing a highly pure silicone ladder polymer
JPH0791308B2 (ja) トリアルキルシリルメチル基含有シラン化合物
TW201902828A (zh) 製造鹵矽氧烷的方法
JP4054957B2 (ja) テトラキス（ジメチルアミノ）シランの塩素分低減方法
JPH10139784A (ja) ビニルシリル基含有ケイ素化合物の製造方法
TWI726508B (zh) 用於降低含鹵矽烷的組合物中之硼化合物含量的方法
JP2599855B2 (ja) タンタルアルコキシドの精製方法
CN101442003B (zh) 含有有机硅烷、有机硅氧烷化合物形成的绝缘膜用材料、其制造方法和半导体器件
JP4957037B2 (ja) 有機シラン化合物、それを含むＳｉ含有膜形成材料、製造方法および用途
JP2001206949A (ja) 環状シロキサンの製造方法
JPH04128292A (ja) γ―メタクリロキシプロピルシラン化合物の製造方法
JP2669702B2 (ja) 環状ジシラニレン‐アセチレンの製法
JP3908509B2 (ja) ゲルマニウム原子ならびにシリコン原子含有ラダー型耐熱性樹脂およびその製造方法
JP2575562B2 (ja) タンタルアルコキシドの精製方法
CN1646425A (zh) 混合卤素卤代硅烷的制备方法
JP4603636B2 (ja) モノハロシランからオルガノシロキサンを製造する方法